7. BARRIDO EN CONTINUA. CIRCUITO CON DIODO POLARIZADO

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7. Diseño y simulación de la característica directa del diodo
El circuito a estudiar es el siguiente:
Figura 1. Circuito electrónico simulado en el Tema 7
V1, representa una fuente de tensión continúa que realizará un barrido continuo entre
0V y 10V.
Tomamos el modelo simplificado del diodo, entonces tenemos que:
E = VR + VD = I × R + 0, I =
E E
=
R 1K
De esta ecuación deducimos que la intensidad crecerá linealmente con la tensión, con
un valor 100 veces menor (Figura 3).
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Figura 2. Corriente a través del diodo
Las características generales de un diodo semiconductor se pueden definir mediante la
ecuación:
I D = I S ( ekVD / TK − 1) = I S ekVD / TK − I S
‫ܫ‬ௌ = corriente de saturación inversa
‫ = ܭ‬11´600/ߟ con η=1 para Ge y η=2 para Si en niveles relativamente bajos de
corriente del diodo (en 0 o abajo del punto de inflexión de la curva) y η=1 para Ge y Si
en mayores niveles de corriente (en la sección de crecimiento rápido de la curva).
El término ݁ ௞௏ವ /்ೖ crece con el crecimiento de ܶ௄ , esto implica que a mayor
temperatura mayor será la intensidad ‫ܫ‬஽ .
En la figura 4 la gráfica naranja con una x es para una temperatura de 120º, la gráfica
verde con un cuadrado es para una temperatura de 0º, podemos ver como para un
mismo valor de tensión de alimentación, ‫ܫ‬஽ es mayor en la gráfica naranja que en la
verde, ya que es una gráfica representada a mayor temperatura.
Además también observamos que a mayor temperatura, menor es la tensión de
alimentación que necesitamos para que el diodo conduzca, esto es debido a que a
mayor a temperatura los portadores del semiconductor se encuentran más agitados.
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Figura 3. Corriente a través del diodo a distintas temperaturas
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