Problemas de Electrónica Básica: Diodos y Transistores BJT

POLITÉCNICA
PROBLEMAS DE ELECTRÓNICA
BÁSICA
Verónica del Pozo Romano
EBAS
Ejercicios de clase
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TEMA 2: DIODOS DE UNIÓN
Ejercicio 1
Detenninar la corriente que circula por el diodo de la figura en los siguientes casos:
a) Se trata de un diodo ideal.
b) Se tiata de un diodo con V1 = O, 6 V
c) Se trata de un diodo con V1 = O, 6 V, R1 :::: lOQ
Datos: V == SV , R = lkD.
R
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V
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Ejercicio 2
Determinar las corrientes que circulan por los diodos Dl y D2 del circuito de la figura. Las
características de ambos diodos pueden aproximarse por tramos lineales.
Vr 1 = 0,2
Vr 2 = 0,6
R1 =100.
Datos: V= 50V R = lkQ
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Ejercicio 3
Determinar el estado de los cuatro diodos idénticos del siguiente circuito.
Datos:
V¡ = 8V VA = VE = lOV R¡ = 3kD. Rz = R3 = lkQ VT == O,
sv
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Calcular la función de transferencia v0 ( v1 ) de los siguientes circuitos.
Ejercicio 4
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Datos: R = lkQ
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Expresar en función de v1 para los casos v1 > O y v1 < O para los siguientes circuitos.
Ejercicio 5
Suponga que el diodo es ideal y que
l?i = JS . Representar la forma de onda de la salida
v 0 para una señal de entrada vi = 100 sen wt de baja frecuencia en ambos casos.
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TEMA 3: TRANSISTOR BILPOLAR BJT
Ejercicio 1
Determinar el estado de los transistores así como las corrientes de cada rama y las tensiones
de cada nudo en el siguiente circuito.
Datos: BJT npn:
BJT pnp:
VBEact
= O, 7 V
VCEsar
V EBact
= O, 7 V
VECsa/
= O, 2 V
/} = 100
= O, 2 V
/} =
100
+15 V
Rc 1
RB!
= 100 kil
Rs 2
= 50 kil
= 5 kD
RE2
= 2 kil
Rc2
= 2.7 kil
RE= 3 kil
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TEMA 5: CIRCUITOS AMPLIFICADORES BÁSICOS
Ejercicio 1
Calcular la impedancia de salida del siguiente circuito amplificador en emisor común:
Ycc
C=oo
Rg
~
+
~
C=oo
RL
(\}
Rz
RE2
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Ejercicio 2
Calcular la ímpedancia de salida del siguiente circuito amplificador en colector común:
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TEMA 6: CIRCUITOS INTEGRADOS
Ejercicio 1
Calcular la relación de rechazo al modo común (CMRR) del amplificador diferencial de la
figma. En pequeña señal la fuente de c01riente I es equivalente a una resistencia de valor
RE= 30kQ .
Datos:
Re = 20kQ
Rg
= 2kQ
1~ = 2k0.
JJ =4 00
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Problemas de
examen
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FEBRERO 2000
Ejercicio l. Suponiendo que los diodos de la Figura 1
Jn iguales e ideales salvo por tener una tensión umbral
igual a 0,6 V, indique su estado (ON/OFF) y el valor de
la tensión Va para los valores de Vi señalados en la
tabla. Desarrolle y explique cada caso y escriba los
resultados finales en la tabla.
Vi
D1
(V)
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ON
5
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+
+
Va (V)
D2
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(0,9 p.)
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(0,9 p.)
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(0,7 p.)
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FEBRERO 1998
Ejercicio 1
En el circuito de la figura 1.1 los diodos de GaAs DI, D2 y D3 son iguales y sus características 1-V pueden
aproximarse por e l modelo lineal por tramos de la figura 1.2. El conmutador puede estar en una de las dos
posiciones señaladas como A y B. Determine:
a) La corriente ID que atraviesa los diodos con el conmutador en la posición A {0,8 p.)
b) La corriente ID que atraviesa los diodos con el conmutador en B si Rp =O {0,8 p.)
c) La corriente ID que atraviesa los diodos con el conmutador en B si Rp = 1O Q (0,4 p.)
Suponga siempre estado estacionario.
DATOS: Vcc = 10 V; Ip = 5 mA; R¡ = 3 kQ; R2 = 2 kQ; VrCF 1 V.
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Figura 1.2
Figura 1.1
NOTA: Por un generador de corriente en circuito abierto no circula corriente.
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FEBRERO 1999
Ejercicio 1
Juponiendo que la característica 1-V de los diodos Zener Z 1 y Z 2 es la representada en la figura 1.1 y que la
característica 1-V del diodo D 1 es la de la figura 1.2, se pide, para el circuito de la figura 1.3, :
a) Calcular Im y Vo1 (0,5 p.)
b) Sabiendo que el diodo Z 1 está ON, deducir el estado de Z2 (1,0 p.)
e) Calcular In (0,5 p.)
+
V¡
Figura 1.1
Figura 1.2
DATOS: R = 1,1 MQ; V¡ = 20 V; V2 = 8 V
Figura 1.3
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SEPTIEMBRE 1997
Ejercicio 1
La característica I-V aproximada del diodo Zener del circuito de la figura 1.1 se muestra en la
figura 1.2. En esta figura se indica que existe una cierta corriente Umax) que, en caso de hacerse más
negativa, provocaría la destrucción del Zener. Sabiendo que se pue.de_ modificar la resistencia Rs
(resistencia variable), se pide:
a) Calcular el valor de la resistencia Rs que hace que el Zener se encuentre en el punto l de la curva de la
figura l.2. (0,3 p)
b) ¿Cuál es la tensión más negativa que puede existir en bomas del Zener sin que se destruya? (0,5 p)
e) La resistencia Rs varía hasta que el Zener alcanza el punto 2 de la curva de la figura 1.2. Sin obtener ese
valor de Rs, calcular el valor de h.. (0,4 p)
d) Calcular ahora el valor de Rs que hace posible que el Zener alcance el punto 2 de la figura 1.2. (0,5 p)
e) El valor de Rs calculado en el apartado d), ¿es máximo o mínimo para que el Zener funcione sin peligro
de deterioro? ¿Por qué? (Razone en 2 ó 3 líneas su respuesta) (0,3 p)
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Vz
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Figura 1.2
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DATOS:
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JUNIO 2005
jercicio l.
