ElA mpli…cadorO peracionalR eal: Pará metros y especi

1
ElA mpli…cadorO peracionalR eal: Pará metros y
especi…caciones técnicas
J. I H uircá n
A bstract— S edescribenlas características delA mpli…cador
O peracional real, el cual tiene ganancia …nita, y depende
de la frecuencia. Este ampli…cador no tiene balance perfecto, pues, presenta un erroren corriente continua, elcual
se llama o¤ set y es causado por V io , I B e I io . L as resistencias de entradaysalidadeldispositivotienenvalores …nitos.
Cada A O es identi…cado mediante un código que especi…ca
su encapsulado y tipo.
Keywords— A mp O p CI, A mpli…cadorO peracional.
I. Introduction
P aratrabajarcon A O reales es necesariotomaren cuenta
aspectos detipoprá ctico, pues, aunqueelmodeloidealse
asemejabastantealreal, éstenosecomportaexactamente
igualalideal. Sedebeconocerestadiferencia, yaquedeello
depende elcomportamiento …nalde un circuito diseñado
con un A O .
II. El A O Integrado (O P A M P IC)
ElA mpli…cadorO peracional(A O ) integrado (CI) está
constituido bá sicamente por dos etapas de ganancia de
voltaje (una entrada diferencial y una etapa de emisor
común) seguidaporunaetapadesalidaclaseA B debaja
impedancia. U n diagramasimpli…cadodeestecircuitointegradoes mostradoen laFig. 1. Estaversión de un A O
integradoesequivalenteaunA O depropósitogeneral, similaralL M 101, ¹A 7 41, oversiones de A O múltiples. Este
circuitopermiteentenderelfuncionamientointernodelCI.
Vcc
Q9
Q10
Q
7
+
V+
vin
_
v
Q1
Q
2
Cc
out
Q
8
L asalidasetomadesdeelcolectordeltransistorQ 4 . P or
otrolado, Q 1 0 proporcionaun polarización adecuadapara
elpardiferencial.
En lamayoríadelos A O , laetapaintermedia(2aetapa)
proporciona una alta ganancia a través de varios ampli…cadores, en elcircuito de la Fig. 1, dicha etapa esta formada porQ 5 la cuales un circuitoen emisorcomún que
proporciona unaalta impedanciade entradaa la primera
etapa (la que atenúa los efectos de carga). A demá s, esta
etapatieneun capacitorC c elcuales utilizadoporelA O
paracompensación en frecuencia.
Finalmente, la etapa de salidaestá conformada porQ 7
yQ 8 , laqueproporcionaunaaltagananciadecorrientea
unabajaimpedanciadesalida.
Existenmuchasvariantesymejorasalcircuitomostrado,
comolo es, modi…carelpardiferencialy utilizartransistores JFET en la entrada, que permite elincremento de
laresistenciadeentradadelA O , ademá s, laincorporación
de otras etapas de ampli…cación interna, trasladadores de
nivelycircuitos deprotección.
Cada A O posee rasgos particulares, los que se encuentranespeci…cadosenlashojasdeespeci…cación(D atasheet)
delos manuales (D ataB ook) proporcionados porlos fabricantes. Estas contienen características delos A O paradeterminadas condiciones de operación, indicados en forma
detablaoen grá …cos en conjuntocon aplicaciones típicas
paraeldispositivo.
III. G anancia de lazo abierto A v
L adiferenciamá s signi…cativaentreelA O idealyelreal
es la ganancia de tensión (en lazo abierto). ElA O ideal
tienegananciain…nita, mientrasqueladelA O reales…nita
yademá sdisminuyeamedidaqueaumentalafrecuenciade
trabajo. L agananciadetensión seespeci…caen decíbeles.
vo
vo
A vjdB = 20 log
(1)
vd
vd
L agananciaesaltaparaentradascuyafrecuencia‡uctúa
entrec.c. y 10 KH z aproximadamente (estafrecuenciade
cortevaríadeacuerdoaltipodeA O , paralasituacióndela
Fig. 2, laaltagananciasemantienehastalos100H z), luego,
empiezaadecaeramedidaqueaumentalafrecuencia.
Av =
Q5
Q3
Q4
Q
6
RB
VEE
Etapa de Entrada
2ª Etapa
Etapa de Salida
Fig. 1. D iagrama interno de un A O .
L a etapa de entrada conformada por Q 1 y Q 2 forman
un pardiferencialcon cargaactivaformadaporQ 3 y Q 4 .
