DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA
TECNOLOGÍA Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS Y FOTÓNICOS
Examen 2º Parcial, 3 de Abril de 2009
Dibujar el modelo de pequeña señal de todo el circuito de la figura, usando el modelo en π del BJT donde solo
1.
ha de tenerse en cuenta los parámetros rbe, gm y rce. (úsese el modelo en π solo con esos 3 parámetros)
Rc
R1
B
C
R1
Vcc
C
Vo
Vi
R2 rbe
Vi
Q1
rce
RC
vo
gm·vbe
RL
RL
E
R2
2.
C
vbe
En la figura aparece un amplificador con una carga RL conectada, hallar los parámetros del modelo equivalente
del amplificador Avo y Ri.
B
Vi
C
hie hfe·ib
Rb
E
3.
Avo = −
Avo
RC
vo
hie
RL
Ri = Rb // hie
Ri
E
h fe ·RC
Rellenar la tabla con los estados y los valores de corriente y tensión, cuando Vi = 5V. Dato (Vγ = 0.7 V)
D1
estado
iD
vD
D1
OFF
0 mA
- 4,3 V
D2
ON
0,46 mA
0,7 V
3K
1K
Vi
Vo
5K
D2
3V
4.
87K
Hallar las tensiones y corrientes del BJT en polarización. (VBEact = VBEsat = 0.7 V, VCEsat = 0.2 V, β = 100)
1K
Q1
12V
10K
5.
VBE
VCE
IB
IC
0,7 V
6V
0,06 mA
6 mA
Hallar las tensiones y corrientes del BJT en polarización. (VEBact = VEBsat = 0.7 V, VECsat = 0.2 V, β = 100)
Q1
12V
70K
VEB
VEC
IB
IC
0,7 V
0,2 V
0,16 mA
11,8 mA
1K
6.
Se tiene un diodo PIN polarizado como indica en la figura. Cuando se ilumina, su característica estática pasa
de ser la señalada como A a la señalada como B. Dibujar la recta de carga del circuito, el punto de polarización
del PIN, y hallar los valores de corriente y tensión del diodo cuando esté iluminado.
ID (mA)
30
15V
20
0,5K
10
-20 -15 -10
vD
iD
-5
5
10
A
-10
VD(V)
-20
B
-30
7.
En una situación A, el corte de la recta de carga con la característica estática del transistor BJT proporciona el
punto de polarización. Si se divide por 2 la tensión Vcc, represente en dicha característica la nueva situación.
iC
vCC
Rc
Rc
Rb
Vcc
Q1
iB
vCC
2·Rc
Vbb
A
vCE
vCC
2
8.
vCC
¿Es posible fabricar un LED de silicio?
Si, porque es un semiconductor de transición directa
No, porque es un semiconductor de transición directa
Si, porque es un semiconductor de transición indirecta
; No, porque es un semiconductor de transición indirecta
9.
Se tiene un transistor npn polarizado con VBE = 0.7V, VCE = 5V, IB = 20 μA, IC = 3,4 mA. Siendo VT = KT/q
= 0,025 V, y la tensión Early VA = 50 V, los parámetros de pequeña señal hie y hfe valdrán…
; hie= 1,205 KΩ
hie= 1,000 KΩ
hie= 0,910 KΩ
hie= 2,303 KΩ
hfe= 170
hfe= 100
hfe= 170
hfe= 100
10. Para un diodo rectificador se requieren las siguientes características…
; Tensión umbral baja, corriente inversa de saturación baja, tensión de ruptura alta
Tensión umbral alta, corriente inversa de saturación baja, tensión de ruptura baja
Tensión umbral baja, corriente inversa de saturación alta, tensión de ruptura alta
Tensión umbral baja, corriente inversa de saturación alta, tensión de ruptura baja
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