1. INTRODUCCIÓN 1.1 COMUNICACIÓN NEURONAL Y LIBERACIÓN DE NEUROTRANSMISORES EN LA SINAPSIS El correcto funcionamiento del sistema nervioso humano radica en la comunicación neuronal que se lleva a cabo en determinados puntos de conexión entre las neuronas denominados sinapsis. La sinapsis la forman por un lado un terminal nervioso, denominado terminal presináptico -que emite una señal- y por el otro, el terminal postsináptico que recibe la señal. La sinapsis es a su vez un punto clave de transducción de una señal eléctrica en una señal química. En la Figura 1-1 se describe un esquema del circuito neuronal responsable del movimiento reflejo de flexión de la rodilla que se produce en una persona tras la estimulación de la planta del pie. El tiempo transcurrido entre el estímulo y la respuesta es aproximadamente 25 milisegundos. El fenómeno requiere varias etapas: (1)percepción del estímulo por receptores de presión en una neurona sensorial, (2) conducción de una señal eléctrica a través del axón aferente, (3) transmisión de la señal en la sinapsis entre la neurona sensorial y una interneurona, (4) transmisión de la señal en la sinapsis entre la interneurona y una motoneurona, (5) conducción de una señal eléctrica a través del axón eferente (6), transmisión de la señal en la sinapsis entre la motoneurona y el músculo, que desencadena la contracción muscular. La precisión y eficacia de este circuito se explica por las propiedades intrínsecas de las neuronas, que generan, transmiten y transducen señales eléctricas en señales químicas que en última instancia da lugar a una acción determinada del organismo, por ejemplo la contracción muscular. La señal química de mayor relevancia en el circuito es la liberación desde el terminal presináptico de sustancias químicas denominadas neurotransmisores que actúan sobre el terminal postsináptico. En la Figura 1-1 los lugares donde se produce liberación de neurotransmisores están marcados con *. Figura 1-1: Esquema simplificado del circuito neuronal responsable de la recepción de un estímulo mecánico y la ejecución posterior de una contracción muscular. Figura modificada de Understanding the Nervous System: an Engineering Perspective de Deutsch y Deutsch (IEEE Press, New Jersey 1993). Las neuronas son células excitables que conducen y amplifican señales de voltaje. La membrana de las neuronas posee moléculas sensibles al voltaje denominadas canales iónicos. A través de bombas específicas, la membrana neuronal mantiene constantes las concentraciones de determinados iones (principalmente iones Na+, K+, Ca2+ y Cl-). En el interior celular responsables de la diferencia de voltaje que se establece entre el interior de la célula y el medio que la baña. La membrana regula a través de los canales iónicos la permeabilidad específica a los iones mencionados. En reposo la diferencia de voltaje que se establece a través de la membrana es de 60 a 90mV, siendo el interior negativo con respecto al exterior. Figura 1-2: Esquema de la conducción del impulso nervioso y la transmisión sináptica entre dos neuronas. Tomada de Fischbach, Scientific American (1992). El fenómeno principal de la comunicación neuronal comienza con la aparición en una zona de la membrana neuronal de un cambio en la polaridad del potencial de membrana. Cuando el cambio en el potencial de membrana alcanza un determinado umbral detectable por los canales iónicos permeables al ión Na+ se produce la apertura de esos canales y el ión Na+ fluye al interior neuronal generando una señal de voltaje denominada potencial de acción que se transmite a través del axón hasta llegar al terminal presináptico (Figura 1-2). En la membrana del terminal presináptico residen canales iónicos específicos para el ión Ca2+. La llegada del potencial de acción al terminal nervioso o presináptico se detecta por los canales iónicos de Ca2+ que se abren y, a favor de gradiente electroquímico, dejan fluir hacia el interior neuronal el ión Ca2+. Una de las propiedades más interesantes de este ión es que además de ser portador de carga es una señal química. El ión Ca2+ se une en el interior celular a proteínas receptoras específicas que se activan y ejecutan determinadas acciones en la neurona. En este contexto, la acción fundamental del Ca2+ es disparar la liberación de los neurotransmisores desde el interior neuronal al medio extracelular. Los neurotransmisores se almacenan aislados en pequeños compartimentos rodeados de membrana, denominadas vesículas sinápticas y que se describen en detalle más adelante. Los neurotransmisores son liberados al exterior cuando el Ca2+ dispara la fusión de la membrana vesicular con la membrana celular, el interior de la vesícula entra en contacto con el exterior celular y los neurotransmisores difunden hasta alcanzar la membrana del terminal postsináptico. Ese fenómeno se denomina exocitosis. En la membrana postsináptica se unen a proteínas específicas denominadas receptores postsinápticos cuya activación es la primera etapa de la recepción de la señal. Los receptores postsinápticos pueden ser canales iónicos específicos que se abren al unirse al neurotransmisor y dejan fluir hacia el interior celular iones que nuevamente generan una señal eléctrica y/o química. Los receptores postsinápticos pueden también estar acoplados a proteínas intracelulares que generan una cascada de reacciones químicas resultante en la transducción de la señal y/o en diversas acciones celulares. 1.2 VESÍCULAS SINÁPTICAS: MICROMÁQUINAS MOLECULARES PARA ALMACENAR Y LIBERAR NEUROTRANSMISORES Las vesículas sinápticas son pequeños orgánulos de aproximadamente 50nm de diámetro que almacenan altas concentraciones de neurotransmisor. En un terminal presináptico se almacenan cientos de vesículas sinápticas, de las cuales un pequeño porcentaje (generalmente menor del 10%) se sitúan en una zona especializada denominada zona activa, donde se produce la exocitosis tras la llegada del potencial de acción al terminal (Figura 1-3). Figura 1-3: Sinapsis vista al microscopio electrónico. Tomada de Heuser (http://www.heuserlab.wustl.esu) Las vesículas sinápticas albergan en su membrana un conjunto de proteínas que dependiendo de la función que ejercen pueden dividirse en dos grupos: Proteínas responsables del almacenamiento del neurotransmisor. Una proteína clave es una bomba que acumula protones dentro de la vesícula en un proceso que supone un gasto energético. Otro grupo de proteínas funcionan como transportadores específicos que introducen neurotransmisores en un proceso acoplado a la salida de protones desde la vesícula. Proteínas responsables del tráfico de la vesícula en el terminal presináptico. En la Figura 1-4 se muestra un esquema de las principales proteínas de la vesícula sináptica. Entre otras funciones, esas proteínas se encargan de ejecutar y regular la fusión de las vesículas sinápticas con la membrana plasmática. Figura 1-4: Esquema de las principales proteínas de las vesículas sinápticas implicadas en el tráfico vesicular en los terminales nerviosos. En la Figura 1-5 se describe el modelo más aceptado actualmente de como se lleva a cabo este proceso. La acción de estas proteínas es fundamental para la regulación de la liberación de neurotransmisor y por tanto para el funcionamiento global del sistema nervioso. Figura 1-5: Modelo de la fusión de las vesículas sinápticas y de las proteínas que participan. Tomada de Südhof y Rizo, 2002. La perturbación de esas proteínas en determinadas situaciones puede conducir a enfermedades neurológicas humanas. Por ejemplo las graves consecuencias que se derivan de intoxicaciones como el botulismo o el tétanos se deben a la existencia de toxinas específicas que destruyen proteínas como la synaptobrevina , la sintaxina o la SNAP-25 (proteínas descritas en la Figura 1-5). Actualmente es un reto científico de primer orden dilucidar la función de las proteínas del terminal presináptico. En los últimos años se han alcanzado progresos de gran relevancia en este campo mediante el uso de técnicas de ingeniería genética en ratones, que permiten el estudio funcional de estas proteínas en ratones genéticamente modificados a los que se les han eliminado o mutado estas proteínas (Fernández-Chacón y Südhof, 1999). El estudio funcional cuantitativo de la sinapsis requiere métodos sensibles que permitan cuantificar en tiempo real la liberación de neurotransmisores. El objetivo fundamental de este proyecto es diseñar y construir instrumentación dirigida al registro y adquisición de señales para el estudio de la liberación de neurotransmisor en células aisladas. A continuación se describen algunos de los métodos utilizados en la actualidad para cuantificar la liberación de neurotransmisores. 1.3 CUANTIFICACIÓN DE LA LIBERACIÓN DE NEUROTRANSMISORES Existen diferentes métodos para cuantificar neurotransmisores y su aplicación depende fundamentalmente del tipo de neurotransmisor que se pretenda registrar y del tipo celular o neuronal que se estudie. En general los métodos electroquímicos, como se explica más adelante, son de gran utilidad para los neurotransmisores que pueden oxidarse aplicando a través de un microelectrodo una diferencia de potencial no superior a 1V (por ejemplo, la dopamina, la adrenalina y la serotonina). Otros métodos como la monitorización de los potenciales postsinápticos son útiles para registrar la actividad de múltiples sinapsis sobre una sola neurona a las que es complicado acceder con microelectrodos para detección electroquímica o bien liberan un neurotransmisor (por ejemplo el glutamato) no detectable con las técnicas electroquímicas convencionales. 1.3.1 DETECCIÓN ELECTROQUÍMICA La Electroquímica es una rama de la Química dedicada a estudiar la relación que existe entre determinados fenómenos eléctricos y químicos. Una gran parte de esta disciplina está dedicada al estudio de los cambios químicos que se producen con el paso de una corriente eléctrica y la producción de energía eléctrica a partir de reacciones químicas. La electroquímica abarca el estudio de muy diversos fenómenos (por ejemplo la electroforesis o la corrosión), tecnologías (recubrimiento de superficies metálicas, la producción a grandes escalas de aluminio y cloro) y aparatos (baterías y sensores electroanalíticos) (Bard y Faulkner, 2000). Las técnicas de detección electroquímica se vienen utilizando para estudiar la liberación de neurotransmisor desde hace más de 30 años. Se comenzaron a utilizar para cuantificar neurotransmisores en el cerebro completo de animales vivos (Adams, 1969). Más recientemente estas técnicas se han refinado y utilizando microfibras de carbono (8-10 micrómetros de diámetro) es posible aplicarlas para detectar en tiempo real la secreción que produce una sola célula (Leszczyszyn y col. (1990); Tatham y col., 1991) e incluso una sola vesícula (Chow y col., 1992; Álvarez de Toledo y col., 1993; Alés y col., 1999). En este aspecto es de destacar que en la Universidad de Sevilla el Prof. Álvarez de Toledo en el Departamento de Fisiología Médica y Biofísica ha sido pionero en desarrollos tecnológicos de detección electroquímica de alta resolución aplicados al estudio de la liberación de neurotransmisores y ha revelado un nuevo mecanismo de liberación de neurotransmisor denominado “kiss and run” (Álvarez de Toledo y col., 1993; Alés y col., 1999; véase también Kandel y Schwartz, 2000). Más recientemente se han diseñado nanosensores electroquímicos basados en electrodos de platino fabricados con nanotecnología que pueden monitorizar simultáneamente eventos secretores en diferentes partes de una célula (Dias y col., 2002). Una aplicación de esta nanotecnológica puede ser la construcción de matrices con múltiples sensores asociados cada uno a una célula aislada diferente como base tecnológica para sistemas de alto rendimiento en la industria farmacológica que permitan estudiar simultáneamente el efecto de un gran número de fármacos sobre la liberación de neurotransmisor. El aspecto de la electroquímica que nos ocupa en este Proyecto Fin de Carrera es el relativo a los sensores electroanalíticos, en particular la aplicación de sensores electroquímicos para detectar y cuantificar neurotransmisores. 1.3.1.1 PRINCIPIOS DE LA DETECCIÓN ELECTROQUÍMICA Las técnicas de detección electroquímica cuantifican la corriente eléctrica generada al oxidarse ciertas moléculas cuando se le aplica un determinado potencial, característico de cada una, denominado potencial de oxidación. En la reacción de oxidación, la molécula cede electrones, de ahí la formación de una corriente eléctrica. El número de electrones cedidos depende del tipo de molécula que se oxide, y es una constante conocida. Para aplicar dicho potencial se utiliza un electrodo de vidrio con una microfibra de carbono en su interior, a través del cual fluyen los electrones liberados en la oxidación. La detección de moléculas disueltas en soluciones acuosas mediante estas técnicas, está limitada a moléculas cuyos potenciales de oxidación o reducción se encuentran entre –1V y 1V. Por encima de 1V o por debajo de –1V se produce la electrolisis del agua, y la consecuente formación de radicales libres que son tóxicos para las células. HO O NH H O Figura 1-6:Oxidación y reducción de la dopamina + NH +2e + 2H Adrenalina Noradrenalina Dopamina Dopa Melatonina Metanefrina Normetanefrina 3-Metoxitiramina A. Homovanílico 5HIAA DOPAC Tiramina Octopamina Triptamina 5-HT 5-HTP AA -300 mV +1000 mV Ácido úrico NO Neuropéptidos Antidepresivos IMAO β -bloqueantes Triptófano Tirosina Neuropéptidos Figura 1-7: Principales sustancias de interés biológico junto con sus potenciales de oxidación. Una característica importante de las medidas electroquímicas es que el número de moléculas que han sido oxidadas o reducidas pueden ser cuantificadas si sólo un tipo de molécula disuelta ha reaccionado y si se conoce el número de electrones transferidos por molécula. La relación que existe entre la carga total transferida y el número de moléculas disueltas en las inmediaciones del electrodo que han reaccionado sigue la Ley de Faraday: Q = ∫ Idt = zFM = zeM NA Ecuación 1-1 donde Q representa la carga total involucrada en la reacción redox y se obtiene integrando la corriente que se registra I. M representa el número de moléculas que han reaccionado; z es el número de electrones transferidos por molécula; F es la constante de Faraday 96.485 C/mol; NA es el número de Avogadro 6.023x1023 y e es la carga elemental del electrón 1.6x10-19 C. Por supuesto, si existen varios tipos de moléculas oxidables que reaccionan conjuntamente, la relación se vuelve más complicada. Afortunadamente, para varios tipos de células, sólo se libera un tipo de sustancia oxidable, o predomina un solo tipo. En los sistemas electroquímicos que nos conciernen, estamos interesados en los procesos y factores que afectan el transporte de carga entre un conductor eléctrico (un electrodo) y un conductor iónico (un electrolito). El transporte de carga en el electrodo se debe al movimiento de electrones (y huecos), mientras que en el electrolito el transporte de carga se debe al movimiento de iones. PROCESOS FARADAICOS Y NO FARADAICOS En las interfaces electrodo-solución se pueden dar dos tipos de procesos: faradaicos y no faradaicos. Los procesos faradaicos comprenden la transferencia de electrones en la interfaz metal-solución. Esta transferencia de electrones se debe a la existencia de reacciones de oxidación o reducción en la solución fase, y dado que estas reacciones están gobernadas por la Ley de Faraday (la cantidad de reacciones químicas causadas por un flujo de corriente es proporcional a la cantidad de electricidad que pasa) se