1 DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS II Dispositivos Electrónicos II CURSO 2010-11 Tema Tema 99 AMPLIFICADORES AMPLIFICADORES DE DE ACOPLO ACOPLO DIRECTO. DIRECTO. FUENTES FUENTES DE DE CORRIENTE CORRIENTE Miguel Ángel Domínguez Gómez Camilo Quintáns Graña DEPARTAMENTO DE TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA UNIVERSIDAD DE VIGO ESCUELA TÉCNICA SUPERIOR DE INGENIEROS DE TELECOMUNICACIÓN 2 DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS II INDICE INDICE DEDE-II AMPLIFICADORES AMPLIFICADORESDE DEACOPLO ACOPLODIRECTO. DIRECTO.FUENTES FUENTESDE DE CORRIENTE CORRIENTE 9.1. Amplificadores de continua. Introducción. 9.2. Amplificador Darlington. Tema 9: Amplificadores de acoplo directo 9.3. Amplificador diferencial. 9.3.1. Generalidades. 9.3.2. Ganancias en modo diferencial y modo común. Factor de rechazo en modo común. Modelos de pequeña señal. 9.4. Fuentes de corriente. 9.4.1. Corriente de referencia y espejo de corriente. Fuente de corriente básica. 9.4.2. Fuentes de corriente de alta ganancia. 9.4.3. Fuente de corriente Widlar. 9.4.4. Fuente de corriente Cascodo. 9.4.5. Fuente de corriente Wilson. 9.4.6. Variaciones sobre las fuentes de corriente. 9.5. Amplificador diferencial con carga activa. 3 DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS II DEDE-II INTRODUCCIÓN INTRODUCCIÓN 9.1. 9.1.Amplificadores Amplificadoresde decontinua. continua.Introducción. Introducción. Necesidad de amplificar señales de muy baja frecuencia o de continua (dc) para: - Circuitos para instrumentación. - Adquisición de datos. - Circuitos de video… SOLUCIONES: 1. TRANSISTOR ÚNICO Tema 9.1: Amplificadores de continua. - Elevada ganancia. - Adaptación de impedancias de entrada y salida. 2. VARIOS TRANSISTORES -Acoplamiento directo. VCC VCC VCC R3 R3 Vi R1 R1 Vo Q1 Q2 R2 R2 Vo Vo Vi Q2 Q1 Q2 Vi R2 R4 0 R1 E-C ADAPTACIÓN DE IMPEDANCIAS Q1 0 C-E 0 E-E ELEVADA GANANCIA 4 DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS II DEDE-II DIFICULTADES DEL ACOPLAMIENTO DIRECTO a) Interacción entre etapas: No se puede considerar cada etapa como independiente por lo que hay una mayor dificultad de cálculo de la polarización. Tema 9.1: Amplificadores de continua. b) Efectos de deriva por variación de los parámetros de los componentes activos. Hay tres causas: 1. Parámetros diferentes debido al proceso de fabricación. 2. Efectos de las condiciones ambientales. 3. Envejecimiento. c) Los errores producidos se propagan al resto de las etapas. d) Se debe asegurar la estabilidad de las condiciones de reposo. 5 DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS II DEDE-II 9.2. 