Para el circuito de la figura 1, calcule:
a) La tensión V utilizando un modelo lineal por tramos con Vr =0,5 V y Vz ~ro y compruebe el estado en que opera cada
diodo (0,9 p.)
b) Igual al apartado a) pero con Vz =3 V (0,9 p.)
e)
La diferencia VDJ - V01 (con precisión del mV) en el caso del apartado a) usando el modelo de Sho~kley p~ra los
diodos y considerando correctas las corrientes calculadas en dicho apartado (0,7 p.)
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Figura 1
DATOS: lec= 10 mA, R 1 = l kQ, R2 = 4 kO.
Modelo de Shockley para los tres diodos :
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NOTA: No hace falta el valor numérico de Is para resolver el ejercicio.
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JUNIO 2000
Ejercicio 1. En la figura 1.1 se presenta un circuito recortador utilizado para limitar el valor de la tensión
salida, v0 . Se aproxima el funcionamiento del diodo con un modelo lineal por tramos con una
resistencia en directa, RrO D., una tensión umbral, Vy=0,5 V, y una tensión de disrupción, Vz=oo .
a) Calcule y represente la función de transferencia vo=f(v1) en este caso. (1 p).
b) Represente la señal a la salida vo(t) si la señal a la entrada, v¡(t), es la señal triangular de la figura 1.2.
(0,5 p).
e) Si se refina el modelo del diodo considerando el valor de Rr20 O, calcule la nueva expresión de la
función de transferencia vo=f(v1) (1 p).
l
DATOS: Vs= l V, R = l kD.
+
Figura 1.1
Figura 1.2
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FEBRERO 2003
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Ejercicio 1. Polarizando en directa un diodo de unión pn en el laboratorio, se han obtenido dos puntos significativos de su
curva IV: A (10 mA, 600 mV), B (20 IDA, 700 mV). Se ha verificado también que en inversa V2>20 V y r~oo.
Se pide:
a) Encontrar los parámetros Vr y R¡(tensión de codo y resistencia en directa) del modelo lineal por tramos que se ajusta a
·
. los dos puntos medidos (0,7 p.)
Con dos diodos iguales que el anterior se construye un circuito !imitador de ±Vycomo el de la figura l.
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R
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b) Escribir las ecuaciones de la
función de transferencia v0 =f(v1)
de este circuito y representarlas
gráficamente (1 p.)
1Vo
Figura 1
e)
Dibujar la forma de la tensión de salida en función del tiempo, calculando los valores de amplitud (0,8 p.)
DATOS:
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JUNIO 2007
Ejercicio l.
Para el circuito recortador de la figura 1.1, se pide:
a) Calcular y dibujar la función de transferencia v0
= f (v1) :
b) Dibujár.lá sefial de salida v0 (t) para la señal de entrada v1 (t) de la figura 1.2, suponiendo que los efectos
capacitivos asociados al diodo son despreciables.
En un análisis más riguroso, se ha de tener en cuenta que al producirse la transición abrupta en el valor de v1
en t
=1Oms
los efectos capacitivos se hacen patentes.
c) Modelando el diodo en dinámica como un diodo en estática en paralelo con un condensador de valor
C = 2 pF, escriba la ecuación diferencial que rige el comportamiento del circuito inmediatamente después
de la transición en t
= 1Oms. Tenga en cuenta el estado de conducción, o no, del diodo en ese tramo.
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SEPTIEMBRE 2002
Ejercicio l. El circuito de la figura 1.1 es un circuito regulador de tensión. Los cinco diodos son idénticos y se
pueden modelar con la ecuación de Shockley.
a) Calcule el valor de R para que la tensión a la salida Vosea de 3 V cuando VF5 V. (0,9 p)
Se quiere mejorar el circuito regulador sustituyendo los diodos por un diodo especial para este tipo de
aplicaciones, un diodo zéner que modelamos con el modelo lineal por tramos de la figura 1.2.
b) Dibuje el nuevo circuito, colocando adecuadamente el zéner, y compruebe que la tensión Vo=3 V para VF5 V.
(O,Sp)
e) Calcule para este circuito la variación de la tensión de salida respecto a su valor nominal cuando la tensión de
entrada Vj aumenta +o,5V sobre el valor nominal de 5V. (0,8 p)
NOTA: Dé los valores de resistencia con precisión de ohmio y los de tensión con precisión de mV cuando sea
necesario.
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R
DATOS:
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Modelo de Shockley
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Diodozéner
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Vz=2,98 V; rz=0,75
Figura 1.1
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Figura 1.2
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JUNIO 2006
Ejercicio l. El circuito de la figura 1 se halla a una temperatura tal que
V,= 0,029 V. Los dos diodos zéner son
iguales y poseen una característica 1-V gobernada por la ecuación de Shockley 1
= 10 ( exp ~~
-1) hasta que entran
/
/
en disrupción, en cuyo caso la tensión queda fija e igual a la tensión zéner. Se pide que calcule la tensión y la
·
corriente en cada diodo. con el criterio de signos indicado en el dibujo cuando Vccvale:
a) 5,7 V (1,3 p)
b) 6,3 V (1,2 p)
Verifique las hipótesis que haga.
+
+ V02-
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JUNIO 1995
Ejercicio 2
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Este ejercicio trata de estudiar el funcionamiento del transistor de la figura 1 para distintos valores
de ,la tensión Vi. Para s_implificar el análisis se supondrá que la característica de entrada del transistor
ls(ViE) no depend.e de la tensión VcE y puede representarse por la característica de un diodo con V¡=0,7 V
y R¡ =O n como se ilustra e~ la Fig. 2. Además, se supondrá que el transistor está caracterizado por
/J=l 00, fco=p Y VCE.sac=D V t) po..re.V.:.olO ~ .w_" t:At.t.uv.:ctJ1.!.lo.. ct.t scJu.n:x.u..~· ct.d. ctioc1...D ( y; es O es L'd...t.oJ)
Calcular los valores de le. h, 18 y VCE. V8 E. V8 c para V¡=O V; 5 V y 12 V Trasladar Jos resultados a
la tabla adjunta.