denominan procesos faradaicos. Bajo ciertas condiciones la interfaz electrodo-solución presenta una región de potencial en la cual no se producen transferencia de electrones, debido a que estas reacciones son termodinámicamente o cinéticamente desfavorables. Sin embargo pueden ocurrir procesos , como la absorción o emisión, que cambian la estructura de la interfaz electrodo-solución cambiando el potencial en el electrodo o la composición de la solución. Estos procesos se denominan no faradaicos y explican que aunque no exista transferencia de carga en la interfaz, se pueda producir corriente (al menos transitoria) cuando varia el potencial, el área del electrodo o la composición de la solución. Ambos procesos coexisten en los experimentos que nos conciernen, aunque sólo los procesos faradaicos nos dan la información que buscamos en ellos. Por lo tanto los efectos de los procesos no faradaicos deben ser tenidos en cuenta si estamos interesados en obtener información acerca de la transferencia de carga (electrones) que se produce en la interfaz electrodo-solución. PROCESOS NO FARADICOS Y LA NATURALEZA DE LA INTERFAZ ELECTRODO-SOLUCIÓN Consideremos un electrodo ideal polarizable (IPE Ideal Polarizable Electrode), es decir, un electrodo en el que la carga no pueda atravesar la interfaz electrodo-solución. En este tipo de electrodos, sólo se pueden dar procesos no faradicos. Cuando aplicamos un potencial a un IPE éste actúa como un condensador. La ecuación que gobierna la capacidad de este condensador es: C= q E Ecuación 1-2 donde q es la carga acumulada en el condensador (en culombios C), E es el potencial aplicado a la capacidad (en voltios V) y C es la capacidad (en faradios F). Cuando se aplica un potencial a un condensador , se acumula carga en éste hasta que q cumpla con la Ecuación 1-2. Durante el proceso de carga se producirá una corriente denominada corriente de carga que fluirá a través del condensador. La carga en un condensador consiste en un exceso de electrones en una de las placas del condensador y una deficiencia de electrones (o exceso de huecos) en la otra (véase Figura 1-8). Para un potencial determinado existirá una carga en el electrodo qM y una carga en la solución qS de manera que para todo tiempo se cumplirá: qM = qS Ecuación 1-3 La carga en el electrodo qM representa un exceso o deficiencia de electrones y reside en una fina capa (< 0.1 Å) en la superficie del metal, mientras que la carga en la solución qS representa un exceso de aniones o cationes en la cercanía de la superficie del electrodo (véase Figura 1-8). Las cargas pueden expresarse como densidades de carga sin más que dividir por el área del electrodo: σ M = q M A en unidades µC cm 2 . Para un potencial dado, la interfaz electrodo-solución estará pues caracterizada por un condensador de doble capa Cd , en un rango de valores típicos de 10-40 µF cm 2 . La totalidad de las cargas y dipolos orientados que existen en la interfaz electrodo-solución se denomina doble capa eléctrica (Bard and Faulkner, 2000). Carga positiva en la superficie del electrodo Moléculas de agua Iones solubles Figura 1-8: Descripción de la doble capa eléctrica en la interfaz electrodo-solución. La corriente de carga del electrodo, forma una corriente adicional, que se suma a la corriente producida como resultado de las reacciones de oxidación, y ha de ser tenida en cuenta a la hora de cuantificar el número de moléculas que han reaccionado. Asumiendo que el electrodo se modela eléctricamente como una capacidad Cd en serie con una resistencia Rs la ecuación que seguirá la corriente transitoria de carga bajo un escalón de potencial E y condiciones de condensador descargado inicialmente será: i= E − t Rs C d e Rs Ecuación 1-4 PROCESOS FARADICOS Y FACTORES QUE AFECTAN A LA TRANSFERENCIA DE ELECTRONES La tasa de transferencia de electrones se ve afectada por una serie de procesos que contribuyen a la oxidación de las moléculas electroactivas que se encuentran en la solución. Estos procesos se muestran en la Figura 1-9 y comprenden: La transferencia de masa: las moléculas que se encuentran dispersas por la solución han de estar en contacto con la superficie del electrodo para que ocurra la reacción de oxidación. La transferencia de electrones en la superficie del electrodo Reacciones químicas anteriores o posteriores a la transferencia de electrones: pueden ser procesos homogéneos, como la dimerización, o heterogéneos, como la descomposición catalítica. Otras reacciones que pueden ocurrir en la superficie del electrodo: como la absorción, emisión o cristalización (electrodeposición). electrodo solución total Interfaz electrodo-solución reacción química Transporte de masa absorción emisión ne transferencia de electrones emisión absorción reacción química Figura 1-9: Procesos que intervienen en la transferencia de electrones en una interfaz electrodosolución Los dos factores más importantes que afectan a la magnitud de la corriente resultante de la oxidación de moléculas son el transporte de masa y el porcentaje de transferencia de electrones en la superficie del electrodo. El transporte de masa se presenta en forma de difusión: movimiento de carga bajo la influencia de un gradiente de potencial químico y puede ser descrito por la ecuación de Nerst-Planck (Ecuación 1-5) en una sola dimensión: J i ( x) = − Di ∂C i ( x) ∂x Ecuación 1-5 donde Ji(x) es el flujo de sustancia i (mol/s· cm²) a una distancia x de la superficie del electrodo, Di es el coeficiente de difusión (cm²/s) y ∂C i ( x) es el gradiente de ∂x concentración de la sustancia i a una distancia x de la superficie del electrodo. Cuando la sustancia llega a la superficie del electrodo, entonces se produce la reacción de oxidación y la transferencia de electrones. Para describir los procesos de transferencia de electrones necesitamos incorporar tanto el aspecto cinético como el termodinámico . Termodinámicamente la ecuación de Nerst (Ecuación 1-6) proporciona una ecuación de equilibrio entre las concentraciones de sustancias oxidadas y sustancias reducidas en la superficie del electrodo. E = E0 + RT Cox ln nF Cred Ecuación 1-6 En esta ecuación E es el potencial aplicado en la superficie del electrodo de trabajo, E0 es el potencial al cual se oxida la molécula en cuestión, R es la constante de gas, T es la temperatura, n es el número de electrones transferidos, F es la constante de Faraday y Cox y Cred son las concentraciones de sustancias oxidadas y reducidas respectivamente en la superficie del electrodo. El aspecto cinético viene dado por la ecuación de Butler-Volmer: (1 − α )na F ( E − E 0 ) j = − k C red (0, t ) exp RT 0 Ecuación 1-7 donde j es el flujo de sustancias reducidas(p.e. epinedrina, dopamina,etc.), k0 es el porcentaje estándar y constante de transferencia de electrones, α es el coeficiente de transferencia, na es el número de electrones que se transfieren limitando el paso en la reacción electroquímica, F es la constante de Faraday, E es el potencial del electrodo y Cred está expresado e función del tiempo y la distancia. Lo que nos dice la ecuación 1-7 es que el flujo es proporcional al porcentaje estándar de transferencia de electrones, a la concentración de moléculas no oxidadas y a la diferencia de potencial entre el electrodo y el potencial de oxidación de la molécula. Para un potencial constante podemos escribir: (1 − α )na F ( E − E 0 ) k a = −k exp RT 0 Ecuación 1-8 donde ka es el porcentaje de transferencia de electrones oxidados o reducidos. Para relacionar Cred(0,t) con la concentración total C*red tenemos que considerar el transporte de masa. * − Cred (0, t ) Cred ∂C ( x, t ) jred = − Dred red D ≈ − red ∂x δ x =0 Ecuación 1-9 donde Dred es el coeficiente de difusión de la sustancia reducida, Cred es la concentración de la sustancia reducida en la superficie del electrodo, x es la distancia hasta la superficie del electrodo, t es el tiempo, C*red es la concentración total de sustancia reducida en la solución y δ es una función del grosor de la capa de difusión. La Ecuación 1-9 nos viene a decir que el flujo es proporcional al gradiente de concentración de sustancia reducida en la superficie del electrodo. Bajo condiciones estacionarias la dependencia temporal de la corriente puede ser ignorada y el valor de δ puede ser tomado como constante. Así pues combinando las ecuaciones 1-7 y 1-9 podemos obtener la siguiente relación: jred * k a Cred =− kδ 1+ a Dred Ecuación 1-10 Esta ecuación implica que cuando E, y por lo tanto ka, es grande, el flujo de electrones, o lo que es lo mismo la corriente a través del electrodo, puede ser controlada por el coeficiente de difusión de sustancia reducida en la superficie del electrodo. Entonces: jred = − * Dred C red δ con unidades (cm 2 / s )(mol / cm 3 ) mol ⇒ cm cm 2 ⋅ s Ecuación 1-11 Por lo tanto la corriente es proporcional a la concentración total conocido Dred y δ . Para un valor fijado de δ la Ecuación 1-11 predice que la corriente será independiente del tiempo, pero dependiente del voltaje. En la práctica el valor de δ y su grado de independencia temporal se determina por condiciones experimentales y por las condiciones de frontera usadas para resolver la Ecuación 1-5 de difusión. Para situaciones dependientes del tiempo esta dependencia aparece en δ (Bard y Faulkner, 1980). 1.3.2 OTROS MÉTODOS EMPLEADOS EN EL ESTUDIO DE LA LIBERACIÓN DE NEUROTRANSMISOR Existen otras técnicas electrofisiológicas para el estudio de la liberación de los neurotransmisores en neuronas, basadas en la detección del potencial o corrientes postsinápticas que se produce durante la transmisión sináptica. La recepción de neurotransmisores en la membrana postsináptica conlleva la unión a receptores específicos que disparan la apertura de canales y flujo de iones hacia el interior celular. Ese es el caso, por ejemplo, de lo que ocurre en las neuronas del hipocampo – una zona del cerebro implicada en los procesos de memoria y aprendizaje-. Las neuronas del hipocampo liberan el neurotransmisor glutamato que actúa sobre los denominados receptores ionotrópicos de glutamato desencadenando una corriente postsináptica debida a un flujo de cationes hacia el interior neuronal. Este tipo de estudios puede llevarse a cabo en preparaciones de rodajas de hipocampo de ratas o ratones, o bien cultivando neuronas de ratones recién nacidos que son capaces de formar sinapsis en una placa de petri (Figura 1-10, cortesía de Pablo García-Junco Clemente, Dpto. de Fisiología Médica y Biofísica). Este tipo de experimentos se lleva a cabo utilizando la técnica de “patch-clamp” ( Hamill y col., 1981) que permite registrar las corrientes de pequeña magnitud (10-12 a 10-9 amperios) que se producen en el terminal postsináptico. El registro se realiza a través de una micropipeta de vidrio conectada un convertidor-corriente voltaje de un amplificador (denominado amplificador de “patch-clamp”) que a su vez fija la diferencia de potencial a través de la membrana de la célula impuesta por el experimentador. Figura 1-10: Neuronas de hipocampo de ratón en cultivo observadas con un sistema de contraste diferencial de interferencias tipo Nomarski. Observese como las neuronas se aproximan unas a otras para formar sinapsis. Un abordaje de gran utilidad para el estudio de la liberación de neurotransmisor en las neuronas del hipocampo es el uso de neuronas cultivadas a baja densidad que forman conexiones sinápticas sólo consigo mismas denominadas autapsis (Bekkers y Stevens, 1991). Estas condiciones de cultivo permiten acceder a la neurona con una micropipeta de “patchclamp” y estudiar la liberación de neurotransmisor según el siguiente proceder experimental: (1) estimulo de la neurona con un pulso de voltaje positivo que genera un potencial de acción que viaja a través del axón hasta llegar a los terminales presinápticos que liberan neurotransmisor, (2) teniendo en cuenta que la neurona está formando sinapsis consigo misma, el terminal postsináptico es la misma neurona y la corriente postsináptica generada, proporcional a la cantidad de neurotransmisor liberada, fluye y se registra con el mismo microelectrodo que se utilizó para estimular. En el presente Proyecto Fin de Carrera se describirá más adelante el diseño y construcción de un generador de ondas para uso como estimulador en múltiples tipos de experimentos y preparaciones como por ejemplo la preparación de neuronas de hipocampo en cultivo. 2 OBJETIVOS Los objetivos generales de este proyecto son diseñar, construir y adaptar instrumental para la estimulación y registro de la liberación de neurotransmisores aplicable a neuronas y a otras células vivas aisladas. El proyecto se engloba dentro de la construcción de un laboratorio de electrofisiología que dirige el Prof. Rafael FernándezChacón del Departamento de Fisiología Médica y Biofísica de la Facultad de Medicina de la Universidad de Sevilla y en colaboración con el Prof. Ramón Risco-Delgado del Departamento de Física Aplicada de la Escuela Superior de Ingenieros de la misma Universidad. El laboratorio se compone de varios módulos y será dedicado al estudio de la liberación de neurotransmisor en animales generados mediante ingeniería genética, algunos de ellos modelos animales para el estudio molecular de enfermedades humanas del sistema nervioso como el retraso mental en el Síndrome de Down y los trastornos epilépticos. Los módulos de los que consta este proyecto se han diseñado de forma que permitan integrarse en varias configuraciones experimentales, en conjunto o individualmente. Éstas configuraciones se detallarán más adelante. Concretamente, los objetivos que cubre el presente Proyecto Fin de Carrera son: Adaptación mecánica de los elementos necesarios para realizar experimentación celulara un sistema de micromanipulación de precisión englobado dentro de un microscopio invertido para manipulación de células vivas aisladas sobre un soporte neumático de aislamiento de vibraciones. Diseño y construcción de un módulo de registro y amplificación de señales electroquímicas. Ensamblaje y programación de una tarjeta de control y adquisición de señales, que permita operar a través de un ordenador los módulos descritos previamente, bien en conjunto o bien separadamente. Diseño y construcción de un módulo de generación de ondas de voltaje para estimulación. Este módulo ha de ser capaz de generar ondas de diferentes formas y las características de amplitud y duración han de ser controlables tanto manualmente como desde un ordenador PC. 3 DISPOSITIVO EXPERIMENTAL Los módulos instrumentales objeto de este Proyecto Fin de Carrera están integrados dentro de un dispositivo experimental (“set-up”) más complejo que se describe a continuación. Los experimentos se realizarán sobre células vivas aisladas y esta circunstancia requiere que los módulos estén adaptados a un microscopio. Esta adaptación no está exenta de complejidad ya que hay que optimizar las condiciones de manipulación mecánica y aislamiento eléctrico de los diferentes módulos que componen el dispositivo experimental. Este proceso de adaptación de los módulos requiere el diseño y construcción de piezas a medida, que se describen más adelante. Los diferentes elementos de los que se compone el dispositivo experimental de electrofisiología se enumeran a continuación: Mesa antivibratoria Microscopio Jaula de Faraday Dos micromanipuladores Control remoto de precisión para uno de los micromanipuladores PC Tarjeta de adquisición Amplificador de amperometría Módulo de estimulación Los detalles de los elementos enumerados se tratan en apartados posteriores. Las especificaciones de cada elemento se encuentran en el Anexo II. 3.1 DESCRIPCION DE LOS ELEMENTOS DEL DISPOSITIVO