D ocumento preparado en eldepartamento de Ingeniería Eléctrica,
U niversidad de L a Frontera. 2003.
IV . Errores de desplazamiento (O ffset) de
tensión y corriente
ElA O ideales un dispositivobalanceado, es decir
vo = 0 ; si v+ = v¡
(2)
En cambio, elA O realtieneun desajuste, debidoaque
los transistores que lo componen varían el uno del otro,
2
Av [dB]
TA B L E I
V alores típicos de V io para diferentes A O .
100
80
60
40
20
0
10 2
106
f [Hz ]
A O
V io
A O depropósitogeneral 2 ¡1 0 [mV ]
EntradaJFET
1 ¡2[mV ]
Instrumentación 1 0 ¡1 0 0 [¹V ]
Fig. 2. R espuesta en frecuencia delA O .
B . Corriente de polarización de entrada (I
B )
especialmente los transistores delampli…cadordiferencial
deentrada(Q 1 yQ 2 ), quenoson exactamentepareados.
Estoimplicaqueseproducendesajustesenlos valoresde
¯ delos transitores, locualtraecomoconsecuenciavariaciones enlos valores delas corrientes deentrada. Comolos
‡ujos de corrientes son distintos en los terminales de entrada, aparecendiferencias enlas tensiones baseemisorde
los transistores delpardiferencial. T ambién unavariación
enlas resistencias decolector, producirá un desequilibrio.
Elresultado…nales undesajusteentrelos colectores del
ampli…cador diferencial, que se mani…esta en un voltaje
vo de salida distinto de cero. Eldesbalance producidose
conocecomovoltajeo¤ setovoltajededesplazamiento.
P ara solucionar este problema, se requiere de la aplicación deun voltajedecompensación entrelos terminales
deentrada, parabalancearlasalidadelampli…cador(anulación delvoltajedeo¤ set).
A partedelos desajustes propios deconstruccióndelos
A O , existenotrostalescomolosproducidosporvariaciones
detemperaturaycambiosenlastensionesdealimentación.
P aramediryespeci…carlacompensacióndelosA O esnecesariointroducirlos siguientes conceptos.
A . T ensión de desplazamiento(O ¤ set) en laentrada(V io)
L asentradasdelA O idealnorequierencorriente, sinembargo, enelcasorealingresaunacorrientedepolarización
en cada terminalde entrada. Esta corriente I
B (la letra
B corresponde a la abreviación B ias) es la corriente de
basedeltransistordeentrada, quesede…necomolasemisumade las corrientes de entradas individuales de un A O
balanceadode acuerdoa la ecuación (3). L a corriente de
polarizacióndeentradasepuedemodelarcomodosfuentes
decorrientes comoseindicaen laFig. 4.
I
B =
+
¡
I
B + I
B
2
(3)
_
IB
+
_
IB+
vo
Fig. 4. M odelación de I B .
T A B L E II
V alores típicos de I B para diferentes A O .
EnelA O realsi ambas entradas soniguales, lasalidaes
A O
I
B
distinta de cero, existe una pequeña tensión de desplazaA
O
d
epr
o
pósit
og
e
n
e
r
a
l
2[¹A
]
miento. Esta tensión desplazamiento en la entrada, llaEn
t
r
a
d
aJFET
1
[pA
]
mada V io; se de…ne como la tensión de entrada necesaria
Instrumentación 3 ¡6 [nA ]
para que la salida sea iguala cero. O bserve que si este
valores distinto de cero, elA O ampli…cará cualquierdesplazamiento en la entrada, provocando un error grande
en corriente continua en la salida. Este pará metroes in- C. Coe…cientes que varían con respecto a la temperatura
dependiente de la gananciadelA O , y su polaridad puede
T antoV io, I
atemperatura,
B eI
io son dependientes del
serpositivaonegativa. ElefectodelvoltajeV io, semodela es poresoquesede…nentres coe…cientes querelacionansu
comounafuentedetensióncontinuaenunadelasentradas variacióncon lavariación detemperatura.
¢I
delA O idealcomoseindicaenlaFig. 3ysusvalorestípicos ² Coe…cientedetemperaturadeI
B
B , ¢T o
demuestran ellaT ablaI.
¢I
io
² Coe…cientedetemperaturadeI
io, ¢T o
¢V io
² Coe…cientedetemperaturadeV io, ¢T o
_ V
io
_
+ _
Vio
A
+
vo
+
Fig. 3. M odelación delV io .
