Universidad Popular Autónoma del Estado de Puebla CURRICULUM VITAE Información personal Dra. Arllene Mariana Pérez González Lugar y fecha de nacimiento: La Habana, Cuba, Marzo 3 de 1966. Número telefónico y extensión: (01 222) 229-9400; Ext. 642 Fax.- (01 222) 232-5251 y 229-9495 Dirección de correo electrónico: [email protected] Adscripción: Tiempo completo Objetivo Profesional Contribuir a la formación de profesionistas competentes y al desarrollo de la ciencia. Área laboral Docencia: Materias afines a la Física. Investigación: Ciencia e Ingeniería de los Materiales, caracterización de materiales, optoelectrónica. Formación académica Licenciatura en Física, 1984-1989. Facultad de Física, Universidad de La Habana, Cuba. Maestría en Ciencias Físicas, 1994-1996. Facultad de Física, Universidad de La Habana, Cuba. Doctora en Ciencias en la Especialidad de Óptica, 2000-2005. Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica, Puebla, México. Experiencia Magisterial Profesor-Investigador Universidad Popular Autónoma del Estado de Puebla, Área de Física, desde 2002. Experiencia Profesional Investigador Academia de Ciencias de Cuba 1989-1994 Actividades académicas y profesionales actuales Profesora de tiempo completo del área de Física. Universidad Popular Autónoma del Estado de Puebla Líneas de investigación Ciencia e Ingeniería de los materiales. Óptica Optoeletcrónica Proyectos de investigación que desarrolla actualmente Obtención y caracterización de semiconductores en base a Cadmio. Proyecto apoyada por el Fondo de Investigación UPAEP. Artículos publicados 1. “Measurement of the penetration depths of red and near infrared light in human “ex vivo” tissues”. Journal of Photochemistry and Photobiology B: Biology, 57 (2000) Págs. 90-93. 2. “Equipo para laserterapia con arreglo superficial de diodos laseres (ducha láser)”. Revista Cubana de Física, Vol. 18, No. 1 (2001) Págs. 7-10. 3. “Sistema de Excitación y Detección de Fluorescencia”. Revista Cubana de Física, Vol. 18, No. 1 (2001) Págs. 49-52. 4. “Obtención y caracterización de Nitruro de Silicio como capa antirreflectante para dispositivos optoelectrónicos”. Óptica Pura y Aplicada, Vol 36 (2003) Págs. 27-31. 5. “Optical properties of amorphous silicon germanium obtained by low-frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition from SiH4+GeF4 and from SiH4+GeH4”. Optical Engineering, Vol. 44, No. 4, 043801 (2005). 6. “Boron addition effects in a-Si90Ge10:H films obtained by low frequency plasma enhanced chemical vapor deposition” Journal of Physics: Condensed Matter, Vol. 17, No. 25 (2005) Págs. 3975-3983. 7. Capítulo 4: “Amorphous Silicon-Germanium alloys obtained by low frequency plasma enhanced chemical vapor deposition (LF-PECVD)” en “Frontal Semiconductor Research” Editor: Oliver T. Chang. Nova Science Publishers, Inc. N.Y. USA. ISBN: 1-60021-210-7. Págs. 97-115. 8. “Propiedades ópticas de películas delgadas de CdSe obtenidas por rocío pirolítico” Revista Mexicana de Física, Vol. 52, No. 3 (2006) Págs. 263-266. 9. “Optical properties of amorphous hydrogenated Silicon Nitride thin films”. Optical Engineering, Vol. 45, No. 12, 123802 (2006).