PVsyst V7.2.21 Módulo FV - JKM-555N-72HL4-BDV Fabricante Modelo Jinkosolar JKM-555N-72HL4-BDV Pnom Potencia STC (fabricante) 555 Wp Tamaño del módulo (ancho x largo) 1.134 x 2.278 m² Número de células 2 x 72 Datos comerciales Disponibilidad : Fuente de datos : Prod. desde 2022 Datasheets 2022 Tecnología Área áspera del módulo (Amódulo) Si-mono 2.58 m² Especificaciones para el modelo (fabricante o datos de medición) Temperatura de referencia (TRef) Voltaje de circuito abierto (Voc) Voltaje del punto de potencia máx. (Vmpp) => potencia máxima (Pmpp) 25 50.5 41.8 555.1 °C V V W Irradiancia de referencia (GRef) 1000 W/m² Corriente de cortocircuito (Isc) 14.07 A Corriente de punto de potencia máx. (Impp) 13.29 A Coef. de temp. Isc (muIsc) 6.5 mA/°C Parámetros de modelo de un diodo Resistencia derivación (Rderivación) Resistencia serie (Rserie) Coef. temp. Pmax especificado (muPMaxR) 300 Ω 0.22 Ω -0.30 %/°C Corriente saturación diodo (IoRef) 0.025 nA Coef. de temp. Voc (MuVoc) -125 mV/°C Factor de calidad diodo (Gamma) 1.01 Factor de diodo temper. coeff. (muGamma) 0.000 1/°C Parámetros de polarización inversa, para usar en el comportamiento del conjunto FV bajo sombreado parcial o desajuste Características inversas (oscuro) (BRev) Número de diodos de deivación por módulo 3.20 mA/V² 3 (factor cuadrático (por célula)) Voltaje directo de diodos de derivación -0.7 V Resultados del modelo para las condiciones estándar (STC: T=25 °C, G=1000 W/m², AM=1.5) Voltaje del punto de potencia máx. (Vmpp) Potencia máxima (Pmpp) Eficiencia(/ Área módulo) (Efic_mód.) 09/05/23 41.6 V 555.1 Wp 21.5 % Corriente de punto de potencia máx. (Impp) 13.36 A Coef. de temp. de potencia (muPmpp) -0.30 %/°C Factor de forma (FF) 0.782 PVsyst Licensed to Página 1/1