V . Parámetros relacionados con la respuesta en
frecuencia
ElA O realnotieneanchodebanda(B W ) in…nito. En
los A O reales, elanchode banda comienzaen la frecuencia cero y llega hasta la frecuencia de corte superior fc
(frecuencia a la cualla ganancia disminuye en 3dB ), ésta
dependedeltipodeA O ydelagananciadelazocerrado.
3
Av [dB]
Av = A
o
C. SlewR ate (SR )
L arespuestadebidaaunescalónnoes ideal. Si sequiere
llevarlasalidaentredos extremos, larespuestadelampli…cadornoes instantá nea. L avelocidad quetomalasalida
en ir desde un extremo a otro es la que se conoce como
V
razón de cambio oslewrate yestá medidaen ¹s
.
-3 dB
-20 dB/dec
Frecuencia a ganancia
unidad
Ganancia unidad
Av = 0
fc
ft
f [Hz ]
Fig. 5. R espuesta en frecuencia delA O (curva de lazoabierto)
TA B L E V
SR para distintos A O .
L a curva indicada en elFig. 5 es la respuesta en freV
A O S R [ ¹s
]
cuencia delA O en lazo abierto, donde A o es la ganancia
L M 7 41
0.3
má xima. Si elA O es realimentado, por ejemplo en una
L F 351
13
con…guracióninversoraonoinversora, lagananciadisminuyeylafrecuenciadecorteaumenta. Elfabricantepuede
Comúnmente elSR se relaciona con elancho de banda
noespeci…cardichafrecuencia, sinoquelohaceatravés de
de potencia, fp, que sede…necomolafrecuenciaalacual
otros pará metros, los cuales sede…nenacontinuación.
unaseñalsenoidaldesalida, aunatensiónpredeterminada,
A . P roducto G anancia - A ncho de B anda (G B P )
comienzaadistorsionarse. Si vo = V sen2¼fpt, dondeV es
Es elproductodelagananciaen lazoabiertodisponible la amplitud má xima de salida, elancho de banda de poy elanchode banda auna frecuenciaespecí…ca. En gran tenciasede…necomolahabilidadparaentregarelmá ximo
partedelos A O (compensados internamenteenfrecuencia) devoltajedesalidacon incrementodefrecuencia.
cuyarespuestaen frecuenciacaecon unapendientede 20
V I. Característica Eléctricas
dB /dec, elG B P se considera constante. Este pará metro
está ligado a la frecuencia a ganancia unidad (ft) y en
L os fabricantes especi…can una serie de características
algunos casos son la misma cosa. Cuando se trabaja a eléctricas para los A O , que ayudan a determinarlos rangananciaunitaria, elG B P es igualalanchodebanda.
gos má ximos alos cuales puedensersometidos los ampli…cadores yademá s sus características deentradaysalida.
T A B L E III
G B P para distintos A O .
A . R elación de rechazo en modo común (CM R R )
M ide la habilidad de un A O para rechazar señales en
modocomún. Si lamismaseñalalimentaalaentradainversoracomoalanoinversoradeunacon…guración diferencial, lasalidavo debierasercero, sin embargo, debidoa
lacomponenteen modocomún estonoocurre. L acapacidad deatenuarestacomponentees loqueseconocecomo
CM R R ycomúnmenteseexpresaen decibeles (dB ).
A O G B P [M H z]
L M 7 41
1
L F 351
4
L F 356
10
B . R ise T ime (tr)
µ
¶
Ad
Ad
Estepará metrosede…neenbasealarespuestadeunaenCM R R =
C M R R jdB = 20 log
(5)
tradaescalón. Eseltiempoquesedemoralaseñaldesalida
A cm
A cm
enirdesde10% hastael9 0% desuvalor…nal, bajocondiD onde, A d, es lagananciadiferencialyA cm es ganancia
ciones depequeñaseñalyenlazocerrado. Estepará metro
en modocomún.
serelacionacon elanchodebandoatravés de(4).
BW =
0 :35
[Hz]
tr
T A B L E IV
tr para A O 7 41.
A O
L M 7 41
tr [¹s] B W [M Hz]
0 :3
1 :1 6
(4)
TA B L E V I
C M R R para diferentes A O .
A O
C M R R [dB ]
P ropósitogeneral
70
EntrdadaJFET
100
Instrumentación
1 20
V II. R esistencia de entrada (rin)
Eltr está dadoparagananciaunitaria, luegoelanchode
bandacalculadoasírecibeelnombredeproductoganancia
Es laresistenciavistadesdeun terminaldeentradacon
anchodebanda(G B P ) ofrecuenciagananciaunitaria(ft). laotraentradapuestaatierra. EstavaríaparacadaA O .