9.2.Amplificador AmplificadorDarlington Darlington Se acoplan dos seguidores de emisor en cascada C Proporciona un amplificador con: • Elevada ganancia de corriente (hfe). C B • Alta impedancia de entrada. T1 B • Baja impedancia de salida. E E Tema 9.2: El amplificador Darlington. T T2 ESQUEMA BÁSICO: Para simplificar se supone: VCC h fe1 ≅ h fe 2 = h fe Ii RS T1 hoe1 ≅ hoe 2 = hoe I2 + T2 + VS Vo V1 V2 - - 0 Io RE hie1 = rbb ' + rb 'e = rbb ' + VT 1 ⋅ h fe1 I C1 ≅ hie 2 = hie 6 DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS II DEDE-II Circuito equivalente de pequeña señal para el amplificador Darlington Segunda etapa: AI 2 = 1 + h fe 0 I2 Ri 2 = hie 2 + (1 + h fe )⋅ RE hfe*I2 hie2 ( ) hie 2 << 1+ h fe ⋅ RE ≅ (1 + h )⋅ R fe E Primera etapa: Tema 9.2: El amplificador Darlington. RE hie1 RS I2 0 Ganancia de corriente: Ecuaciones del nudo V1: VS AI 1 = I2 I1 Ii hfe*Ii 1/hoe Ri2 0 ⎛ 1 ⎞ ⎜ ⎟⎟ I i + h fe ⋅ I i = V1 ⋅ ⎜ hoe + Ri 2 ⎠ ⎝ I i ⋅ (1 + h fe ) = I 2 ⋅ (1 + Ri 2 ⋅ hoe ) V1 = I 2 ⋅ Ri 2 1 + h fe 1 + h fe 1 + h fe I AI 1 = 2 = = = I i 1 + Ri 2 ⋅ hoe 1 + hoe ⋅ (1 + h fe )⋅ RE 1 + hoe ⋅ RE + hoe ⋅ h fe ⋅ RE hoe ⋅ RE <<1 ≅ 1 + h fe 1 + hoe ⋅ h fe ⋅ RE 7 DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS II DEDE-II Ganancia total de corriente del amplificador Darlington: AI 2 = Io = 1 + h fe I2 ; AI 1 = 1 + h fe I2 = I i 1 + hoe ⋅ h fe ⋅ RE (1 + h fe ) I I I AI = o = AI 1 ⋅ AI 2 = 2 ⋅ o = Ii I i I 2 1 + hoe ⋅ h fe ⋅ RE 2 Tema 9.2: El amplificador Darlington. Impedancia de entrada: Ri = Vi Ii ; Vi = I i ⋅ hie1 + I 2 ⋅ Ri 2 = I i ⋅ hie1 + AI 1 ⋅ I i ⋅ Ri 2 = I i ⋅ (hie1 + AI 1 ⋅ Ri 2 ) Ri = hie1 + AI 1 ⋅ Ri 2 = hie1 + 1 + h fe 1 + hoe ⋅ h fe ⋅ RE ⋅ (1 + h fe )⋅ RE hie1 << AI 1 ⋅ Ri 2 ≅ (1 + h ) ⋅ R 2 fe 1 + h fe ⋅ hoe ⋅ RE Ganancia de tensión: AV = R R Vo Vo V2 I o ⋅ RE I 2 ⋅ Ri 2 = ⋅ = ⋅ = AI 2 ⋅ AI 1 ⋅ E = AI ⋅ E Vi V2 Vi I 2 ⋅ Ri 2 I i ⋅ Ri1 Ri1 Ri (1 + h fe ) ⋅ 1 + h fe ⋅ hoe ⋅ RE ⋅ R = 1 V AV = o ≅ E Vi 1 + hoe ⋅ h fe ⋅ RE (1 + h fe )2 ⋅ RE 2 E 8 DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS II DEDE-II Impedancia de salida de la primera etapa Ro1: hie1 RS Ii VS hfe*Ii R01 Tema 9.2: El amplificador Darlington. 0 Ro1 = V01 Ii 1/hoe Io1 hie1 RS hfe*Ii 1/hoe 0 Vo1 I o1 I o1 + I i + h fe ⋅ I i − Vo1 ⋅ hoe = 0 I o1 = Vo1 ⋅ hoe 1 + h fe ⎞ ⎛ − Vo1 ⎜ ⎟⎟ ( ) ⋅ 1 + h fe = Vo1 ⋅ ⎜ hoe + o1 ⋅ hoe − RS + hie1 RS + hie1 ⎠ ⎝ − I ⋅ (1 + h ) = V Ro1 = i fe Vo1 RS + hie1 R + hie1 1 ≅ S = = 1 + h fe I o1 1 + h fe + hoe ⋅ (RS + hie1 ) 1 + h fe + hoe RS + hie1 9 DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS II DEDE-II Impedancia de salida global: hie2 Ro1 V01 I2 hfe*I2 Tema 9.2. El amplificador Darlington. Vo Io hfe*I2 R0 0 Ro = V0 I2 RE Io hie2 Ro1 RE 0 I o + I 2 + h fe ⋅ I 2 − Vo ⋅ RE = 0 1 + h fe ⎞ ⎛ 1 Vo Vo − Vo ⎜ ⎟⎟ ( ) ( ) Io = ⋅ 1 + h fe = Vo ⋅ ⎜ + − I 2 ⋅ 1 + h fe = − RE RE Ro1 + hie 2 ⎝ RE Ro1 + hie 2 ⎠ Ro = Vo 1 = 1 + h fe 1 Io + RE Ro1 + hie 2 ⎛ RS + hie1 ⎞ ⎜ RE ⋅ + hie 2 ⎟ ⎜ ⎟ 1 + h fe RE ⋅ (Ro1 + hie 2 ) ⎝ ⎠ = = Ro1 + hie 2 + RE ⋅ (1 + h fe ) RS + hie1 + h + R ⋅ (1 + h ) ie 2 E fe 1 + h fe [ ] RE ⋅ RS + hie1 + hie 2 ⋅ (1 + h fe ) Vo Ro = = I o RS + hie1 + hie 2 ⋅ (1 + h fe ) + RE ⋅ (1 + h fe )2 10 DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS II GENERALIDADES GENERALIDADES DEDE-II 9.3. 