FET Etapas amplificadoras con FET Electrónica I Prof. María Isabel Schiavon FCEIA - UNR Autopolarización iD V RD + RS JFET recta de carga estática V − v DS iD = RD + RS recta de polarización vG S = − i D RS V zona de corriente constante o de saturación del canal vG S i D = I D S S 1− VP vDS 2 VDD R2 Autopolarización con divisor de tensión RD iD recta de carga estática JFET V DD − v DS iD = RD + RS R1 R S recta de polarización v G S = VGG − i D R S VGG VGG = V DD R1 R1 + R2 vG S i D = I D S S 1− VP vDS 2 V V R2 RD R2 RD R1 R S Comparación iD R1 R S recta de carga estática JFET V DD − v DS iD = RD + RS ∆ID ∆ID VGG vG S = − i D R S v G S = VGG − i D R S vG S i D = I D S S 1− VP vDS 2 VDD RF RD MOSFET i D ≅ K (vG S − VT ) = K (v D S − VT ) 2 2 iD VT vDS NMOS PMOS VT>0 VT<0 VGS>0 VGS< 0 VDS>0 VDS<0 ID> 0 ID< 0 N-MOS y P-MOS iD vGS VT MOSFET empobrecimiento iD vGS VT MOSFET enriquecimiento NMOS PMOS VT<0 VT>0 VGS< 0 ó VGS>0 VGS< 0 ó VGS> 0 VDS>0 VDS<0 ID> 0 ID< 0 Etapas amplificadoras básicas FET Polarizado VDD VDD R2 RD R1 R S RF RD fuente común puerta común drenaje común Terminal común terminal de excitación terminal de salida VDD te n fue ú n m R2 co + vi_ RD + R1 ii + vi + vi _ amplificador + vo -- vo Av = vi io Ai = ii vo zo = io R1 _ io -- vi z i= ii je a n n e r d mú R 2 co vo RS V DD a t r e n u p ú m co vo RS _ V DD RD R2 SC-DC-GC R1 vi = 0 + + v_i v o RS + _ ii io + vi amplificador -- + vo -- zi vi = es zi + Rs ii Rs es -- vo Av = vi io + vi vi z i= ii zi zo + Av vi + R vo l -- vo zo = io vi = 0 io Ai = ii Rl vo = Av vi zo + Rl vo io = − Rl Av vi io = zo + Rl SC-DC-GC g FET: modelo en pequeña señal id id d gm vgs rds vgs g mQ = vds s Si IIDSS =10mA Si VVPP≈≈-- 5V 5V DSS =10mA λλ<< 0,05/V 0,05/V IIDQ= =1mA V DSQ=10V =10V DQ==1mA VDSQ v gs Q = 2I DS S − VP (− VP + VG S ) Q gmQ = 2 K J (− V P ) vds rds = id V = G SQ I DQ I DSS 1+ λV DSQ I DQ λ gmQ≈1,26mA/V rds > 30KΩ te n f ue ún m co + vi_ V + vo RS R1 id + o Superposición condicionada al punto de trabajo D + gmvgs RG v gs = vi − id RS vo = -id RD r ds vgs S _ _ Q modelo en señal G vi I D , VDS Q Q RD R2 Punt o de Trab ,VGS aj RS RD vo _ vds id = + gm v gs r ds vds = vo − (v gs − vi ) Fuente común1 V te n fue ú n m o c + vi_ RD R2 id D + gmvgs RG r ds vgs S _ vo CS _ RS G vi Fuente común2 + R1 + RS=0 RS RD vo v o − g m RD Av = ≈ v i 1+ g m RS vo zo≡ io e ≈− gm RD =[RD//(rds+Rs )] s =0 vo zo≡ io e ≈RD s =0 zi = RG // ziFET ≈ RG _ Amplificador je a en ún r D m co g vi V DD vi _ R1 s Drenaje común + R2 + vgs RG _ RS d gmvgs + vo rds id _ + RS z i = RG = R1 //R2 vo _ v o g m RS Av ≡ ≈ <1 v i 1+ g m RS −1 −1 zo ≈ gm // RS // ro ≈ g m adaptador de impedancia amplificador de corriente VDD RD R2 v R1 puerta común o + v_i _ g + RG vi _ fuente de corriente o carga activa RS rds _ R D s RS vgs + RG=R1//R2 Io R1 RS d + gm vgs R2 zo ≈ ro (1+ g m RS ) + id V DD zi = gm− 1 // RS ≈ gm− 1 vo _ vo Av = ≈ g m RD vi vo zo ≡ io ≈ RD e s =0 sc v o − g m RD Av = ≈ v i 1+ g m RS z i = RG = R1 //R2 z i = RG //z iFET ≈ RG vo zo≡ ≈RD i o e =0 i amplificador de tensión y corriente resumen dc g m RS Av ≈ <1 1+ g m RS −1 zo ≈ g m adaptador de impedancia amplifica corriente gc zo ≈ ro (1+ g m RS ) fuente de corriente o carga activa V DD R2 Io R1 RS