4
T A B L E V II
r in para diferentes A O .
A O
P ropósitogeneral(Entradabipolar)
EntradaJFET
Instrumentación (O P -07 )
B . R ango de T emperaturas de operación (T or)
rin
1 ¡2 [M - ]
1 0 1 2 [- ]
3:3 [M - ]
A . R esistencia de salida (ro)
Es laresistenciavistadesde elterminalde salida. Este
pará metrosede…nebajocondiciones depequeñaseñalcon
frecuencias porencimadealgunos cientos dehertz.
T A B L E V III
r o para distintos A O .
A O
P ropósitogeneral(Entradabipolar)
Instrumentación (O P -07 )
ro
75 [- ]
60 [- ]
B . O utputvoltage swing(§V o max, V op)
Es elrangodetemperaturadentrodelcualeldispositivo
funcionará con las especi…caciones mostradas.
TA B L E X I
R angos de temperatura.
T ipoEspeci…cación
M ilitar
Industrial
Comercial
R angodeT emperatura
-55 oC a+ 125 oC
-25 oC a+ 8 5 oC
0 oC a+ 7 0 oC
C. T ensión de entrada diferencial(V id)
Es latensiónmá ximaquepuedeaplicarseconseguridad
entrelos terminalesdeentradadiferencialsin‡ujoexcesivo
de corriente. Estos valores son variables, los A O con entradacascodopnp/npn soportan hasta§30 [V ], similares
alos A O con entradaFET .
D . V oltaje de entrada en modo común (V cm)
Es elrango de voltaje que se puede aplicar en ambas
entradas respectoatierra.
E. Consumo de potencia (P c)
D ependiendodelaresistenciadecarga, esteeselmá ximo
Es lapotenciarequeridaparaoperarelA O olapotencia
peak de salida en voltaje que el A O puede entregar sin
c
o
n
sumida porelA O con propósitos de polarización. Se
saturarse(recortedeseñal).
especi…capara1 5 [V ].
T A B L E IX
V op para distintos A O .
A O O utputV oltageswing[V ]
P ropósitogeneral
§1 4 (R L > 1 0 K- )
Instrumentación (O P -07 )
§1 3 (R L > 1 0 K- )
V III. Característica N ominal máxima
F. D isipación de P otencia (P D )
Es lapotenciaqueun dispositivoparticulares capaz de
disipar con seguridad en forma continua mientras opera
dentro de un rango de temperatura especí…co. Esta característica varía de acuerdo altipo de encapsulado. P or
ejemplo, losencapsuladoscerá micospermitenunaaltadisipacióndepotencia, los metá licos permitenlasiguientemá s
alta disipación, en cambio los de plá sticos tienen la má s
baja. U n valortípicoes de50 0 [mW ]
.
IX . A limentación y protección en los A O
A . T ensión de alimentación (V + yV ¡)
A . A limentación de los A O
Es la tensión de alimentación má xima permitida que
puedeaplicarse con seguridad alampli…cador. A unque se
designacomoestandar1 5 [V ]dealimentación, lamayoría
delos A O integrados operansobreunampliorangodepotenciales, algunos van desdevalores tan bajos como1 [V ]
,
yotros hasta40 [V ].
L a mayoría de los A O han sido diseñados para operar
con dos fuentes de alimentación simétricas, sin embargo,
también pueden operarcon una única fuente. P ara aplicaciones en las cuales existeunasolafuente(interfacecon
circuitos digitales), sehan diseñadoA O especiales.
TA B L E X
V oltajes de alimentación para distintos A O .
A O V cc[volts]
P ropósitogeneral
§18
Instrumentación (O P -07 )
§22
B . L imitaciones de entrada
L as fallas en los A O en laetapadeentradaseproducen
dedos formas: (a) excediendolas característicasnominales
deentradadiferencial;(b) excediendocaracterísticas nominales enmodocomún. Elpará metromá s susceptiblees el
nominaldeentradadiferencial.