9.3.El Elamplificador amplificadordiferencial diferencial • Un amplificador diferencial tiene dos terminales de entrada. • Idealmente, la señal de salida es una constante multiplicada por la diferencia de las señales de entrada. • Es un montaje simétrico que intenta minimizar los efectos de la deriva. + Vid Tema 9.3. El amplificador Diferencial. V1 - + Vo Ad - V1 es la entrada no inversora V2 V2 es la entrada inversora Amplificador con entrada y salida diferencial Vid V2 Vid es la entrada diferencial Vid = (V1 − V2 ) Vo = Ad ⋅ (V1 − V2 ) = Ad ⋅ Vid + V1 Ad es la ganancia diferencial Ad + Vo Amplificador con entrada diferencial y salida en modo común 11 DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS II DEDE-II Vid 2 + - Vid 2 + - + V2 Vid Vid 2 Vimc + - + - Vimc Ad + V2 Vid + - − - Vid 2 V1 + - V1 + - Tema 9.3. El amplificador Diferencial. V1 Vo - Vid 2 + - Vid 2 + - Vo - V2 Vid V1 + Ad + Vid 2 + - - + V2 Vid − - Vo Ad + + - GENERALIDADES GENERALIDADES Entradas en modo común y en modo diferencial - + Ad Vid 2 El generador Vimc es la entrada en modo común que es igual para la entrada inversora y no inversora. Vo - DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS II GANANCIAS GANANCIAS DEDE-II V1 Vid 2 Vimc V2 Vid + - + - Vimc Tema 9.3. El amplificador Diferencial. + + - 12 − + Ad , Ac - Vo V1 = - Vid + Vimc 2 V2 = − Vid 2 V1 + V2 = 2 ⋅ Vimc Vid + Vimc 2 Vimc = V1 + V2 2 Ac es la ganancia en modo común. Interesa que sea lo más baja posible. La ecuación general queda: + - Vo = Ad ⋅ Vid + Ac ⋅ Vimc = Ad ⋅ (V1 − V2 ) + Ac ⋅ V1 + V2 2 Casos extremos para las entradas del amplificador diferencial Entrada en modo común Vimc nula V1 Vid 2 + - Vid 2 + - + V2 Vid - Entrada en modo diferencial Vid nula V1 + Ad Vo + V2 - Vimc + - Vid + Vo Ac - - Este montaje se utiliza para evaluar la ganancia en modo común, conectando un generador a las dos entradas cortocircuitadas 13 DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS II FACTOR DE DE RECHAZO RECHAZO FACTOR DEDE-II Razón de rechazo en modo común o CMRR (Common Mode Rejection Ratio ) • Es la relación entre la ganancia en modo diferencial y la ganancia en modo común. Normalmente se expresa en dB. • Interesa que la CMRR sea lo mas alta posible. Tema 9.3. El amplificador Diferencial. CMRR = 20 ⋅ log Ad Ac [dB ] 14 DEDE-II DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS II Ejemplo de simulación. Evaluación de la ganancia diferencial. MONTAJE BÁSICO BÁSICO MONTAJE VCC 5.0 V R1 0V 100k 100k Vo1 Vo2 -5.0 V V1 Q1 Q2 Q2N2222A V2 20 mV VAMPL = 0.01V FREQ = 1k R3 100k V3 0V VAMPL = 0.01V FREQ = 1k VEE VCC V(VO1,VO2) (250.6 us, 20.0 mV) Q2N2222A V2 Tema 9.3. El amplificador Diferencial. (750.6 us, 4.89 V) R2 0 V1 -20 mV 0s 0.5 ms V(V1) V(V2) V(V1,V2) 1.0 ms Time 1.5 ms A partir de la gráfica se deduce la ganancia diferencial: 15V 0 V4 15V VEE Sistema de alimentaciones simétricas. 2.0 ms Ad = V0 d 4.89 = = 244.5 Vid 0.020 15 MONTAJE BÁSICO BÁSICO MONTAJE DEDE-II DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS II Ejemplo de simulación. Evaluación de la ganancia en modo común y la CMRR. 350 mV R1 R2 100k 95k Vo1 325 mV Vo2 Q1 300 mV Q2 Q2N2222A Tema 9.3. El amplificador Diferencial. (254.4 us, 349.9 mV) VCC 1.0 V (766.6 us, 308.9 mV) V(VO2,VO1) Q2N2222A R3 0V 100k VEE -1.0 V Vc 0s V(VC) 0.5 ms 1.0 ms Time 1.5 ms V2 VAMPL = 1V FREQ = 1k 0 En simulación los transistores son idénticos, al igual que las resistencias de colector. Bajo estas condiciones la Ac sería nula, por ello se ha variado la resistencia R2, para que no sea ideal el amplificador. 