Problemas de polarización del BJT 2

Boletín de problemas de BJT
Nota: Todos los circuitos siguientes han sido simulados en el entorno Micro-cap 10.0.9.1 Evaluation Version.
a. Polarización con 1 transistor npn
1.- Hallar las tensiones (VBE, VCE) , corrientes (IB, IC) y estado de polarización del transistor:
(Vbe = Vbeact = Vbesat = 0,7 V, Vcesat = 0,2 V,  = 100)
a) V1 = 5 V, Rb = 43 K, Vcc = 20 V, Rc = 1 K
b) V1 = 5 V, Rb = 4.3 K, Vcc = 20 V, Rc = 1 K
c) V1 = 5 V, Rb = 43 K, Vcc = 10 V, Rc = 1 K
d) V1 = 0.5 V, Rb = 43 K, Vcc = 20 V, Rc = 1 K
e)V1 = 3 V, Rb = 10 K, Vcc = 50 V, Rc = 1 K
f) V1 = 3 V, Rb = 10 K, Vcc = 50 V, Rc = 3 K
VBE =
a) 0,7 V b)0,7 V c)0,7 V d)0,5 V e) 0,7 V f)0,7 V
VCE =
a) 10 V b)0,2 V c)0,2 V d)20 V e) 27 V f)0,2 V
IB =
a) 0,1 mA b)1 mA c)0,1 mA d)0 mA e) 0,23 mA f)0,23 mA
IC =
a) 10 mA b)19,8 mA c)9,8 mA d)0 mA e) 23 mA f)16,6 mA
Estado
a)Act b)Sat c) Sat d)Corte e)Act f)Sat
2.- Para el circuito de la figura anterior, determine el intervalo de valores de V1 para que el transistor se encuentre
en activa.
(Vbe = Vbeact = Vbesat = 0,7 V, Vcesat = 0,2 V,  = 150)
Rb = 5 K, Vcc = 12 V, Rc = 1 K
0,7 V < V1 < 1,093 V
3.- Hallar las tensiones (VBE, VCE) y corrientes (IB, IC) del transistor:
(Vbe = Vbeact = Vbesat = 0,7 V, Vcesat = 0,2 V)
a) Rc = 0,7 K, Rb = 75 K, V1 = 10 V,  = 150
b) Rc = 0,2 K, Rb = 75 K, V1 = 10 V,  = 150
c) Rc = 0,7 K, Rb = 75 K, V1 = 10 V,  = 120
d) Rc = 0,2 K, Rb = 75 K, V1 = 10 V,  = 120
VBE =
a) 0,7 V b) 0,7 V c) 0,7 V d) 0,7 V
VCE =
a)0,2 V b)6,28 V c) 0,2 V d) 7,024 V
IB =
a)0,124 mA b) 0,124 mA c)0,124 mA d) 0,124 mA
IC =
a)14 mA b)18,6 mA c)14 mA d)14,88 mA
4.- Hallar las tensiones (VB, VC, VE), corrientes (IB, IC, IE) y estado de polarización del transistor:
(Vbe = Vbeact = Vbesat = 0,7 V, Vcesat = 0,2 V)
a)  = 120, R1 = 10 KΩ, R2 = 7 KΩ, Rc = 1 KΩ, Vcc=12 V
b)  = 120, R1 = 75 KΩ, R2 = 7 KΩ, Rc = 1 KΩ, Vcc=12 V
c)  = 100, R1 = 87 KΩ, R2 = 10 KΩ, Rc = 1 KΩ, Vcc=12 V
d)  = 100, R1 = 87 KΩ, R2 = 3 KΩ, Rc = 1 KΩ, Vcc= 9V
Vb =
a) 0,7 V b)0,7 V c)0,7 V d)0,3 V
Vc =
a)0,2 V b)6 V c)6 V d)9 V
Ve =
a) 0 V b)0 V c)0 V d)0 V
Ib =
a) 1,03 mA b) 0,05 mA c) 0,06 mA d)0 mA
Ic =
a)11,8 mA b)6 mA c)6 mA d)0 mA
Ie =
a)12,83 mA b)6,05 mA c)6,06 mA d)0 mA
Estado
a)Sat b)Act c)Act d)Corte
5.- Calcular el valor de las resistencias Re y Rb, y de las corrientes Ic e Ib, sabiendo que la tensión Vc = 5 V y que:
(Vbe = Vbeact = Vbesat = 0,7 V, Vcesat = 0,2 V,  = 100)
a) Rc = 5 K, Ve = 4,5 V
b) Rc = 1 K, Ve = 4,5 V
c) Rc = 5 K, Ve = 3 V
d) Rc = 1 K, Ve = 3 V
Re =
a) 4,5 K b)0,9 K c)3,0 K d)0,6 K
Rb =
a)480 K b)96 K c)630 K d)126 K
Ic =
a)1 mA b)5 mA c)1 mA d)5 mA
Ib =
a)0,01 mA b)0,05 mA c)0,01 mA d)0,05 mA
6.- En el siguiente montaje, A representa una bombilla que disipa 100 W a 220 V. Si se tienen los siguientes valores
de tensión y resistencia, Vs = 5 V, RB = 20 K, RC = 0,5 K, Vcc = 20 V, hallar …
(Vbe = Vbeact = Vbesat = 0,7 V, Vcesat = 0,2 V,  = 120)
Resistencia
bombilla
RBombilla =
0,484 K
Corriente por
la bombilla
IBombilla =
20,12 mA
Potencia de la
bombilla
PBombilla =
195,93 mW
Potencia del
transistor
PTransistor =
4,17 mW
b. Polarización con 1 transistor pnp