Cuando se sobrepasan las características de entrada
diferencial(en un A O de entrada no protegida) eldiodo
zener emisor-base de uno de los transistores de entrada
5
V+
v
_
v+
_
6
2
A*
+
4
3
D . P rotección contra cortocircuito a la salida
V+
+
7
2 _
v+
3 +
v
-
vo
_
+
-
V* Tipo LM741/LF351/TLC066
+
-
4
1
A*
vo
11
* Tipo 1/4 LM124, LM324
V+
_
v
+
2 _8
3
+
v+
1
A*
-
vo
L osprimerosA O noincorporabanlimitacióndecorriente
enlaetapadesalida, aunqueestospuedensobreviviracortocircuitodeunospocossegundosdeduración, uncortocircuitoprolongadoatierraoa§V cc produce ladestrucción
delcircuito. U naprotecciónmuyútilcontracortocircuitos
es usarunaresistenciadebajovalorenserieconlasalida,
comoseindicaen laFig. 9 .
4
Rf
* Tipo 1/2 TLC 272, TLC 277
2_
6
Fig. 6. A limentación de un A O .
diferencialentrará en disrrupción. Siemprequeladiferencia entre los dos terminales de entrada exceda los §7[V ]
,
estos diodos emisor-base entrará n en disrrupción y conducen una corriente que solo estará limitada poruna resistencia externa. Si la impedancia que alimenta ambas
entradas es baja, la corriente puede elevarse hasta niveles destructivos. L as corrientes sobre 50 [mA ]provocará n
daños permanentes.
L aformamá s sencilladeprotegerelA O es agregardos
diodos comoloindicalaFig. 7 . Estos diodos debenserde
bajas pérdidas tipo1N 458 osimilares.
R
_
R
vo
+
3 +
220Ω
vo
Fig. 9 . P rotección contra cortocircuito.
Elresistortieneun efectomínimoen elfuncionamiento
si seconectadentrodellazoderealimentación, exceptola
caídaen latensión desalida. Esteevitaladestruccióndel
ampli…cadordebidoaun cortocircuitodelacarga.
E. P rotección de las tensiones de alimentación
E.1 Inversión deP olaridad
D ebido a la construcción interna, los CI´s debe operar
siempre con la polaridad de las tensiones de alimentación
especi…cada. Si algunadelas tensiones seinvierte, aunque
sólo sea un momento, ‡uirá una corriente destructiva a
través delos diodos deaislamientodelCI, queestá npolarizados normalmente en inversa. P ueden serutilizadas las
con…guraciones delaFig. 10.
Fig. 7 . P rotección de entrada diferencial.
V+
_
A
+
C. L atch-up
1N400x
L asalidadelA O permanece…jaenundeterminadonivel
de tensión continuadespués de haberretiradolaseñalde
entradaresponsable. Si un A O entraen L atch-up es muy
posiblequequededañadopermanentemente. Estoseproduceamenudoenetapas deseguidordeemisor.
P araevitareste problemaseplanteaesta con…guración
laquepermitelimitarlaseñaldeentradaalaindicadapor
eldiodozener. D1 yD2 sondiodos debajas pérdidas yD3
yD4 pueden serdiodos zenerde1 0 ¡1 2 [V ].
R
_
vi
vo
+
10K Ω
R
D1
D2
+15[v]
D3
D4
10K Ω
-15[v]
Fig. 8 . P rotección contra latch-up.
VV+
+
1N400x
C1
7
_
+
1N400x
+
C
2
7
_
A
A
4
+
4
V-
Fig. 10. P rotección de los A O .
E.2 Sobretensión
L osA O comercialesseespeci…cangeneralmenteparauna
tensión total de operación de 36 [V ](§1 8 [V ]
). Estos
límites de tensión N O deben sersobrepasados ni siquiera
durantebrevesinstantes. P arapreveniresto, sedeberá utilizarunvoltajedebloqueomedianteundiodozenerenlos
terminales dealimentación.
L a resistencia es opcionalsiempre que la alimentación
lleve fusible olimitación de corriente. O traalternativa es
utilizardos diodos zener, uno para cada terminalde alimentación, esto proporciona protección contra sobre tensión e inversión depolaridad. Elzenerdebeserde36 [V ],
6
V+
La muesca o el punto indica el terminal 1
Lengueta que ubica el terminal 8
100Ω
Offset Null
8
1
_
Entrada
Inversora
_
Entrada
No Inversora
Vz
6
2
A
+
+V
7
+
Salida
5
3
Offset Null
1
Entrada
Inversora
2
_
7
Entrada
No Inversora
3
+
6
-V
Offset Null
4
8
4
5
NC
+V
Salida
Offset Null
-V
V-
(b)
(a)
Fig. 11. P rotección contra sobre tensión.
Fig. 13. (a) Encapsuladometá licode 8 terminales. (b) Encapsulado
mini D IP de 8 pines.
si la alimentación de §1 8 [V ]o de 43 [V ]cuando la alimentación es de§22 [V ].
numeración de los pines es similaralD IP 8 , con la única
diferenciaen quetiene7 terminales porlado.
