E.T. Nº 17 - D.E. XIII – Reg. V
“Brig. Gral.
Don Cornelio Saavedra”
Área Electrónica
Laboratorio 4º Año
PRÁCTICAS UNIFICADAS
TRABAJO PRÁCTICO Nº 7
EL TRANSISTOR BIPOLAR - POLARIZACIÓN
1) Introducción Teórica
Polarizar un transistor de unión bipolar (en inglés Bipolar Junction Transistor, o sus siglas
BJT) significa conseguir que las corrientes y tensiones continuas que aparecen en el
mismo queden fijadas a ciertos valores previamente determinados según el propósito del
circuito. Existen tres zonas en las que puede trabajar el transistor según la polarización
que se realice. Estas son: corte, saturación y activa o lineal. Existen también tres
configuraciones de conexión y funcionamiento del transistor, según el terminal que sea
común a los circuitos de entrada y de salida del mismo. Estas configuraciones son: emisor
común, colector común y base común.
En la configuración emisor común, el BJT se encuentra en la zona activa (región donde se
manifiestan las propiedades de amplificación), si la juntura base-emisor se encuentra
polarizada en sentido directo y la juntura colector-base se polariza en forma inversa.
Mediante el trazado de una recta llamada Recta de Carga Estática (RCE) en el gráfico
que representa las curvas características de colector o de salida, se puede determinar la
zona en la que se encuentra polarizado el transistor.
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Corte
Activa
Saturación
VBE
=0
~ 0,7v
Variable
VCE
~ VCC
Variable
~ 0,2
IC
~0
Variable
Máxima
Por cada par de valores VCE e IC queda definido un único punto contenido en esta recta. A
este punto se lo conoce como punto de trabajo estático o Punto Q (del inglés Quiescent
operating point – Punto de trabajo en reposo), el cual indica en qué zona se encuentra
polarizado el transistor. Cada zona posee diferentes propósitos, como ser: interruptor en
las zonas de corte y saturación (en el caso de la electrónica digital) o amplificador en la
zona activa (en el caso de la electrónica analógica).
2) Objeto de la Experiencia
El objeto de esta experiencia es analizar el comportamiento del transistor bipolar
polarizado en las diferentes zonas, empleando métodos analíticos como la aplicación de
leyes, métodos gráficos como el trazado e interpretación de curvas y métodos prácticos
como la medición de los diferentes parámetros en el circuito armado.
3) Elementos a utilizar
1 Fuente de corriente continua de 12V
1 Fuente de corriente continua de 5V
1 Multímetro
1 Protoboard
3 Transistores BC548B con su respectiva hoja de datos. Transistor alternativo: 2N3904
1 Diodo led de 3mm verde
1 Resistencia de 1,5MΩ x ¼W
1 Resistencia de 3,3KΩ x ¼W
2 Resistencias de 1KΩ x ¼W
1 Resistencia de 2,2KΩ x ¼W
1 Resistencia de 68KΩ x ¼W
1 Resistencia de 27KΩ x ¼W
1 Resistencia de 82KΩ x ¼W
Cable par telefónico para realizar los puentes
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4) Desarrollo de la experiencia
a) Zona Activa
Polarización Fija (ó de IB constante)
Armar el siguiente circuito:
VCC = 12V
RB = 1,5MΩ
RC = 3,3KΩ
VBEQ = 0,7V
hFE = 200(*)
min
Q1 = BC548B
hFE
tip = 290(*)
hFE max = 450(*)
(*) Valores medidos bajo las
siguientes condiciones:
ICQ = 2mA
VCEQ = 5 V
TA = 25º C
Malla de Entrada
Malla de Salida
Aplicando la Ley de Ohm y 2º Ley de Kirchhoff:
Aplicando la Ley de Ohm y 2º Ley de Kirchhoff:
VCC - IBQ . RB - VBEQ = 0
VCC - ICQ . RC - VCEQ = 0
Despejando:
Despejando:
IBQ =
VCEQ = VCC - ICQ . RC
VCC - VBEQ
RB
Reemplazando valores:
IBQ = 7,53µA
Dispersión del punto Q por variación del hFE
Aplicando la definición de hFE:
ICQ = IBQ . hFE
Reemplazando el valor máximo de hFE:
ICQ max = 2,63mA
Reemplazando el valor mínimo de ICQ :
VCEQ max = 7,05V
Reemplazando el valor máximo de ICQ :
VCEQ min = 3,32V
Reemplazando el valor mínimo de hFE:
ICQ min = 1,5mA
∆VCEQ = VCEQ max − VCEQ min
∆ICQ = ICQ max − ICQ min
Reemplazando valores:
∆VCEQ = 3,73V
Reemplazando valores:
∆ICQ = 1,13mA
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Completar la siguiente tabla con los valores medidos en el circuito y compararlos con los
valores calculados:
Parámetros
Unidades
Valores Calculados
Valores Medidos
ICQ
[mA]
1,5
2,63
IBQ
[µA]
7,53
VCEQ
[V]
3,32
7,05
VBEQ
[mV]
700
Trazar en el siguiente gráfico la Recta de Carga Estática (RCE) considerando los
siguientes puntos:
VCC
= 3,63mA
Si VCE = 0V ⇒ IC =
RC
Si IC = 0mA ⇒ VCE = VCC = 12V
Indicar además los diferentes puntos Q (Zona Activa) para el máximo y mínimo valor de
hFE.