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FEBRERO 2003
Ejercicio 2. Se pretende comparar diferentes modelos del BIT en ~ (ver nota) en el cálculo del punto de trabajo del
circuito de la figura 2. Sin necesidad de comprobar g'ue el BIT opera en activa, se le pide: .
a} Calcular VBE. Io. VCE e l e utilizando el modelo lineal por tramos básico (0.5 p.)
b) Idem a) utilizando el modelo lineal por tramos avanzado (1 p.)
e) Utilizando el modelo de Ebers-Moll aproximado para activa, no es posible alcanzar una solución por
resolución analitica. Deducir la ecuación con / e como única incógnita que se obtiene con este modelo (1 p.)
DATOS:
Vcc =5 V, V8 8 =3 V, R 8 = 50 kO,Rc = 7000.
De los modelos del BIT :
VJii =0,70 V, p =100, r" = 2 kD., V4 =80V,/0 =10-15 A, V,= 25mV
·
Vcc
Re
Ro
NOTA:
Modelo lineal por tramos básico en activa
l c =PIB
VBE =V,e
Modelo lineal por tramos avanzado en activa
+--V:-
1e = p( 1 VcEJ 18
V8E
= V,e + r,J 8
Modelo de Ebers - Moll aproximado en activa
1e = /JI B 1B= 1o
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Figura2
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SEPTIEMBRE 2000
E· ercicio 2.
Los tres transistores bipolares del circuito de la figura 2 son idénticos, y para este ejercicio se pueden
eterizar por un modelo lineal por tramos. Se sabe que I~ está en saturac ión.
.
a) De los cuatro estados posibles del transi~tor, (activa dire~ta, saturación, corte y activa inversa), qeduzca en
cuál de e llos se encuentra T 1. (0,5 p.)
b) Calcule el rango de valores de R 0 para e l que T 3 está en activa. Si no resolvió el apartado a), suponga el
transistor T 1 en corte . (1 p .)
e) Para Ro= 60 n el transistor T 3 está en saturación y se m ide una caída de tensión en sus bomas de 0,7 V.
Calcu le los valores de las corrientes IC2 e ICJ . Compruebe que T 2 y T 3 están en saturación. (1 p .)
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De los transistores:
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JUNIO 2001
Ejercicio 2. El conjunto de tres transistores bipolares Tl, T2 y T3 acoplados según muestra la figura 2.1 funciona
como el transistor npn equivalente representado en la figura 2.2. Se le·pide calcular:
a) El parámetro f3 del transistor equivalente, definidb como el cociente lc/18 de las corrientes indicadas en la
figura 2.2 cuando Tl, T2 y T3 operan en activa (0,9 p) '
b) La mínima tensión VCE en el transistor equivale~te para la que Tl, T2 y T3 operan en activa con 18 > O.
Considere para este apartado el modelo lineal por tramos para los transistores (0,7 p)
e) El valor de V8 E2-V8 E 1 cuando Tl, T2 y T3 operan en activa. Considere para este apartado el modelo de
Ebers-Moll para los transistores en activa, y exprese <:<l resultado con tres cifras si~ificativas (0,9 p)
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+
B
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Figura 2.1
DATOS: V,= 25 mV
Para todos los BJT: ,8=10,
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Modelo lineal por tramos: VrE ~ 0,7 V, !VCE..rnrl ~ 0,2 V
Modelo de Ebers-Moll para activa: l e = f318 , Is =lo exp (1V8EVVJ
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Figura 2.2
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JUNIO 2007
Ejercicio 3.
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El dispositivo de dos terminales de la figura está formado por un transistor bipolar npn y otro pnp cuyos parámetros
son idénticos.
del modelo de Ebers Moll iEsJcs•ªF y
aR
a) La tensión v Al en función de v Al exclusivamente.
b) La tensión v8 en función de i exclusivamente ..
c) La ecuación característica i en función de v.
DATOS: Transistores: aF
= 0,99;aR = 0,5;Ics = lpA;al'.!Es = aRfcs'~ = 25mV.
SUGERENCIA: Para mayor simplicidad en los apartados a) y b) denote con f(x) a la función f(x)=exp(x/TQ-1.
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111
FEBRERO 2002
Ejercicio 2.
En los circuitos de las figuras 2.1 y 2.2 la estimación de la corriente ir no puede realizarse mediante
modelos aproximados lineales por tramos. Por ello se le pide que calcule, utilizando el modelo de Ebers-Moll:
1) La expresión de ir en función de va para el circuito de la figura 2.1 cuando el BJT opera en activa (0,6 p)
b) El valor de ve (con tres cifras significativas) para el que el transistor se satura (O, 7 p)
e) Ídem a) para el circuito de la figura 2.2 (1,2 p)
'
+
+
Figura 2.2
Figura 2.1
DATOS:
..
.·
Ice= 100 mA.
. Para el diodo: ÍD ""Is exp (vr/VJ
Para los BJT:,8= 100; V, = 25 mV, lo = 1 pA, VCE.SAr= O V.
En activa: ic"" f3 is , is "" 10 exp (VsEIVJ Ll.,lAA cLL
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SEPTIEMBRE 2003
Ejercicio 2. Se pretende utilizar un BIT real para una aplicación en la que operará con altas corrientes. Como
consecuencia de ello, el efecto de la resistencia parásita asociada a la región semiconductora del colector (que es la
región menos dopada) no es despreciable. Este efecto puede estudiarse con el circuito equivalente de la figura 2, en
la que se muestra un BJT convencional con una resistencia en el terminal de colector. A este conjunto (BJT
convencional + resistencia de colector) se le denominará BJT de alta corriente. Como se puede ver el BJT de alta
corriente es un dispositivo de 3 terminales.
a) Exprese la ecuación característica le = l e (Is, VcE) de estática del BJT de alta corriente cuando el BJT
convencional está funcionando en activa. Exprese esta ecuación característica en función de los parámetros Rs,
/30 y VA (0,9 p.).
b) En el plano fe, Vc E de las curvas características de salida del BJT de alta corriente, represente la región en la que
el BJT convencional opera en activa (0,8 p.).
e) Calcule el parámetro de pequeña señal ro= (oic l fJvcEY 1 del BJT de alta corriente en el punto de trabajo Is= 20
mA suponiendo que el BJT convencional está en activa. (0,8 p.).
