Problemas de transistores bipolares

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'UEWGNC7PKXGTUKVCTKC2QNKVÃEPKECFG+PIGPKGTÈC6ÃEPKEC+PFWUVTKCN
241$.'/#5
FGVTCPUKUVQTGUDKRQNCTGU
c Transistores Bipolares
d Polarización y Estabilización
(/(&75Ï1,&$%È6,&$
','4%+%+15FGVTCPUKUVQTGUDKRQNCTGU
3UREOHPD
Determinar la región de funcionamiento y los valores de IB, IC y VCE en el circuito de la
figura, siendo RB igual a:
D 300k:
E 150k:
El transistor empleado tiene E F=100 y una VCEsat. Prescindir de las corrientes de
saturación inversas.
V CC= 1 0 V
RB
R C= 2k:
6ROXFLyQ D$FWLYR'LUHFWR,% P$,& P$\9&( 9 E 6DWXUDFLyQ,% P$,& P$
3UREOHPD
D Determinar los valores de IC y VCE en el circuito de la figura. El transistor tiene
EF=100.
E ¿Cuál es el mínimo valor de RC para que el transistor esté justamente saturado?
R C= 1 k:
R B = 27 0k:
R E= 1 k:
V EE= - 1 0V
6ROXFLyQ D ,& P$\9&( 9E 5& .:
3UREOHPD
Determinar los valores de IC y VCE en el circuito de la figura. El transistor tiene E F=125 y
ER=2.
R C= 1 0k:
R B = 20 k:
6ROXFLyQ ,& P$\9&( 9
R E= 5 k:
V EE= 5V
3UREOHPD
El transistor empleado en el circuito representado tiene E F=150 y una corriente inversa
de saturación despreciable.
D Determinar los valores de IC y VEC.
E Repetir D con EF=50.
VO
R C= 1k:
R B = 40 0 k:
R E= 2k:
V EE= 10 V
6ROXFLyQ D ,& P$\9(& 9E,& P$\9(& 9
3UREOHPD
En el circuito representado se emplea un transistor con E F=99 y corriente inversa de
saturación despreciable. Los valores son VCC=10V, RC=2.7k: y RF=180k:, estando RB
en circuito abierto.
D Hallar los valores de IC y VCE.
E Repetir D con EF=199.
V CC
RC
RF
RB
6ROXFLyQ D ,& P$\9&( 9E,& P$\9&( 9
3UREOHPD
El circuito representado emplea un transistor con E F=100 y los parámetros VCC=15V,
VEE=-15V, VBB=0V, RC=0.5k:, RE=1k:, y RB=44k:.
D Determinar VO1 y VO2.
E ¿Qué nuevo valor de RC hace que VO1=0?
F ¿Qué nuevo valor de RE hace que VO2=0?
V CC
RC
RB
V O1
V BB
V O2
RE
V EE
6ROXFLyQ D 92 992 9E5& .: F5( .:
3UREOHPD
Determinar el valor de VBB en el circuito de la figura anterior con el que justamente se
satura el transistor.
6ROXFLyQ 9%% 9
3UREOHPD
Determinar el punto de trabajo de los transistores Q1 y Q2 en el circuito de la figura, con
los valores VCC=10V, R1=R2=22k:, R3=R4=R5=1.2k:, E 1=E 2=100 y |VBE|=0.6V
V CC
R1
R3
Q2
Q1
R5
R4
R2
6ROXFLyQ ,% P$,& P$9&( 9,% P$,& P$9&( 9
3UREOHPD
En el circuito con transistor de la figura, con los valores VCC=10V, RB=680k:,
RC=1.8k:, EF=200 y |VBE|=0.65V determinar:
D El punto de trabajo del transistor Q.
E Representar el punto de trabajo sobre las curvas características de salida
IC=f(VCE, IB).
V CC
RC
RB
Q
6ROXFLyQ D ,% P$,& P$9&( 9
3UREOHPD
En el circuito de la figura, con los valores VCC=-10V, RC=1.8k: y VBE=-0.65V, hallar el
valor necesario de RB para que el transistor Q esté situado en zona activa directa con
IC t 2mA para 50 d EF d 100.
V CC
RC
RB
Q
6ROXFLyQ .: d 5% d .:
3UREOHPD
En el circuito que se muestra en la figura, con los valores VCC=12V, E F=62 y VBE=0.7V,
determinar:
D Valor de RB y RC para que el transistor esté situado en el punto de trabajo
VCEQ=6V, ICQ=2.2mA.