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Polarización Universal (También conocida como polarización por divisor resistivo con
realimentación de emisor)
Armar el siguiente circuito:
VCC = 12V
R1 = 68KΩ
R2 = 27KΩ
RC = 2,2KΩ
RE = 1KΩ
VBEQ = 0,7V
hFE = 200(*)
min
Q1 = BC548B
hFE tip = 290(*)
hFE max = 450(*)
RE = 1KΩ
(*) Valores medidos bajo las
siguientes condiciones:
ICQ = 2mA
VCEQ = 5 V
TA = 25º C
Malla de Entrada
Malla de Salida
Aplicando el Teorema de Thévenin:
RTH =
Aplicando la Ley de Ohm y 2º Ley de Kirchhoff:
R1 . R2
VCC - ICQ . (RC + RE ) − VCEQ = 0
R1 + R2
Despejando:
VCEQ = VCC - ICQ . (RC + RE )
R2
VTH = VCC .
R1 + R2
Reemplazando valores:
RTH = 19,33KΩ
VTH = 3,41V
Aplicando la Ley de Ohm y 2º Ley de Kirchhoff:
VTH - IBQ . RTH - VBEQ - ICQ . RE = 0
Aplicando la definición de hFE y despejando:
IBQ =
VTH - VBEQ
RTH + hFE . RE
Reemplazando el valor mínimo de hFE:
IBQ max = 12,36 µA
Reemplazando el valor máximo de hFE:
IBQ min = 5,77 µA
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Dispersión del punto Q por variación del hFE
Aplicando la definición de hFE:
Reemplazando el valor mínimo de
ICQ = IBQ . hFE
ICQ :
VCEQ max = 4,1V
Reemplazando el valor máximo de hFE y mínimo
de IBQ :
ICQ :
Reemplazando el valor máximo de
VCEQ min = 3,68V
ICQ max = 2,6mA
∆VCEQ = VCEQ max − VCEQ min
Reemplazando el valor mínimo de hFE y máximo
de IBQ :
Reemplazando valores:
ICQ min = 2,47mA
∆VCEQ = 0,42V
∆ICQ = ICQ max − ICQ min
Reemplazando valores:
∆ICQ = 0,13mA
Completar la siguiente tabla con los valores medidos en el circuito y compararlos con los
valores calculados:
Parámetros
Unidades
Valores Calculados
Valores Medidos (*)
ICQ
[mA]
2,47
2,6
IBQ
[µA]
5,77
12,36
(*) Para medir VTH se debe medir la tensión sobre
resto del circuito.
VCEQ
[V]
3,68
4,1
VBEQ
[mV]
700
VTH
[V]
3,41
R2 luego de desconectar la base del transistor del
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Trazar en el siguiente gráfico la Recta de Carga Estática (RCE) considerando los
siguientes puntos:
VCC
= 3,75mA
Si VCE = 0V ⇒ IC =
RC + RE
Si IC = 0mA ⇒ VCE = VCC = 12V
Indicar además los diferentes puntos Q (Zona Activa) para el máximo y mínimo valor de
hFE.
Comparar la dispersión del punto Q por variación del hFE del circuito de
polarización fija con la del circuito de polarización universal y sacar
conclusiones.
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b) Zonas de Corte y Saturación
Armar el siguiente circuito:
VCC1 = 12V
VCC2 = 5V
VLED = 1,5V
ILEDon = 10 mA
VBE = 0,7V
Q1 = BC548B
hFE tip = 200(*)
(*) Valor medido bajo las
siguientes condiciones:
ICQ = 10mA
VCEQ = 0,2 V
TA = 25º C
Malla de Salida
Malla de Entrada
Aplicando la Ley de Ohm y 2º Ley de Kirchhoff:
VCC1 - ICQ . R2 - VLED = 0
Aplicando la definición de hFE:
IBQ =
Despejando:
R2 =
VCC1 - VCEQ - VLED
ICQ
Reemplazando valores:
R2 = 1,03KΩ
ICQ
hFE
Reemplazando valores:
IBQ = 50 µA
Aplicando la Ley de Ohm y 2º Ley de Kirchhoff con la
llave abierta:
VCC2 - IBQ . R1 - VBEQ = 0
Normalizando:
R2 = 1KΩ
Despejando:
R1 =
VCC2 - VBEQ
IBQ
Reemplazando valores:
R1 = 86KΩ
Normalizando:
R1 = 82KΩ
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Completar la siguiente tabla con los valores medidos en el circuito y compararlos con los
valores calculados:
Parámetros
Unidades
Interruptor Valores Calculados
Abierto
Valores Medidos
Interruptor Valores Calculados
Cerrado
Valores Medidos
ICQ
[mA]
10
IBQ
[µA]
50
0
0
VCEQ VBEQ
[V]
[mV]
0,2
700
10,5
0
Trazar en el siguiente gráfico la Recta de Carga Estática (RCE), a partir de los diferentes
puntos Q medidos en el circuito para el caso en el que el interruptor está abierto (Zona de
Saturación) y el caso en el que el interruptor está cerrado (Zona de Corte), indicando cuál
es cada uno.
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5) Cuestionario
a) ¿Cuál de los circuitos armados posee un punto Q más estable? ¿Por qué?
b) ¿Qué aplicación puede tener la polarización del transistor con un punto Q inestable?
c) ¿Qué parámetros se modificarían al elevar la temperatura del transistor en los circuitos
armados? ¿Por qué?
d) ¿Qué ocurriría con el punto Q si reemplazamos el BC548B por el BC548C?
6) Conclusiones
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