POSIBLE CAMBIO DE SIGNO DE LA INTERACCION DE INTERCAMBIO INTERFACIAL CON LA TEMPERATURA EN BICAPAS DE LSMO Lucero Alvarez Miño1*, Bruce Davdison2, Alexander Petrov2, Nicolas Salazar1 ,Alvaro Mariño3,, Andres Rosales Rivera1 1 Universidad Nacional de Colombia, Sede Manizales, Cra 27 # 64-60 Manizales, Colombia 2 Istituto Officina dei Materiali, IOM, Area Science Park Basovizza S.S. 14 Km 163.5, Trieste, Italia 3Universidad Nacional de Colombia, Sede Bogotá, Colombia *[email protected] Resumen Resistividad En este trabajo se presentan los resultados preliminares de la dependencia de la interacción de intercambio interfacial (exchange bias) con la temperatura en bicapas de La1-xSxMnO3 (LSMO). Se estudiaron tres bicapas fabricadas mediante crecimiento epitaxial de haces moleculares asistido por ozono sobre sustratos de SrTiO3 (STO) orientados en la dirección (001). Las bicapas están conformadas por una película antiferromagnética La0.35Sr0.65MnO3 de 100 celdas unitarias (c.u.), y una capa ferromagnética La0.65Sr0.35MnO3 con espesores de 25, 50 y 100 c.u. respectivamente en los tres sistemas estudiados. Para determinar el campo de intercambio HEB y el campo coercitivo Hc, las bicapas se enfriaron con campo aplicado paralelo a la superficie de la muestra y se tomaron curvas de histéresis en un rango de temperaturas entre 50K y 250K. Las mediciones obtenidas revelan un cambio en el signo de HE inicialmente negativo, es decir, con las curvas de histéresis desplazadas hacia la izquierda, a un HE positivo para T>100K, cuando las curvas de histéresis se desplazan levemente hacia la derecha. Por otro lado, el campo coercitivo decae en todos los casos con el aumento de la temperatura. Crecimiento de bicapas por MBE Ca • Las curvas de histéresis se tomaron luego de un enfriamiento con campo de 0,5T hasta 50K con un VSM Versalab. Se encontró el corrimiento característico de intercambio o exchange bias negativo. Sin embargo y tomando como referencia la curva de histéresis a temperatura ambiente, parece existir un cambio de valores negativos del Heb a valores positivos pequeños de sólo unos cuántos Oe. quartz crystal monitor Al La rotating substrate positioner Dy Ti load lock substrate holder Mn Cu UHV turbo pump Bi hollow cathode lamp Oxygen (PO3 Medición curvas de histéresis shutters Ba • Evaporación de metales puros desde celdas de Knudsen de alta estabilidad térmica. • Calibración de flujos mediante sensor cristalino de cuarzo, espectroscopía de absorción atómica y espectrometría de retrodispersión de Rutherford. • Control de crecimiento mediante RHEED. Ozone • Oxidación por ozono: generator <10-5T) electron photomultiplier gun tube quadrupole mass spectrometer hollow cathode lamp Sr La medición de la capa ferromagnética metálica (M) crecida sobre la antiferro aislante (A) muestra una clara transición M-A a diferencia de las películas delgadas crecidas por la misma técnica, las cuales son metálicas hasta temperaturas cercanas a los 400K (x = 0.35). La monocapa mostrada tiene un espesor de 50 c.u. RHEED photomultiplier tube Heb= (Hc+ + Hc- )/2 RHEED: surface crystal structure Pump ozone still J. N. Eckstein and I. Bozovic, Ann. Rev. Mat. Sci., 25, 679 (1995). Resultados 40 Valores de Heb (+ 1 Oe) para bicapas con LSMO ferromagnético de 25 c.u. y 100 c.u. Temperatura, K 0 0 50 100 150 200 -40 -80 250 Ferro en c.u. 50 100 150 200 250 25 -103,1 -58,96 -42,46 1,84 0 100 -84,66 -46,26 -18,16 1,64 1,64 10 Campo de intercambio, Heb, Oe Campo de intercambio, Heb, Oe La figura muestra la variación de Heb para una bicapa con una película ferro de 25 c.u. (~ 10nm). La posible transición de signo de Heb ocurre cerca de los 200K alcanzando valores entre ~2-4 Oe. En sistemas de películas de Fe con su óxido nativo crecidas sobre Si [1], el efecto es de ~10 Oe para películas de Fe de 10nm y tiende a un valor constante cuando aumenta la temperatura. En las bicapas de LSMO, el Heb cambia a positivo y rápidamente se anula a medida que se acerca a la temperatura de Nèel de la capa antiferro (~ 270K). Estos cambios de signo de Heb con la temperatura pueden indicar que el modelo de Meiklejohn y Bean debe ser complementado con otros ordenamientos e interacciones que se presentarían en la interface de las capas F/AF . "Training" -120 0 100 Temperatura, K 200 -10 250 [1] Wenhong Wang, Fumiyoshi Takano, Masato Takenaka, Hiro Akinaga, Hironori Ofuchi, Journal of Applied Physics 103, 093914 (2008). [2] W. H. Meiklejohn and C. P. Bean, Phys. Rev. 102, 1413 1956. -20 -30 -40 -160 150 Bibliografía Temperatura, K Lucero Alvarez Miño agradece al grupo de Materiales Magnéticos de la Universidad Nacional de Colombia, Sede Manizales, así como al ICTP, Abdus Salam, que mediante su programa STEP apoyó estancias en el IOM-TASC de Trieste.