Transistor MRF137 ¿Qué es el transistor MRF137? Es un transistor de efecto de campo (FET), el cual mejora el N-Canal de RF que esta diseñado especialmente para aplicaciones de amplificadores de potencia VHF. Figura 1. Diagrama del transistor MRF137 ¿Cuál es su control de ganancia? Su potencia del MRF137 puede ser controlada desde su valor nominal hasta cero (ganancia negativa) variando asi, el voltaje de la puerta de CC, lo cual esta característica facilita el diseño de sistemas manuales de control de ganancia, AGC/ALC y modulación. (observar figura 2.) Figura 2. Potencia de salida vs Voltaje de compuerta Características Rendimiento garantizado de 28 V, 150 MHz – con una potencia de salida de 30w, además de una ganancia mínima de 13dB y una eficiencia de 60%. Prueba al 100% de coincidencia de carga en todos los ángulos de fase con 30:1 VSWR (Relación de onda estacionaria de voltaje). Rendimiento típico de 400 MHz, 28 Vcc y la salida de 30W = ganancia de 7,7 dB. Caracterización de señales pequeñas y grandes Excelente estabilidad térmica, idealmente adecuada para operaciones de clase A. Figura de bajo ruido: 1,5 dB a 1, 0 A, 150 MHz Facilita el control manual de ganancia, ALC y técnicas de modulación. Especificaciones del transistor MRF137 Descripción: La línea RF MOSFET 30W, a 400MHz, 28v Frecuencia mínima (MHz): 5 Frecuencia máxima (MHz): 400 Voltaje de polarización (V): 28 Puchero (W): 30 Ganancia (dB): 13 Figura 4. Transistor MRF137 Eficiencia (%): 60 Tipo: TMOS Aplicaciones Son usados en amplificadores de RF para emisoras de radio
