PARÁMETROS ELÉCTRICOS PARA DISEÑO “A MANO

3o Ing. Telecomunicación.
CIRCUITOS INTEGRADOS.
Curso 2006-2007
PARÁMETROS ELÉCTRICOS PARA DISEÑO “A MANO”
TECNOLOGÍA CMOS 0.5µm
Valores Típicos (centrales). Temperatura Nominal (27 ºC).
Parametros de gran señal correspondientes a W = 5µm, L = 5µm.
VDD = − VSS = 1.65 V
NMOS
PMOS
Unidades
VT0
0.60
0.60
V
γ
0.68
0.78
φB
0.60
0.60
V1/2
V
k(óhm)
161
39
µA/V2
µ0·C’ox
14
µA/V2
µ0·C’ox/(2(1+δ))
k(sat)
µ0
52
55.8
13.9
tox
10
C’ox
3.45
2
µm /(ns·V)
nm
va0
114
28.7
fF/µm2
V
α
7.86
48.51
V/µm
CJ
0.74
0.79
CJSW
MJ
MJSW
VBI (PB)
0.34
0.35
0.29
0.73
0.43
0.40
0.38
0.85
fF/µm2
fF/µm
----V
JS
10
60
JSW
CGDO
CGSO
CGBO
120
650
aA/µm2
aA/µm
0.14
0.14
fF/µm
0.34
0.34
fF/µm
RSH
2.3
2.1
Comentarios
Movilidad a bajo campo eléctrico horizontal y vertical.
VA = λ−1 = va0 + α·L. Valor aprox. válido para
L ≥ 3µm.
Valores correspondientes a T = 30ºC. Por regla general,
la intensidad se dobla por cada incremento de 8 ó 10 ºC.
MDW
Lmín
1.5
Ω/sq.
µm
0.5
µm
Longitud mínima de canal de transistores MOS.
Wmín
0.6
µm
Anchura minima de canal de transistores MOS.
∆Lmín
Se toman las de n+ y p+ con saliciuro. Despr. habit.
Mín. “anchura” de difusión de ttor. para ser contactada.
kf
3.7·10−28
1.2·10−28
µm
J·Hzaf−1
af
0.91
1.1
---
AVT0
8.7
8.7
mV·µm
Aβ
2.5
2.6
(%)·µm
Aγ
6.2·10−3
5.9·10−3
V1/2·µm
kµ0
1.61
1.05
---
µ0(T) = µ0(T0) [T / T0] - kµ0
mVT0
1.0
0.84
mV/ºC
mVTB
0.19
0.03
mV/(ºC·V)
mVT = mVT0 + mVTB |VBS|
VT(T) = VT(T0) - mVT [T-T0]
Tabla 1:
0.1
Unidad de “grid”. En algunos casos 0.05.
Constantes válidas para L ≥ 2µm. La constante Aγ se ha
extrapolado de los valores de AVT a dos |VBS| distintos.
Parámetros de transistores MOS para diseño “a mano”. Tecnología CMOS de 0.5µm.
Departamento de Electrónica y Electromagnetismo,
Área de Electrónica.
E.S.I.
Universidad de Sevilla.
p.
1 de 2
3o Ing. Telecomunicación.
CIRCUITOS INTEGRADOS.
Curso 2006-2007
Constante de Boltzmann
k
1.38062 · 10−23 J/K
Carga elemental
e
1.60219 · 10−19 C
Constante de Plank
h
6.62620 · 10−34 J·s
Velocidad de la luz en el vacío
c
2.99793 · 108 m/s
Permitividad eléctrica del vacío
ε0
8.85419 · 10−12 F/m
Tabla 2:
Algunas constantes físicas interesantes en el diseño
de circuitos integrados.
Permitividad eléctrica del SiO2
εox
3.45 · 10−11 F/m
34.5 pF/m
34.5 aF/µm
3.8965 · ε0
Permitividad eléctrica del Si
εSi
1.04 · 10−10 F/m
104 pF/m
104 aF/µm
11.746 · ε0
Tabla 3:
Algunos parámetros importantes de materiales empleados en tecnologías de
fabricación de CIs en silicio.
Prefijo
Tabla 4:
Exponente
de 10
yocto
(y)
−24
zepto
(z)
−21
atto
(a)
−18
femto
(f)
−15
pico
(p)
−12
nano
(n)
−9
micro
(µ)
−6
mili
(m)
−3
kilo
(K)
+3
mega
(M)
+6
giga
(G)
+9
tera
(T)
+12
peta
(P)
+15
exa
(E)
+18
zetta
(Z)
+21
yotta
(Y)
+24
Prefijos utilizados comúnmente para indicar exponentes de 10 múltiplos de 3.
Departamento de Electrónica y Electromagnetismo,
Área de Electrónica.
E.S.I.
Universidad de Sevilla.
p.
2 de 2