0.3499 − 0.3089 V 2 = 0.0205 Ac = 0 d = 1 Vic CMRR = 20 ⋅ log 244.5 = 81.5 dB 0.0205 2.0 ms 16 DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS II VCC PUNTO DE DE TRABAJO TRABAJO PUNTO DEDE-II RC RC R IB2 IB1 T1 IE = R T2 VBE Vp 0 RE − VEE − VBE RE Vp Vp IE Tema 9.3. El amplificador Diferencial. Si Vp ~ constante y R se puede despreciar, entonces la corriente a través de la resistencia de emisor queda: IE RE I E1 = I E 2 = IE 2 IE VCC = +15 V VEE = -15 V VEE VEE VEE Ejemplo (alimentaciones: VCC= 15 V, VEE= -15 V): IE = − (−15 V ) − 0.7 V = 143 µA 100 kΩ • Como T1 no es idéntico a T2 las corrientes de polarización de base tampoco lo son. Se llama corriente de asimetría o de offset a: I B1 − I B 2 = I io ( Input Offset ) • Se toma como corriente de polarización de entrada la media de las dos entradas: I B1 + I B 2 = IB 2 17 DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS II Tema 9.3. El amplificador Diferencial. Modelos de de pequeña pequeña señal señal Modelos DEDE-II VCC Vod 2 + Vo1 V1 Vd 2 Vc Vod 2 Rc1 Vo T1 Rc2 + T2 i1 + Vo2 V2 i2 ie2 ie1 + Si se considera la corriente por cada emisor igual a la mitad de la de la resistencia RE, entonces en condiciones ideales se puede dividir el circuito de dos ramas de la siguiente forma: RE 0 VEE Vd 2 + + VCC VCC - Vc Rc1 0 T1 Para analizar las ganancia del circuito, bien sea en modo común bien en modo diferencial, se debe toma el modo de la salida de la misma forma, por ejemplo en modo diferencial: Vo = Vod = Vo 2 − Vo1 Vod 2 Rc2 + Vo2 T2 2*RE VEE 2*RE VEE 18 Modelos de de pequeña pequeña señal señal Modelos DEDE-II DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS II Análisis de la ganancia en modo común VCC + + Rc Voc = Rc Voc - T2 + 0 Vc 2*RE 0 2*RE Tema 9.3. El amplificador Diferencial. hfe*Ib hie Vc VEE 0 0 AV = − h fe ⋅ Rc Voc = Vc hie + 2 ⋅ RE ⋅ (1 + h fe ) Ac = Vod 2 ⋅ Voc R = ≅ c Vc Vc RE Conclusiones: • Como interesa una ganancia en modo común lo más baja posible, entonces RE debe ser lo más alta posible. Pero con este circuito si se aumenta la resistencia de emisor se disminuye la corriente de polarización y no interesa disminuir el punto de trabajo de los transistores. • Es sustituir la resistencia RE por una fuente de corriente que se configure para la corriente de polarización deseada y, al mismo tiempo, tiene una resistencia idealmente infinita. Vod 2 19 DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS II Modelos de de pequeña pequeña señal señal Modelos DEDE-II Análisis de la ganancia en modo diferencial Vd/2 en T1 hace aumentar la corriente y Vd/2 en T2 la hace disminuir en el mismo valor que aumenta en T1, por lo que IRE se mantiene constante. Como en alterna IRE no varía, se puede poner a masa: VCC Vod 2 + Tema 9.3. El amplificador Diferencial. Vo1 V1 Vd 2 + Vod 2 Rc1 Vod T1 Vd 2 Rc2 ie2 0 0 0 0 La ganancia de tensión de la rama de la derecha es: Vd 2 + 0 RE Vod 2 