EXPERIMENTAL Actualmente , el dispositivo experimental diseñado no existe comercialmente como tal. Por ello ha sido necesario adquirir, diseñar y construir elementos independientes y solucionar la adaptación de todos ellos a un sistema integrado multitarea y controlado por ordenador. Una de las características buscadas en este sistema del sistema es la flexibilidad para desarrollar diferentes configuraciones experimentales y abrir posibilidades de incorporación de nuevas aplicaciones en el futuro, como por ejemplo la adaptación de una sistema de registro y análisis de imágenes celulares. Es importante describir las necesidades de un experimento estándar para explicar la función de cada uno de los elementos que componen el dispositivo experimental. Para obtener registros de las células en cultivo, es necesario primero visualizar las células bajo el microscopio. Seguidamente se han de aproximar los microelectrodos a las células bajo control visual (véase Figura 3-1). Figura 3-1: Imagen tomada del microscopio óptico en el que dos microelectrodos se acercan a una célula. El microelectrodo de la izquierda es un microelectrodo de fibra de carbón, mientras que el microelectrodo de la derecha es una pipeta de “patch-clamp”. La micromanipulación de los microelectrodos es crítica para evitar roturas de los microelectrodos y colocarlos sobre la célula elegida sin dañarla. Esta operación requiere que todo el sistema de micromanipulación y el microscopio se encuentre sobre una mesa neumática que aísle las vibraciones mecánicas, por ejemplo las producidos por los pasos de una persona a una distancia de varios metros del sitio donde se encuentra colocado el dispositivo experimental. La operación también requiere el uso de micromanipuladores controlados por control remoto que permiten desplazamientos de micras. Los micromanipuladores han de estar adaptados al microscopio maximizando la estabilidad y permitiendo fácil manejo por parte del experimentador. El dispositivo cuenta con una mesa neumática antivibratoria (Technical Manufacturing Corporation: 63-500) (véase Figura 3-2). Sobre la mesa está colocado un microscopio invertido (Axiovert 200, Zeiss), que alberga una plataforma móvil sobre la que se coloca una cámara receptora de fluido donde se encuentran las células vivas. Figura 3-2: Mesa neumática antivibratoria sobre la que se encuentra situado el microscopio Sobre el cuerpo del microscopio se han colocado adaptadores para los micromanipuladores que mueven los dos preamplificadores (“headstages”) a los que están conectados los microlectrodos. La conexión de los microelectrodos a los preamplificadores se realizan mediante unos adaptadores denominados “holder” (véase Figura 3-3). Figura 3-3: Adaptador o “holder” para conectar los microelectrodos a las etapas preamplificadoras Un adaptador es para el preamplificador del amperómetro y el otro para un preamplificador de un amplificador de “patch- clamp”. Ambos adaptadores están enfrentados de forma que se puedan utilizar dos electrodos, uno por cada lado (véase Figura 3-4). Estos adaptadores se describen en detalle más adelante. Figura 3-4: Adaptadores para los preamplificadores. Se han ensamblado a cada lado unidades de traslación que permiten el movimiento en los tres ejes del espacio (UMR, Newport ) que el operador maneja manualmente. En uno de los adaptadores, el dedicado al preamplificador de “patch-clamp” se ha colocado además un micromanipulador piezoeléctrico (NV-40 serie PXY, JENA PIEZOSYSTEM) que permite un grado muy fino de movimiento en los tres ejes por control remoto y que es necesario para asegurar el contacto de la micropipeta con la membrana celular controlando la posición y la velocidad de aproximación (véase Figura 3-5). Figura 3-5: piezoeléctrico de precisión adaptado para el preamplificador de” patch-clamp” Para solucionar la adaptación de los micromanipuladores al microscopio se ha contado con la ayuda del Prof. García Lomas y D. Antonio Guillén del Departamento de Materiales de la Escuela Superior de Ingenieros de Sevilla. El Sr. Guillén ha colaborado en el diseño y ha fabricado los componentes mecánicos que se describen a continuación. Por último los componentes que no deben estar necesariamente cerca del microscopio se colocan lo suficientemente lejos de la mesa para dejar espacio de maniobra al usuario, y lo suficientemente cerca para permitir la utilización de estos recursos por parte del usuario. Por ello, a la derecha de la mesa antivibratoria una estructura metálica “rack” (ver Figura 3-6). donde se coloca el equipamiento electrónico necesario para la realización de los experimentos. En esta estructura metálica se encuentra el PC AMD 1GHz sobre el que se implementa el sistema de adquisición de datos, el ‘Screw Terminal Panel’ al que se conectan todas las señales que van a ser adquiridas por el sistema de adquisición, el amplificador de amperometría que va a ser utilizado en los experimentos y que es objeto del presente proyecto y un módulo de estimulación también construido y diseñado como parte del Proyecto Fin de Carrera. El amplificador de “patch-clamp” EPC10 se ubica también en esta estructura metálica. . Figura 3-6: Estructura metálica donde se ubica el instrumental electrónico 3.2 DETALLE DESCRIPTIVO DE LOS ADAPTADORES MECÁNICOS Los adaptadores mecánicos se componen de tres elementos fundamentales: Una plataforma perpendicular al eje vertical del microscopio que se adapta al mástil posterior del microscopio Dos adaptadores laterales que son brazos móviles que se insertan en la plataforma previamente descrita. Estos brazos soportan los micromaniopuladores. Tienen dos configuraciones de movilidad: lateral (izquierda-derecha) y giratoria. Adaptadores para los “headstages” o preamplificadores constituidos por una superficie circular donde se coloca una pinza que facilita la sujeción del “headstage” y su ángulo de inclinación. Todas las piezas descritas están realizadas en aluminio. En la Figura 3-7 se muestra la plataforma perpendicular que se fija a presión al microscopio. Ésta presión se materializa a través de dos tornillos. Para enroscar o desenroscar estos tornillos no hace falta usar destornilladores, sino que poseen unos fundas metálicas para hacerlo manualmente (véase Figura 3-8). Figura 3-7: Plataforma perpendicular que se fija al mástil del microscopio Figura 3-8: Vista lateral del mástil del microscopio con la plataforma fijada a través de dos tornillos. Los brazos laterales que se acoplan a la plataforma poseen dos tipos de movimientos: lateral y rotatorio (véase Figura 3-9). Para poder realizar los movimientos rotatorios y lineales se dispone de dos tornillos (uno para cada brazo). De nuevo para enroscar o desenroscar estos tornillos no hace falta usar destornilladores, sino que poseen unos fundas metálicas para hacerlo manualmente (véase Figura 3-10). A estos brazos metálicos se acoplan los micromanipuladores donde se situarán los “headstage”. Éste acoplamiento se realiza a través de tornillos. Los micromanipuladores se atornillan a una plataforma que posee movimiento lineal a lo largo del brazo. Figura 3-9: Detalle descriptivo del brazo lateral que se acopla a la plataforma Figura 3-10: Brazo lateral sobre el que se atornilla el micromanipulador. Vista lateral del adaptador para las etapas preamplificadoras. Los adaptadores para los “headstage” permiten la fijación a presión de cajas de diferentes dimensiones (véase Figura 3-11). De nuevo, la materialización de la presión se realiza a través de dos tornillos con fundas metálicas (véase Figuras 3-10, 3-4). Figura 3-11: Detalle descriptivo del adaptador para las etapas preamplificadoras Además se ha construido una plataforma rectangular para la mesa del microscopio que aloja la camarita donde se colocan las células (véase Figuras 3-12, 3-13) Esta plataforma también está construida en aluminio y cubierta con una plancha de acero inoxidable ferrítico para poder fijar a ella determinados elementos con imanes, como por ejemplo, un electrodo de plata clorurada que fija el potencial de la solución donde se encuentra la célula a tierra. Figura 3-12: Detalle descriptivo de la plataforma magnética para alojar la camarita Figura 3-13: Plataforma magnética para alojar la camarita 4 DISEÑO Y CONSTRUCCIÓN DE UN AMPLIFICADOR DE SEÑALES AMPEROMÉTRICAS Uno de los co-tutores de este Proyecto Fin de Carrera, el Prof. Rafael FernándezChacón, trabajó durante su tesis doctoral en un sistema de detección electroquímica aplicado al estudio de la exocitosis en células aisladas bajo la dirección del Prof. Guillermo Álvarez de Toledo en el Departamento de Fisiología Médica y Biofísica, pionero e inventor de métodos de alta resolución aplicados al estudio de la liberación de neurotransmisor. La experiencia y los conocimientos adquiridos en aquel proyecto han sido de gran utilidad para la orientación de este Proyecto Fin de Carrera, en especial lo referente al diseño del amplificador electroquímico o amperómetro. 4.1 DESCRIPCIÓN DEL AMPLIFICADOR DE AMPEROMETRÍA El amplificador de amperometría (véase Figura 4-1) consta de dos módulos físicamente diferenciados: un conversor corriente-voltaje (generalmente denominado “headstage” o preamplificador ) y el amplificador principal. El amplificador principal está formado a su vez por diferentes etapas: estimulación, restador, corrección de nivel de offset, ganancia y filtrado. El amplificador posee su propia fuente de alimentación de bajo ruido que se describirá en detalle posteriormente. Figura 4-1: Amplificador de amperometría El esquema básico de interconexión de las diferentes etapas se describe en la Figura 4-2. En los apartados posteriores se describen en detalle las características electrónicas de cada una de esas etapas. Los bloques básicos o configuraciones de los diferentes amplificadores operacionales (sumador inversor, inversor, restador, convertidor corrientevoltaje y seguidor de tensión) utilizados en el diseño de las distintas etapas se describen en detalle (esquemas y función de transferencia) en el Anexo IV. ESTIMULACIÓN CORRIENTE DE ENTRADA ALIMENTACIÓN CONVERTIDOR CORRIENTE-VOLTAJE LED RESTADOR CORRECCIÓN DE OFFSET GANANCIA FILTRADO VOLTAJE DE SALIDA Figura 4-2: Diagrama de conexiones de las etapas del amplificador de amperometría 4.1.1 CONVERTIDOR CORRIENTE-VOLTAJE El convertidor corriente voltaje se encuentra en una pequeña caja metálica (“headstage” o preamplificador) a 5-10cm de la preparación celular y se conecta con el amplificador principal a través de un cable de 1.5m. Es necesario colocar el preamplificador cerca de la preparación para evitar decaimiento de la señal a través del cable de conexión. Las señales generadas en este tipo de preparaciones son de muy pequeña magnitud (picoamperios) y el diseño descrito es crítico para optimizar las condiciones de registro. La conexión del convertidor corriente-voltaje con el electrodo de fibra de carbono se realiza a través de un conector BNC. La fibra de carbono está adaptada a través de un sistema especial de sujeción (“holder”) a este tipo de conexión. La conexión del convertidor con el amplificador se realiza a través de un cable de ocho vías con un conector circular. Las ocho vías de las que dispone el cable se utilizan para alimentación (3 vías), estimulación (1vía), selección de la resistencia de realimentación (3 vías) y por último voltaje que se obtiene de la conversión (1 vía). Además el “headstage” posee una salida de tierra para conectar la tierra del amplificador a la tierra común de todo el dispositivo experimental. La función del convertidor corriente-voltaje es doble. Por un lado nos permite fijar el voltaje que se va aplicar a la fibra de carbono ( generalmente entre 600 y 900mV) y por el otro nos permite registrar y amplificar la corriente de oxidación generada por el sustrato que se pretende medir. Rf Ip + VOUT VOUT = −i ⋅ R f + Vest Vest Figura 4-3: Esquema y función de transferencia del convertidor corriente-voltaje. La amplificación se ha configurado con dos resistencias de realimentación de diferentes valores intercambiables desde un interruptor que se encuentra en la caja del amplificador. La resistencia pequeña tiene un valor de 10 M Ω y se utiliza cuando se hace voltametría donde las corrientes esperadas son de mayor magnitud (nanoamperios). La resistencia de mayor valor es de 1 G Ω y se utiliza para registrar en modo amperométrico corrientes de picoamperios. El amplificador operacional que realiza la conversión es de bajo ruido y alta precisión (OPA111AM, Burr Brown). Los detalles de esta etapa están recogidos en el esquemático que se muestra en el Capítulo 4.2.2 dedicado a los esquemáticos del amplificador. Dado el alto valor de la mayor de las resistencias de realimentación (1 G Ω ), es necesario estudiar la capacidad parásita en paralelo asociada a dicha resistencia y determinar las limitaciones que se imponen a la respuesta en frecuencia del convertidor corrientevoltaje. A continuación se describe el proceder experimental llevado a cabo para determinar la capacidad parásita asociada a la resistencia de realimentación. 100K pulso 1G C=? Figura 4-4: Circuito para determinación de la capacidad parásita ( C) de la resistencia de realimentación (1 Ω ). Se ha añadido un componente de resistencia en serie (100K Ω ) El experimento consistió en aplicar a través del circuito RC descrito en la Figura 4-4 una serie de pulsos cuadrados de voltaje de 1V de amplitud. La diferencia de potencial que se establece entre los dos extremos de la resistencia de realimentación en el estado estacionario se alcanza con una constante de tiempo (τ), que viene dada por τ =RC, donde C es la capacidad parásita que pretendemos calcular y R es la resistencia de realimentación. Las formas de ondas resultantes de este experimento se muestran en la figura 4-5. Figura 4-5. Diferencia de potencial (trazo amarillo) obtenida al aplicar un pulso cuadrado de voltaje (trazo rojo) a través del circuito de la Figura 4-4 Del análisis de estas ondas se puede deducir que la constante de tiempo τ = 0.02 ms luego: τ= C = 0.02 pF R siendo el ancho de banda del filtro asociado: B = 1 = 50 KHz τ Este ancho de banda es suficientemente amplio para el tipo de señales que se van a adquirir, por lo tanto no es necesario implementar una etapa de corrección en frecuencia. Por otra parte, se ha dotado al amplificador de un sistema sencillo de monitorización de saturación del convertidor corriente-voltaje, de forma que el operador puede detectar inmediatamente si la señal que se está intentando adquirir es demasiado grande y saturante. Este sistema consta de dos diodos LED en el panel exterior del amplificador. Uno de ellos de color rojo se ilumina cuando el voltaje de salida del convertidor alcanza el voltaje de saturación superior del amplificador operacional que realiza la conversión. Esto ocurre cuando el voltaje supera los 11’8 V. El otro LED de color verde se ilumina cuando el voltaje de salida del convertidor alcanza la saturación inferior del amplificador operacional (-11.8 V). Como se ha descrito previamente, el convertidor corriente-voltaje fija un potencial constante Vest en el electrodo. Este potencial es suministrado por otra etapa del amperómetro que se describe a continuación. 