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Figura 2
DATOS:
. Rs= 2 .Q.
Para el BJT convencional la ecuación en activa y estática teniendo en cuenta el efecto Early es J :::
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JUNIO 2002
Ejercicio 4. El circuito de la figura 4 muestra una fuente de
corriente compuesta por cuatro transistores pnp. Sabiendo que
todos los transistores operan en activa, calcule:
= =
a) La corriente IREF suponiendo VEn2 VEB4 0,6V (0,7 p.)
b) El valor de la resistencia R1 para que la corriente 10 sea 5 veces
menor que IREF· Desprecie las corrientes de base respecto a las
demás del circuito. (1 p.)
e) Las tensiones V E81 , V EBi. V EBJ y V EB4 con tres cifras
significativas, considerando que para todos los transistores
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SEPTIEMBRE 1997
Ejercicio 2
Con el circuito de la figura, que contiene un BJT en saturación, se desea analizar la influencia de las
aproximaciones de las tensiones en el cálculo de las corrientes. Para ello se va a realizar un cálculo
más preciso de las tensiones y corrientes del BJT mediante un proceso iterativo. Si se aplica al
circuito una tensión v 1 = 10 V, se pide:
a) Obtener un valor aproximado de JE e l e. Para ello suponga VeE
= O,l V y
VBE
= 0, 6V.
b) Utilizando las ecuaciones de Ebers-Moll y los valores de 1E e 1e obtenidos en el apartado a),
calcular unos nuevos valores de VCE y VBE .
c) Con los valores de VBE y VCE calculados en el apartado b) obtener unos nuevos valores de 1E e
le .
d) ¿Cuánto difieren, en tanto por ciento, los valores de JE e l e en los apartados a) y c)?
DATOS:
Del circuito:
l
Re
Rs=Rc= l kD
Vcc = 15 V
v1 = 10 V
le
Del BJT:
hs= 10-13 A
aF= 0,99
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JUNIO 1998
·Ejercicio 2
·n el circuitó de la figura 2 el voltímetro ideal V mide la tensión entre los terminales de colector y base del
transistor bipolar pnp. Se le pide:
a) Indicar la· región de funcionamiento del transistor. (0,5 p.)
b) Obtener mediante ·el modelo de Ebers-Moll la tensión medida por el voltímetro. Exprese dicha tensión
en voJtios con tres cifras decimales. (1 p.)
e) Calcular el valor de la corriente de colector l e y su sentido. (0,5 p.)
DATOS: kT= 25 rneV, fss =O,I rnA
Parámetros del transistor:
aF=0,98
aR=0,49
hs=lü-12 A
Figura 2
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JUNIO 2003
Ejercicio 2. En el circuito de la figura 2:
a) Calcule la tensión que se mediría entre la base y el colector Vsc, con precisión hasta el m V, sin hacer
ninguna aproximación acerca del valor de hs (1 p.).
b) Sabiendo que h =14 mA, calcule hs (1 p.).
e) Suponga ahora, que donde antes se midió la tensión V8 c se coloca ahora un generador de tensión
continua de 650 m V con el positivo en el terminal de base del transistor. Calcule la corriente de
colector, con precisión hasta el mA, e indique su sentido (0,5 p.).
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Fig. 2
DATOS:
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JUNIO 1997
Ejercicio 2
_ _ un laboratorio de homologación de dispositivos se desea conocer algunos parámetros de un transistor
bipolar recién fabricado. Para ello, se habilita el circuito de la Figura en el que el conmutador C conecta
simultáneamente las dos posiciones 1 o las dos posiciones 2. Si se conoce por otros medios el parámetro
aF=0,9 calcular:
a) El parámetro f ES si el conmutador está en la posición 1 y
el amperímetro A registra una corriente de 10·6 A. (0,7 p)
b) El parámetro
les cuando el conmutador está en la posición
+ 2, si la tensión medida por el voltímetro V, es 0,58 V. (1 p.)
c) El parámero
2
1
ªR· (0,3 p.) -= \/t
Datos: Vp = 0,60 V,
amperímetro A son
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el voltímetro V y el
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amperímetro nula y del voltímetro infinita)
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FEBRERO 1997
PROBLEMA 3. Los tres transistores MOST de las figuras 3 .1-3 .3 son transistores de acumulación.
Cuando funcionan en régimen de saturación, su corriente de drenador viene dada por la ecuación
I 0 = k(yGs - Vr
f
donde
1Vr1= 2 Y
y k = 2 mA · v· 2 . Advierta que hay transistores de canal n y de
canalp
a) Para cada circuito, determinar si el transistor se encuentra funcionando en corte, en la región
gradual o en la región de saturación (1 p.)
b) Para el (o los) transistores que se encuentren funcionando en la región de saturación, calcular la
corriente de drenador ID y la tensión drenador fuente VDs indicando claramente su signo (1 p.)
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FEBRERO 2002
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Ejercicio
3. El componente de dos tennmales
. 'n . La característica de este componente
acumu 1ac10
a fi ura 3 1 está formado por 2 MOST de canal ? de
de_ l 1 ~ la q~e tiene el componente de la figura 3.2 s1 sus
es igua
parámetros son ajustados adecuadamente.
. , de k3 Y vT3 en función
a) Calcular la expres10n
. d,
. de( ki,
p )k2, Vn Y Vn para que las características V-1 de los
componentes de las figuras 3.1 y 3 .2 sean I ent1cas 2 .
b) ¿Cuánto vale! si V= Vn + Vn? (O,S p.).
DATOS: En saturación
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FEBRERO 2000
j ercicio 3. Para una determinada aplicación en que se de~e~ duplicar la capacidad de conducción de
.Tiente del transistor MOS de canal n, se ha decidido conectar otro transistor similar en paralelo, como
muestra la Figura 3. En el caso ideal en que ambos transistores fueran idénticos, el dispositivo conjunto que
forman se comportaría como un único transistor equivalente de parámetro K igual al doble del de los
transistores individuales, y de la misma tensión umbral.
