Curso Audiovisual de simulación de circuitos electrónicos con OrCAD 16 7. Diseño y simulación de la característica directa del diodo El circuito a estudiar es el siguiente: Figura 1. Circuito electrónico simulado en el Tema 7 V1, representa una fuente de tensión continúa que realizará un barrido continuo entre 0V y 10V. Tomamos el modelo simplificado del diodo, entonces tenemos que: E = VR + VD = I × R + 0, I = E E = R 1K De esta ecuación deducimos que la intensidad crecerá linealmente con la tensión, con un valor 100 veces menor (Figura 3). Curso Audiovisual de simulación de circuitos electrónicos con OrCAD 16 Figura 2. Corriente a través del diodo Las características generales de un diodo semiconductor se pueden definir mediante la ecuación: I D = I S ( ekVD / TK − 1) = I S ekVD / TK − I S ܫௌ = corriente de saturación inversa = ܭ11´600/ߟ con η=1 para Ge y η=2 para Si en niveles relativamente bajos de corriente del diodo (en 0 o abajo del punto de inflexión de la curva) y η=1 para Ge y Si en mayores niveles de corriente (en la sección de crecimiento rápido de la curva). El término ݁ ವ /்ೖ crece con el crecimiento de ܶ , esto implica que a mayor temperatura mayor será la intensidad ܫ . En la figura 4 la gráfica naranja con una x es para una temperatura de 120º, la gráfica verde con un cuadrado es para una temperatura de 0º, podemos ver como para un mismo valor de tensión de alimentación, ܫ es mayor en la gráfica naranja que en la verde, ya que es una gráfica representada a mayor temperatura. Además también observamos que a mayor temperatura, menor es la tensión de alimentación que necesitamos para que el diodo conduzca, esto es debido a que a mayor a temperatura los portadores del semiconductor se encuentran más agitados. Curso Audiovisual de simulación de circuitos electrónicos con OrCAD 16 Figura 3. Corriente a través del diodo a distintas temperaturas