4.1.2 ESTIMULACIÓN El objetivo de esta etapa es la generación del estímulo. Para utilizar el amplificador en el modo amperométrico se fija un nivel constante de voltaje desde este módulo a través de un potenciómetro situado en el panel externo. El rango de voltaje es de –1000 mV a 1000 mV y la precisión es de 1 mV. Este potencial se visualiza a través de un panel LED situado en el panel externo. Para utilizar el amplificador en modo voltamétrico el estímulo se genera sumando el potencial constante a una forma de onda. La forma de onda procede del exterior de un generador de ondas y se introduce en el amplificador a través de un conector BNC ( entrada de voltaje o “voltage input”). Se dispone de un interruptor para permitir el paso de la onda al sumador, controlando de esta manera el modo de funcionamiento amperométrico o voltamétrico. Se dispone además de una salida BNC en el panel (monitorización del voltaje o “command monitor”) para monitorizar la estimulación bien desde un osciloscopio, o bien adquiriendo esta señal con el sistema de adquisición diseñado que se describe más adelante y que también forma parte de este Proyecto Fin de Carrera. Los detalles de esta etapa están recogidos en el esquemático que se muestra en el Capítulo 4.2.2 dedicado a los esquemáticos del amplificador. 4.1.3 RESTADOR La función del restador es sustraer la señal de estimulación a la salida del convertidor corriente-voltaje. De esta manera se consigue que después de esta etapa el voltaje de salida (Vres) sea directamente proporcional a la corriente de oxidación. Vres = −i ⋅ R f Ecuación 4-1: voltaje a la salida del restador de estimulación Después de efectuar la sustracción se pueden calcular las ganancias respectivas para cada resistencia de realimentación. Aplicando la función de transferencia previamente descrita en la ecuación 4-1 se obtiene que para la resistencia de realimentación de 10M Ω , 1 nA de corriente producirá un voltaje de salida de –10mV. Esto resulta una ganancia del conversor corriente voltaje de –10mV/nA. Con la resistencia de realimentación de 1G Ω , la relación de ganancia del conversor será de –1 mV/pA. Los detalles de este restador están recogidos en el esquemático que se muestra en el Capítulo 4.2.2 dedicado a los esquemáticos del amplificador. 4.1.4 CORRECCIÓN DEL OFFSET El amplificador se ha dotado de un sistema de control de la corriente de base del electrodo. La corriente de base del electrodo puede variar dependiendo de sus características y puede monitorizarse antes de comenzar el registro de la señal electroquímica propiamente dicha. En determinadas ocasiones la corriente de base puede ser especialmente elevada y superar el rango de voltaje del conversor analógico-digital utilizado en la adquisición de las corrientes electroquímicas. El objetivo de esta etapa es, precisamente, cancelar el exceso indeseado de voltaje (“offset”) debido a la corriente de base. El usuario tiene la opción de activar el sistema de corrección de offset a través de un interruptor, y regularlo con un potenciómetro que se encuentra en el panel exterior. El rango de voltaje que puede sustraerse es de –10V a 10V. la configuración básica de esta etapa es la configuración de restador. Esta etapa de sustracción se encuentra situada detrás del restador de estimulación. Como el resto de las etapas, los detalles de este restador están recogidos en el esquemático que se muestra en el Capítulo 4.2.2 dedicado a los esquemáticos del amplificador. 4.1.5 GANANCIA Como se ha descrito previamente, la corriente electroquímica se amplifica inicialmente en el convertidor corriente-voltaje. No obstante es conveniente disponer de una etapa posterior de ganancia que permita niveles adicionales de amplificación. La etapa de ganancia la constituye un amplificador operacional en la configuración de inversor con ganancia. En esta etapa, el valor de la resistencia de realimentación es variable y se fija desde un conmutador bipolar situado en el panel exterior para obtener la ganancia deseada. Los valores de ganancia de que dispone la etapa son: 0.5 (diseñada para atenuar señales de gran tamaño), 1, 2, 5, 10, y 20. Esta etapa se ha optimizado añadiendo un sistema de monitorización del nivel de ganancia seleccionado. Para ello se ha implementado una salida BNC en el panel exterior denominada monitorización de la ganancia (“gain monitor”) que da un voltaje determinado dependiendo del nivel de ganancia seleccionado según se muestra en la Tabla 4-1. Ganancia seleccionada Gain monitor (V) X0.5 0 X1 1 X2 2 X5 3 X10 4 X20 5 Tabla 4-1: Correspondencia entre la ganancia seleccionada y el nivel de voltaje en la salida “gain monitor”. Esta correspondencia entre ganancia y voltaje en la salida “gain monitor” se obtiene mediante un interruptor bipolar. Las diferentes opciones del interruptor conmuntan al mismo tiempo, por un lado, la resistencia de realimentación del inversor y por otro lado diferentes valores de resistencia de un divisor de voltaje, dando lugar a las correspondencias descritas en la tabla 4-1. El esquemático de este circuito se muestra en la Figura 4-6 . Vmonitor +5V R/2 R R 2R 10R 6 5 4 3 2 1 R 7 8 9 10 11 12 R 13 20R GAIN 14 5R SW2 R 4 5 +Vcc 2 7 1 3 R 6 + R - Vin Vout -Vcc Figura 4-6: Esquemático del diseño de la monitorización de la ganancia En la Figura 4-6 se aprecia cómo el interruptor bipolar selecciona simultáneamente la resistencia de realimentación de la configuración ganancia con inversión, y la resistencia de salida del divisor de tensiones. Con el objeto de mantener positiva la polaridad de la señal, tras la etapa de ganancia se ha colocado un inversor con ganancia 1. Los detalles de los inversores que componen esta etapa de ganancia están recogidos en el esquemático que se muestra en el Capítulo 4.2.2 dedicado a los esquemáticos del amplificador. 4.1.6 FILTRADO Para los experimentos amperométricos el análisis de las señales se realiza en el dominio del tiempo, no en el de la frecuencia. Por este motivo es importante que los filtros contribuyan con la mínima distorsión en la característica temporal de la señal. En general, los mejores filtros para los análisis en el dominio del tiempo son los filtros Bessel, porque introducen una sobreoscilación menor del 1% en los pulsos. La etapa de filtrado es la última que incorpora el amplificador y está compuesta por cinco filtros Bessel de tercer orden con las siguientes frecuencias de corte: 20 Hz, 200Hz, 1KHz, 3KHz y10 KHz. El usuario puede activar a través de un interruptor la etapa de filtrado de la señal de salida y posteriormente, con un interruptor rotatorio bipolar, elegir la frecuencia de corte del filtro que se quiere aplicar. PROCEDIMIENTO DE DISEÑO Para el diseño de los filtros paso baja Bessel de 3º orden se ha usado la topología de Sallen-Key (Mark Sauerwald, 1997). El circuito de segundo orden Sallen-Key se muestra en la Figura 4-7: n²C Vin m²R 7 1 V+ R 3 2 Vout 6 4 5 C + V- Rf Rg Figura 4-7:Circuito de segundo orden Sallen-Key Este filtro se caracteriza (como cualquier otro filtro de segundo orden) por tres parámetros: K, w0 y Q. K es la ganancia en DC del filtro. w0 es una medida de la frecuencia de corte del filtro y Q es una medida de cuál es la separación de los polos del filtro en el plano S. Los valores de K, Q y w0 vienen dados por : K =1+ Rf Rg mn 1 + m² + (mn)²(1 − K ) 1 w0 = mnRC Q= Ecuación 4-2 Q y K son adimensionales y w0 viene dado en rad/s. Dividiendo w0 por 2 π lo pasamos a Hz. La función de transferencia de este filtro viene dada por: k Vout (mnRC )² = Vin s 1 1 1 s² + 1 − K + 1 + + RC n ² m² (mnRC )² Ecuación 4-3 La metodología de diseño de un filtro en particular comienza por seleccionar el orden del filtro y los valores de K,Q y w0 y después usar las ecuaciones descritas más abajo para obtener los valores de las resistencias y las capacidades. Q se obtiene usando la Tabla 4-2 de diseño de filtros Bessel donde w0 es la frecuencia de corte deseada del filtro, ajustada por un factor que aparece en la tabla de diseño de filtros Bessel anterior y K es otro parámetro que elegimos según nuestras necesidades. N w1 Q1 w2 Q2 w3 Q3 W4 2 1.274 0.577 3 1.453 0.691 1.327 4 1.419 0.522 1.591 0.806 5 1.561 0.564 1.760 0.917 1.507 6 1.606 0.510 1.691 0.611 1.907 1.023 7 1.719 0.533 1.824 0.661 2.051 1.127 1.685 8 1.784 0.506 1.838 0.560 1.958 0.711 2.196 Tabla 4-2: Parámetros de diseño de los filtros Bessel El procedimiento a seguir es el siguiente: Q4 1.226 1) Seleccionar Rf y Rg para obtener el valor deseado de K. 2) Arbitrariamente seleccionar un valor de n. Este valor debe ser pequeño para filtros con valores bajos de Q y alto para valores altos de Q. Hay que tener en cuenta que los valores de las capacidades están limitadas por unos valores estándar. 3) Determinar el valor de m requerido usando la siguiente ecuación y usando el valor de Q encontrado en las tablas de diseño: 2 n n ± − 4(1 + n 2 (1 − K )) Q Q m= 2(1 + n 2 (1 − K )) Ecuación 4-4 4) Si no se consigue un valor real de m tenemos que seleccionar otro valor de K o n y volver al paso 1. 5) Arbitrariamente seleccionar un valor de C. 6) Determinar el valor de w0 a usar multiplicando la frecuencia de corte deseada por el valor de w encontrado en la tabla de diseño de filtro. 7) Determinar el valor de R requerido usando la siguiente ecuación: R= 1 w0 mnC Ecuación 4-5 8) Si R es demasiado alto o demasiado pequeño, seleccionar otro valor de C y volver al paso 7. Si R es demasiado alto seleccionar un valor más alto de C y si R es demasiado pequeño seleccionar un valor más pequeño de C. Los filtros de orden mayor se pueden realizar poniendo en cascada filtros de orden menor. Para filtros de orden par n se pueden poner en cascada n/2 filtros de orden 2 usando el método descrito anteriormente, y localizando los polos del filtro con ayuda de la Tabla 4-2 de diseño de filtros activos Bessel. Si se desea un filtro de orden impar, el último polo se añade con un filtro pasivo RC a la salida del filtro activo. Para el caso particular de un filtro de orden 3 tendríamos la siguiente topología (véase Figura 4-8): n²C Vin m²R 7 1 V+ R 3 2 6 Vout R3 - C3 4 5 C + V- Rf Rg Figura 4-8:Prototipo filtro 3º orden siendo la función de transferencia de este filtro: k Vout (mnRC )² = Vin 1 1 1 s s² + 1 − K + 1 + + RC n² m² (mnRC )² 1 R3C3 1 s + R C 3 3 Ecuación 4-6 En la Tabla 4-3 se muestran los valores de las resistencias y condensadores para las diferentes frecuencias de corte de los filtros diseñados para el amplificador: 20 Hz 200 Hz 1KHz 3KHz 10KHz C 100 nF 10 nF 10 nF 1 nF 1 nF n²C 470 nF 33 nF 33 nF 2.2 nF 2.2 nF R 8K Ω 11K2 Ω 2K3 Ω 11K5 Ω 3K5 Ω m²R 79 K Ω 77 K Ω 15K8 Ω 52K8 Ω 15K8 Ω C3 100 nF 10 nF 10 nF 1 nF 1 nF R3 60 K Ω 60 K Ω 12 K Ω 40 K Ω 12K Ω Tabla 4-3: Valores de los componentes de los filtros diseñados para el amplificador de amperometría SIMULACIÓN DE LOS FILTROS DISEÑADOS A continuación se muestran los diagramas BODE en magnitud y fase de los filtros diseñados. Éstos diagramas se han obtenido simulando el circuito de cada filtro con el programa WinSpice. Filtro Bessel 3º orden 10 KHz Filtro Bessel 3º orden 3 KHz Filtro Bessel 3º orden 1 KHz Filtro Bessel 3º orden 200 Hz Filtro Bessel 3º orden 20 Hz 4.1.7 ALIMENTACIÓN Para alimentar todo el circuito se ha optado por una fuente de alimentación de bajo ruido, regulada, encapsulada y diseñada para su montaje dentro del equipo, de forma que se minimicen las interferencias con las señales de pequeño amperaje que se pretenden registrar (véase Figura 4-9). El voltaje que proporciona dicha fuente es: +15V, 0V y -15V. En el panel exterior del amperómetro se proporciona conexión a estas tensiones a través de conectores bananas, para poder alimentar otros circuitos de consumo pequeño. La conmutación de la alimentación se realiza a través de un interruptor en el panel posterior. Este interruptor posee un indicador luminoso que se enciende cuando el circuito está alimentado. Figura 4-9: Fuente de alimentación 4.2 IMPLEMENTACIÓN DEL SISTEMA DISEÑADO. ESQUEMÁTICOS Y TRAZADO DE PISTAS. Para el diseño del amplificador de amperometría se ha usado el programa ORCAD. Para los esquemáticos se ha utilizado el ORCAD Capture y para el trazado de pistas el ORCAD Layout. Para el diseño del trazado de pistas se ha optado por usar una placa de una sola cara negativa. El proceso de revelado y taladrado se ha realizado en los laboratorios del Departamento de Electrónica en la Escuela de Ingenieros. En el Anexo I se recogen las hojas de especificaciones de todos los componentes empleados para la fabricación del instrumental objeto de este Proyecto Fin de Carrera. Los amplificadores operacionales usados en el amplificador principal del amperómetro son LF356N. Para la soldadura de los componentes, se han usado zócalos que permiten una fácil sustitución de componentes en caso de fallo. La conexión de los cables procedentes del panel exterior a la placa se ha llevado a cabo a través de conectores roscados. Para ajustar perfectamente las etapas de inversión, sumadores y restadores, ha sido necesario implementar algunas de las resistencias de estas configuraciones con potenciómetros. El convertidor corriente-voltaje se ha montado sobre una caja de aluminio de dimensiones 37 mm x 75 mm x 87 mm (véase Figura 4-10 ): Figura 4-10: Montaje del convertidor corriente-voltaje en el “headstage” La placa resultante del amplificador junto con la fuente de alimentación se han montado sobre una caja de aluminio de dimensiones 304.8 mm x279.4 mm x88.1 mm, tal como puede apreciarse en la Figura 4-11. Figura 4-11: Montaje del amplificador en la caja de instrumentación 4.2.1 DESCRIPCIÓN DEL PANEL FRONTAL El diseño del panel exterior se ha diseñado para que un usuario moderadamente experimentado pueda identificar fácilmente las diferentes opciones operativas y de control del amplificador. En la figura 4-12 se muestra un esquema del panel de control. A continuación se explican los diferentes elementos del panel de control: Headstage : es el conector de ocho vías para el convertidor corriente-voltaje. Los dos diodos LED situados encima del conector indican saturación, uno para saturación positiva (rojo) y el otro para saturación negativa (verde). Amplification Max-Min : es el interruptor de selección de las dos resistencias de realimentación del headstage: max para 1 G Ω y min para 10 M Ω . Offset correction On-Off : es el interruptor que selecciona la opción del restador de corrección de offset. Offset correction: es el potenciómetro que selecciona el voltaje a restar cuando el interruptor anterior está en On. Gain (mV/pA): es el selector de ganancias. Si estamos usando la resistencia de realimentación de 10 M Ω , tenemos que dividir las magnitudes por 100. Filter On-Off: es el interruptor que selecciona la opción de filtrar la señal de salida. Filter: es el selector de la frecuencia de corte del filtro Bessel cuando el interruptor anterior está en On. +15 , 0, -15: Son unas salidas de alimentación con conectores banana jack. Voltage On-Off: es el interruptor que selecciona la opción de sumar al offset seleccionado un voltaje externo. DC Level: es el potenciómetro que selecciona el voltaje Dc de estimulación. El valor de este voltaje puede verse en la pantalla LED en unidades de mV. Stimulus Input: Es un conector BNC donde se introduce el voltaje que queremos sumar a la señal de offset, siempre que el interruptor anterior esté en On. Current Monitor: Es la salida del amplificador. Gain Monitor: Es una salida BNC cuyo voltaje depende de la ganancia seleccionada en el selector correspondiente. (ver tabla 4-1) Command Monitor: Es una salida BNC cuyo voltaje es el voltaje que estamos imponiendo en el microelectrodo. 88.1 mm 279.4 mm Figura 4-12: Panel exterior 4.2.2 ESQUEMÁTICOS Y TRAZADO DE PISTAS A continuación se muestran los esquemáticos de todas las etapas del amplificador. Estos esquemáticos están conectados entre a través de puertos, para facilitar la interconexión. El trazado de las pistas se presenta a tamaño natural y también se presenta la situación de los componentes del diseño respecto al trazado de las pistas. 