No obstante, se ha detectado que las tensiones umbrales de ambos transistores son diferentes, lo que
le aparta del funcionamiento ideal indicado, como pretende ilustrar este ejercicio. A pesar de ello, el
dispositivo
. conjunto se comporta como un MOSFET de canal nen cuanto a que .tiene VTy ~ps,SA T
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Obteher razonadamente para el dispositivo conjunto:
a) Su tensión umbra'! VT(0,8 p.)
b) La tensión VDs..SATPWª Ves = 3 V (0,8 p.)
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Mz Vpsz.
(activa), es decir, M1 y M 2 en saturación (0,9 p.)
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JUNIO 2003
Ejercicio 3.
Para el circuito de la figura 3.1:
.
a) Calcule
la corriente:ia" en función de las señales
,
.. de entrada. v 1 y v2. Suponga que todos los FET están en
satúración. (0,9 p.).
·
·
Para el circuito de la figura 3.'2:
b) Calcule la relación valv1 suponiendo que los FET están en saturación (0,7 p.).
e) Sabiendo que los FET no entran en región gradual, ¿en qué rango de valores de va los FET operan en
saturación? (0,9 p.).
.
DATOS: R = 1 kO
NOTA:
Ambos FET son NORMAL-ON (de deplexión), con K = 1 rnA/V 2 ;
No se necesita el valor de Voo para resolver el ejercicio.
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SEPTIEMBRE 2000 .
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...,, · ercicio 3. En el circuito inve rsor CMOS de la figura 3 .1 los dos MOSFET- (M 1 y M2). tienen el misN&.~5
a~..,oluto de la tensión umbral 1V¡1 1=1 Vn I y la misma constante Kp=K,,. Los dos son normalme~te~uando están
trabajando en saturación cumplen las respectivas ecuaciones que se indican en las figuras 3:2 y 3.3. Calcular:
a) La región del plano (v1 • va) en la que los dos MOSFET trabajan en saturación. (f
b)La expresión de v1 en función de vo cuando los dos MOSFET están traqajando en saturación.y la corriente
i=O. (1 p.)
e) Dibuje en el plano (v1 , v 0 ) la región calculada en a) y la característica de transferencia calt ulada en b) (0,5 p.)
p.)
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Vs
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Circuito
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Figura 3.1
DATOS :
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SEPTIEMBRE 1998
EJERCICIO 3
~n el circuí to de la figura 3 .1 se pretende alimentar con una corriente d~terminada la resistencia de carga
~ _¿. Sabiendo ue los dos transistores I\{OSFET de acumulación trabajan en saturación se pide que:
Vss · · · · fff'O\\R
a) Demuestre razonadamente que 11 =h (0,6 p.)
b) Calcule el valor de I= 11=h (0,7 p.)
e) Calcule el máximo valor de RL para que el transistor M2 se
mantenga en saturación. (0,7 p.)
NOTA: La corriente de un MOSFET en saturación viene dada por:
ID=k(Vcs-Vr) 2
..
DATOS: Vss=IO V, R=I kQ.
Para los dos transistores k=l mNV2 y se cumple que
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JUNIO 2002
Ejercicio 2.
a)
b)
e)
Calcule la corriente JA suponiendo que T 1 está en saturación, Tz en activa y que VA = 2 V (1 p.)
Si VA$; VT, ¿cuál es el estado de T 2? (0,5 p.)
¿Existe algún valor de VA que hace que T 2 entre en saturación, y en
ese caso cuál es? (Suponga T 1 en la región lineal, en la que se
comporta como una resistencia controlada por la tensión puertafuente) (1 p.)
DATOS:
T¡ : k = 1~
P= 100
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P29
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V
SEPTIEMBRE 2003
Ejercicio 4. En el circuito de la figura 4 los
transistores Ql y Q2 son MOST de acumulación en tanto que el Q3
es de deplexión. Se supone que todos operan en la región de saturación.
De estos transistores se conoce además que:
- Ql y Q2 son iguales y su ecuación de transferencia es 10 = 100 (Vcs-4/, donde 10 se expresa en mA y Ves
en voltios.
- Q3 responde a la ecuación de transferencia lo= l 00 (Vcs+2)2 , donde fo se expresa en mA. y Ves en
voltios.
Se pide:
a) El valor de Vos2 (1 p.).
b) El valor de /DI (1 p.).
e) Compruebe si el transistor Q3 esta realmente en saturación. (0,5 p.)
(S).(
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P30
SEPTIEMBRE 1996
Ejercicio 3. El circuito de la figura 3.1 utilíza un transistor JFET con una tensión umbral 1Vr1=7 V
a) Calcular la tensión V05 (1,4 p.).
b) El parámetro Ioss puede expresarse como K(ZIL) . Si la longitud del canal, L, se redujera a la mitad, ¿en
qué región trabajaría el JFET si la tensión umbral fuera la misma?. (0,6 p.)
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DATOS
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P31
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V
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SEPTIEMBRE 1996,
Ejercicio 4.
..
En el circuito de la figura 4.1, calcular:
a) El punto de trabajo (lar¿. fer¿. Vcw). (0,6 p)
b) +-a ganancia de tensió,n ~Av= v0 I V;) y de corriente (A1
_ ..
CW-0 \ 11$\s
=
e) El margen dinámico a la salida (0,7 p.)
.V
\,O..Vt>C '/.A
a
c.,u.Ai
•
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~iJ\Y:f>~
( ~Ai 6
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io 1 i;) a frecuencias medias (O, 7p.),..-"e.o~ 6-1--Ro.' .\er í\CA
DATOS
ce.e.re)
RE= 5 kO
RL = 1.5k0
RB = 140k0
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JUNIO 2002
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Ejercicio 3. Para el amplificador seguidor de emisor de la figura:
a) Calcule el ptmto de polariz.aci6n (VCE, le), comprobando que el transistor está énactiva. (0,5 P•)
b) Dibuje el circuito equivalente para la pequefia señal. Considere que en pequclia sefial la fuente de corriente se
·
comporta como una resistencia de valor Re.,=100 kn. (0,5 p.)
e) Calcule la ganancia de tensión de pequefia seftal vt!v1 (0,5 p.) .
