El Memresistor Como su nombre lo dice el “Memresistor” es un componente pasivo no lineal mencionado teóricamente por Leon Chua en un artículo de 1971 y posteriormente en el año 2008 por medio de Hewlett Packard creado físicamente mediante una película delgada de dióxido de titanio. El principio básico en el que se basa este elemento es una resistencia eléctrica con la capacidad de almacenar la información de cuanta carga tenia, incluso sin la necesidad de estar con carga eléctrica; esto anteriormente mencionado se le llama una memoria no volátil y las cualidades del componente pasivo como es la resistencia, en pocas palabras es un dispositivo de que almacena información de solo dos terminales una de entrada y otra de salida. El Memresistor conocido también como el cuarto elemento atrajo la atención mundial en la industria eléctrica debido a su característica significativa de memoria; Pero aun así con toda esta relevancia aun no se le había dado un uso práctico al Memristor dentro de la cotidianidad. Por esto anteriormente mencionado el Memresistor se puso a prueba de manera practica y teórica en el funcionamiento de diferentes tipos de circuitos RLC en serie en el dominio de la frecuencia, obteniendo así una característica de amplitud‑frecuencia y una característica de fase‑frecuencia. Dentro de estos experimentos teóricos y prácticos para encontrar una forma de aplicación en el cotidiano, muchos de estos experimentos han logrado ver como el comportamiento teórico de la relación que el memresistor tiene con el voltaje, la corriente, el flujo del campo magnético y la resistencia que varía según el flujo de la carga; Pudiendo llegar a usar este elemento como componente para un generador de señales y filtros de baja potencia donde las propiedades teórico practicas del Memresistor son de bastante utilidad al momento de plantear su funcionamiento y posterior desarrollo. Rail to Rail Definición Los amplificadores operacionales rail to rail como su nombre lo indica es que sus voltajes de salida se aproxima en los rangos mas bajos a sus limites o rieles; como se menciono anteriormente estos amplificadores operacionales tienen la ventaja de en sus canales de salida acercarse lo mas posible a sus rieles o limites que vienen siendo su voltajes dados, lo que resulta muy útil al momento de trabajar con voltajes de salida bastante bajos por las perdidas que se generan en la alimentación que algunos amplificadores operacionales puede llegar de ser de 0.5 V hasta 0.3 V lo que al momento de trabajar con voltajes del orden del 1.5V o menor puede llegar a ser critico al no permitir funcionar correctamente, mientras que el rail to rail maneja voltajes de caída del orden de los micro voltios. Referencias y precios TLC4502 ………………… $2154 TLV274 ………………… $1126 ESPECIFICACIONES TECNICAS: TLV274 Voltaje total de suministro (Max) (+ 5V = 5, +/- 5V = 10) dieciséis Voltaje de suministro total (Min) (+ 5V = 5, +/- 5V = 10) 2,7 Riel a riel En V-, Fuera GBW (típico) (MHz) 3 Velocidad de respuesta (Typ) (V / us) 2.1 Vos (voltaje de compensación a 25 C) (Máx.) (MV) 5 Iq por canal (Typ) (mA) 0,55 Vn a 1 kHz (típico) (nV / rtHz) 39 Rango de temperatura de funcionamiento (C) -40 a 125, 0 a 70 Deriva de compensación (Typ) (uV / C) 2 Corriente de polarización de entrada (máx.) (PA) 60 CMRR (tipo) (dB) 80 Corriente de salida (Typ) (mA) 7 TLC4502 Auto-Calibración de la tensión de desplazamiento de entrada a 40 µV Máx. Corriente de polarización de entrada 1 pA Ganancia del lazo abierto 120 dB Balance de voltaje de salida de rail to rail Ancho de banda 4.7 MHz Velocidad de respuesta 2,5 V/µs Capacidad de alta capacidad de salida ± 50 mA Tiempo de calibración 300 ms Referencias [1] L. Chen, "Resonanting Analysis on Memresistor, Inductor and Iapcitor Series Circuit," 2010 International Conference on Intelligent System Design and Engineering Application, Changsha, China, 2010, pp. 302-305, doi: 10.1109/ISDEA.2010.183. [2] A. Arora and V. Niranjan, "Low power filter design using memristor, meminductor and memcapacitor," 2017 4th IEEE Uttar Pradesh Section International Conference on Electrical, Computer and Electronics (UPCON), Mathura, India, 2017, pp. 113-117, doi: 10.1109/UPCON.2017.8251032. [3] V. Mladenov, "The fourth element or the missing memristor," 12th Symposium on Neural Network Applications in Electrical Engineering (NEUREL), Belgrade, Serbia, 2014, pp. 1-1, doi: 10.1109/NEUREL.2014.7011440. [4] K. M. Sundqvist and L. B. Kish, "Memristors and thermal noise: Is the memristor indeed the missing passive circuit element?," 2017 International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF), Vilnius, Lithuania, 2017, pp. 1-1, doi: 10.1109/ICNF.2017.7985980. [5] M. E. Sahin and H. Guler, "The design of memristor based high pass filter circuit," 2017 24th IEEE International Conference on Electronics, Circuits and Systems (ICECS), Batumi, Georgia, 2017, pp. 494-497, doi: 10.1109/ICECS.2017.8292108. [6] M. Abdallah, H. Mostafa and M. Fathy, "Yield optimization of spintronic memristor-based memory arrays," 2015 IEEE International Conference on Electronics, Circuits, and Systems (ICECS), Cairo, Egypt, 2015, pp. 523-526, doi: 10.1109/ICECS.2015.7440369. [7] Z. Dong, C. Li, D. Qi, L. Luo and S. Duan, "Multiple Memristor Circuit Parametric Fault Diagnosis Using Feedback-Control Doublet Generator," in IEEE Access, vol. 4, pp. 2604-2614, 2016, doi: 10.1109/ACCESS.2016.2566928.