Rc - T2 ie1 hfe*Ib + + i1 + hie Vod AV = VEE La ganancia diferencial resulta ser: Ad = ⎛ Ad CMRR = 20 ⋅ log⎜⎜ ⎝ Ac h fe ⋅ Rc 2 = − h fe ⋅ I b ⋅ Rc V hie ⋅ I b − d 2 hie ⎞ ⎛h ⋅R ⎟⎟ = 20 ⋅ log⎜⎜ fe E ⎠ ⎝ hie ⎞ ⎟⎟ ⎠ 20 DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS II DEDE-II VCC Tema 9.3. El amplificador Diferencial. Polarización mediante mediante Polarización fuente de corriente fuente de corriente Sustitución de RE por una fuente de corriente VCC Rc1 Rc1 V1 Vd 2 T1 Vod - Rc2 Vod Rc2 V1 + Vd 2 T2 + Vd 2 + IE T1 T2 - + IE 0 T3 Vd 2 + R1 VB 0 + 0 VBE 0 0 + R2 R3 Z eq ≅ VEE R1 VB = −VEE ⋅ R1 + R2 − VEE ⋅ IE = ; VB = VBE + I E ⋅ R3 − VEE VEE ⎛ R1 ⎞ R1 ⎟⎟ − VBE VEE ⋅ R2 − VBE + VEE − VBE VEE ⋅ ⎜⎜1 − R1 + R2 R1 + R2 ⎝ R1 + R2 ⎠ = = ≅ cte R3 R3 R3 1 hoe 21 DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS II DEDE-II INTRODUCCIÓN INTRODUCCIÓN 9.4. 9.4.FUENTES FUENTESDE DECORRIENTE CORRIENTE Las fuentes de corriente se utilizan en los circuitos integrados: 1. Para proporcionar las corrientes de polarización en zona activa de los transistores. 2. Como cargas activas para aumentar la ganancia de los amplificadores. Los subcircuitos principales de la fuentes de corriente son: Tema 9.4. Fuentes de corriente. 1. 2. La corriente de referencia IREF que debe ser independiente de: • La temperatura. • De la variación de los parámetros de los dispositivos. Espejo de corriente. • Copia IREF hacia otra rama del circuito. • El elemento esencial es el transistor conectado como diodo. 22 DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS II Tema 9.4. Fuentes de corriente. Fuente de de corriente corriente básica básica Fuente DEDE-II 9.4.1. 9.4.1.Fuente Fuentede decorriente corrientebásica. básica. 1 hoe Ruptura Zona de trabajo Característica de salida Circuito del espejo de corriente • Las corrientes de base se pueden despreciar para transistores con hfe grande. • VBE idéntica en ambas expresiones (las dos uniones BE están en paralelo). • Tensión equivalente de temperatura VT=k*T/q . Idéntica si los transistores están próximos en el integrado. • Corrientes de saturación. Pueden ser idénticas, dando lugar a Io=IREF, o las áreas de la unión pueden estar escaladas para introducir un factor de escala. • Para que los transistores estén en zona activa: I REF = I C1 = I SatQ1 ⋅ e VBE VT I o = I C 2 = I SatQ 2 ⋅ e VBE VT 23 Ganancia de de la la fuente fuente de de Ganancia corriente básica corriente básica DEDE-II DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS II Deducción de la ganancia de la fuente de corriente básica 2⋅ IE β +1 I REF β β +1 Io I E = I B + I C = I B ⋅ (1 + β ) ⋅ IE I E = I B + IC = T1 T2 IE β +1 IE IE β +1 IC β + IC = IB = β +1 ⋅ IC β IC = IE 1+ β β β +1 IE Tema 9.4. Fuentes de corriente. 