, .
. .
d) Halle el margen dinámico a la salida, que viene dado por la máxima amplitud de la sefial sinusoidal v0 a partir de
la cual el transistor deja de fimcionar en .activa. (1 p.)
·
·
·
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Vcc =5 V, R8 = 462 kn
Io=l mA, Ri = 1 kn
/3 = 200, VaE = VrE = 0,7 V, VceSAr ~ 0,2 V,
Vr = k1/e = 0,025 V
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SEPTIEMBRE 2003
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Ejercicio 3. El circuito de la fi~ra 3 p; esent? un amplificadof con dos étapas' en cascada, la primera en colector
común y la segunda en emisor común, separadas en el dibujo por la ~aya discontinua. Un análisis aproximado ,del
circuito de polarización ha dado los siguientes valores de cb-ntinua: jc1;::::;fEJ=l mA; /C2;::::;fn=l mA; VcEJ=S,7 V;
Vcn=l ,4 V. Se pretende realizar un análisis parcial del circuito de pequ~ña señal, abordando ~l problerµa etapa por
etapa. .
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• · · ·
· ·
•
1
a) Dibujar el circuito equivalente de pequeña señal de la segunda etapa, dando el valor de ros parámetros del
.
•
. circuito equivalente de pequeña se~al del BJT (~,5 p). 1
'b) Calcular, para la segunda etapa,' la resistencia de entrada R¡n2 y la ganancia de tensión vJ v0 1 (0;5 p).
e) Indicar el margen dinámico a la salida .aso·ciado aHran.sisior T2 (0,5 p).
d) · Dibujar el circuito equivalente de pequ~ña señal de la primera etapa, sustituyendo la segunda por su R ¡p 2 y dando
el valor de los parámetros de pequéña señal (0,5 p). ·
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e) Calcular la ganancia de tensión de la primera etapa v01/v¡ y la ganancia de tensión total vJ v¡ (0,5 p).
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Para ambos transistores
Vr=0,025 V
Vyt:=0,7 V
YcEva1=0 ,2 V
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Figura 3
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JUNIO 1996
PROBLEMA 4.- En el amplificador de la figura 6
a ) Calcular el punto de trabajo del transistor bipolar
. 1 (I BC.)> I Cl) > VCEQ ) . (0,5 p.)
b) Dibujar el circuito equiv alente en pequeña señal
sabiendo que h" = rn; h¡. = ~; h 0 ; 1 = r0 = oo (0,5 p.)
e) Calcular la impedancia (Z¡,,) de entrada del
amplifíca?or. (0,5p.)
d) Calcular la ganancia en tensión Ay=. v) vg (0,5 p.)
Datos
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R 1 = 600 KQ
R2 = 1, 2 MQ
Re = 5 KQ
RL = 20 KQ
RE l = 400 n
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SEPTIEMBRE 2004
Ejercicio 3.
Para el circuito amplificador con BJT's de la figura 3 se le pide calcular:
a) La corriente de polarización/¿. Suponga que los dos transistores operan en activa (0,8 p.)
b) El valor de fa resistencia RL para el que Vi= O. Compruebe la hipótesis sobre el estado de los transistores (0,7 p.)
e) La ganancia de corriente de pequeña señal, A1
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Figura 3
DATOS:
Vi= 25 mV, Vcc = 5 V, Rs= 475 kQ, Re= 700 Q
Para T 1 (npn): /31 = 100, VA1 ~ oo, V¡El= 0,5 V, VcEsar1 = 0,2 V
Para Tz (pnp): fh. = 50, VA2 ~ oo, V,vE2 = 0,7 V, VEcsat2 = 0,2 V
NOTA: Considere despreciables los efectos capacitivos de los transistores.
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SEPTIEMBRE 2004
Ejercicio 3.
Para el circuito amplificador con BJT's de la figura 3 se le pide calcular:
a) La corriente de polarización Ir. Suponga que los dos transistores operan en activa (0,8 p.)
b) El valor de la resistencia RL para el que VL =O. Compruebe la hipótesis sobre el estado de los transistores (0,7 p.)
e) La ganancia de corriente de pequeña señal, A1
=-!-i (1 p.)
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Figura 3
DATOS:
V,= 25 mV, Vcc = 5 V, RB= 475 kQ, Re= 700 Q
Para T 1 (npn): /31 = 100, VA1-+ oo, VyEl = 0,5 V, VcEsatl = 0,2 V
Para T1 (pnp): /Ji= 50, VA2-+ á), VrE2 = 0,7 V, VEcsat2 = 0,2 V
NOTA: Considere despreciables los efectos capacitivos de los transistores.
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Ejercicio 2. Para el amplificador en base común de la figura 2 se sabe que el transistor está en activa. Un anáUsis aproximado
el circuito de polarización da los valores /c= l mA y VCE= 2 V , que son los que tomaremos como base para el análisis de
pequeña señal que se propone.
a)
b)
e)
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•
•
....
Dibuje el circuito de pequeña seftal, indicando el valor del parámetro r" (0,8 p.)
Calcule la ganancia de corriente iJ ig. (0,8 p.)
Calcule el margen dinámico de la señal v0 a la salida, definida como la máxima amplitud de la tensión simétrica a la
salida v0 que asegura que el transistor ni se corta ni se satura. (0,9 p.)
.
DATOS: ,8= 100: Vi:·· =0. 7V: V0 ,"m =0.2 V: V, = 0 .025 V: Y;-.-+o:
Vcc = l O V; R 1 = 6,3 k.rt ; R2 = 3,7 kQ; RE= 3 kQ; Re = R¿ = 5 kfL :.· -+ a:,
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FEBRERO 2000
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4. La señal alterna
+Vcc=l2V
de pequeña amplitud, es
í:l111plificada por el circuito de la Figura 4. Los transistores están
polarizados en modo activo directo con la misma corrient.e conÚnu~
de colector, que no necesita calcular. Se pide:
a) Dibujar el circuito equivalente para alterna y pequeña señal (1,0 p)
b) Decir en qué configuración trabaja cada transistor (0,3 p)
e) Calcular la ganancia de pequeña señal Av= v 0 /v¡ (0,8 p)
d) Calcular la impedancia de entrada al amplificador, R¡ (0,4 p)
V¡,
DATOS
Para ambos transistores:
r" = hie = 1,25 kQ; r0 = h 0 e-\ = oo; /J= h¡e = 100.
