Memoria - Erika Vilches

Memoria
M. en C. Erika Vilches
Parte 5
Celdas de Memoria
RAM Dinámica DRAMs
• Almacenan el bit en un pequeño capacitor,
en lugar de un latch.
• Ventaja → Es muy simple. Permite que se
contruyan en un chip arreglos de memoria
muy grandes a un menor costo por bit.
• Desventaja → No puede mantener su carga
por un periodo extendido de tiempo a
menos que sea se haga un refresh
periódicamente.
Celda DRAM típica
Formada por un transistor MOS y un capacitor
• Principal aplicación de las DRAMs →
memoria principal de las computadoras
• FPM DRAM, EDO DRAM, BEDO DRAM y
SDRAM → Mejoras sobre el diseño básico
de la DRAM.
SDRAM
• Una de las DRAMs más rápidas.
• Intercambia datos con el procesador de
forma sincronizada con el reloj del sistema.
• La SDRAM responde después de un cierto
número de ciclos de reloj, mientras tanto el
procesador puede realizar sin riesgo otras
tareas.
• Funciona mejor cuando se transfieren
bloques largos de datos en serie.
DDR-SDRAM
• Double Data Rate SDRAM
• SDRAM de doble velocidad de datos
• Version mejorada de la SDRAM
• Puede enviar datos al procesador dos veces
por ciclo del reloj del sistema.
• Permite la transferencia de datos por dos
canales distintos simultáneamente en un
mismo ciclo de reloj.
ROM
• Contiene un patron permanente de datos
que no puede alterarse.
• No volátil.
• Aplicaciones → Subrutinas para funciones de
uso frecuente, programas del sistema, etc.
La Familia ROM
•
•
Mask ROM
•
Los datos son permanentemente
almacenados en la memoria durante el
proceso de manufactura.
•
•
Manufactura costosa.
Un error... tiraje de chips a la basura
PROM (Programmable ROM)
•
Los datos son eléctricamente almacenados
por el usuario con ayuda de equipo
especializado.
•
•
•
Se puede grabar solo una vez.
Flexibilidad y comodidad
Más económicas.
•
EPROM:
•
•
UV EPROM (UV Erasable PROM)
•
•
Se lee y escribe electricamente
•
El proceso de borrado puede realizarse varias
veces.
Antes de escribir, todas las celdas deben ser
borradas a la vez mediante exposición a luz
ultravioleta (hasta 20 minutos)
EEPROM (Electrically Erasable PROM)
•
Se puede escribir en cualquier momento sin borrar
su contenido anterior, solo se actualiza el byte o
bytes direccionados.
•
•
Tiempo de escritura >>> Tiempo de lectura
Se actualiza utilizando lineas de datos, de
direcciones y de control de un bus ordinario.
Una ROM Simple
• Celdas MOS ROM (Metal-OxideSemiconductor ROM)
Arreglo ROM de 16 x 8
Capacidad total = 128 bits o 16 bytes
Ejemplo de Aplicación
• Muestre una ROM programada para hacer
conversiones de 4 bits de números binarios
a código Gray.
Tarea
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Fecha de entrega: Lunes 14 de Abril
Por equipos
Resumen/investigación de los métodos de
expansión de memoria (material en la página)
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Expansión para incrementar el tamaño de la
palabra
•
Expansión para incrementar la capacidad de
palabras
•
Ambos