DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA TECNOLOGÍA
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DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA TECNOLOGÍA Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS Y FOTÓNICOS Examen 2º Parcial, 3 de Abril de 2009 Dibujar el modelo de pequeña señal de todo el circuito de la figura, usando el modelo en π del BJT donde solo 1. ha de tenerse en cuenta los parámetros rbe, gm y rce. (úsese el modelo en π solo con esos 3 parámetros) Rc R1 B C R1 Vcc C Vo Vi R2 rbe Vi Q1 rce RC vo gm·vbe RL RL E R2 2. C vbe En la figura aparece un amplificador con una carga RL conectada, hallar los parámetros del modelo equivalente del amplificador Avo y Ri. B Vi C hie hfe·ib Rb E 3. Avo = − Avo RC vo hie RL Ri = Rb // hie Ri E h fe ·RC Rellenar la tabla con los estados y los valores de corriente y tensión, cuando Vi = 5V. Dato (Vγ = 0.7 V) D1 estado iD vD D1 OFF 0 mA - 4,3 V D2 ON 0,46 mA 0,7 V 3K 1K Vi Vo 5K D2 3V 4. 87K Hallar las tensiones y corrientes del BJT en polarización. (VBEact = VBEsat = 0.7 V, VCEsat = 0.2 V, β = 100) 1K Q1 12V 10K 5. VBE VCE IB IC 0,7 V 6V 0,06 mA 6 mA Hallar las tensiones y corrientes del BJT en polarización. (VEBact = VEBsat = 0.7 V, VECsat = 0.2 V, β = 100) Q1 12V 70K VEB VEC IB IC 0,7 V 0,2 V 0,16 mA 11,8 mA 1K 6. Se tiene un diodo PIN polarizado como indica en la figura. Cuando se ilumina, su característica estática pasa de ser la señalada como A a la señalada como B. Dibujar la recta de carga del circuito, el punto de polarización del PIN, y hallar los valores de corriente y tensión del diodo cuando esté iluminado. ID (mA) 30 15V 20 0,5K 10 -20 -15 -10 vD iD -5 5 10 A -10 VD(V) -20 B -30 7. En una situación A, el corte de la recta de carga con la característica estática del transistor BJT proporciona el punto de polarización. Si se divide por 2 la tensión Vcc, represente en dicha característica la nueva situación. iC vCC Rc Rc Rb Vcc Q1 iB vCC 2·Rc Vbb A vCE vCC 2 8. vCC ¿Es posible fabricar un LED de silicio? Si, porque es un semiconductor de transición directa No, porque es un semiconductor de transición directa Si, porque es un semiconductor de transición indirecta ; No, porque es un semiconductor de transición indirecta 9. Se tiene un transistor npn polarizado con VBE = 0.7V, VCE = 5V, IB = 20 μA, IC = 3,4 mA. Siendo VT = KT/q = 0,025 V, y la tensión Early VA = 50 V, los parámetros de pequeña señal hie y hfe valdrán… ; hie= 1,205 KΩ hie= 1,000 KΩ hie= 0,910 KΩ hie= 2,303 KΩ hfe= 170 hfe= 100 hfe= 170 hfe= 100 10. Para un diodo rectificador se requieren las siguientes características… ; Tensión umbral baja, corriente inversa de saturación baja, tensión de ruptura alta Tensión umbral alta, corriente inversa de saturación baja, tensión de ruptura baja Tensión umbral baja, corriente inversa de saturación alta, tensión de ruptura alta Tensión umbral baja, corriente inversa de saturación alta, tensión de ruptura baja
