Taller de electrónica de potencia PARA EL TALLER TENER ENCUENTA LA SIGUIENTE INFORMACIÓN: 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸 𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐸 1. Realizar el análisis de circuito para determinar el valor total de: 𝐼𝑏 , 𝐼𝑐 , 𝑉𝐶𝐸 ), y la simulación en el caso: a. zona activa, b. saturación y c. corte. NOTA: tengan en cuenta el β=100. V1 12V +V R1 2,4K R2 1k Q1 NPN 2. Realizar el análisis de circuito para determinar el valor total de: 𝐼𝐸 , 𝐼𝑐 , 𝑉𝐶𝐸 , 𝑉𝐸 , y la simulación del siguiente circuito. en el caso de zona activa, saturación y corte. V1 5V +V R1 1k R3 1k Q1 2N2222 R2 1k VEE -5V 3. Investigar el punto Q de un transistor y sustentar su investigación con dos aplicaciones diseñadas a su gusto y simuladas. 4. Diseñar y simular un circuito con transistor NPN poralizado usando 𝑉𝐵𝐵 = 𝑉𝐶𝐶 , para un punto Q de 𝐼𝑐 = 5𝑚𝐴 y 𝑉𝐶𝐸 = 4𝑉; suponiendo que β=100. El diseño implica la determinación de 𝑅𝐵 , 𝑅𝐶 . 5. Determine si el siguiente circuito esta poralizado en zona corte, saturación o activa. Tenga en cuenta que β=75 Vcc 8V +V R1 390 +V Vbb 1.5V R2 10k Q1 2N2222 6. Realizar el análisis de circuito para determinar el valor total de: 𝐼𝑏 , 𝐼𝑐 , 𝑉𝐶𝐸 ), y la simulación de los siguientes circuitos, En que caso se encuentra cada circuito?? zona activa, saturación o corte? R2 22k R1 1,5k R7 22k R4 680 R6 4,7k R9 1,5k Q3 2N2222 beta=50 beta=110 beta=150 R10 22k Q2 2N2222 Q1 2N2222 R3 4,7k R8 1,5k R5 680 R11 4,7k R12 680