2 2 3 1 POT INT 1K 3 2 SW1 1 POT INT 1K VOLTAGE INPUT SWITCH 2 J6 WAVE 1 R23 1 R18 1K 3 3 R16 1K 6 2 + R24 U7 6 7 1 LED 3 1 3 1 LF356 6 1 2 3 4 3 R26 POT INT 1M COMMAND MONITOR R27 100K 7 1 R22 1 2 4 5 2 + 2 J9 JP2 2 U5 - R21 POT EXT 10K 4 5 70K 6 7 1 +5V 3 U16 LF356 + 2 - -15 VEST 7 1 3 U6 + 1K R20 70K - 2 - +15 4 5 4 5 R17 Title Size A Date: ETAPA DE ESTIMULACION Document Number Monday, November 20, 2000 Rev Sheet 1 of 1 VHEAD R55 30K +15 R29 25K R56 1 SW6 POT EXT 100K R28 D2 10K 2 1 DIODE OFFSET CORRECTION SWITCH 2 +15V R53 25K 3 2 7 1 3 3 D1 DIODE U17 + 6 VSAT LF356 4 5 -15 -15v Title Size A Date: OFFSET CORRECTION Document Number Monday, November 20, 2000 Rev Sheet 1 of 1 ALIMENTACION(+15,0,-15) +15 JP3 1 2 3 SW5 AMPLIFICATION MAX-MIN 1 2 3 5 1 2 R25 POT INT 2K 2 + 6 R30 POT 3 - 2 2 LF356 7 1 6 3 U8 U9 + 6 LF356 4 4 5 4 5 2 3 1 8 HEADSTAGE 7 1 7 1 VHEAD JR1 3 R33 R32 1K 3 VEST 1K R34 1K R35 1K VSAT -15 R39 R38 1K J10 +5V GAIN MONITOR 1 2K R47 2K R19 20K 2 R40 2K R48 20K 3 2 1 SW2 7 8 9 10 11 12 13 R15 50K 6 5 4 3 2K 1K R44 2 R49 U11 + 6 LF356 2K R50 1 2K 3 4 5 R46 7 1 + 3 - 2 VGAN 4 5 R43 10K 14 GAIN R42 7 1 4K 2 R41 1K R51 6 2K Title LF356 U10 ETAPA DE RESTADOR, CORRECCIÓN DE OFFSET Y GANANCIA Size A Date: Document Number Monday, November 20, 2000 Rev Sheet 1 of 1 C12 C15 2.2nF +15 3 2 C13 U14 + 6 R72 R66 40K - 15K8 LF356 4 5 1nF 3 2 C16 1nF 10KHz U15 + R70 12K 6 CURRENT MONITOR J12 LF356 1 4 5 C11 1nF -15 C14 2 -15 R71 3K4 7 1 R67 11K5 52K8 R68 +15 7 1 3KHz 2.2nF 1nF R65 10K R69 10K SW4 3 6 5 4 15K8 3 2 C10 10nF + 3 2 1 U13 R62 6 12K FILTER C19 +15 470nF VGAN C8 10nF 79K C6 33nF -15 +15 8K C18 100nF 3 2 U4 + 6 60K LF356 4 5 1KHz R60 R59 77K 200Hz 11K2 C7 10nF 3 2 U12 + 6 60K - -15 R58 C17 100nF C5 10nF LF356 20Hz 4 5 R61 10K FILTER ON-OFF 10 11 12 LF356 2 13 2K3 1 7 8 9 7 1 R63 4 5 R64 7 1 +15 SW3 7 1 33nF 14 C9 -15 R57 10K 10K Title Size A Date: FILTROS BESSEL 3º ORDEN A 10KHz, 3KHz, 1KHz, 200Hz, 20Hz Document Number Monday, November 20, 2000 Rev Sheet 1 of 1 8 1 7 2 6 3 5 R4 R1 10 M 4 CIRDIN_8-P 4 8 1 U1 2 3 6 7 5 2 OPA111/TO + 1 - J2 BNC Title Size A Date: CONVERTIDOR CORRIENTE-VOLTAJE Document Number Saturday, November 18, 2000 Rev Sheet 1 of 1 4.3 ANÁLISIS DEL RUIDO Dada las pequeñas magnitudes de las señales que se miden en amperometría, el análisis del ruido que introduce el amplificador es muy importante. En la etapa de diseño, se ha tenido muy en cuenta, para minimizar, en todo lo posible, el ruido introducido por los componentes. Éstos ruidos son de diversa naturaleza y pueden producir alteraciones en las medidas experimentales. Tras la fabricación del sistema se han realizado diversas medidas para medir el nivel de ruido intrínseco del amplificador. 4.3.1 RUIDO EN LAS MEDIDAS ELECTROFISIOLÓGICAS En el sentido más general, se define ruido como cualquier perturbación que interfiere con la señal medida deseada. En las medidas electrofisiológicas estas ruidos pueden proceder de los propios preparativos, los electrodos que se utilizan para la medida de la señal, el instrumental electrónico (p.e., el amperómetro), interferencias de fuentes externas (p.e., acoplamientos electrostáticos y electromagnéticos procedentes de las líneas de alimentación 50Hz, luces fluorescentes, ruido asociado a vibraciones mecánicas, etc.), y si la medida es digitalizada, de la naturaleza del propio proceso de digitalización (p.e., ruido de cuantización y aliasing). Las interferencias procedentes de fuentes externas se pueden cancelar conectando todos los componentes del sistema experimental a un punto de tierra común. También es importante tener apantallados todos los cables de conexión por donde se transmite la señal. Si nos centramos en los mecanismos de ruido procedentes de las propiedades físicas y eléctricas de los materiales usados en los experimentos tenemos que básicamente los principales tipos de ruido son: ruido térmico, ruido de disparo y ruido dieléctrico. Especial importancia tiene también el ruido procedente de los amplificadores operacionales, dado el gran número de operacionales que hay en el amplificador. Todos estos tipos fundamentales de ruido son completamente aleatorios por naturaleza. La medida más conveniente de la amplitud de ruido es el rms (root-mean-square). Muchas señales de ruido pueden caracterizarse mediante una distribución gaussiana. El área bajo la curva de distribución gaussiana representa la probabilidad de que se produzca un evento ruidoso de una amplitud particular, siendo el área total la unidad. La probabilidad de que una señal de ruido sobrepase una vez su valor rms es de 0.32. También es importante conocer la banda de frecuencias sobre la cual se observa la señal de ruido. Algunas señales ruidosas son por naturaleza restringidas en banda, pero la gran mayoría de las señales ruidosas requieren el uso de filtros para restringirlas en banda. Las diferentes fuentes de ruido debido a su carácter aleatorio pueden considerarse como no correlacionadas, con lo cual el valor rms de ruido total vendrá dado por la Ecuación 4-7: ET = E12 + E22 + E32 + ... Ecuación 4-7 A continuación se describe brevemente los tipos de ruido más importantes: 1. Ruido térmico El ruido térmico es resultado del movimiento aleatorio de los portadores de carga excitados térmicamente en un conductor. Se le suele denominar también ruido Johnson o ruido Nyquist. Para una resistencia el ruido térmico se puede modelar como una fuente de voltaje en serie o como una fuente de intensidad en paralelo tal como se representa en la Figura 4-13. R no ruidosa Eth R no ruidosa Ith Figura 4-13: Circuito equivalente de ruido de una resistencia La densidad espectral de potencia (PSD) del ruido térmico no varía con la frecuencia, es decir es blanco. Su valor S2thV o el equivalente para la intensidad S2thI viene dado por: 2 S thV = 4kTR con unidades (V ² / Hz ) 2 = S thI 4 KT con unidades ( A² / Hz ) R Ecuación 4-8 donde K es la constante de Boltzmann (1.38x10-23 J/ºK), T es la temperatura en grados Kelvin y R es la resistencia en ohmios. La varianza (potencia de ruido) dentro de un ancho de banda B(Hz) viene dada por: 2 ETH = 4 KTBR con unidades (V²) 2 = I TH 4 KTB con unidades (A²) R Ecuación 4-9 y el ruido rms dentro de una banda de frecuencia B vendrá dado por: Eth = 4 KTRB con unidades (V rms) I TH = 4 KTB R con unidades (A rms) Ecuación 4-10 En la Tabla 4-4 se representan para diferentes valores de resistencias y diferentes anchos de banda los valores más relevantes: 1kHz 10kHz 1kHz 10kHz voltaje intensidad ruido V ruido V ruido I ruido I densidad densidad (uV rms) (uV rms) (pA rms) (pA rms) (nV/Hz1/2) (nV/Hz1/2) 100 Ω 0.040 0.126 400 1260 1.26 12.6 1K Ω 0.126 0.40 126 400 4.0 4.0 10K Ω 0.4 1.26 40 126 12.6 1.26 100K Ω 1.26 4.0 12.6 40 40 0.4 1M Ω 4.0 12.6 4.0 12.6 126 0.126 10M Ω 12.6 40 1.26 4.0 400 0.040 100M Ω 40 126 0.40 1.26 1260 0.0126 1G Ω 126 400 0.126 0.40 4000 0.004 Valor Tabla 4-4: Valores típicos de ruido térmico para diferentes valores de resistencias y diferentes anchos de banda 2. Ruido de disparo El ruido de disparo aparece cuando la corriente atraviesa una barrera de potencial, por ejemplo en las uniones p-n presentes en los dispositivos semiconductores. El valor rms del ruido de disparo en una banda B viene dada por la ecuación 4-11: I sh = 2qIB con unidades (A rms) Ecuación 4-11 donde q es la carga del electrón (1.6x10-19 culombios) e I es la corriente en DC medida en amperios. Un ejemplo importante de ruido de disparo es el producido en los amplificadores operacionales por la corriente de entrada en sus terminales (Input Bias Current). En la Tabla 4-5 aparece el valor rms del ruido de disparo para diferentes valores de corriente en los amplificadores operacionales. Op Amp Bias Current 1 KHz ruido de disparo 10 Khz ruido de disparo (pA rms) (pA rms) 1 µA 18 57 100 nA 5.7 18 10 nA 1.8 5.7 1 nA 0.57 1.8 100 pA 0.18 0.57 10 pA 0.057 0.18 1 pA 0.018 0.057 0.1 pA 0.0057 0.018 Tabla 4-5: Valores típicos de ruido de disparo para diferentes corrientes de entrada en amplificadores operacionales 3. Ruido dieléctrico En una capacidad ideal sin pérdidas no se produce ruido térmico, sin embargo en los materiales dieléctricos reales aparecen pérdidas debida a ruido térmico. Para dieléctricos con relativamente bajas pérdidas, la densidad espectral de este ruido se puede describir en términos del factor de disipación D y la capacidad CD del dieléctrico: S D2 = 4kTDC D (2πf ) con unidades (A²/Hz) I D = 4kTDC DπB ² con unidades (A rms) Ecuación 4-12 El ruido dieléctrico en condensadores de calidad alta (D<0.0001) es prácticamente despreciable, del orden de 0.032 pA rms. La fuente de ruido dieléctrico más importante procede del adaptador o “holder” del microelectrodo y se detallará más adelante. 4. Ruido en los amplificadores operacionales El ruido intrínseco en un amplificador operacional puede ser modelado por una fuente de voltaje equivalente En a la entrada del amplificador en serie con el terminal – de entrada, y una fuente de corriente equivalente entre los terminales - y + de entrada (véase Figura 4-14). En In + Figura 4-14: Modelo de ruido de un amplificador operacional De todos los amplificadores operacionales que tiene el circuito, aquél donde se presenta con mayor intensidad el ruido, es el que realiza la conversión corriente voltaje en el “headstage”. El modelo de esta configuración se presenta en la Figura 4-15. ef Rf En In Cg + Figura 4-15: Modelo de ruido simplificado del conversor corriente-voltaje En este modelo ef representa el ruido térmico de la resistencia de realimentación Rf, y Cg es una capacidad de incluye la capacidad de entrada del amplificador y la capacidad asociada al microelectrodo. La densidad espectral de potencia de ruido a la salida del amplificador viene dada por: 2 S OUT ( f ) = in2 R 2f + e 2f + en2 (1 + 4π 2 f 2 R 2f C g2 ) en unidades V²/Hz Ecuación 4-13 Es importante representar esta densidad de potencia en términos de corriente para comparar el ruido con la señal de corriente que se mide en el amplificador. El ruido a la entrada se puede obtener dividiendo la Ecuación 4-13 por Rf²: S (f)=i + 2 in 2 n e 2f R 2 f + en2 ( 1 + 4π 2 f 2C g2 ) en unidades A²/Hz R 2f Ecuación 4-14 Por lo general in (ruido de disparo) en y ef (ruido térmico) dependen de la frecuencia, pero asumiendo que son independientes de la frecuencia podemos integrara la Ecuación 415 sobre una banda de frecuencia B y obtener el ruido rms: I in = in2 B + e 2f R 2 f B + en2 B 4 2 2 3 + π Cg B R 2f 3 Ecuación 4-15 4.3.2 FUENTES DE RUIDO EN EL AMPLIFICADOR DE AMPEROMETRÍA Los componentes del amplificador de amperometría introducen ruido que pueden llegar a afectar a las medidas, dado la pequeña magnitud de éstas. Los ruidos más importantes proceden, sin duda, de los primeros elementos del sistema de medida, es decir, el microelectrodo, el adaptador o “holder” y el convertidor corriente-voltaje. Microelectrodo El microelectrodo de fibra de carbón se puede modelar como una resistencia en serie con una capacidad. Para minimizar el ruido debido al electrodo es necesario minimizar la resistencia eléctrica del mismo ( 20-100 Ω ). El ruido introducido dependerá pues de la calidad del electrodo que se esté utilizando, por ejemplo, para el electrodo comercial ProCfe (Dagan Corporation, EE.UU.) el ruido máximo introducido es de 0.11 pA rms medido en un ancho de banda de 5KHz. Adaptador o “holder” El adaptador contribuye al ruido incrementando la capacidad de entrada del convertidor corriente-voltaje. El ruido introducido por el adaptador es del orden del 10% del ruido en circuito abierto del convertidor corriente-voltaje. Por ejemplo, el adaptador comercial Axopatch 200A (Axon Instruments, EE.UU) introduce un ruido máximo de 0.075 pA rms medido en un ancho de banda de 5KHz. Convertidor corriente-voltaje El ruido introducido por esta etapa, procede fundamentalmente de la resistencia de realimentación de alto valor óhmico . Tal como puede consultarse en la Tabla 4-5, el valor introducido por esta resistencia oscila en torno a 0.1-0.3 pA rms. 4.4 VALIDACIÓN DEL AMPLIFICADOR DE AMPEROMETRÍA Para validar el correcto funcionamiento del amplificador de amperometría se han realizado una serie de experimentos que se describen a continuación. Estos experimentos son útiles tanto para medir el nivel de ruido que introduce el amplificador en las medidas, como para calibrar todos los potenciómetros de ajuste que tiene el sistema. El experimento consistió en conectar al convertidor corriente-voltaje una resistencia de valor conocido ( véase Figura 4-16). Imponiendo una diferencia de potencial en los bornes de esta resistencia, se puede calcular la corriente que circulará por ella. Esta corriente es la misma que circulará por la resistencia de realimentación, con lo cual podemos obtener el valor del voltaje esperado a la salida del convertidor ( véase Ecuación 4-16). Convertidor corriente-voltaje Rf -Vcc 4 8 1 i Rp Vhead 7 5 Vest OPA111/TO 6 + 3 - 2 +Vcc Figura 4-16: Esquemático del sistema de validación para el amplificador de amperometría Vhead = i ( R f + R p ) ) i= VEST Rp Ecuación 4-16 Tras la etapa de conversión se encuentra la etapa de restador de estimulación, corrección de offset (no se ha utilizado en estos experimentos), ganancia y filtrado. Aplicando las funciones de transferencia de primer orden de todas estas etapas, concluimos que el voltaje obtenido a la salida del amplificador viene dado por la Ecuación 4-17. Vout = i ⋅ R f ⋅ G Ecuación 4-17 Siendo G el factor de ganancia aplicado (los filtros no introducen ganancia, dado que se han diseñado con ganancia =1). La magnitud de resistencia con que se realiza esta prueba ha de ser del orden de la resistencia de realimentación del convertidor corriente-voltaje, para que el voltaje que se obtenga a la salida del restador sea lo suficientemente alto y se pueda amplificar con el amplificador. Esto supone tener que usar una resistencia de alto valor óhmico ( G Ω ) para poder experimentar con la resistencia de mayor magnitud. La resistencia de alto valor óhmico de prueba se convertiría de esta manera en un elemento ruidoso que se sumaría al ruido introducido por el propio amplificador. Por ello, el nivel de ruido medido con esta configuración, no se correspondería con el ruido que se pretende medir. A continuación se presentan las tablas de ruido medidas con la resistencia de realimentación de menor valor, para dos resistencias de prueba diferentes y filtrando la señal de salida o no. RESISTENCIA DE REALIMENTACIÓN 10 Mohm RESISTENCIA DE PRUEBA 1.720 Mohm VOLTAJE DE ESTIMULACIÓN 800 mV SIN FILTRADO Ganancia Valor (mV/pA) esperado(V) mínimo(V) máximo(V) pico(V) (pA) 0.5/100 2.326 2.249 2.258 0.009 1.8 1/100 4.651 4.506 4.519 0.013 1.3 2/100 9.302 8.723 8.751 0.028 1.4 5/100 Fuera de Fuera de Fuera de Fuera de Fuera de rango rango rango rango rango Fuera de Fuera de Fuera de Fuera de Fuera de rango rango rango rango rango Fuera de Fuera de Fuera de Fuera de Fuera de rango rango rango rango rango 10/100 20/100 Voltaje Voltaje Voltaje pico- Ruido RESISTENCIA DE REALIMENTACIÓN 10 Mohm RESISTENCIA DE PRUEBA 1.720 Mohm VOLTAJE DE ESTIMULACIÓN 800 mV CON FILTRADO 20Hz Ganancia Valor (mV/pA) esperado(V) mínimo(V) máximo(V) pico(V) (pA) 0.5/100 2.326 2.132 2.144 0.008 1.6 1/100 4.651 4.241 4.262 0.021 2.1 2/100 9.302 8.214 8.244 0.040 2 5/100 Fuera de Fuera de Fuera de Fuera de Fuera de rango rango rango rango rango Fuera de Fuera de Fuera de Fuera de Fuera de rango rango rango rango rango Fuera de Fuera de Fuera de Fuera de Fuera de rango rango rango rango rango 10/100 20/100 Voltaje Voltaje Voltaje pico- Ruido RESISTENCIA DE REALIMENTACIÓN 10 Mohm RESISTENCIA DE PRUEBA 10.025 Mohm VOLTAJE DE ESTIMULACIÓN 800 Mv SIN FILTRADO Ganancia Valor Voltaje Voltaje Voltaje pico- Ruido (mV/pA) esperado(V) mínimo(V) máximo(V) pico(V) (pA) 0.5/100 0.339 0.383 0.393 0.010 2 1/100 0.798 0.771 0.781 0.010 1 2/100 1.596 1.491 1.513 0.021 1.15 5/100 3.99 3.799 3.838 0.039 0.78 10/100 7.98 7.779 7.850 0.071 0.71 20/100 Fuera de Fuera de Fuera de Fuera de Fuera de rango rango rango rango rango RESISTENCIA DE REALIMENTACIÓN 10 Mohm RESISTENCIA DE PRUEBA 10.025 Mohm VOLTAJE DE ESTIMULACIÓN 800 Mv CON FILTRO 20 Hz Ganancia Valor Voltaje Voltaje Voltaje pico- Ruido (mV/pA) esperado(V) mínimo(V) máximo(V) pico(V) (pA) 0.5/100 0.339 0.363 0.373 0.010 2 1/100 0.798 0.721 0.733 0.012 1.2 2/100 1.596 1.400 1.414 0.014 0.7 5/100 3.99 3.589 3.609 0.020 0.4 10/100 7.98 7.343 7.383 0.040 0.4 20/100 Fuera de Fuera de Fuera de Fuera de Fuera de rango rango rango rango rango 5 DISEÑO Y CONSTRUCCIÓN DE UN SISTEMA DE ADQUISICIÓN DE SEÑALES AMPEROMÉTRICAS 5.1 CARACTERÍSTICAS DEL SISTEMA Las señales que se registran durante la experimentación deben ser cuidadosamente adquiridas y almacenadas. El sistema de adquisición de señales diseñado permite la captura simultánea por tres canales diferentes de: la salida del amplificador la señal de estimulación la ganancia del amperómetro En conjunto, la información adquirida es absolutamente relevante para el análisis posterior del experimento. Dada la naturaleza analógica de la señal que se pretende adquirir, existen diversos parámetros referentes a la adquisición que el experimentador ha de controlar: la tasa de muestreo de las señales y el tiempo que dura la adquisición. Por otro lado es fundamental monitorizar en tiempo real las señales que se están adquiriendo. Además es relevante el formato en que se va a guardar la información. El formato debe ser compatible con los programas que se usan para el análisis posterior de la información. El usuario debe tener la opción de dar nombre al archivo donde se almacenan los datos. Dado que vamos a adquirir tres canales de información se ha optado, para facilitar la migración de los datos, usar un solo archivo para guardar los tres canales, de manera que cada canal ocuparía una columna en el archivo final donde cada punto estaría sincronizado con los puntos de los otros dos canales. 