Memorias EPROM Historia Las memorias EPROM, fueron diseñadas por el ingeniero Dov Frohman, en el momento en que crearon las memorias ROM, ya que tenían una volatilidad convencional entre ellas. La memoria EPROM, están formadas por unas celdas llamadas FAMOS (Floating Gate Avalanche-Injection Metal-Oxide Semiconductor), o también como unos «transistores de una puerta flotante», quienes se venden en pares para formar un solo juego que va cargando. Por lo tanto, estas memorias Eprom, se leen como FF en cada una de las celdas. ¿Qué es la memoria EPROM? La memoria Eprom (Erasable Programmable Read-Only Memory) es un programa, o un tipo de chip parecido a una memoria ROM, que sirve para cancelar su información. Otra característica, es que una EPROM programada contiene los datos durante diez o veinte años, también se pueden leer muchas veces, tienen diferentes tamaños y capacidades. EPROM CMOS de alto rendimiento de 262/144 bits (32K x 8) Descripción general El NM27C256 es una memoria de solo lectura programable eléctricamente de 256 K. Se fabrica con la última tecnología EPROM CMOS de National que le permite operar a velocidades tan rápidas como 120 ns de tiempo de acceso en todo el rango operativo. Su tiempo de acceso de 120 ns proporciona una operación de alta velocidad con alto rendimiento. Pin Layout Ejercicios: Determinar la capacidad de las memorias, de acuerdo a su DATASHEET (HOJA DE DATOS) Ejemplo: 27C256 Capacidad= Entradas x Salidas Entradas= 2n n= número de entradas Salidas=Q o D Capacidad= 2n x 8 Capacidad= 215 x 8= 262,144 Kbits 32 Kbytes ¿Qué datos vamos a meter y en dónde? Simulación del circuito