1.- Hallar las tensiones y corrientes de base (VB, iB )y de colector (VC, iC ), y la potencia disipada por el transistor del
circuito de la figura en los siguientes casos:
(Vbe = Vbeact = Vbesat = - 0,7 V, Vcesat = - 0,2 V,  = 200)
a) Vcc = 12 V, R1 = 1 K, R2 = 100 K, Rc = 1 K
b) Vcc = 12 V, R1 = 10 K, R2 = 100 K, Rc = 1 K
VB =
a) 11,88 V b)11,3 V
VC =
a) 0 V b)8,6 V
IB =
a) 0 mA b) 0,043 mA
IC =
a) 0 mA b) 8,6 mA
Potencia
a) 0 mW b) 29,27 mW
2.- Hallar las tensiones y corrientes de base (VB, iB )y de colector (VC, iC ), y el estado del transistor del circuito de la
figura en los siguientes casos:
(Veb = Vebact = Vebsat = 0,7 V, Vecsat = 0,2 V,  = 100)
a) Vcc = 12 V, Rb = 70 K, Rc = 1 K
b) Vcc = 12 V, Rb = 150 K, Rc = 1 K
VB =
a) 11,3 V b)11,3 V
VC =
a) 11,8 V b) 4,46 V
IB =
a) 0,16 mA b) 0,075 mA
IC =
a) 11,8 mA b) 7,5 mA
Estado
a) Saturación b) Activa
3.- Hallar las tensiones y corrientes de base (VB, iB ) y de colector (VC, iC ) del transistor del circuito de la figura.
Calcular la resistencia que habría que poner en el colector (Rc) para que el transistor cambiase de estado.
(Veb = Vebact = Vebsat = 0,7 V, Vecsat = 0,2 V,  = 120)
Vcc = 10 V, Rb = 100 K, Re = 0,1 K, Rc = 0,5 K
VB =
8,2 V
VC =
4,975
IB =
0,082 mA
IC =
9,95 mA
Rc =
0,885 K
c. Polarización con 1 transistor npn y 1 elemento extra (potenciómetro, bobina, etc…)
1.- Se pretende encender un LED actuando sobre el potenciómetro Pot1, conectado a la base de un transistor BJT a
través de una resistencia fija Rb. Se considera que el LED (de color amarillo) funciona con una corriente mínima de IF
MIN (LED)= 15 mA, siendo la tensión en conducción VF (LED)= 2 V. La máxima potencia que puede disipar el LED es de
0,1 W. Se pide:
a) Dimensionar el valor de Rb para que el LED no se destruya en el caso de que el potenciómetro esté en su
valor mínimo (Rpot = 0 K). Calcular la tensión Vce en ese instante.
b) Dimensionar el valor máximo del potenciómetro para que siempre se encuentre encendido. Calcular Vce.
Datos: V1 = 10 V, RC = 0,1 K, Vcc = 10 V, Vbe = Vbeact = Vbesat = 0,7 V, Vcesat = 0,2 V,  = 100)
RB =
18,6 K
VCE =
3V
RPot =
43,4 K
VCE =
6,4 V
a)
b)
2.- El conmutador de la figura sirve para encender o apagar el LED. Se considera que el LED (de color amarillo)
funciona con una corriente mínima de IF MIN (LED)= 15 mA, siendo la tensión en conducción VF (LED)= 2 V.
a) Calcular el valor de Rc para que pase por el LED una corriente de 30 mA cuando el switch está a GND.
b) Calcular el valor de mínimo Rb para que pase por el LED una corriente menor de 15 mA cuando el switch
está a V1.
Datos: V1 = 5 V, (Vbe = Vbeact = Vbesat = 0,7 V, Vcesat = 0,2 V,  = 100)
a)
RC =
0,1 K
b)
RB MIN =
28,6 K
3.- El conmutador de la figura sirve para poner en marcha el motor de continua, a través de un relé. La bobina del
relé se activa cuando pasa como mínimo 10 mA por ella, cerrando el interruptor (Relay1) en ese caso.
a) Calcular el valor máximo de Rb para que funcione el sistema.
b) Tensión Vce en ese instante.
c) Si Rb fuese un potenciómetro, ¿Cuál sería la máxima corriente que podríamos hacer pasar por la bobina?.
d) Calcular la potencia que estaría disipando la bobina en ese instante.
