Departamento de Electricidad y Electrónica - DEE Identificación: Sistemas Digitales 1 – 7to. Semestre. Autor/es: Ing. Luis Oriber Ribeiro Sosa Departamento de Electricidad y Electrónica Facultad Politécnica Universidad Nacional de Asunción Guía de Trabajo Ejercicios Identificación Asignatura: Sistemas Digitales 1 Curso: 7tmo. Semestre Objetivo (s) 1. Comprobar los conocimientos que posee el estudiante sobre los temas desarrollados. 2. Reconocer el grado de aprendizaje con relación a los temas planteados. Actividad 3. Responde sobre el tema de Memorias semiconductoras; a. Cita una diferencia esencial entre una celda RAM estática y una celda RAM dinámica? b. Cuál es la razón principal para utilizar memoria cache? c. Que bus usa el microprocesador para seleccionar una posición de memoria. ___________________ d. Que bus se usa para transportar datos de la memoria al microprocesador durante una operación de lectura. ___________________ e. Cuál es la fuente de datos en el bus de datos durante una operación de escritura. __________________ f. Cuantas posiciones de memoria pueden direccionar 14 bits de líneas del bus de dirección? g. Cuantas entradas y salidas de datos se requieren para una memoria de 16K x 12 _____________ 4. Verdadero (V) o Falso (F) ( ) Una memoria volátil perderá sus datos almacenados cuando se interrumpa la energía eléctrica. ( ) Una memoria dinámica mantendrá sus datos almacenados siempre y cuando se aplique energía eléctrica. ( ) Todas las memorias ROM son no volátiles. ( ) El usuario puede programar una Mask ROM. ( ) Una PROM almacena un “1” lógico o un “0” lógico cuando su enlace de fusible está intacto. 1 Departamento de Electricidad y Electrónica Facultad Politécnica Universidad Nacional de Asunción 5. Define brevemente; a. Lenguaje de máquina b. Lenguajes de alto nivel 6. Completa los espacios en blanco; a. Una memoria tiene una capacidad de 8K x 16 o Cuantos bits hay en cada palabra? ___________________ o Cuantas palabras se pueden almacenar? ___________________ o Cuantas celdas de memoria contiene esta memoria? ___________________ b. Completa los espacios en blanco en el siguiente esquema básico de una unidad de memoria BUS DE DATOS, IN/OUT Indica: 1. 2. Cantidad de bits en el bus ______ Cantidad posible de bits almacenados ____________ FF FF h BUS DE DIRECCIONES CHIP SELECT, CS' MEMORIA ESCRITURA (WRITE) / LECTURA (READ) 00 00 h Indica: 1. Cantidad de bits en el bus ______ 2. Cantidad de posiciones de memoria _______ c. Para cada uno de los siguientes puntos, indica el tipo de memoria que se describe: MROM, PROM, UVEPROM, EEPROM. Algunos corresponderán a más de un tipo de memoria. El usuario la programar, pero no se puede borrar El fabricante es quien la programa Es volátil Se puede borrar y reprogramar una y otra vez Se borra con luz uv Se borra eléctricamente Usa enlaces de fusible No se tiene que remover del sistema para ser borrada y reprogramada 2
