Departamento de Electricidad y
Electrónica - DEE
Identificación: Sistemas Digitales 1 – 7to.
Semestre.
Autor/es: Ing. Luis Oriber Ribeiro Sosa
Departamento de Electricidad y Electrónica
Facultad Politécnica
Universidad Nacional de Asunción
Guía de Trabajo
Ejercicios
Identificación
Asignatura:
Sistemas Digitales 1
Curso:
7tmo. Semestre
Objetivo (s)
1.
Comprobar los conocimientos que posee el estudiante sobre los temas desarrollados.
2.
Reconocer el grado de aprendizaje con relación a los temas planteados.
Actividad
3.
Responde sobre el tema de Memorias semiconductoras;
a. Cita una diferencia esencial entre una celda RAM estática y una celda RAM dinámica?
b. Cuál es la razón principal para utilizar memoria cache?
c. Que bus usa el microprocesador para seleccionar una posición de memoria.
___________________
d. Que bus se usa para transportar datos de la memoria al microprocesador durante una
operación de lectura. ___________________
e. Cuál es la fuente de datos en el bus de datos durante una operación de escritura.
__________________
f. Cuantas posiciones de memoria pueden direccionar 14 bits de líneas del bus de dirección?
g. Cuantas entradas y salidas de datos se requieren para una memoria de 16K x 12
_____________
4. Verdadero (V) o Falso (F)
( ) Una memoria volátil perderá sus datos almacenados cuando se interrumpa la energía
eléctrica.
( ) Una memoria dinámica mantendrá sus datos almacenados siempre y cuando se
aplique energía eléctrica.
( ) Todas las memorias ROM son no volátiles.
( ) El usuario puede programar una Mask ROM.
( ) Una PROM almacena un “1” lógico o un “0” lógico cuando su enlace de fusible está
intacto.
1
Departamento de Electricidad y Electrónica
Facultad Politécnica
Universidad Nacional de Asunción
5.
Define brevemente;
a. Lenguaje de máquina
b. Lenguajes de alto nivel
6. Completa los espacios en blanco;
a. Una memoria tiene una capacidad de 8K x 16
o Cuantos bits hay en cada palabra?
___________________
o Cuantas palabras se pueden almacenar?
___________________
o Cuantas celdas de memoria contiene esta memoria? ___________________
b. Completa los espacios en blanco en el siguiente esquema básico de una unidad de
memoria
BUS DE
DATOS, IN/OUT
Indica:
1.
2.
Cantidad de bits en el bus ______
Cantidad posible de bits almacenados
____________
FF FF h
BUS DE
DIRECCIONES
CHIP SELECT, CS'
MEMORIA
ESCRITURA (WRITE) / LECTURA (READ)
00 00 h
Indica:
1.
Cantidad de bits en el bus ______
2.
Cantidad de posiciones de memoria _______
c. Para cada uno de los siguientes puntos, indica el tipo de memoria que se describe:
MROM, PROM, UVEPROM, EEPROM. Algunos corresponderán a más de un tipo de
memoria.
El usuario la programar, pero no se puede borrar
El fabricante es quien la programa
Es volátil
Se puede borrar y reprogramar una y otra vez
Se borra con luz uv
Se borra eléctricamente
Usa enlaces de fusible
No se tiene que remover del sistema para ser borrada y
reprogramada
2
0
