Q1 RB RC VBB VCC

INGENIERÍA BIOMÉDICA
ELECTRÓNICA ANÁLOGA Y DE
POTENCIA
TALLER POLARIZACIÓN DE
TRANSISTORES
El circuito que se muestra a continuación sirve de base para los ejercicios 1 al 3.
RC
RB
Q1
VCC
PN2222A
VBB
1. Suponer que se desea polarizar el transistor con IB=20 uA. ¿Cuál debe ser valor de
VBB? Encontrar el punto Q si RB=1MΩ, RC=10KΩ, VCC=20V y βCD=50.
2. Diseñar una red de polarización con VBB=VCC=10 V, con un punto Q de IC= 5 mA y
VCE=4V. Suponer βCD=100. (El diseño se resume en encontrar RB y RC)
3. Si para un transistor configurado como en la figura se tiene VBB=1.5 V, VCC=8 V,
RB=10KΩ, RC=390Ω y βCD=75. Determine si el transistor se encuentra en la región
de corte, saturación o región activa. Nota: Tenga presente que IC= βCD* IB se
cumple sólo en la región lineal.
El circuito que se muestra a continuación sirve de base para los ejercicios 4 al 6.
R1
RC
Q2
PN2222A
VCC
R2
RE
4. Para el circuito mostrado si VCC=15 V, R1=22KΩ, R2= 4.7KΩ, RC=1.5KΩ y RE=
680KΩ, ¿cuál es el valor mínimo de βCD que hace RENT(BASE)≥ 10 R2?
5. Encontrar el punto Q, si VCC=12 V, R1=47KΩ, R2= 15KΩ, RC=2.2KΩ y RE= 1KΩ;
además βCD=110.
6. Diseñar una red de polarización en DC para el circuito mostrado, tal que IC= 10 mA
y VCE=5V. Suponer βCD=100.
7. Para el circuito que se muestra a continuación encontrar el punto Q. Tenga en
cuenta la curva adjunta
ID
R1
RD
3.3M
1.8k
5 mA
Q3
2N4393
VDD
12V
R2
RS
2.2M
3.3k
VGS
-4V
8. Determinar el punto de operación para el circuito que se muestra a continuación.
IDSS=8mA
RD
10k
Q4
2SK1058
VDD
12V
RG
10M
9. Encontrar el punto Q para un transistor MOSFET-E en polarización por divisor de
voltaje, sabiendo que R1=10MΩ, R2= 4.7MΩ, RD=1KΩ y RS= 0KΩ; además tener en
cuenta que ID(Encendido)= 3mA, VT= 2V y VDD= 10 V.
“Actuar es fácil, pensar es difícil; actuar según se piensa es aún más difícil”
(Johann W. von Goethe)