universidad nacional de mar del plata facultad de ingeniería

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UNIVERSIDAD NACIONAL DE MAR DEL PLATA
FACULTAD DE INGENIERÍA
DEPARTAMENTO DE ELECTRÓNICA Y COMPUTACIÓN
ÁREA: DISPOSITIVOS
CÁTEDRA: Dispositivos y Circuitos Electrónicos
Guı́a de Trabajos Prácticos N◦ 2: Transistor Bipolar de Juntura
Problema 1 Para el circuito de la figura 1(a), obtener el punto de polarización (IBQ , ICQ , VCEQ ).
Considere VBEQ = 0,6 V.
16V
Vcc=20V
16V
Ic
Ic
Ic
2.7k
330k
Ib
2.7k
520k
VCE
RB
150k
Ib


(a)
VCE
Ib
VCE

Rc
500
RE
1.5k
(b)
(c )
Figura 1: Circuitos de polarización (polarización fija).
Problema 2 En el circuito de la figura 1(a), calcular RB para obtener excursión simétrica. Determinar
la corriente de saturación (IC sat ), considerando VCE sat = 0 V.
Problema 3 Para el circuito de la figura 1(b):
1. Calcular el punto de operación para β1 = 100 (ICQ1 , VCEQ1 )
2. Debido a una falla, es necesario reemplazar el transistor; en este caso, se utiliza un dispositivo con
β2 = 150. Calcular el nuevo punto de operación (ICQ2 , VCEQ2 )
¿Qué ocurre con el punto de polarización? ¿Cual es el error porcentual en ambas variables? (Utilice
las siguientes expresiones para obtener el error porcentual:)
∆ICQ
[ %]
ICQ1
∆VCEQ
[ %]
VCEQ1
=
=
ICQ1 −ICQ2
ICQ1
· 100
VCEQ1 −VCEQ2
VCEQ1
· 100
Problema 4 Suponga el circuito de la figura 1(c). Calcule el punto de polarización y el error porcentual
para los valores de β = 100 y β = 150 anteriormente utilizados.
¿Como se ve afectado el error en este caso, ante la variación del 50 % en el valor de β?
¿Comparada con la configuración del problema 3, cual de las dos le parece más conveniente?
Problema 5 Para los circuitos de la figura 2, obtener el punto de polarización (VCEQ , ICQ ), considerando
VBEQ = 0,6 V.
Vcc=20V
Ic
R1
62k
Rc
3.9k
RE
2.2k
Ib
VCE

Rc
1.8k
VCE
Ie
Ic

-8V
10V
RE
680
R2
9.1k
(a)
(b)
Figura 2: Circuitos de polarización. (a) Divisor de tensión. (b) Base común.
Problema 6 Para los circuitos de la figura 3, obtener el punto de polarización. Considere VEBQ = 0,6 V.
Vcc= -12V
Ic
RB
510k
Ib
Vcc= -22V
Ic
Rc
3.3k
Rc
2.2k
R1
82k
RE
3.3k
VEC
Rc
3.9k
Ib
VEC
VEC


Ic
12V
Ie

8V
RE
750
R2
16k
Figura 3: Circuitos de polarización con transistores PNP. (a) Polarización fija (b) Divisor de tensión. (c)
Base común.
Problema 7 Para el circuito de la figura 4, encuentre una expresión general para la variación de la
corriente de colector de polarización respecto de la temperatura (∆ICQ /∆T ), suponiendo que la única
variable afectada por la temperatura es la tensión base-emisor (considere VBEQ = 0,6 V). Luego, para
mitigar dicho efecto, modificar el circuito utilizando la configuración de diodo en base con resistencia y
obtener nuevamente ∆ICQ /∆T . ¿Que condiciones deben cumplirse para que la compensación sea eficiente?
Vcc
Ic
Rc
R1
Ib
VCE
R2
IE

RE
Figura 4: Polarización por divisor de tensión.
Problema 8 A partir de las expresiones obtenidas en el problema anterior, evalúe el error porcentual en
∆ICQ /∆T para la configuración original (sin diodo auxiliar) y la que utiliza la estructura de compensación,
asumiendo que tanto el diodo base-emisor como el diodo auxiliar tienen un coeficiente de variación de la
mV
be
tensión con la temperatura igual a ∆V
∆T = −20 ◦ C . Utilizar los datos de la figura 2(a).
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