PRACTICA 5: APLICACIONES TRANSISTORES MOSFET. Curso 2019-2020: Practica de laboratorio. Realizado por: Geovanny Iguasnia. 1.- Objetivo de la práctica: El objetivo de esta práctica es poner en marcha los conocimientos adquiridos sobre los transistores MOSFET, de igual forma identificar sus zonas de trabajo. Analizar y comprender las funciones de inversores digitales basado en transistores MOSFET. Para esta practica procedemos a realizar el montaje de dos circuitos: Inversor NMOS con carga resistiva. Inversor CMOS. 2.-Inversor NMOS con carga resistiva. 2.1- Análisis Teórico. Tenemos como datos de partida lo siguiente: mA 𝛽 = 100 2 V vt = 2V Tenemos un transistor NMOS, consideramos en SAT. 𝜷n Ids = (Vgs-Vt)2 2 5-Vd Ids = 1K 𝜷n 5-Vd (Vgs -Vt )2 = 2 1K 50(Vi -2)2 = 5-VO VO = Vi 2 - 4Vi -41 Condiciones de saturación: Vgs - Vs > 2 → Vi > 2 Vds > Vgs - 2 → Vo > Vi -2 Sustituyendo Vo por Vi: Vi 2 - 5Vi -30 > 0 Como anteriormente para la primera inecuación habíamos hallado que Vi>2, podemos decir que la segunda inecuación solo es valido el resultado para Vi > 9,23 estará en saturación. 2.2- Montaje Experimental. Antes de realizar el montaje de la practica en la placa protoboard, realizamos la medición de los componentes con el multímetro. Resistencia [1kΩ] = 979 Ω Resistencia [220 Ω] =219 Ω Una vez montado todos los componentes en la placa protoboard, configuramos con el generador de funciones una señal triangular de 5V de amplitud, con una frecuencia de 10Hz y un Offset de 2,5 V. esta señal lo conectamos al circuito para poder medir la función de transferencia. 2.2.1- Vi Input [CH1] Y Vo output [CH2]. 2.2.2- Función de transferencia [XY]. Podemos observar que la imagen de la función de transferencia que se obtuvo como datos de partida, se asemeja a la función de transferencia obtenida con el microscopio. 2.2.3- Determinación de los tiempos de respuesta: Para calcular el tiempo de respuesta modificaremos la configuración del osciloscopio, a una señal cuadrada de 5V, a una frecuencia de 100 Hz y con un Offset de 2,5 V. Input Vi cuadrada: Medida de los tiempos de subida, bajada y retraso: Para esto debemos proceder a medir el tiempo de subida [Tr], es decir el tiempo que tarda la señal de salida de pasar del 10% al 90%, y de igual forma debemos medir el tiempo de bajada de 90% al 10% [Tf]. También se debe medir los tiempos de retraso, que este tiempo no es mas que el tiempo que hay entre los momentos en que las tensiones de entrada y de salida se encuentran a 50%. Tomando en cuenta la siguiente consideración para calcular los tiempos: para calcular el tiempo de subida, la pendiente de disparo ha de ser negativa, mientras la pendiente de bajada debe ser positiva. Tiempos Tiempo de subida [Tf] Tiempo de bajada [Tr] Retardo de subida [Tdf] Retardo de bajada [Tdr] 2.2.4- Simulación SPICE. Código SPICE: Valor obtenido en [s] 1,08 µ 37 n 28 n 23 n Gráfica Obtenida: 3.- INVERSOR CMOS. 3.1 Análisis Teórico: Como datos de partida tenemos: mA 𝜷n = 𝜷p = 100 2 V VTN = 2V, VTN =2,5 V Si consideramos que el MOS P está en región óhmica y el MOS N en saturación: P: → ISD = 𝜷[(VSG -VT )VSD 𝜷 N: → IDS = (VGS -VT )2 2 VD → Comun VSD 2 ] 2 50(Vi -2)2 = 1002 [(5-Vi -2,5)(5-VD ) (Vi -2)2 = (5-2Vi )(5-VD) - (5-VD)2 𝟐 (5-VD )2 ] 2 5-[(2Vi -5) ± √(5-2Vi )2 -4(Vi -2)2 ] -2 Condiciones: N → VDS > VGS -VT VD > Vi -2 0 > Vi -2-VD 81 = 9-4Vi → Vi = -18 N2 = VGS > VT → Vi > 2 Comprobamos la raíz: 9 𝟐 √9-4Vi → 9- 4Vi > 0 → Vi < = 2,25 4 2 < Vi < 2,25 VD = 3.2- Análisis Experimental: Procedemos a montar el circuito, como podemos observar en el siguiente circuito montado en la placa protoboard tenemos dos transistores, un NMOS y un CMOS. Procederemos a visualizar la función de transferencia. 3.2.1- Input VI [CH1] y Output Vo [CH2]. 3.2.2- Función de transferencia [XY] 4.- Determinación del tiempo de respuesta de la puerta: 4.1- Señal de entrada Vi Input cuadrada: 4.2- Visualización de un periodo: 4.3- Visualización de los tiempos Tdf y Tr: Tiempos Tiempo de subida [Tf] Tiempo de bajada [Tr] Retardo de subida [Tdf] Retardo de bajada [Tdr] 4.4-Grafica obtenida con SPICE: Valor obtenido en [s] 100 n 30 n 50 n 220 n