\ la frecuencia de la señal los condensadores pueden
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JUNIO 2006
Ejercicio 3. El circuito de la figura 3 es un amplificador de pequeña señal de dos .etapas. Se pide:
a) Calcular el punto de_polarización de los dos transistores, es decir, la corriente de colector l e (indicando su
sentido) y la tensión VCE. ¿Cuál es el nivel de continua en el nodo de salida, V0 ? (1,0 p) .
b) Dibujar el circuito equivalente de pequeña señal (0,5 p)
.
.
c) Calcular la ganancia de tensión Av= vj vg y la impedancia de entrada R; = vglig (1,0 p)
• !
.•.
lo=
.
i'mA .
Los dos condensadores del circuito tienen una capacidad muy
elevada, de tal manera que si;i impedancia es despreciable a la
frecuencia de la señal. La fuente de corriente continua es ideal.
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Figura 3
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FEBRERO 2001
Ejercicio 3. En el circuito amplificador de la figura 3:
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a) Calcule el punto de trabajo del JFET y demuestre que está en saturación. p.)
b) Dibuje el circuito equivalente en pequeña señal y a frecuencias medias. (0,5 p.)
c) Calcule la transconductancia, g 111 • (0,3 p.)
d) Calcule la ganancia en tensión, v,/v;. (0,7 p.)
Realice las simplificaciones que considere oportunas, explicándolas.
Vcc
DATOS
Del circuito: R1= 1 k.Q; R 1= 10 MQ;
Rs= 0,3 kQ; RD= 1 kQ; R¿= 20 k.Q;
Va= 10 V; C~ co.
e
e
Del JFET:
Rr
1VI=4 V, k-0,625 rnAN2 ,
1
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Ec. de saturación: 1 D
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Figura 3
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JUNIO 2006
Ejercicio 2.
La disrupción entre drenador y puerta en un JFET puede modelarse como un JFET en el que no
hubiera ninguna disrupción junto con un diodo zéner entre drenador y puerta, tal corno se indica en el interior de la
zona de puntos de la figura 2. En el circuito de la figura se conoce el valor de /=l mA y VDs=5 V.
Para ese punto de polarización existen dos posibles valores de VGs, uno (VGsi) en el que el diodo zener no está en
disrupción, y otro (VGsz) en el que sí lo está. Se pide:
a) Calcular Vas1 (0,5 p.)
b) Calcular VGsz (0,5 p.)
c) Calcular la impedancia dy salida en pequeña señal R 01 para Vas
resistencia de carga (0,5 p.)
d) Calcular lo mismo (Ro2) para Vas= Vasz (1,0 p.)
=
Vas 1, teniendo en cuenta que RL es la
DATOS:
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•
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Para las condiciones del problema, el JFET es equivalente a un
MOSFET de canal n de deplexión (FET normalmente ON):
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Figura 2
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JUNIO 2007
Ejercicio 2.
La.figura muestra un circuito amplificador en fuente común realizado con .~l transistor MOS de deplexión
(normalmente ON) I'¡ polarizado con una fuente de corriente I DD que se puede suponer ideal a todos los
efectos. En pequeña señal y frecuencias medias, el conjunto de dos terminales formado por el transistor
T;
(MOST de acumulación o no"!lalmente OFF) y la resistencia Ri se comporta como una resistencia
equivalente
REQUIV.
Se le pide calcular:
a) El valor VL e IL, verificando que los transistores operan en saturación.
b) El valor de
REQUJV
= v1 I i1 •
. c) E.I valor de la transi~pedancia y1 / ig de pequeña señal y frecuencias medias del circuito.
DATOS:
V0; = 20V,IDD = 5mA,R1 =IOkQ,Ri=125Q
Para ambos MOSFET:
iD
= k( ves -
VT )2 en saturación.
IVnl=IVT2i=IV,k1 =k2 =lmAIV 2
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SEPTIEMBRE 1997
Ejercicio 5
El circuito de la figura 5 muestra un amplificador diferencial realizado con transistores bipolares
npn, polarizado con una fuente de corriente ideal. Calcule:
a) Los valores de tensión continua en los nodos E, O y P, si R 1 = R 2 . (0,7p)
b) Idem a) si R 1 = R 2 /2_ (0,7p)
e) El factor de rechazo al modo común (CMRR) del amplificad~r en decibelios (dB) para la situación del
apartado a), es decir R1 = R1, si el parámetro de pequeña señal r 0 de los dos transistores es r 0 = 30 kQ
en el punto de trabajo. (0,6p)
..
DATOS:
Vcc= 10 V
R2 = 6kQ
Vr= 25 mV
..
p
De la fuente de corriente:
R1
•
o
Icc=2mA
Requivalente~
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...
Yo
.
00
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•
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1
De ambos transistores,
en el punto de trabajo:
VsE ~VrE = 0,7 V
J3 = h¡e = 100
r 0 = hoe-l = 30 kQ
(a.)
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JUNIO 2007
Ejercicio 4.
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En el amplificador diferencial de la figura la fuente corriente es ideal, es decir, su resistencia equivalente en
pequeña señal es infinita. Pese a ello, el factor de rechazo al modo común (CMRR) del circuito no es infinito
debido al efecto Early de los transistores. Se pide:
a) Analizar el circuito en continua, calculando l e y VeE de los dos transistores. Desprecie el Efecto Early
sólo en este apartado.
b) Calcular la ganancia en modo común y pequeña señal
V
A =- 0
para vil =
V; 2 =::= v;c •
vic
e) Calcular la ganancia en modo diferencial y pequeña señal Ad
V
=- 0
para vil = -v; 2 =vid 12 .
V;d
d) Calcular el factor de rechazo al modo común en 'dB. '
DATOS:
Re =lOkQ;Vee =15V;l0 =2mA.