0 T1 y T2 son muy parecidos y están a la misma temperatura, entonces: VBE (T1 ) ≅ VBE (T2 ) Ganancia de corriente: I REF = β β +1 ⋅ IE + 2⋅ β 1 β +2 ⋅ IE = ⋅ IE β +1 1+ β I o = I C (T 2 ) = β ⋅ I B = β ⋅ β IE = ⋅ IE 1+ β 1+ β AI = Io I REF ⋅I β β +1 E = ≅1 = β +2 β + 2 ⋅I β +1 E I o = I REF ⋅ β β +2 También se pueden diseñar los transistores para que la relación de las corrientes no sea unitaria, si no cualquier otra que se desee. ⋅ IE 24 DEDE-II DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS II Establecimiento de la referencia de corriente IREF Espejo básico básico Espejo Mediante una resistencia R que se calcula a partir de Vcc y de la Io deseada: Vo VCC Io I REF R VCC − 0.7 ≅ cte R A T1 Nota: La fuente de corriente presentada se comporta, en realidad, como un consumidor de corriente, no como una fuente. Utilizando transistores PNP se puede obtener una fuente de corriente equivalente a este consumidor: T2 0 Tema 9.4. Fuentes de corriente. I REF = I o = VBE ≅ 0.7 V Fuente de corriente básica con transistores NPN 0 Ro A A Ro Io + R + 0 Io Vth = V A = I o ⋅ Ro 0 Ro = Equivalentes Norton y Thévenin de la salida 1 hoe VEE Fuente de corriente básica con transistores PNP 25 Espejo básico básico Espejo DEDE-II DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS II Ejemplo más realista: Diseñar una fuente de Io=5 µA. Datos: VCC=30 V, VCE1=VBE1=VBE2= 0.7 V, Ro=30 MΩ, βmedia=100, VCE2=20 V. Vo VCC Io I REF 30 − 0.7 = 5.75 MΩ 5 µA R A T1 Tema 9.4. Fuentes de corriente. R= Vth = 5 µA ⋅ 30 MΩ = 150 V T2 0 Si se tiene en cuente la resistencia de salida del transistor la corriente esperada de salida se ve aumentada en : VCE 2 20 V = = 0.66 µA Ro 2 30 MΩ Conclusiones: (1) El resistor R necesario es demasiado elevado y ocuparía demasiado espacio en circuito integrado. Por tanto, esta fuente se utiliza para valores de corrientes del orden del mA. (2) Si la salida de la fuente está en circuito abierto, la tensión de salida no es -150 V como indica la deducción teórica, más bien sería la VCEsat, esto es, unos 0.2 V. 26 DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS II DEDE-II 9.4.2. 9.4.2.Fuente Fuentede decorriente corrientede dealta altaganancia. ganancia. • En la fuente de corriente básica la corriente de referencia y la de salida difieren en un factor: β I o = I REF ⋅ β +2 Tema 9.4. Fuentes de corriente. • Si la ganancia no es muy elevada la error puede ser significativo. • Se propone incrementar la ganancia añadiendo el transistor T3 al circuito básico: I REF = 2 β ⋅ I + ⋅ IE E β +1 (β + 1)2 Io = IC 2 = β β +1 ⋅ IE I REF = I REF VCC I REF Vo R T3 β β +1 2⋅ IE (β + 1)2 ⋅ IE Io 2⋅ IE β +1 T2 T1 IE β +1 IE 2 β +1 ⋅ ⋅I + I 2 (β + 1) β o o IE β +1 0 ⎛ ⎞ 2 ⎟⎟ = I o ⋅ ⎜⎜1 + ⎝ β ⋅ (β + 1) ⎠ β2 +β I o = I REF ⋅ 2 β +β +2 I REF = Ejemplo: Si β=10, entonces: Con el circuito básico: Ai=10/12= 0.833 Con el circuito de alta ganancia: Ai=110/112= 0.982 VCC − VBE 3 − VBE1 ≅ cte R IE 27 DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS II DEDE-II 9.4.3. 