Febrero Pt.1

Universidad de Navarra
Nafarroako Unibertsitatea
Escuela Superior de Ingenieros
Ingeniarien Goi Mailako Eskola
ASIGNATURA
GAIA
FÍSICA-1 - PARTE 1
CURSO KURTSOA: 1º
NOMBRE
IZENA
GIULIA FRANCHI
FECHA DATA 18/3/2005
CUESTIONARIO (3 puntos): RESPONDER EN EL INTERIOR DE LAS CASILLAS
APROPIADAS
Señalar en cada frase si es verdadera o falsa. Cada casilla correctamente respondida suma 0.1 puntos,
mientras que cada fallo resta 0.1 puntos. En caso de no saber se recomienda no responder.
1) En un transistor de empobrecimiento de tipo NMOSFET
V
F
V
F
La tensión umbral (VTH) es negativa
El transistor entra en región saturación cuando la tensión VGS es mayor que cero
La corriente del terminal de puerta aumenta cuando crece VDS
Existe un canal N entre Drenaje y Fuente sin que se aplique ninguna tensión al componente
En la región de saturación VDS es prácticamente igual a cero
2) En un transistor bipolar, el efecto Early…
… provoca que la corriente de base sea muy inferior a la de colector
… se produce porque la base es muy estrecha
… se produce porque la base está muy poco dopada
… da lugar a un leve aumento de IC conforme aumenta VCE
… destruye el transistor
3) En un transistor bipolar de tipo NPN, cuando se polariza en región activa normal:
V
F
V
F
V
F
La base inyecta huecos en el colector, que dan lugar a la corriente de colector
La corriente de colector es β veces inferior a la de base
La diferencia de tensión entre colector y emisor es prácticamente nula
La diferencia de tensión entre el base y el colector ha de ser menor que 0.7
La corriente IC se controla fundamentalmente a través de la corriente de base
4) Cuando un diodo de unión PN se polariza en inversa:
La corriente que aparece es prácticamente nula
Se puede producir la ruptura por avalancha si se aumenta dicha polarización
Los electrones y los huecos se ven “empujados” hacia la unión, pero no logran superar la barrera de
potencial: por ello la corriente es nula
La anchura de la zona de depleción aumenta conforme se aplica una mayor tensión inversa
Se inunda la zona de depleción con cargas móviles
5) En el circuito de la figura:
R1 = 10 k
VIN
VZ = 20 V
RL = 10 k
VOUT
La tensión VOUT será de 20 V cuando la tensión VIN sea superior a 20 V
Para que el diodo entre en conducción zener, VIN ha de ser mayor que -20 V
Cuando el diodo zener esté en conducción inversa, la corriente en RL será 2 mA
Si VIN vale 30 V, la corriente que atraviesa la resistencia R1 será 10 mA
Para obtener una corriente constante de 2 mA en la carga, la tensión de entrada ha de ser mayor
que 40 V
6) A la vista del puente rectificador de la figura:
A
D1
Vi = VMsen t
D2
C
B
D4
D3
RL
D
V
En los semiciclos positivos los diodos D2 y D4 se encuentran en conducción, mientras que D1 y D3
están en corte
Para reducir el rizado puede colocarse un condensador entre los puntos A y D del circuito
Si el valor de VM es 10 V, en RL puede aparecer una tensión máxima de 8.6 V
El PIV de los diodos ha de ser superior a 20 V
Si RL es 1 k y VM 10 V, la corriente máxima que soportará D2 será 8.6 mA
F
EJERCICIO 1 (2 puntos)
Calcular y dibujar el circuito equivalente Thevenin para un componente cualquiera (representado por un
rectángulo) que estuviese situado entre los puntos A y B del siguiente circuito.
+
2K
3K
4V
A
B
+
1mA
1K
5V
2mA
1K