Revista Latinoamericana de Metalurgia y Materiales, Vo!. 10 Nos. 1 &.2 osoo¡ 67 Materiales para la fabricación de ánodos inertes en reducción electrolítica de aluminio Dr. Mokka N. Rao UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL DE GUA y ANA La. deficiencias en materias carboníferas para ánodos, estimularon investigaciones extensivas a la posibilidad de sustituir los ánodos de carbón. La. investigaciones se han centrado en el desarrollo de materiales que serían químicamente inertes a la oxidación anódica, El problema de los electrodos inertes debe ser analizado desde los puntos de vista técnico y económico. El anterior enfoque involucra los problema. concernientes a materiales que satisfagan los rigurosos requerimientos de la electrólisis de aluminio. MATERIALES INERTES ANÓmCOS Los requerimientos en propiedades físico-químicas del ánodo inerte y los parámetros principales son: (i) Insolubilidad en una fundición de tluoruro que contiene Al disuelto. (ii) Resistencia a oxígeno anódico. (iií) Estabilidad térmica hasta 1000 °C, con adecuada resistencia al cboque térmico y gradientes de temperatura. (iv) Baja resistividad específica y baja de contacto a conductores de corriente externa. (v) Bajo sobrevoltaje de descarga y reacción de oxidación de iones y alto sobrevoltaje de descarga de tluoruros. Los experimentos para usar ánodos inertes comenzaron en 1937 cuando Belyaer y Studentrov [1] comprobaron el comportamiento de prensado en frío y ánodos sintetizados de Fep4' Sn02, COP4' NiO, ZnO, CuO y o.o, Aunque algunos de los óxidos investigados, egoSn02 y Fe.O, parecen óxidos más insolubles en criolita-alúmina, el aluminio catódico se contaminó por aproximadamente 2% en peso de metales Fe o Sn. Subsiguientemente Belyaer [2] examinó el comportamientoanódicodealguI1:1sferritascomoSn02·Fe20y NiO.Fep3 y ZnO.Fep3. que se comportaron mejor que los óxidos puros, debido a la resistividad eléctrica baja y menor resistencia al electrolito. Los ánodos de óxido descritos en la literatura y patentados son generalmente de dos tipos diterenteso El primero consiste de ánodo poroso o fundido con conductividad electrónica, cubierto por un óxido cerámico semiconductor. Un posible material inerte para esta protección es Zr02 estabilizado ydopado por Ce02• Estos son recomendados por KIein et al [3]. Los mismos autores, sin embargo, observaron que la estabilidad de Zr02 estabilizado con CaO y Ce02 dopado con CaO y UIP .• en fundiciones de criolita es limitada. El segundo tipo de ánodo de óxido cerámico consiste de un semiconductor con conductividad electrónica, donde el gas oxígeno es generado directamente sobre la superficie del óxido. Tales ánodos pueden ser producidos por sinterización o revestimiento de sustrato de metal y hasta 20% en peso de otros óxidos o metales son mezclados a la base óxido para mejorar la conductividad eléctrica. KIein [4] y Alder [5] obtuvieron aprobación de patentes sobre ánodosbasadosen Sno., Sehaconsíderadoqueóxídosúe Ta, un Nb, W y Sb mejoran la conductividad eléctrica y SbP3' Fep3' ZnO, Cr.O, BiP3 y Vps mejoran la densidad a través de sinterización. Los ánodos con por lo menos 80% en peso de Sn02 mezclados con estos óxidos se espera que tengan una resistividad eléctrica en el rango 0.1 - 10 ohm.cm a 1.000 °C. Para mejorar la densidad eléctncay la conductividad, Adler [5] sugirió adiciones de 0,05 a 2% en'peso de CuO y SbP3' Para los materiales de ánodo sinterizados se reporta una porosidad menor del 5 % Y una solubilidad en criolita fundida menor que 0,08% en peso. De Nora et al [6] concentraron su trabajo en óxidos complejos con una base de YP3' Las patentes reportan que estos materiales muestran pérdidas de peso de superficies en el rango de 0.02 a 0.1 gr.crrr- después de 100 días de electrólisis, la rata de desgaste de estos ánodos generalmente es bajada alrededor de 10 veces por adiciones de óxidos de' metales de grupo m en la Tabla Periódica, La conductividad eléctrica de YP3 se espera que sea mejorada por la edición de 0.1 a 20% en peso de por lo menos un componente dentro de los siguientes: - Óxidos donde la valencia del metal difiere de la valencia del metal en la matriz de YP3' - Óxidos con conductividad electrónica debido a sistemas intrínsecos redox (óxido espinela y perowskite) y óxidos con conductividad electrónica por los enlaces metálicos) C¡{\, Mn02, TiO, etc. - Boruros, Silisuros, Carburos, Sulfuros de metales de transición de los grupos m a V. - Metales de transición y sus aleaciones. Ánodos más complejos de óxidos basados en las estructuras de espinela, perowskite, de la fossite, pyrochlore, sheelite y reutile . con conductividad electrónica y mezclas de éstos, han sido propuestos en patentes dadas a Yamada el. al [7]. Para mejorar la••propiedades del {modo, deben ser añadidos compuestos como óxidos de metales de transición, óxidos de platino, óxidos de tierras rara" o TiN, TiB2 Y WSi, preferiblemente óxido de Manganeso y Nitruro de Titanio. Se ha reportado que los electrodos deben exhibir resistencia química al electrolito y actividad catalítíca para la generación de oxígeno y son usados sin reemplazar por 6 meses a 1 año. Se ha publicado [7] también que un ánodo preparado por rocío de un bloque sintetizado hecho por NiO. ra,o, y NiO. Nbps con ~Zrp7 exhibe excelentes características. 68 Latinámerican Ioumal 01Metallurgy ami Matenals, Vol. lO Nos. 1 & 2 (1990) REFERENCIAS BmLIOGRAFICAS 1) BELY AE AJ. AND SruDENTSOV: LEGKIE MET ALL 6 (3), 17 (1937) 2) BELYAE A.1. LEGKIE METALLY7 (1) (1938) 3) KLEIN. ET. AL: TORIND· KERAM. RUDSCH. 100, 89 (1976)· 100, 225 (1976)· 100, 390 (1976) . 4) KLEINH.J. (SWISS ALUMINUMLTD): U.S. PAT. 3.718.550 (1973); BRIT. PAT 1.295.117; FRENCLE PAT. 2.068.784; GREN OFFfEN 2.059.866 SOTH AGRI. PAT. 80.0810, SWISS PAT 520.779 5)ALDER(SWiSS ALUMINUMLID): U.S. PAT3.90.967 (1976) AUSTRIAN PAT. 74.06583. ETC. 6) DE NORA ET. AL. (DIAMOND SHARMROCK TECHNOLOGIES, S.A.) U.S. PATENT. 4.098.669 (1978) 7) Y AMADA, K. ET AL, (SUMINTOMO CHEMICAL CO. LID): JAPAN KOKAI 77.140.411 (1977) J~PAN KOKAI 77.153.816 (1977) PATENTES: y AMADA. DET AL., (SUMlTOMO CHEMICALCO. LID) BRIT PAT 1.461.155 (1977) GREN OFFEN 2.446.314 (1975) JAPAN KOKAR 75.62114, U .S. PAT 4.039.40 GREN OFFEN 2.547.168 (1976), .TAPAN KOKAI 76.48708, 77.27007