Introducción a la Electrónica Cod. 2761 LABORATORIO Nº 4

Introducción a la Electrónica
Cod. 2761
Dto. Ing. Eléctrica
LABORATORIO Nº 4
Transistores BJT
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Comisión:
LABORATORIO Nº 4:
POLARIZACION DE TRANSISTORES BJT
OBJETIVOS:
Ensayar diversas topologías de polarización de transistores. Familiarizarse con los componentes,
comparar resultados prácticos respecto de los teóricos calculados. Mediciones de punto de reposo,
estabilidad frente a perturbaciones, y respuesta en frecuencia para una etapa amplificadora en Emisor
Común.
Es necesario para este laboratorio que cada comisión cuente con un protoboard para el armado de
los diversos circuitos.
El transistor a ensayar Q1 será el BC548B (NPN), provisto por la cátedra. Debe tenerse las hojas de datos
de dicho transistor (adjunta con el práctico).
Es recomendable que cada comisión cuente con al menos un mínimo surtido de resistencias para realizar
las prácticas, además de las calculadas.
1) POLARIZACION FIJA
El circuito a implementar es el siguiente:
Fig. 1
1- Para el circuito de polarización fija de la Fig.1 calcule el valor de RB y RC tal que: Icq=5mA y Vceq=5V.
2- Construya el circuito utilizando resistencias de valores comerciales y recalcule el punto de trabajo con
estos valores. Luego mida experimentalmente los valores del punto de reposo.
3- Mida las variaciones de Ic y Vce al variar la temperatura de operación del circuito. (mientras efectúa las
mediciones, aplicar aire caliente con la pistola de calor).
4- Observe la variación de Icq y Vceq al substituir el transistor por otro del mismo tipo.
Si lo desea, puede utilizar para Rb un preset (resistencia variable) en serie con una R fija. Esto le permitirá
obtener más fácilmente el punto de polarización deseado.
Autor: Ing. Favio Mengatto
Rev:2
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Transistores BJT
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Comisión:
2) AUTO POLARIZACION
El circuito a implementar es el siguiente:
Fig. 2
- Repita los puntos 1 al 4 del circuito anterior. Compare y saque conclusiones.
- Mida la tensión Vbe para temperatura ambiente y para una temperatura mayor.
- Que configuración parece mas estable frente a las variaciones de temperatura? Justifique el porqué.
Autor: Ing. Favio Mengatto
Rev:2
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Transistores BJT
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Comisión:
3) POLARIZACION CON R DE EMISOR – RESPUESTA EN FRECUENCIA.
El circuito a implementar es el siguiente:
Fig. 3
Requerimientos del circuito:
 Ganancia de tensión (Vo/Vin): 10
 Impedancia de entrada: > de 10 Kohm.
 Tensión de alimentación: 15 Vdc.
 Icq= 1 mA
Vceq= 4 V
Ve= 1 V
 Frecuencia de corte inferior: 40 Hz
Calcular R1, R2, RC y RE para que en el punto de reposo se obtenga:

Icq= 1 mA
Vceq= 4V
VREq= 1V (Utilice RE= 1Kohm)
Para el cálculo simplificado de R1 y R2, imponga una Idiv >= 10 Ibase.
a) Polarizar el transistor en el punto de reposo deseado.
b) Aplicar una señal senoidal de entrada, y obtener la respuesta en frecuencia del amplificador. Mida
ganancia a frecuencias medias, y obtenga las frecuencias de corte inferior y superior del
amplificador.
c) Verifique (aumentando amplitud de Vin) cual es la máxima excursión de salida (Vpp - tensión pico a
pico) que puede obtener sin distorsión.
d) Verifique ganancia a frecuencias medias, colocando en condensador CE= 100 uF en el emisor.
Efectúe simulaciones con el LTSpice de las 3 configuraciones propuestas. Compare
resultados teóricos con los obtenidos en la práctica.
Autor: Ing. Favio Mengatto
Rev:2
NPN EPITAXIAL
SILICON TRANSISTOR
BC546/547/548/549/550
SWITCHING AND AMPLIFIER
• HIGH VOLTAGE: BC546, VCEO=65V
• LOW NOISE: BC549, BC550
• Complement to BC556 ... BC560
TO-92
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25°°C)
Characteristic
Symbol
Collector Base Voltage
: BC546
: BC547/550
: BC548/549
Collector-Emitter Voltage
: BC546
: BC547/550
: BC548/549/550
Emitter-Base Voltage
: BC546/547
: BC548/549/550
Collector Current (DC)
Collector Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Rating
Unit
80
50
30
V
V
V
65
45
30
V
V
V
V
V
V
mA
mW
°C
°C
VCBO
VCEO
VEBO
6
5
100
500
150
-65 ~ 150
IC
PC
TJ
T STG
1. Collector 2. Base 3. Emitter
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25°°C)
Characteristic
Symbol
Collector Cut-off Current
DC Current Gain
Collector Emitter Saturation Voltage
ICBO
hFE
VCE (sat)
Collector Base Saturation Voltage
VBE (on)
Base Emitter On Voltage
VBE (on)
Current Gain Bandwidth Product
fT
Collector Base Capacitance
Emitter Base Capacitance
Noise Figure
: BC546/547/548
: BC549/550
: BC549
: BC550
CCBO
CEBO
NF
NF
Test Conditions
VCB=30V, IE=0
VCE=5V, IC=2mA
IC=10mA, IB=0.5mA
IC=100mA, IB=5mA
IC=10mA, IB=0.5mA
IC=100mA, IB=5mA
VCE=5V, IC=2mA
VCE=5V, IC=10mA
VCE=5V, IC=10mA
VCB=10V, f=1MHz
VEB=0.5V, f=1MHz
VCE=5V, IC=200µA
f=1KHz, RG=2KΩ
VCE=5V, IC=200µA
RG=2KΩ,
f=30~15000MHz
Min
Typ
110
580
90
200
700
900
660
Max
Unit
15
800
250
600
nA
700
720
300
3.5
9
2
1.2
1.4
1.4
6
10
4
4
3
mA
mA
mA
mA
mA
mA
MHz
pF
pF
dB
dB
dB
dB
hFE CLASSIFICATION
Classification
A
B
C
hFE
110-220
200-450
420-800
Rev. B
1999 Fairchild Semiconductor Corporation
BC546/547/548/549/550
NPN EPITAXIAL
SILICON TRANSISTOR