Datos: R interna de la bobina = 0,1 K, V1 = 5 V, V2 = 2 V, (Vbe = Vbeact = Vbesat = 0,7 V, Vcesat = 0,2 V,  = 100)
a)
RB MAX =
43 K
b)
VCE =
4V
c)
IBB MAX =
48 mA
d)
PBB MAX =
230,4 mW
d. Polarización con varios transistores
1.- Los conmutadores S1 y S2 sirven para seleccionar cuál de los cuatro LEDs es encendido.
a) Calcular los valores de las Rbi para que los LEDs se iluminen con la corriente mínima al ser seleccionados.
b) Calcular el valor de las RLi para las tensiones |Vce| de ambos transistores sean de 2,5 V.
c) Rellenar la tabla de correspondencias entre S1, S2 y los 4 LEDs que son encendidos.
Datos: VF (LED)= 2 V, IF MIN (LED)= 15 mA, V1 = V2 = 10 V, (Vbe = Vbeact = Vbesat = 0,7 V, Vcesat = 0,2 V,  = 100)
a)
RB =
62 K
b)
RL =
0,2 K
S2
UP
DOWN
UP
LED1
LED3
DOWN
LED2
LED4
S1
c)
e. Análisis de polarización con la característica estática
1.- En una situación A, el corte de la recta de carga con la característica estática del transistor BJT proporciona el punto
de polarización. Si se divide por 2 la tensión Vcc, represente en dicha característica la nueva situación, indicando el
estado del transistor en ambos casos.
Estado:
ACTIVA
Estado:
SATURACIÓN
2.- Hallar las tensiones y corrientes de polarización del BJT, donde R1 = 20 K, R2 = 10 K, R3 = 4 K y Vcc = 10V
(Vbe = Vbeact = Vbesat = 0,7 V, Vcesat = 0,2 V,  = 100)
Representar sobre la característica estática de salida el punto de polarización del transistor, indicando los valores
representativos de la recta de carga (puntos de corte con los ejes), las corrientes de base (IB) y colector (IC) y la tensión
colector emisor (VCE).
VBE =
0,7 V
VCE =
0,2 V
Ib =
0,395 mA
IC =
2,45 mA
f.
Polarización en amplifiadores con transistor npn
13.- Hallar las tensiones (VBE, VCE) y corrientes (IB, IC) de polarización del transistor:
(Vbe = Vbeact = Vbesat = 0,7 V, Vcesat = 0,2 V)
a) Rc = 0,5 K, Rb = 100 K, RL = 1K, V1 = 10 V,  = 120
b) Rc = 0,25 K, Rb = 75 K, RL = 1K, V1 = 10 V,  = 140
VBE =
a) 0,7 V b) 0,7 V
VCE =
a)4,4 V b)5,66 V
IB =
a)0,093 mA b) 0,124 mA
IC =
a)11,16 mA b)17,36 mA
14.- Hallar las tensiones de base, emisor y colector (VB, VC,VE) y corrientes (IB, IC) de polarización del transistor:
(Vbe = Vbeact = Vbesat = 0,7 V, Vcesat = 0,2 V)
a) Rc = 1 K, Rb = 126 K, Re = 0,6 K, RL = 1K, V1 = 10 V,  = 100
b) Rc = 1 K, Rb = 96 K, Re = 0,9 K, RL = 1K, V1 = 10 V,  = 100
VB =
a) 3,7 V b) 5,2 V
VC =
a)5 V b)5 V
VE =
a)3 V b)4,5 V
IB =
a)0,05 mA b) 0,05 mA
IC =
a)5 mA b)5 mA
15.- Hallar las tensiones de base, emisor y colector (VB, VC,VE) y corrientes (IB, IC) de polarización del transistor:
(Vbe = Vbeact = Vbesat = 0,7 V, Vcesat = 0,2 V)
a) Rc = 1 K, Rb1 = 75 K, Rb2 = 7 K, RL = 1K, V1 = 12 V,  = 120
b) Rc = 1 K, Rb1 = 87 K, Rb2 = 10 K, RL = 1K, V1 = 12 V,  = 100
VB =
a) 0,7 V b) 0,7 V
VC =
a)6 V b)6 V
VE =
a)0 V b)0 V
IB =
a)0,05 mA b) 0,06 mA
IC =
a)6 mA b)6 mA
16.- Se tiene un transistor BJT npn. Indicar, para las tensiones de terminales dadas, la región de funcionamiento
donde se encuentra el transistor (corte, activa o saturación), así como el estado de polarización de cada una de las
dos uniones (polarización inversa o directa).
(Datos NPN: tensión umbral unión BE VBE = 0,6 V, tensión umbral unión BC VBC = 0,5 V)
(Datos PNP: tensión umbral unión BE VEB = 0,6 V, tensión umbral unión BC VCB = 0,5 V)
Tensiones
TIPO TRANSISTOR
UNIONES
VC = 7 V
VB = 4 V
VE = 3,3 V
ACTIVA
VC = 7 V
VB = 1,3 V
VE = 2 V
CORTE
VC = 4,9 V
VB = 4,3 V
VE = 5 V
SATURACIÓN
REGIÓN
ACTIVA
Unión base emisor en directa
Unión base colector en inversa
Unión base emisor en inversa
Unión base colector en inversa
Unión base emisor en directa
Unión base colector en directa
UNIONES
Unión base emisor en directa
Unión base colector en inversa