5.2 IMPLEMENTACIÓN HARDWARE DEL SISTEMA DE ADQUISICIÓN El sistema se basa en la tarjeta de adquisición DT302 de Data Translation. Se trata de una tarjeta de adquisición de bajo costo y multifunción que se conecta al bus PCI. Las características técnicas de esta tarjeta pueden consultarse en el Anexo II de este Proyecto Fin de Carrera. A continuación se describen las características fundamentales de este modelo: ENTRADAS ANALÓGICAS CANALES RESOLUCIÓN RANGOS DE ENTRADA TASA MÁXIMA DE MUESTREO 16 simples/ ± 1.25, 2.5, 5, 10 V 12 bits 8 diferenciales 225 kS/s 0 - 1.25, 2.5, 5, 10 V SALIDAS ANALÓGICAS CANALES RESOLUCIÓN 2 12 bits RANGOS DE SALIDA ± 5, 10 V 0 - 5, 10 V ENTRADAS/SALIDAS DIGITALES LINEAS DE ENTRADA/SALIDA COUNTER/TIMER 23 4 Tabla 5-1 :Características de la tarjeta de adquisición DT302 Conjuntamente con la tarjeta de adquisición, se adquirió un panel de conexiones STP68 “Screw Terminal Panel” (véase Figura 5-1), y un cable apantallado de 68 pines y 2metros de longitud EP305. Éste cable conecta el “Screw Terminal Panel” con la tarjeta de adquisición. Figura 5-1: “Screw Terminal Panel” montado en una caja de instrumentación El “Screw Terminal Panel” posee conectores roscados para todas las conexiones de la tarjeta de adquisición. Dado que se pretendía tener un sistema fácil de usar con conectores estándar, se montó el Screw Terminal Panel en una caja de instrumentación. Esta caja se muestra en la Figura 5-2 y proporciona: 8 de las 16 entradas analógicas que posee la tarjeta con conectores BNC de 75 Ω . 8 de las 23 entradas-salidas digitales que posee la tarjeta con conectores BNC de 75 Ω . Cada uno de los canales tiene un led que visualiza el estado del canal; se enciende si el canal está a ‘1’ y se apaga si está a ‘0’. 2 salidas analógicas con conectores BNC de 75 Ω . 1 salida con conexión a tierra mediante un conector banana. Estas conexiones son más que suficientes para el sistema de adquisición, que tan sólo utiliza tres entradas analógicas. El resto de conexiones que se han implementado en la caja de instrumentación del “Screw Terminal Panel” podrán ser usadas para posteriores ampliaciones en el sistema experimental de electrofisiología. Figura 5-2: Caja de instrumentación del “Screw Terminal Panel” 5.3 IMPLEMENTACIÓN SOFTWARE DEL SISTEMA DE ADQUISICIÓN Para programar la adquisición se ha usado el programa HPVEE de Hewlet Packard version 5.0. Este programa es el que recomienda Data Translation para usar conjuntamente con sus tarjetas. Se necesitó además instalar los drivers de la tarjeta y el programa DT-VPI que proporciona las herramientas necesarias y específicas para la adquisición. 5.3.1 DESCRIPCIÓN DEL HPVEE El HPVEE es un lenguaje de programación gráfico orientado a objetos. El tiempo de aprendizaje es relativamente corto debido a las facilidades que ofrecen los lenguajes de programación gráficos. El uso de objetos complejos hace, por un lado, que el tiempo de programación disminuya, dado que algunas funciones complejas ya están implementadas en el propio lenguaje. Por otro lado los objetos complejos no permiten la especialización de los programas; por ello, hacer tratamientos muy específicos podría resultar tremendamente complicado. Para la elección del programa de adquisición se tuvo en cuenta, además de las recomendaciones de los fabricantes de la tarjeta de adquisición, las facilidades y dificultades que ofrecen otros lenguajes de programación. Como opciones al HPVEE se contemplaron los programas LabVIEW y el Visual C++. A pesar de que HPVEE y LabVIEW son ambos lenguajes de programación gráfica, la ejecución de aplicaciones en estos dos entornos se realiza de manera completamente diferente. LabVIEW es la implementación gráfica de un lenguaje de programación textual estándar. Conceptualmente, LabVIEW substituye simplemente cada comando de un lenguaje textual por un icono. Aunque esta estrategia es visualmente más orientativa que un lenguaje de programación textual estándar, comparte muchas de sus desventajas. En particular estos lenguajes de programación de bajo nivel son difíciles de aprender, requiriendo al programador recordar, no solamente un enorme número de comandos, sino además cómo deben ser unidos sin generar errores. Los lenguajes de programación de bajo nivel llevan consigo un tiempo de programación alto, requiriendo una gran cantidad de líneas de código o iconos para formar una función relativamente simple. El HPVEE utiliza una estrategia diferente. Las aplicaciones se basan en una serie de bloques comunes u objetos de alto nivel que se utilizan en múltiples ocasiones a lo largo del programa principal, suponiendo un ahorro importante en la generación de código. De este modo lo implementado con 20 o 30 líneas de código en C++, equivalente a 20 o 30 iconos de LabVIEW, se puede implementar con solamente 3 o 4 objetos en HPVEE. Aunque las señales experimentales que se quieren adquirir son señales tremendamente específicas, la aplicación en sí de la adquisición de los datos experimentales es totalmente general. Por ello un lenguaje de programación gráfico de alto nivel es el entorno más apropiado, y el HPVEE cumple todos estos requisitos. 5.3.2 PROGRAMACIÓN EN HPVEE La programación en HPVEE se basa en la conexión de una serie de objetos predefinidos. Los objetos constan de entrada/salida de flujo de datos y de entrada/salida de flujo de control (véase Figura 5-3). Entrada de control TÍTULO DEL OBJETO Salida de datos Entrada de datos Salida de control Figura 5-3: Objetos de HPVEE El flujo de datos está relacionado con la función del objeto, mientras que el flujo de control está relacionado con el orden en que se ejecutan los diversos objetos. Si no se programa flujo de control, es el flujo de datos el que determina el orden de ejecución de los objetos. 5.3.2.1 DIAGRAMA DE FLUJO En el siguiente esquema se muestra el diagrama de flujo sobre el que se baja el programa diseñado: INICIO Configuración de los canales de entrada Tasa de muestreo Tiempo del experimento Archivo donde se guardan los datos INICIO ADQUISICIÓN Adquisición de datos de los tres canales Monitorización de los tres canales NO ¿tiempo consumido? SI FIN ADQUISICIÓN Almacenamiento en archivo seleccionado FIN A continuación se describe detalladamente los objetos utilizados en la programación para cada una de las fases que aparecen en el diagrama de flujo. CONFIGURACIÓN DE LOS CANALES DE ENTRADA Esta etapa está implementada mediante el objeto ‘A/D Config’. El cuadro de diálogo de este objeto (véase Figura 5-4) se utiliza para construir una lista de canales en la cual se especificarán: los canales sobre los que se va a realizar la adquisición (CH0, CH1 y CH2). la tasa de muestreo de cada uno de los canales (no será configurada en este objeto). una ganancia proporcionada mediante programación y que por conveniencia pondremos a 1. el rango de voltaje de entrada (-10,10V) y el tipo de canal (Single-Ended), tal como aparece en la Figura 5-4. Para nuestro propósito no es necesaria la configuración de los demás parámetros. Figura 5-4: Cuadro de diálogo ‘A/D Config’ TASA DE MUESTREO Para la configuración de la tasa de muestreo, si bien podríamos haber utilizado el objeto anterior, es más cómodo para el usuario hacerlo de manera independiente. Para ello tenemos un objeto ‘Constant Real’ donde el usuario introduce la tasa de muestreo de los canales que desee. Por conveniencia se ha elegido una misma tasa de muestreo para los tres canales, aunque podrían programarse sin dificultad tasas de muestreo diferentes. Así, por ejemplo, se podría disminuir la tasa de muestreo de una señal poco cambiante, como la ganancia, durante el transcurso del experimento. Dos objetos más se utilizan para configurar la tasa de muestreo ‘Get Config’ y ‘Set Config’. El primero de ellos se usa para obtener los datos del sistema (la lista de canales, ganancias, tasas de muestreo, etc.) y el segundo para imponer valores de estos parámetros en el sistema. Por ello, el objeto ‘Constant Real’ lo imponemos como parámetro en el ‘Set Config’ (véase Figura 5-5). Figura 5-5: Imposición del Sampling rate TIEMPO DEL EXPERIMENTO Para ajustar el tiempo de adquisición usaremos otro objeto ‘Constant Real’ sobre el cual el usuario introduce el tiempo de adquisición deseado. La conexión de este objeto dentro del programa se explicará mas adelante. ARCHIVO DE ALMACENAMIENTO DE LOS DATOS Para seleccionar el archivo donde queremos guardar los datos usamos un objeto ‘To File’ (véase Figura 5-6). En este objeto configuramos el formato con que se quiere guardar los datos así como el archivo donde se quiere guardar los datos. El formato de datos se elige de manera que sea un archivo transportable a otros sistemas para el posterior análisis de los datos del experimento. El archivo donde se quiere almacenar los datos no es necesario que exista previamente. En caso de existir, se eliminará el archivo anterior para guardar los datos nuevos. Figura 5-6: Objeto ‘To File’ INICIO DE ADQUISICIÓN Una vez configurados todos los parámetros anteriores el usuario no tiene más que pulsar el botón ‘start’ y comenzará la adquisición de los datos. ADQUISICIÓN DE DATOS DE LOS TRES CANALES Para la adquisición propiamente de los canales se utilizará el objeto ‘Get Data Function’ (véase Figura 5-7). Hemos de especificar como parámetros: el canal de donde tomar los datos el número de datos que se desea tomar la configuración de la adquisición. Tenemos pues tres objetos ‘Get Data Function’, uno por cada canal. Para saber el número de datos a tomar, no tendríamos más que multiplicar la tasa de muestreo por el tiempo de experimento. Figura 5-7: Objeto ‘Get Data Function’ MONITORIZACIÓN DE LOS TRES CANALES La programación en HPVEE hace imposible controlar simultáneamente la tasa de muestreo y monitorizar en tiempo real los datos que se van adquiriendo. Para controlar la tasa de muestreo es necesario usar un objeto ‘Get Data Function’ y este objeto no descarga los datos que está adquiriendo hasta que no completa el número de muestras que le especificamos como entrada. Luego, al no conocer los datos que se van adquiriendo, es imposible monitorizarlos en tiempo real. Podemos monitorizar la señal una vez completado el tiempo de adquisición de datos. Sin embargo, esto sólo nos resulta útil si queremos ‘echarle un vistazo’ a las señales que se han adquirido. Para monitorizar en tiempo real necesitaríamos utilizar otro objeto llamado ‘Get Single Value’, que tal como su propio nombre indica toma un solo valor de un canal determinado. Esto implica que la tasa de muestreo tendría que venir controlada externamente activando el objeto ‘Get Single Value’ cada vez que se cumpliera la tasa de muestreo. Para tasas de muestreo altas, del orden de Hz, no hay ningún problema porque existen objetos adecuados para la activación de objetos, hasta un máximo de 50 ms. Pero para tasas de muestreo altas, que son las que nosotros necesitaremos, estos objetos no funcionan, ya que a partir de 50 ms no se asegura la correcta activación. La solución que se ha tomado es utilizar un objeto ‘XY Trace’ (véase Figura 5-8) para monitorizar los datos y conseguir que el contenido de este objeto se refresque cada segundo. Esto implica que cada segundo se deben activar los objetos ‘Get Data Panel’ mediante un objeto ‘For Count’ (véase Figura 5-9), y que el número de muestras las tenemos que calcular para un segundo, y no para el tiempo completo de adquisición. También tenemos que calcular el número de veces que deben activarse los objetos ‘Get Data Panel’. Todos estos cálculos se realizan con objetos ‘Formula’. Figura 5-8: Objeto ‘X-Y Trace’ Figura 5-9: Objeto ‘For Count’ actuando sobre objetos ‘Get Data Function’ FIN ADQUISICIÓN La adquisición concluye cuando se han activado los objetos ‘Get Data Panel’ tantas veces como impone el tiempo de experimento. Una vez finalizada la adquisición se dispone a preparar los datos para guardarlos en el archivo especificado. Si el usuario durante el transcurso del experimento decide abortar la adquisición, no tiene más que parar la ejecución del programa. En este caso no se generará ningún archivo de datos. ALMACENAMIENTO EN ARCHIVO SELECCIONADO Por simplicidad para el usuario se ha creído conveniente almacenar todos los datos en un mismo fichero. Para ello se ha configurado el sistema de forma que se guarden los datos de cada canal por columnas. El objeto usado es el ya mencionado ‘To File’. En este objeto, una vez seleccionado el archivo y el formato de los datos, sólo hay que esperar a que lleguen los datos en una matriz y para que sean almacenados en el archivo correspondiente. Existen dos inconvenientes para conseguir esto: Por un lado tenemos tres fuentes de datos diferentes que deben ser organizados por columnas en una matriz para que el almacenamiento se haga tal y como lo tenemos previsto. Por otro lado los datos de cada uno de los canales vienen en forma de ráfagas debido al refresco cada segundo, y tenemos que alinearlos en un solo vector para formar correctamente la matriz de la que hemos hablado anteriormente. Para solucionar ambos problemas se han utilizado una serie de objetos como ‘Collector’, ‘Build Record’, ‘Unbuild Record’ y ‘Unbuild waveform’ (véase Figura 5-10). La función de cada uno de estos objetos es formar las construcciones de vectores y matrices anteriormente explicadas, muy sencillas de comprender pero difícil de implementar. Figura 5-10: Implementación de la formación de la matriz de datos 5.3.2.2 PROGRAMA DE ADQUISICIÓN El programa diseñado se llama Acquisition.vee y consta de dos paneles. En el primero de ellos se detalla el flujo de datos y de control y se visualizan las conexiones entre los diversos objetos (véase Figura 5-11). Es por lo tanto un panel de uso exclusivo del programador. En este panel se encuentran las conexiones de todos los objetos anteriormente explicados. Figura 5-11: Acquisition.vee panel de programador El segundo de ellos es un panel de usuario (véase Figura 5-12), en el que aparecen los objetos que han de ser configurados por el usuario y los objetos que sirven para visualizar el estado del experimento. En este panel además de los objetos que hay que configurar y el display para monitorizar los canales, hemos añadido dos datos que son de interés para el usuario: el tiempo de muestreo y el número de puntos por canal que se adquiere. Además hemos insertado un panel donde de detallan los pasos a seguir para una correcta adquisición. Figura 5-12: Acquisition.vee panel de usuario Una vez finalizada la adquisición podemos visualizar los datos en multitud de programas, como Excel o Igor Pro. Para una correcta visualización es necesario conocer el tiempo de muestreo de la señal. Por ese motivo en el panel de usuario se ha introducido un ‘Alphanumeric Display’ en el que aparece este dato concreto. Usando el programa Igor Pro se recuperan los datos y se almacenan en un formato propio de este programa, lo que permite una gran versatilidad para análisis y representaciones gráficas. En la Figura 5-13 se puede ver la representación final de los datos. 