X . Encapsulados y códigos de identificación
B . Códigos D e Identi…cación
ElA O sefabricadeunpequeñochipdesilicioyseencapCada tipo de A O tiene un código de identi…cación de
sulaenunacajaadecuadaquepuedeserdemetal, plá stico letraynúmero, quepermitesaberelfabricante, eltipode
ocerá mica.
ampli…cador, dequecalidad es yqueencapsuladotiene.
N otodos los fabricantes utilizan elmismocódigo, pero
la mayoría utiliza un código que consta de cuatro partes
escritas enelsiguienteorden:
7
8
6
8
5
3 4
1 2
4
1
2
3
(a)
1718
1
(b)
2
34
7
56
(c)
Fig. 12. (a) Encapsulado M etá lico. (b) Encapsulado D IP (8 terminales).(c) Encapsulado P L CC.
L aFig. 12 muestralos diferentes tipos de encapsulado.
ElencapsuladoD IP (D ualinlineP ackage- Encapusaldoen
doble línea) de 8 pines (terminales) puede sercerá micoo
plá stico, miradodesdearribaunamuescaopuntoidenti…ca
elterminal1.
L os A O encapsulados encomponentes má s pequeños son
llamados de montaje super…cial (SM T -Surface-M ounted
T echnology). L os distintos formatose encuentran indicados enlaT ablaX II. ElformatoP L CC (P lasticL eadChip
Carriers) ochip con encapsulado de plá stico semuestraen
laFig. 12c.
T A B L E X II
M ontaje superficial.
SM T
SO IC
P L CC
L CCC
D escripción
Smalloutlineintegrated Circuit
P lasticL ead Chip Carriers
L eadless Ceramics Chip Carrier
A . Combinación de Símbolos yT erminales
P.L .
N oCto.
S.L .
Cód.Esp.M ilitar
P.L .(P re…jodeL etras): Sondos letras queidenti…canal
fabricante.
T A B L E X III
Identificación de fabricante de A O .
P re…jo
A D
LM
M C
N E/SE
OP
LT
SG
TL
U A (¹A )
CA
Fabricante
A nalogD evice
N ationalSemiconductor
M otorola
Signetics
P recision M onolithics
L inearT echnology
Silicon G eneral
T exas Instrument
Fairchaild
R CA
N oCto.(N úmerodelCircuito): Secomponedetresasiete
númerosyletrasqueidenti…caneltipodeA O ysuintervalo
detemperatura.
T A B L E X IV
Intervalo de temperatura.
Código
C
I
M
IntervalodeT emperatura
Comercial
Industrial
M ilitar
Sepuedecombinaren un sólodibujoelsímbolodelA O
con elencapsulado(Fig. 13).
L aabreviaciónN C indicaquenohayconexión. ElcomS.L .(Su…jodeL etras): Indicaeltipodeencapsuladoque
ponentesemiradesdearriba. EnelencapsuladoD IP 14 la contienealA O , puedeserdeunaodos letras.
7
TA B L E X V
D escripción del sufijo.
Código
D
J
N ,P
D escripción
D eplá stico, dobleen lineaSM T
D ecerá micadobleen linea
D eplá sticoD IP parainserción en receptá culo
Example 1: ¹A 7 41CP, A mp. O p. de propósito generalFairchaild, con intervalo de temperatura comercialy
encapsuladodeplá stico.
Example 2: O P 037 CP, A mp. O p. precisión, bajoruido,
alta velocidad, temperatura comercial y encapsulado de
plá stico.
Example 3: L F351D , A mp. O p. conentradaJFET para
montajesuper…cial(L inearB i-FET )
X I. Conlusiones
ElA O realtieneunagananciadelazoabiertodeaproximadamente100 dB , lacualdecreceamadidaqueaumenta
lafrecuencia, luego, elanchodebandaes …nito, y dependerá bá sicamentedelagananciarealimentadadetrabajo.
ElA O también presenta errores de corriente continua, es
decir, si v+ = v¡, la salida es distinta de cero, esto se
conoce como o¤ set, elcualse debe reducir o compensar
sobretodoparaaplicaciones dealtaganancia. L as causas
deo¤ setson V io, I
B eI
io.
T odosestospará metros, má slosrelacionadosconlascaracterísticas nominales delcircuitointegradodebenserconsiderados parasuóptimofuncionamiento.
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