32001 - MINT - Micro y Nanotecnologías - etsetb

Última modificación: 29-04-2014
32001 - MINT - Micro y Nanotecnologías
Unidad responsable:
230 - ETSETB - Escuela Técnica Superior de Ingeniería de Telecomunicación de Barcelona
Unidad que imparte:
710 - EEL - Departamento de Ingeniería Electrónica
Curso:
2014
Créditos:
6
Capacidades previas
El contenido de las asignaturas troncales Dispositivos Electrónicos y Fotónicos I y II.
Requisitos
Metodologías docentes
Objetivos de aprendizaje de la asignatura
Conocimiento de los modelos de dispositivos microelectrónicos necesarios para el diseño de circuitos y sistemas.
Conocimiento de las bases de las tecnologías necesarias para la fabricación de circuitos integrados.
Introducción a las técnicas de nanofabricación y a algunas aplicaciones de los materiales nanoestructurados.
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Contenidos
1. Introducción.
Competencias de la titulación a las que contribuye el contenido:
1.1. Revisión de los modelos básicos de los transistores bipolares y MOS.
Competencias de la titulación a las que contribuye el contenido:
1.2. Diagramas de flujo de procesos de fabricación.
Competencias de la titulación a las que contribuye el contenido:
2. El transistor bipolar.
Competencias de la titulación a las que contribuye el contenido:
2.1. Efectos de alto dopado.
Competencias de la titulación a las que contribuye el contenido:
2.2. Perfiles de dopado en diodos y transistores.
Competencias de la titulación a las que contribuye el contenido:
2.3. Efectos no ideales.
Competencias de la titulación a las que contribuye el contenido:
2.4. Modelo de Gummel-Poon. Parametrización SPICE.
Competencias de la titulación a las que contribuye el contenido:
2.5. Retardos de commutación.
Competencias de la titulación a las que contribuye el contenido:
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2.6. Respuesta frecuencial.
Competencias de la titulación a las que contribuye el contenido:
2.7. Implicaciones tecnológicas.
Competencias de la titulación a las que contribuye el contenido:
3. Los transistores de efecto de campo.
Competencias de la titulación a las que contribuye el contenido:
3.1. Capacidades MOS. Estudio de los dieléctricos.
Competencias de la titulación a las que contribuye el contenido:
3.2. Modelo de MOSFET en continua. Modelo de canal gradual.
Competencias de la titulación a las que contribuye el contenido:
3.3. Efectos asociados a la reducción de dimensiones.
Competencias de la titulación a las que contribuye el contenido:
3.4. Modelo de MOSFET en continua.
Competencias de la titulación a las que contribuye el contenido:
3.5. Capacidades en el transistor MOS.
Competencias de la titulación a las que contribuye el contenido:
3.6. Modelos SPICE.
Competencias de la titulación a las que contribuye el contenido:
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3.7. Otros transistores: el MESFET.
Competencias de la titulación a las que contribuye el contenido:
3.8. Implicaciones tecnológicas.
Competencias de la titulación a las que contribuye el contenido:
4. Tecnología de fabricación en microelectrónica.
Competencias de la titulación a las que contribuye el contenido:
4.1. Obtención y características de los materiales semiconductores.
Competencias de la titulación a las que contribuye el contenido:
4.2. Oxidación térmica del silicio.
Competencias de la titulación a las que contribuye el contenido:
4.3. Difusión térmica de impurezas.
Competencias de la titulación a las que contribuye el contenido:
4.4. Implantación iónica.
Competencias de la titulación a las que contribuye el contenido:
4.5. Fotolitografía.
Competencias de la titulación a las que contribuye el contenido:
4.6. Ataques húmedos y secos.
Competencias de la titulación a las que contribuye el contenido:
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4.7. Depósito de capas metálicas.
Competencias de la titulación a las que contribuye el contenido:
4.8. Depósito de dieléctricos.
Competencias de la titulación a las que contribuye el contenido:
4.9. Epitaxia.
Competencias de la titulación a las que contribuye el contenido:
4.10. Montaje y encapsulado.
Competencias de la titulación a las que contribuye el contenido:
5. Técnicas de nanofabricación.
Competencias de la titulación a las que contribuye el contenido:
5.1. Fotolitografía. Litografía de haz de electrones.
Competencias de la titulación a las que contribuye el contenido:
5.2. Síntesis de nanotubos, nanowires y nanocristales.
Competencias de la titulación a las que contribuye el contenido:
5.3. Auto-ensamblado de moléculas (SAM).
Competencias de la titulación a las que contribuye el contenido:
5.4. Orgánico-inorgánico. Monocapas orgánicas.
Competencias de la titulación a las que contribuye el contenido:
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6. Aplicaciones de las nanotecnologías.
Competencias de la titulación a las que contribuye el contenido:
6.1. Energías renovables
Competencias de la titulación a las que contribuye el contenido:
6.1.1. Células fotovoltaicas nanoestructuradas.
Competencias de la titulación a las que contribuye el contenido:
6.1.2. Almacenamiento de hidrógeno y células de combustible.
Competencias de la titulación a las que contribuye el contenido:
6.2. Nanoelectrónica
Competencias de la titulación a las que contribuye el contenido:
6.2.1. Thin-film transistors (TFTs).
Competencias de la titulación a las que contribuye el contenido:
6.2.2. Dispositivos moleculares.
Competencias de la titulación a las que contribuye el contenido:
Sistema de calificación
Examen, presentación de ejercicios y realización de trabajos.
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Normas de realización de las actividades
Bibliografía
Básica:
Wolfe, C.M.; Holonyak, N.; Stillman, G.E. Physical properties of semiconductors. Englewood Cliffs, NJ: Prentice Hall, 1989.
ISBN 0136699618.
Sze, S.M.; Ng, K.K. Physics of semiconductor devices. 3rd ed. Hoboken, NJ: John Wiley and Sons, 2007. ISBN 0471143235.
Roulston, D.J. Bipolar semiconductor devices. New York [etc.]: McGraw Hill, 1990. ISBN 0070541205.
Tsividis, Y.P. Operation and modeling of the MOS transistor. New York: McGraw-Hill, 1987. ISBN 007065381X.
Ghandhi, S.K. VLSI fabrication principles: silicon and gallium arsenide. 2nd ed. New York: Wiley-Interscience, 1994. ISBN
0471580058.
Sze, S.M. (ed.). VLSI technology. 2nd ed. New York [etc.]: McGraw-Hill, 1988. ISBN 0071003479.
Doering, R.; Nishi, Y. (eds.). Handbook of semiconductor manufacturing technology. 2nd ed. Boca Raton, FL [etc.]: CRC
Press, 2008. ISBN 9781574446753.
Otros recursos:
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