2 1 V oltage 0 -1 -2 0 1000 2000 3000 ms 4000 5000 6000 Figura 5-13: Visualización de los datos con Igor Pro Los datos que aparecen en la Figura 5-13 corresponden a la adquisición durante 6 segundo a una tasa de muestreo de 10 KHz de los canales CH0, CH1 y CH2. En estos canales se introdujeron por orden: una señal constante de –1100 mV, una señal constante de 0V, y una señal cuadrada de amplitud 4.5V y offset –500 mV procedente del módulo de estimulación diseñado y construido como parte del Proyecto Fin de Carrera. 6 DISEÑO Y CONSTRUCCIÓN DE UN MÓDULO DE ESTIMULACIÓN El diseño y construcción del módulo de estimulación se ha realizado conjuntamente con Jose Castañeda, estudiante de 5º de Telecomunicación y actualmente realizando el proyecto fin de carrera bajo la tutela de Dr. Risco en el laboratorio de Fisiología Médica y Biofísica de la Facultad de Medicina. La razón por la que hemos trabajado conjuntamente responde a una misma necesidad en la estimulación. Tanto en su proyecto fin de carrera como en el presente, la unidad de estimulación es un componente básico para la realización de experimentos. En un principio, la idea era poder generar diferentes formas de ondas a través de la tarjeta de adquisición DT302, dado que esta posee dos salidas analógicas. Sin embargo tras múltiples intentos infructuosos y tras consultar directamente con el equipo técnico de Data Translation en Alemania, se concluyó que no es posible usar estas dos salidas para generar formas de ondas. Las salidas analógicas sólo están preparadas para generar datos en DC. Esto quiere decir que no poseen buffers ni registro de salidas, de manera que sólo es posible usar el objeto ‘Put Single Value’ de HPVEE para controlar estas dos salidas. Este objeto es similar al ‘Get Single Value’ ya explicado anteriormente. Con el objeto ‘Put Single Value’ no se puede controlar la descarga de datos a través de las salidas analógicas a una tasa de muestreo baja (<50 ms). En particular, para los experimentos de estimulación de neuronas se necesita generar pulsos de 2 ms de ancho, y este tipo de ondas no es posible generarlas con fiabilidad usando las herramientas que proporciona el HPVEE. Para solucionar este problema se decidió construir un módulo de estimulación autónomo utilizable en diferentes montajes experimentales y controlable en algunas de sus propiedades a través de tensiones TTL o tensiones constantes, pudiendo suministrarse éstas tensiones a través de la tarjeta de adquisición DT302. El primer paso para el diseño del generador consistió en investigar las diferentes posibilidades que existen para la implementación y determinar cuál de ellas se adapta mejor a las necesidades. Las tres posibilidades estudiadas fueron las siguientes: El circuito integrado ICL8038 de Harris Semiconductor El circuito integrado MAX038 de Maxim El uso de componentes discretos Los circuitos integrados fueron evaluados usando los siguientes criterios por orden de importancia: ancho de banda, coste, número de componentes y simplicidad de uso. En la Tabla 6-1 se puede ver un estudio comparativo de las tres posibilidades estudiadas. Nombre Ancho de Coste estimado Banda ICL8038 Hasta 100 KHz Número de Simplicidad de componentes uso 20 7 10 € potenciómetros necesitan ajuste MAX038 Hasta 20MHz 20€ 45 5 potenciómetros necesitan ajuste Componentes Hasta 100 KHz 25 € discretos 70 Se necesitan ajustar tanto capacidades como potenciómetros Tabla 6-1: Tabla comparativa entre las diferentes opciones para la implementación del generador de ondas El diseño con componentes discretos fue rechazado, por su elevado coste y la dificultad de diseño. Finalmente de decidió utilizar el ICL8038 por la capacidad de obtener formas de ondas a frecuencias muy bajas (< 100 Hz), frente al MAX038, que tiene un mayor ancho de banda, pero peor respuesta a baja frecuencia. 6.1 DESCRIPCIÓN DEL GENERADOR DE ONDAS El generador de ondas diseñado (véase Figura 6-1) está basado en el circuito integrado ICL8038 de Harris Semiconductor (EE.UU.). Las características técnicas de este integrado pueden consultarse en el Anexo I, de este documento. Figura 6-1: Módulo de estimulación El generador de ondas presenta unas características de funcionamiento un tanto particulares además de las generales que presenta cualquier generador de onda comercial. Éstas particularidades permiten controlar parte del funcionamiento del generador desde el PC usando la tarjeta de adquisición DT302. El ICL8038 es un circuito integrado que genera cinco tipos diferentes de formas de ondas: cuadradas a través del pin9 (“square wave out”) (véase Figura 6-3), pulsos a través del pin 9 (“square wave out”) (véase Figura 6-4), sinusoidales a través del pin 2(“sine wave out”) (véase Figura 6-5), triangulares a través del pin 3(“triangle wave out”) (véase Figura 6-6), y rampas a través del pin 3 (“triangle wave out”) (véase Figura 6-7), con baja distorisión (<1%) y alta linealidad (0.1%). En la Figura 6-2 se muestra la descripción de los pines del ICL8038. Figura 6-2: Descripción de los pines del ICL8038 Figura 6-3: Forma de onda cuadrada generada por el módulo de estimulación Figura 6-5: Forma de onda senoidal generada por el módulo de estimulación Figura 6-4: Forma de onda pulso generada por el módulo de estimulación Figura 6-6: Forma de onda triangular generada por le módulo de estimulación Figura 6-7: Forma de onda rampa generada por el módulo de estimulación Los pulsos y las rampas poseen “duty cicle” variable a través de los pines 4-5(“duty cycle frecuency adjust”) (véase Figura 6-2) . El rango de variación del “duty cicle” comprende 1%-50% del periodo de la señal y se selecciona mediante un potenciómetro en el panel exterior. Para que las señales generadas tengan el menor nivel de distorsión que proporciona el ICL8038, se dispone de una serie de potenciómetros de ajuste para las señales senoidales que actúan sobre los pines 1 y 12 (“sine wave adjust”) del ICL8038. La amplitud de las señales que genera el ICL8038 es fija para cada tipo de señal. Para poder variar esta amplitud se ha implementado una etapa de ganancia variable, de esta manera podemos seleccionar la amplitud de la señal desde el panel exterior a través de un potenciómetro. Además se ha implementado un atenuador de 20 dB para poder obtener señales de baja amplitud. Para ello se dispone de un interruptor en el panel exterior. En algunas aplicaciones es interesante seleccionar el nivel de DC de las formas de ondas generadas. El diseño implementa también esta posibilidad generando un nivel de DC y sumándoselo a la señal con la amplitud seleccionado por el usuario (ver figura 6-8). Mediante un interruptor en el panel exterior, el usuario decide si incluir offset en la señal generada y el offset se selecciona mediante un potenciómetro en el panel exterior. El rango de variación del offset es de –1V a 1V. +12V C11 0.1UF R34 OFFSET 10K 2 3 1 C9 2 7 1 3 R28 500R + 6 - 3 1 OFFSET ON-OFF 2 LF356 0.1UF 4 5 R29 500R U2 -12V C10 0.1UF Figura 6-8 : Esquemático de la generación de offset También existe la posibilidad de invertir la señal de salida. Ésta opción se implementó después de la construcción del generador, de ahí que tenga un esquemático y un layout independiente. La frecuencia de la señal de salida puede seleccionarse controlando el potencial aplicado en el pin 8 (“FM sep input”) del ICL8038 (véase Figura 6-2). Se ha diseñado dos modos de funcionamiento para seleccionar el voltaje aplicado a dicho pin: manualmente o externamente. Manualmente, el usuario selecciona un rango de frecuencia a través de un interruptor giratorio en el panel externo que actúa sobre el pin 10( “timming capacitor”) del ICL8038, y dentro de ese rango de frecuencias selecciona la frecuencia deseada a través de un potenciómetro situado también en el panel externo. Los rangos de frecuencia que se abarcan desde el potenciómetro manual aparecen en la Tabla 6-2. En esta tabla las posiciones 1º-7º corresponden a distintas marcas orientativas situadas en el panel exterior. Posición X100 x1K x10K x100K 1º 5.57 (Hz) 66.89(Hz) 671.14(Hz) 6250 2º 18.94(Hz) 195.70(Hz) 1980.20(Hz) X 3º 35.59(Hz) 378.79(Hz) 3703.70(Hz) X 4º 53.05(Hz) 571.43(Hz) 5555.56(Hz) X 5º 74.07(Hz) 757.58(Hz) 7692.31(Hz) X 6º 87.34(Hz) 900.90(Hz) 9523.81(Hz) X 7º 107.07(Hz) 1123.60(Hz) 11111.11(Hz) X Tabla 6-2: Frecuencias de salida de las formas de ondas generadas en el módulo de estimulación para los diferentes rangos de funcionamiento Externamente el usuario dispone en el panel exterior de un conector BNC. La frecuencia de la señal de salida dependerá del voltaje que introduzcamos a través de este conector y que llega al pin 8 del ICL8038. El rango de voltaje debe ser seleccionado, en todo caso, manualmente. Esta funcionalidad permite controlar la frecuencia de salida a través del PC usando la tarjeta de adquisición de datos y uno de los canales analógicos de salida que posee. Para determinar la ecuación que relaciona el voltaje en este conector y la frecuencia de salida de la señal se han realizado una serie de experimentos y se ha concluido en que se trata de una ecuación lineal. Para determinar los coeficientes de esta ecuación se han realizado unas rectas de regresión para cada rango. Los resultados de estos experimentos se presentan en el Anexo III y las ecuaciones lineales resultantes se muestran en la Tabla 6-3: 100Hz Vpin8 = 11.3150863 - 0.02641687*F 1KHz Vpin8 = 11.3403647 - 0.00264259*F 10KHz Vpin8 = 11.3217024 - 0.00026294*F 100KHz Vpin8 = 11.3974355 - (3.0364e-5) * F Tabla 6-3: Ecuaciones lineales que permiten calcular el voltaje a aplicar en el pin8 dada la frecuencia deseada de la onda El ICL8038 genera la forma de onda siempre que tenga alimentación. Para decidir nosotros el momento de inicio de la onda hemos implementado un trigger externo con señal de control TTL (véase Figura 6-9). Este trigger se puede controlar, por ejemplo, con una de las salidas digitales de la tarjeta de adquisición. +12V R9 4K7 J1 2 TRIG R1 1 2 1K D2 3 Q1 1 2N3904 1N914 Figura 6-9: Esquemático del trigger externo Para alimentar todo el circuito se dispone de una fuente de alimentación lineal y encapsulada de 5W que proporciona +12V,0,-12V. Ésta fuente se suelda directamente al PCB y se muestra en la figura 6-10. Figura 6-10: Fuente de alimentación lineal y encapsulada utilizada para alimentar el módulo de estimulación El ICL8038 se alimenta con +12V (pin 6) y con –12V (pin 11). En el panel exterior del generador se proporciona conexión a éstas tensiones y a la tierra GND a través de conectores bananas, para poder alimentar otros circuitos de consumo pequeño. La conmutación de la alimentación se realiza a través de un interruptor en el panel posterior. Éste interruptor posee un indicador luminoso cuando el circuito está alimentado. 6.2 IMPLEMENTACIÓN DEL SISTEMA DISEÑADO. ESQUEMÁTICOS Y TRAZADO DE PISTAS. Para el diseño del generador de ondas se ha usado también el programa ORCAD. Para los esquemáticos he utilizado el ORCAD Capture y para el layout el ORCAD Layout. Para el diseño del trazado de las pistas se ha optado por usar una placa de una sola cara negativa. El proceso de revelado y taladrado lo he realizado en los laboratorios del Departamento de Electrónica en la Escuela de Ingenieros. Para la soldadura de los circuito integrados, se ha usado unos zócalos para permitir una fácil sustitución de este tipo de componentes en caso de fallo. Así mismo para la conexión de los cables procedentes del panel exterior a la placa he usado unos conectores roscados. Los amplificadores operacionales utilizados en todas las etapas son LF356N. La placa resultante junto con la fuente de alimentación se han montado sobre una caja de aluminio de dimensiones 304.8 mm x279.4 mm x88.1 mm, tal como puede apreciarse en la Figura 6-11. Figura 6-11: Montaje del generador en la caja de instrumentación 6.2.1 DESCRIPCIÓN DEL PANEL FRONTAL El diseño del panel exterior se ha diseñado para que un usuario moderadamente experimentado pueda identificar fácilmente las diferentes opciones operativas y de control del amplificador. En la Figura 6-12 se muestra un esquema del panel de control. A continuación se explican los diferentes elementos del panel de control: Control de frecuencia manual-externo: es el interruptor que selecciona el origen del voltaje que se aplica en el pin 8 del ICL8038 del que depende la frecuencia de la señal de onda generada. Frecuencia: es un conector BNC por el que se introduce el voltaje a aplicar en el pin 8 del ICL8038 cuando estamos funcionando con control de frecuencia externo Trigger: es un conector BNC por el que se introduce la señal TTL para controlar el inicio de la generación de la forma de onda. Rango de frecuencia: es el selector de los distintos rangos de frecuencia. Los rangos disponibles son: x10 Hz x100 Hz x1KHz x10KHz x100 KHz Ajuste de frecuencia: es el potenciómetro que selecciona la frecuencia cuando se funciona en modo control de frecuencia manual. Amplitud: es el potenciómetro que varía la amplitud de la forma de onda generada Forma de onda: es el selector de la forma de onda que se quiere generar. Hay cinco formas de ondas disponibles: seno cuadrada triangular pulso rampa Atenuación 0dB -20dB: es el interruptor que selecciona si atenuar la señal de salida 20 dB o no. Duty cycle: es el potenciómetro que selecciona el duty cycle que se quiere aplicar a la señal de salida rampa y pulso. El rango de selección varía entre el 1% y el 50%. Salida: es un conector BNc por el que se accede a la señal generada. Offset On-Off: es un interruptor para seleccionar si se quiere sumar un nivel de DC a la forma de onda generada por el ICL8038. Control Offset: es un potenciómetro que selecciona el nivel de Dc que se va a sumar a la onda generada, siempre que el interruptor anterior esté en On. Inversión On-Off: es el interruptor para seleccionar si se quiere invertir o no la señal de salida. +12V, GND, -12 V: son conectores banana jack que permiten el acceso a las señales de alimentación. 