INSTITUTO POLITÉCNICO NACIONAL ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERÍA MECÁNICA Y ELÉCTRICA. DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA EN COMUNICACIONES Y ELECTRÓNICA UNIDAD PROFESIONAL “ADOLFO LÓPEZ MATEOS” Practica 5. Polarización de transistores BJT. Integrantes: Objetivos: a) Diseñar circuitos de polarización para BJT, en las 4 configuraciones básicas y circuitos de polarización para FET en las dos configuraciones básicas. b) Manejar correctamente los conceptos de punto de polarización o punto Q y la relación entre 𝐼𝑐 𝑦 𝐼𝐵 (𝛽𝐶𝐷 𝑜 𝐻𝐹𝐸 ). c) Interpretar correctamente las curvas características de los transistores BJT y FET. d) Medir todos los parámetros de la red de polarización de los transistores BJT y FET. e) Interpretar y comparar los resultados simulados y prácticos obtenidos en el laboratorio. Procedimiento. 1) Investigar como medir la 𝛽𝐶𝐷 en un transistor BJT. 2) Medir la 𝛽𝐶𝐷 de los transistores con los valores indicados de tensión en la tabla 1. Tabla 1. Comparación de 𝛽𝐶𝐷 . Transistor BC547 5V 8V 10V 12V 15V 18V 2N222 2N2907A 2N3904 2N3906 TIP 31 Tabla 2. Características del dispositivo Transistor 𝑉𝑐𝑒 T BC547 2N222 2N2907A 2N3904 2N3906 TIP 31 𝑉𝑐𝑒 𝑚 ∆𝑉𝑐𝑒 𝐼𝐵 T 𝐼𝐵 m ∆𝐼𝐵 𝐼𝐶 T 𝐼𝑐 m 𝛽𝐶𝐷 3) Reportar los valores proporcionados por el fabricante en la hoja de datos técnicos vs los datos obtenidos en el laboratorio para cada transistor según inca la tabla 2. Circuito de polarización por la base. 4) Con un circuito de polarización como el de la figura 1 y 2 calcular los valores de 𝑅𝐶 y 𝑅𝐵 , de acuerdo con el punto Q obtenido en el inciso anterior para el transistor y cada valor de fuente de la tabla 1. Ajuste el valor de las resistencias a un valor comercial o su equivalente a manera de lograr la aproximación más cercana a los valores teóricos calculados. RC RC V1 RB V1 Q1 Figura 1. Transistor BJT NPN 1kΩ 1kΩ 15C02MH-TL-E 12V VCC Q2 RB Figura 2. Transistor BJT PNP 5) Reportar los resultados de 𝑅𝐶 teórico. 1kΩ 𝑅𝐶 comercial 12V VCC 𝑅𝐶 medido. 1kΩ 12A02CH-TL-E ∆𝑅𝐶 𝑅𝐵 teórico. 𝑅𝐵 comercial 𝑅𝐵 medido. ∆𝑅𝐵 6) Con un circuito como el de la figura 3 medir y reportar el punto de operación Q del circuito de polarización por la base. Transistor 𝑉𝑐𝑒 T BC547 2N222 2N2907A 2N3904 2N3906 TIP 31 𝑉𝑐𝑒 𝑚 ∆𝑉𝑐𝑒 𝐼𝐵 T 𝐼𝐵 m ∆𝐼𝐵 𝐼𝐶 T 𝐼𝑐 m ∆𝐼𝑐 𝛽𝐶𝐷 RC V1 XMM2 XMM1 Figura 3. Circuito de medición. 1kΩ 12V VCC 1kΩ XMM3 Q1 RB Circuito de polarización por emisor. 7) Con un 15C02MH-TL-E circuito de polarización como el de la figura 4 y 5 calcular los valores de 𝑅𝐶 , 𝑅𝐸 y 𝑅𝐵 , de acuerdo con el punto Q obtenido en el inciso anterior para el transistor y cada valor de fuente de la tabla 1. Ajuste el valor de las resistencias a un valor comercial o su equivalente a manera de lograr la aproximación más cercana a los valores teóricos calculados. RC RC V1 RB Q1 V1 RB Q2 V2 RE RE Figura 4. Transistor NPN 1kΩ 1kΩ 8) Reportar los resultados de12A02CH-TL-E 12V 𝑅𝐶 teórico. VCC 𝑅𝐶 comercial 1kΩ Figura 5: Transistor PNP 𝑅𝐶 medido. ∆𝑅𝐶 𝑅𝐵 teórico. 𝑅𝐵 comercial 𝑅𝐵 medido. ∆𝑅𝐵 9) Con un circuito como el de la figura 6 medir y reportar el punto de operación Q del circuito de polarización por la base. RC V1 XMM2 XMM1 XMM3 Q1 RB V2 RE Figura 6. Circuito para realizar mediciones. 12V 1kΩ VCC 1kΩ Transistor 𝑉𝑐𝑒 T 12V BC547 VCC 2N222 2N2907A 15C02MH-TL-E 2N3904 2N3906 TIP 31 1kΩ Continuara…. 𝑉𝑐𝑒 𝑚 ∆𝑉𝑐𝑒 𝐼𝐵 T 𝐼𝐵 m ∆𝐼𝐵 𝐼𝐶 T 𝐼𝑐 m ∆𝐼𝑐 𝛽𝐶𝐷
