El diodo de cuatro capas (Schockley)

Cerrojo (latch) con transistores.
Q1
Q2
Latch
Cerrado
(saturación)
Abierto
(corte)
El diodo de cuatro capas (Schockley)
Q1
Q2
{{
p
Q1
n
Q2
p
n
Función de transferencia
I
Encendido
IH
(Holding)
Apagado
V
VK
(Codo)
VB
(Breakover)
El Rectificador Controlado de Si (SCR)
Anodo
Anodo
Anodo
p
Q1
Compuerta
n
p
Compuerta
n
Compuerta
Q2
Catodo
Catodo
Catodo
SCRs
• SCR, los tiristores de mayor difusión
• Utilizan un pulso en compuerta de disparo en
vez del disparo por cebado
• Tensión de bloqueo directo (VDRM)
• Corriente directa IT(RMS)
• Gate trigger voltage (VGT) y la Gate trigger
current (I GT)
• Apagado: reducir la corriente a menos de
Holding current (I H)
• Corriente directa promedio I F(PROM)
• Corriente eficaz promedio IF(RMS)
Un SCR no se apaga al final de el pulso de disparo
+VAA
Carga
+VAA
A B
A B
C D
C D
SCR crowbar protege la carga de sobretensiones
VZ
Power
supply
Protected
load
VT
VGT
La sobretensión que dispara el SCR: VT = VZ + VGT
Crowbar con ganancia
R3
Power
supply
R1
R2
Protected
load
R4
R1 ajusta el nivel de disparo
Control de fase con SCR
Vlínea
Load
220 V
R1
θdisparo
vcarga
R2
C
θconducción
Red amortiguadora, limita la velocidad
de crecimiento de la tensión sobre el SCR.
Load
R1
RC (snubber)
C
R2
Tiristores bidireccsionale: Pueden conducir en
ambas direcciones
Diac
I
Dos diodos de cuatro capas
en paralelo inverso
El Triac es el más popular tiristor bidireccional
Triac
I
Gate
Dos SCRs en
Paralelo inverso
Control de Fase con Triac
vlínea
Load
220 V
R1
vcarga
R2
C
Triac crowbar
Fuse
R1
220 V
Triac
Protected
load
R2
Diac
R3
Con R2 se ajusta el disparo
Foto-SCR: es
activado por luz
RL
RL
gate
Ajuste de
sensitividad
Máxima
sensitividad
Llave controlada por compuerta: el apagado
se realiza con un pulso en inversa
RL
A
A
B
C
D
RG
B
C
D
Llave de silicio: es un dispositivo de baja corriente
Anodo
Compuerta
de Ánodo
Compuerta
de Cátodo
Cátodo
Cualquier compuerta puede ser utilizada para
encender o apagar el dispositivo
Transistor Unijuntura (UJT)
B2
B2
RE E
p
vin
V
E
n
B1
B1
Cuando vin alcanza ηVBB la resistencia entre
emisor y B1 cae drásticamente