MAGNETORRESISTENCIA

MAGNETORRESISTENCIA
EUGENIO RENEDO SÁNCHEZ
¿QUÉ ES LA MAGNETORRESISTENCIA?
Es la propiedad que posee
un material para cambiar su
resistencia eléctrica cuando
se le aplica un campo
magnético externo.
1856
TIPOS DE MAGNETORRESISTENCIA
MAGNETORRESISTENCIA ANISÓTROPA
- Origen físico: Interacción spín-orbita.
- Órbitas electrónicas de la red: Centros dispersores para los electrones en conducción.
A mayor sección eficaz, mayor número de dispersiones, mayor resistencia.
- Aplicación de un campo B externo → Orienta los spines → Reorientación de las
órbitas → Variamos los procesos de dispersión → Cambios en la resistencia
- Una corriente de circulación
paralela al campo implica una
R(Ω)
MAGNETORRESISTENCIA ANISÓTROPA
mayor resistencia ya que la
probabilidad
de
colisión
es
mayor.
- Una corriente de circulación
perpendicular al campo conlleva
una menor resistencia ya que la
probabilidad
menor.
de
colisión
es
cosθ
MAGNETORRESISTENCIA GIGANTE
- Fue descubierto por Albert Fert en 1988.
- Origen físico: Procesos de dispersión dependen del spin (Scattering cuántico).
- Las capas de material magnético están separadas mediante capas de material no
magnético (~1nm).
- Se crean dos estados: alta y baja resistencia.
CABEZAS LECTORAS AMR Y GMR
- Antes de la aparición de cabezas lectoras AMR existían las cabezas lectoras TF
(~1980-1990).
- Cabezas lectoras AMR: El material ferromagnético responde cambiando su
resistencia ante la magnetización del material de escritura (disco duro).
-
Cabezas lectoras GMR: Incorporan materiales multicapa en la cabeza. La
respuesta ante la magnetización incorpora menor error y por tanto se pueden
almacenar mayor densidad de datos.
OTRAS APLICACIONES
- Medida del campo terrestre.
- Sensores de posición.
- Detectores de tráfico.
- ...etc.
PROBLEMA PROPUPESTO
Para materiales distintos a los ferromagnéticos estudiados, la variación de la
resistencia puede ser mucho mayor. En algunos semiconductores la expresión para
la magnetorresistencia se reduce a:
2
R=R0 1µB  
, donde R0 es la resistencia sin presencia de campo magnético, y µ es la mobilidad
electrónica en el medio. El Indio-Antimonio posee una µ≈4m2·V−1·s−1 ¿Sería
razonable conseguir un incremento del 100% en la resistencia ?
FIN