88.1 mm 279.4 mm Figura 6-12: Panel frontal del módulo de estimulación 6.2.2 ESQUEMÁTICOS Y TRAZADOS DE PISTA A continuación se muestran los esquemáticos y el layout del diseño implementado. Se muestran dos esquemáticos junto con sus dos layout de manera independiente, porque tal como se explicó anteriormente, la etapa inversora se realizó posteriormente al diseño del generador de funciones. La integración de esta etapa fue posible gracias a que existía espacio suficiente dentro de la caja de instrumentación del generador de ondas. El layout resultante para el proceso de isolación de la placa se presenta en papel transparente, así como la localización de los componentes en el diseño. J3 FREQ 1 SW6 3 1 FREQ MANUAL-AUTO 2 2 +12V R2 SIN ADJ 100K 2 C2 0.1UF R1 1 TRIG R6 22K R9 4K7 3K3 2 2 D3 4 5 10 6 11 R8 10K R21 SWADJ SWADJ SWOUT DCFADJ DCFADJ TOUT SWOUT FMBIAS FMSIN 13 4 5 6 R24 4K7 SW4 12 11 10 14 9 8 7 R26 4K7 2 3 R25 3K9 R19 10K 3 R16 10R R27 AMPLITUDE 10K 2 9 R22 1K2 J5 R23 TC R30 680R V+ V-/GND 820R 1 2 3 4 5 ALIMENTACION AC FUENTE DE ALIMENTACION J7 C11 0.1UF 1 2 3 3 2 R13 5K 1 R14 5K 1 R15 5K 3 2 1 10 11 12 C4 0.0047UF R29 500R C5 0.047UF 2 7 1 U2 6 - 3 OFFSET ON-OFF 2 1 LF356 0.1UF 2 U3 + 1 6 BNC R33 1K - J2 LF356 10K R31 R32 10K C6 0.47UF C7 4.7UF FREQ RANGE 3 4 5 7 8 9 + +-12V-0V 2 C9 SW2 1 14 6 5 4 OFFSET 10K 2 3 13 3 1 2 3 R11 5K 1 R12 2 3 C3 470PF 1 2 3 R34 4 5 -12V C8 100UF 7 1 3 R28 500R 1 2 J4 ICL8038 +12V 1N914 2 D2 1 12 7 8 1N914 3 Q1 1 2N3904 2 1 R10 3 1K 1K (SYM) 3 2 SIN ADJ 100K FREQ 5K 3 U1 3 1 2 R17 12M 1 2 3 DUTY CICLE 10K D1 1N914 1K3 J1 1 1 R7 R20 1 C1 100UF 2K7 3 1 R18 2 WAVEFORM SELECT 10R R35 1K SW8 3 1 2 GANANCIA MAX-MIN -12V C10 0.1UF Title Size A Date: GENERADOR DE FUNCIONES Document Number Monday, November 20, 2000 Rev Sheet 1 of 1 J1 4 3 2 1 R1 1K CON4 R2 4 5 2K 2 3 LF356 6 SW1 3 J2 2 1 1 2 7 1 3 + 1 - 2 U1 SW MAG-SPDT Title Size A Date: CON2 INVERSOR DE GENERADOR DE FUNCIONES Document Number Tuesday, September 10, 2002 Rev Sheet 1 of 1 6.2.3 PROGRAMACIÓN EN HPVEE Para controlar la frecuencia en modo externo se ha diseñado un programa en HPVEE. Este programa es completamente independiente del programa de adquisición diseñado para amperometría, pudiéndose ejecutar conjuntamente si es necesario. El programa comienza con la configuración del canal analógico de salida. El usuario introduce la frecuencia de la onda que necesita y entonces el programa calcula el rango al que pertenece ese dato. Aplicando la ecuación lineal correspondiente a ese rango se obtiene directamente el voltaje que es necesario aplicar y entonces sólo tenemos que sacar ese voltaje por la salida analógica que hayamos configurado. El programa comienza su ejecución cuando el usuario introduce el valor de la frecuencia deseada y finaliza cuando el usuario activa el botón ‘Stop’ que aparece en la barra de herramientas del HPVEE. 6.2.3.1 DIAGRAMA DE FLUJO En la Figura 6-13 se muestra el diagrama de flujo sobre el que se baja el programa diseñado. INICIO Configuración del canal analógico de salida Frecuencia de la onda Rango = 100 Hz SI Calcular voltaje para rango 100 Hz SI Calcular voltaje para rango 1KHz NO Rango = 1KHz NO Rango = 10KHz SI Calcular voltaje para rango 10KHz NO Calcular voltaje para rango 100KHz Generación del voltaje FIN Figura 6-13: Diagrama de flujo del programa generador.vee A continuación se describe detalladamente los objetos utilizados en la programación para cada una de las fases que aparecen en el diagrama de flujo. CONFIGURACIÓN DEL CANAL ANALÓGICO DE SALIDA La configuración de los canales de salida se realiza con el objeto ‘D/A Config’, de características similares al ya conocido ‘A/D Config’. Figura 6-14: Cuadro de diálogo del objeto ‘D/A Config’ FRECUENCIA DE LA ONDA Para calcular el voltaje hay que introducir la frecuencia deseada. Para ello se utiliza el objeto ‘Real Slider’ (véase Figura 6-15). Éste objeto está activo desde el inicio del programa a través de un objeto ‘Until Break’ de manera que cuando el usuario introduce la frecuencia deseada el programa comienza automáticamente su ejecución. Figura 6-15: Objeto ‘Real Slider’ También se dispone de un objeto ‘Meter’ (véase Figura 6-16) como visualización alternativa de la frecuencia seleccionada. Figura 6-16: Objeto ‘Meter’ RANGO DE LA FRECUENCIA Una vez que el usuario introduce la frecuencia deseada, el programa calcula el rango de frecuencias al que pertenece, para aplicarle una la ecuación correcta. Ésta decisión se realiza con el objeto ‘If/Then/Else’ (véase Figura 6-17). Figura 6-17: Objeto ‘If/Then/Else’ CÁLCULO DEL VOLTAJE Hay un objeto ‘If/Then/Else’ por cada rango de frecuencia. El objeto ‘If/Then/Else’ que cumpla que la frecuencia se encuentra en su rango activará el cálculo de la ecuación correspondiente. El cálculo se realiza con un objeto ‘Formula’ (véase Figura 6-18). Figura 6-18: Objeto ‘Formula’ GENERACIÓN DEL VOLTAJE Para sacar el dato a través de la salida se usa un objeto ‘Put Single Value’ (véase Figura 6-19). Figura 6-19: Objeto ‘Put Single Value’ A este objeto se le especifica el canal por donde generar el voltaje (por defecto se usa el canal 0) y el valor del voltaje que se quiere sacar. Este valor procede de los objetos ‘Formula’ y hay un objeto ‘Formula’ por cada rango. Dado que sólo se activa uno de estos objetos durante la ejecución del programa, se usa el objeto ‘Junction’ (véase figura 6-20) para hacer llegar al objeto ‘Put Single Value’ un solo dato. Figura 6-20: Objeto ‘Junction’ 6.2.3.2 PROGRAMA DE ADQUISICIÓN El programa diseñado se llama Generador.vee y consta de dos paneles. En el primero de ellos se detalla el flujo de datos y de control y se visualiza las conexiones entre los diversos objetos (véase Figura 6-21). Es por lo tanto un panel de uso exclusivo del programador. En este panel se encuentran las conexiones de todos los objetos anteriormente explicados. El panel de programador es el siguiente: Figura 6-21: Panel de programador de Generador.vee El segundo de ellos es el panel de usuario (véase Figura 6-22) donde aparece el selector de frecuencia y a título informativo la señal de voltaje que hay que aplicar. Figura 6-22: Panel de usuario de Generador.vee 7. CONFIGURACIONES DE FUNCIONAMIENTO En este capítulo se describen las diferentes configuraciones que se pueden realizar con los módulos electrónicos diseñados y construidos para el presente proyecto Fin de Carrera. Éstas diferentes configuraciones cubren un amplio espectro de posibilidades en la experimentación electrofisiológica y comprenden tanto los módulos diseñados y construidos para el presente Proyecto Fin de Carrera, como otros sistemas comerciales (por ejemplo el amplificador de “patch-clamp”). Las diferentes configuraciones con sus respectivos usos son: (a) Configuración integrada. Uso para el estudio fisiólogico y molecular de células excitables secretoras de neurotransmisores oxidables (por ejemplo células cromafines de la médula adrenal, células tumorales PC12 o neuronas dopaminérgicas). En este caso el estimulador puede controlarse desde la tarjeta para generar pulsos despolarizantes a través de un amplificador de “patch-clamp” sincronizados por la tarjeta con el registro de señales electroquímica desde el amperómetro. (b) Configuración simple 1. Uso para el estudio fisiológico y molecular de células no excitables secretoras de neurotransmisores excitables (por ejemplo células cebadas de ratón y células de la línea tumoral “rat basophilic leukaemic cells” RBL-2H3). En este caso la estimulación puede hacerse mediante sustancias químicas aplicadas extracelularmente y no es necesario el módulo estimulador. Las señales se registran con el amperómetro y se adquieren con la tarjeta. (c) Configuración simple 2. Uso para el estudio fisiológico y molecular de células excitables secretoras de neurotransmisores no oxidables (por ejemplo las neuronas de hipocampo de ratón). La liberación de neurotransmisor se monitoriza a través de las corrientes postsinápticas. El generador se utiliza para estimular a través de un amplificador de “patch-clamp” que registra las corrientes que se adquieren sincronizadamente a través de la tarjeta. Los módulos diseñados en este Proyecto Fin de Carrera pueden también utilizarse independientemente. El estimulador y el amperómetro se pueden utilizar de forma flexible integrados en otros sistemas de adquisición d datos diferentes al de este proyecto. Por otra parte la tarjeta y el programa de adquisición y control se pueden utilizar para otras tareas dentro o fuera del laboratorio de electrofisiología. En particular, se podrá utilizar en el futuro para controlar un sistema de cierre y apertura de electroválvulas y el movimiento de un brazo mecánico para administrar diversos tipos de fármacos y evaluar su acción sobre la liberación de neurotransmisores en células aisladas. ÍNDICE 1. INTRODUCCIÓN................................................................................ 1 1.1 COMUNICACIÓN NEURONAL Y LIBERACIÓN DE NEUROTRANSMISORES EN LA SINAPSIS ........................................................... 1 1.2 VESÍCULAS SINÁPTICAS: MICROMÁQUINAS MOLECULARES PARA ALMACENAR Y LIBERAR NEUROTRANSMISORES.......................................... 4 1.3 CUANTIFICACIÓN DE LA LIBERACIÓN DE NEUROTRANSMISORES7 1.3.1 DETECCIÓN ELECTROQUÍMICA ....................................................... 8 1.3.1.1 PRINCIPIOS DE LA DETECCIÓN ELECTROQUÍMICA ............... 9 1.3.2 OTROS MÉTODOS EMPLEADOS EN EL ESTUDIO DE LA LIBERACIÓN DE NEUROTRANSMISOR ......................................................... 18 2 OBJETIVOS ....................................................................................... 20 3 DISPOSITIVO EXPERIMENTAL .................................................. 22 3.1 DESCRIPCION DE LOS ELEMENTOS DEL DISPOSITIVO EXPERIMENTAL ..................................................................................................... 23 3.2 DETALLE DESCRIPTIVO DE LOS ADAPTADORES MECÁNICOS ..... 27 4 DISEÑO Y CONSTRUCCIÓN DE UN AMPLIFICADOR DE SEÑALES AMPEROMÉTRICAS .......................................................... 32 4.1 DESCRIPCIÓN DEL AMPLIFICADOR DE AMPEROMETRÍA............... 32 4.1.1 CONVERTIDOR CORRIENTE-VOLTAJE ......................................... 34 4.1.2 ESTIMULACIÓN .................................................................................. 37 4.1.3 RESTADOR ........................................................................................... 38 4.1.4 CORRECCIÓN DEL OFFSET .............................................................. 39 4.1.5 GANANCIA........................................................................................... 39 4.1.6 FILTRADO ............................................................................................ 41 PROCEDIMIENTO DE DISEÑO ..................................................................... 41 4.1.7 ALIMENTACIÓN ................................................................................. 48 4.2 IMPLEMENTACIÓN DEL SISTEMA DISEÑADO. ESQUEMÁTICOS Y TRAZADO DE PISTAS. ........................................................................................... 49 4.2.1 DESCRIPCIÓN DEL PANEL FRONTAL............................................ 51 4.2.2 ESQUEMÁTICOS Y TRAZADO DE PISTAS..................................... 54 4.3 ANÁLISIS DEL RUIDO ............................................................................... 64 4.3.1 RUIDO EN LAS MEDIDAS ELECTROFISIOLÓGICAS ................... 64 4.3.2 FUENTES DE RUIDO EN EL AMPLIFICADOR DE AMPEROMETRÍA ................................................................................................ 71 4.4 VALIDACIÓN DEL AMPLIFICADOR DE AMPEROMETRÍA ................ 72 5 DISEÑO Y CONSTRUCCIÓN DE UN SISTEMA DE ADQUISICIÓN DE SEÑALES AMPEROMÉTRICAS....................... 76 5.1 CARACTERÍSTICAS DEL SISTEMA......................................................... 76 5.2 IMPLEMENTACIÓN HARDWARE DEL SISTEMA DE ADQUISICIÓN 77 5.3 IMPLEMENTACIÓN SOFTWARE DEL SISTEMA DE ADQUISICIÓN . 79 5.3.1 DESCRIPCIÓN DEL HPVEE ............................................................... 79 5.3.2 PROGRAMACIÓN EN HPVEE ........................................................... 80 5.3.2.1 DIAGRAMA DE FLUJO................................................................... 81 5.3.2.2 PROGRAMA DE ADQUISICIÓN .................................................... 89 6 DISEÑO Y CONSTRUCCIÓN DE UN MÓDULO DE ESTIMULACIÓN ..................................................................................... 92 6.1 DESCRIPCIÓN DEL GENERADOR DE ONDAS ...................................... 94 6.2 IMPLEMENTACIÓN DEL SISTEMA DISEÑADO. ESQUEMÁTICOS Y TRAZADO DE PISTAS. ......................................................................................... 100 6.2.1 DESCRIPCIÓN DEL PANEL FRONTAL.......................................... 101 6.2.2 ESQUEMÁTICOS Y TRAZADOS DE PISTA................................... 105 6.2.3 PROGRAMACIÓN EN HPVEE ......................................................... 111 6.2.3.1 DIAGRAMA DE FLUJO................................................................. 111 6.2.3.2 PROGRAMA DE ADQUISICIÓN .................................................. 115 7 CONFIGURACIONES DE FUNCIONAMIENTO ....................117 BIBLIOGRAFÍA .................................................................................119 ANEXO I HOJAS DE DATOS TÉCNICOS DE LOS DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS ................................................... I-1 I-01 I-02 I-03 I-04 AMPLIFICADOR OPERACIONAL LF356N ................................................I-2 AMPLIFICADOR OPERACIONAL OPA111AM ......................................I-25 GENERADOR DE ONDAS ICL8038 ...........................................................I-39 RESISTENCIA DE 1 G Ω ................................................................................I-61 ANEXO II DATOS TÉCNICOS DE LOS COMPONENTES DEL SISTEMA DE EXPERIMENTACIÓN .............................................. II-1 II-01 TARJETA DE ADQUISICIÓN DT302 .................................................... ...II-2 II-02 MICROSCOPIO AXIOVERT 200 ..........................................................….II-13 II-03 SISTEMA DE CONTROL PIEZOELÉCTRICO SERIE PXY PIEZOSYSTEM JENA ...............................................................................................II-23 II-04 MICROMANIPULADOR DE PRECISIÓN SERIE UMR ................ ...II-29 II-05 MESA NEUMÁTICA ANTIVIBRATORIA 65-300 ...................................II-39 ANEXO III TEST DE FUNCIONAMIENTO DEL GENERADOR DE ONDAS ......................................................................................... III-1 III-01 HOJAS DE DATOS Y RESULTADO DE LA REGRESIÓN ..............III-2 III-02 RESUMEN DATOS REGRESIÓN PARA RANGO 100 Hz .................III-3 III-03 RESUMEN DATOS REGRESIÓN PARA RANGO 1 kHz .................III-4 III-04 RESUMEN DATOS REGRESIÓN PARA RANGO 10 kHz ...............III-5 III-05 RESUMEN DATOS REGRESIÓN PARA RANGO 100k Hz .............III-6 ANEXO IV BLOQUES BÁSICOS DE DISEÑO CON AMPLIFICADORES OPERACIONALES ...................................... IV-1 IV-01 CONVERSOR CORRIENTE-VOLTAJE ..................................................IV-2 IV-02 SEGUIDOR DE TENSIÓN..........................................................................IV-3 IV-03 INVERSOR........................................................................................................IV-3 IV-04 SUMADOR INVERSOR ...............................................................................IV-4 IV-05 RESTADOR ......................................................................................................IV-5 IV-06 GENERADOR DE NIVEL DE CONTÍNUA ..........................................IV-6