E Representar el punto de trabajo a partir de las curvas características y de la
recta de carga estática.
V CC
RC
RB
6ROXFLyQ D 5% .:5& .:
3UREOHPD
Determinar los valores de R1, R2 y RE para que el transistor Q de la figura con los
valores VCC=12V, RC=3.3k:, E F=62, VBE=0.6V e ICB0=1PA, esté situado en el punto de
trabajo VCEQ=5V, ICQ=1.6mA. El factor de estabilidad frente a variaciones de ICB0 es
SICB0=10.
V CC
R1
RC
Q
R2
RE
6ROXFLyQ D 5 .:5 .:5( .:
3UREOHPD
Determinar el valor de las resistencias R1, R2 y R3 en el circuito de la figura, con los
valores VCC=20V, IR1=13.75mA, VZ=12V, RZ=22:, VEC=4V, IE=2,5mA, E F=99, VEB=0.7V y
VCEsat=0V. ¿Qué sucede si se aumenta el valor óhmico de R3?
V CC
R1
R2
Q
R3
6ROXFLyQ D 5 :5 .:5 .:
3UREOHPD
En el circuito que se muestra en la figura, con los valores VCC=12V, VCE=5V, IC=2mA,
RE=820:, RT= R1 // R2=5.33k:, E F=290 y VBE=0.6V, determinar:
D Valor de R1, R2 y RC si ICB0=0.
E Representar el punto de trabajo a partir de las curvas características y de la
recta de carga estática.
V CC
R1
RC
Q
R2
RE
6ROXFLyQ D 5 .:5 .:5& .:
3UREOHPD
El transistor tipo 2N335, empleado en el circuito de la figura, puede tener cualquier
valor de E comprendido entre 36 y 90 a la temperatura de 25ºC, y la corriente inversa
de saturación ICB0 tiene efectos despreciables sobre el valor de IC a temperatura
ambiente. Si VCC=20V y RC=4k:, determinar el valor de las resistencias R1, R2 y RE
para que el transistor esté situado en el punto de trabajo VCEQ=10V, ICQ=2mA, con
VBE=0.65V, y el valor de la corriente IC esté comprendido entre 1.75mA y 2,25mA
cuando E varíe desde 36 a 90.
V CC
R1
RC
Q
R2
RE
6ROXFLyQ 5 N:5 .:5( .:
3UREOHPD
En el circuito autopolarizado de la figura, RE=4.7k:, RT= R1 // R2 =7.75k:. La tensión de
alimentación del colector y RC se ajustan para establecer una corriente de colector de
1.5mA a 25ºC.
D Determinar las variaciones de IC en el margen de temperaturas de –65ºC a
+175ºC cuando se emplea el transistor de silicio de la Tabla 1.
E Repetir D para el margen de temperaturas de –65ºC a +75ºC cuando se
emplea el transistor de germanio correspondiente a la Tabla 2.
7$%/$
3DUiPHWURV7UDQVLVWRUGH6LOLFLR
7ž&
,&% Q$ [
E
9%( 9
7$%/$
3DUiPHWURV7UDQVLVWRUGH*HUPDQLR
7ž&
,&% P$ [
E
9%( 9
V CC
R1
RC
Q
R2
RE
6ROXFLyQ D 'I& P$'I& E'I& P$'I& 3UREOHPD
En el circuito de la figura ambos transistores son iguales y de características
siguientes: ßF entre 100 y 450; VBE=0.7V y VCEsat=0.2V. Se pide polarizar
adecuadamente los transistores para que la IC de ambos sea de 1mA y la VCEQ=VCC/4.
9
5
5&
5
5
5(
3UREOHPD
Del siguiente circuito se sabe que los dos transistores son iguales y con ßF=250 y
VBE=0.6V. Se pide calcular R1 y R2 para que VCE1=7.5V y VO=0V
Datos: VCC=VEE=15V; I1=0.5mA, I2=4mA
9&&
5
4
4
5
92
,
,
9((
3UREOHPD
Calcular las resistencias de polarización del circuito siguiente para que: IC1=IC2=0.5mA;
VCE1=12V y VCE2=9V. Siendo los dos transistores exactamente iguales y con ßF=250 y
VBE=0.6V
V CC
R1
R3
4
Q1
R2
R5
R4