9.4.3.Fuente Fuentede decorriente corrienteWidlar. Widlar. Como se vio antes, para conseguir una corriente baja del orden del uA es necesario una resistencia de polarización elevada, lo cual no resulta práctico. Una forma de evitar este inconveniente consiste en añadir una resistencia de emisor al transistor de salida. A este circuito se le conoce como fuente de corriente Widlar. VBE1 − VBE 2 − (I C 2 + I B 2 ) ⋅ RE = 0 VCC Tema 9.4. Fuentes de corriente. I REF IC = I S ⋅ e Vo R Io T1 T2 + + VBE 2 - VBE1 - I REF = VCC − VBE1 R RE VBE VT ⇒ VBE ⎛ 1⎞ VBE1 − VBE 2 − I C 2 ⋅ RE ⋅ ⎜⎜1 + ⎟⎟ = 0 ⎝ β⎠ I = VT ⋅ ln C ; β >> 1 IS ⇒ I C1 I − VT ⋅ ln C 2 − I C 2 ⋅ RE = 0 I S1 IS2 I VT ⋅ ln C1 = I C 2 ⋅ RE Si se consideran las IC 2 VT ⋅ ln corrientes de saturación de los transistores idénticas: I C1 = I C 2 ⋅ e I C 2 ⋅ RE VT ⎛ 1⎞ I I REF = I C1 + I B1 + I B 2 = I C1 ⋅ ⎜⎜1 + ⎟⎟ + C 2 ⎝ β⎠ β I REF = I C1 + I B1 + I B 2 β +1 = ⋅ IC 2 ⋅ e β I C 2 ⋅ RE VT + IC 2 β No lineal 28 DEDE-II DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS II 9.4.4. 9.4.4.Fuente Fuentede decorriente corrienteCascodo. Cascodo. La resistencia de emisor de la fuente Wildar se puede sustituir por una fuente básica de corriente formada por los transistores T3 y T4. Este circuito se denomina Cascodo y proporciona una resistencia de salida mucho mayor que las otras fuentes: Ro = VCC Tema 9.4. Fuentes de corriente. I REF R Vo Io T1 T2 T3 T4 0 1 ⋅ (1 + β ) hoe 29 DEDE-II DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS II 9.4.5. 9.4.5.Fuente Fuentede decorriente corrienteWilson. Wilson. La fuente de corriente Wilson consigue los dos efectos, alta ganancia y resistencia de salida elevada, en un solo circuito. I REF = I C1 + I B 2 = VCC β β +1 ⋅ IE + β +2 β ⋅ (β + 1) + β + 2 ⋅ I = I ⋅ E E (β + 1)2 (β + 1)2 Vo I REF Io = IC 2 = I E 2 ⋅ R β β +1 = IE ⋅ β ⋅ (β + 2) (β + 1)2 Tema 9.4. Fuentes de corriente. T2 β β +1 IE2 = IE ⋅ ⋅ IE 2⋅ IE β +1 IC 3 = T3 T1 IE IE β +1 IE β +1 0 IE β +2 β +1 β β +1 ⋅ IE ( β + 1)2 β ⋅ (β + 2 ) ⋅ I o = I REF ⋅ β ⋅ (β + 2 ) + β + 2 (β + 1)2 β 2 + 2⋅β I o = I REF ⋅ 2 β + 2⋅β + 2 Si β=10: I o = I REF ⋅ 0.984 Con el circuito básico era Ai=0.833 y con el de alta ganancia: Ai=0.982 30 DEDE-II DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS II 9.4.6. 9.4.6.Variaciones Variacionessobre sobrelas lasfuentes fuentesde decorriente. corriente. • La tensión VDS es igual a la VGS por lo que el transistor M1 está en saturación, entonces funciona como fuente de corriente. Tema 9.4. Fuentes de corriente. • Como M2 tiene la misma VGS su corriente de drenador será la misma que la de M1. • Por consiguiente funciona como espejo de corriente para Vo>VGS. Espejo de corriente NMOS 31 Tema 9.4. Fuentes de corriente. DEDE-II DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS II 9.4.6. 9.4.6.Variaciones Variacionessobre sobrelas lasfuentes fuentesde decorriente. corriente. Circuito de polarización típico para un circuito integrado bipolar. 32 DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS II 9.7. 9.7.Amplificador Amplificadordiferencial diferencialcon concarga cargaactiva. activa. VCC Q1 Q2N2907A Amplificador diferencial con carga y fuente de polarización activas de alta ganancia. Q2 Q2N2907A Q3 Q2N2907A Q4 Q2N2222A VO R1 VEE 100k Q5 Q2N2222A 0 V1 0.00218 VIN V2 R2 10k Tensión de entrada VIN 0 Q6 Q2N2222A 800 mV 500 uV 1 VAMPL = 0.0005 Q7 FREQ = 100 Q2N2222A Q8 Q2N2222A 0 2 400 mV 0V 0V VEE Tensión de salida -400 mV diferencial -800 mV -500 uV 0s 5 ms 1 V(Vo,Q4:c) 2 V(VIN) Time 10 ms 15 ms