,B = 100;V1 E :=O, 7V;VA = 50V;Ve = 0,025V.
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SEPTIEMBRE 1996
Ejercicio 5.
El amplificador diferencial de la figura 5.1 es completamente simétrico y la fuente de
corriente continua es ideal.
a) Calcular la tensión continua en' los nodos O
(Vo) y E (VE) (0,6 p.)
\ b) Calcular la _ganancia en pequeña señal v)vg
(1,0 p.)
e) Expresar la corriente i, en función de vg (0,4
p.)
DATOS:
Vcc = 15 V; Re = 10 k.O;
Rg = 600 .O; lo = 2 mA;
kT/e = 0,025 V
Transistores:
VsE = 0,7 V; /J= h¡e ~ 100;
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FIG. 5.1
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Ejercicio 3. En el circuito de la figura 3, calcule:
a) La corriente de polarización ID (0.5 p.)
b) La ganancia en modo diferencial v0 J/vu (I p.)
c) La ganancia en modo común v0 ¡/v;1 (I p.)
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DA'fOS
R= 1 kQ; 10 =2 mA
Req= 1 MQ (resistencia equivalente de la fuente de corriente !
0
en alterna)
Los transistores Ml y M2 son iguales, trabajan en saturación y
los valores de sus parámetros de circuitp equivalente en
pequeña señal son: gm=2 mS, l/r0 =0
TT77
Figura 3
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FEBRERO 2001
Ejercicio 4.
El circuito de la Figura 4 es un amplificador
fiferencial en que los dos transistores son idénticos y tra~ajan a la
misma temperatura.
a) Calcule el .punto de trabajo en. continua (le, VcE) de ambos
transist9res y demuestre que no depende del valor de. RE ni de
R[. (0,9 p.)
Para una excitación dife(encial de pequeña señal como la mostrada
en la figura:
b) Dibuje el cirrnito equivalente de pequeña señal, utilizando las.
propiedades de simetría del circuito y la excitación. (0,8 p.)
c) Calcule el margen de valores posibles de la ganancia Av= vr!vd
si RE se puede variar entre O (cortocircuito) e oo (circuito
abierto) (0,8 p.)
+ Vo -
+vj2
-vj2
DATOS: Vcc = 9 V; Re= 10 kQ; RL = 1 kQ; lo= 0,5 mA
Las fuentes de corriente continua son ideales.
VsE ~ 0,6 V, Vr = 0,025 V, /3= 100, r" = /3 Vr/lc, r0 -too
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Figura 4
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A.0.IDE~L
SEPTIEMBRE 2001
Ejercicio 4. La figura 4.1 muestra un circuito receptor de COil)unicaciones ópticas, que utiliza un amplificador
,racional (AO)' para amplificar la fotocorriente generada por un fotodiodo en inversa, que aparece representado
. _.no un generador de corriente 10 El margen dinámico de la tensión de salida del AO está limitado por las tensiones
~e alimentación, como ::;é; indica en la figura 4 .'?. Considerando que la~ demás característicJ.s c!~l AO so.n ideales, ~~
le pide
a) Expresar 10 en función de la cuando el AO opera en régimen lineal (el tramo vertical de la figura 4.2) (1,0 p.)
b) Calcular el valor de la para el que el AO se satura con valor +Vcc (0,6 p.)
c) Expresar 10 en función de la cuando el AO opera en régimen saturado con valor +Vcc (0,9 p.)
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Figura 4.2
Figura 4.1
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FEBRERO 2004
A.O.IDEAL
jercicio 4. El circuito de la figura 4 tiene un amplificador operacional ideal que está alimentado a Vcc= 10 Vy
-Vcc=-1 O V. Se pide:
a) Calcular el valor de la componente continua de la tensión de salida, V0 . (1 p)
b) Cakular el valor de la componente alterna de la tensión de salida v;(t). (0.5 p)
c) Teniendo en cuenta las tensiones de alimentación del amplificador operacional, representar la forma de la
tensión a la salida del circuito va(t)=Vo+v0 (t). (0.5 p)
d) Calcular el margen dinámico de la señal de entrada en alterna vg(t) para que el amplificador operacional no
entre en saturación a Vcc- (0.5 p)
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R1=R1=2 kQ; Rg=5 kn; R.rlO kn;
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JUNIO 1996
PROBLEMA 5.- El Amplificador Operacional (A. O) del circuito de la Fig .7 tiene impedancia de entrada
inita. Suponiendo que la salida v 0 depende de la diferencia de las entt:®,as (v+ - v _) como indica la Fig.8 ,
La.tcular:
a) La relación v 0 /v 1 suponiendo el A . O. no saturado (v.=v_) (0.7 p)
b) El valor máximo y mínimo de v 1 para mantener el A O no saturado . El A. O se satura cuando la tensión
de salida v 0 adquiere el valor Ycc o -Ycc (0.6 p)
Suponga ahora que Ja dependencia de la salida v 0 respecto a la diferencia de las entradas v+-v_, es como muestra
la Fig. 9.
e) Suponiendo que se mantiene la impedancia de entrada infinita, calcular la dependencia de v 0 respecto de v 1
en función de v 0 FF y de vrFF· suponiendo el A .O. no saturado . El AO no está saturado cuando se cumple:
-Ycc < Yo< Y cc (0,7 p.)
Datos R 1 = R 1 = R 3 = lkf2; Vcc = 12 V
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R
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SEPTIEMBRE 2002
Ejercicio 4 El amplificador operacional de la figura 4.1 es ideal excepto en su tensión de offeet, que es distinta de
cero, y en su ganancia, que no es infinita. Como consecuencia, el voltaje de salida del AO en régimen lineal (no
saturado) se puede modelar como vo =A (V+ - v_) + Vuff
a) Calcular el valor de vo' cuando vj =O (1,2 p.)
b) Calcular el valor de v1 para el que va= O. (1,3 p.)
DATOS:
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JUNIO 2000
Ejercicio 3:
el circuito de la figura 3 el amplificador operacional no está saturado y la tensión v1 :'.". O
a) Calcule la tensión de salida vo en función de V¡ suponiendo que el MOSFET de acumulación está
trabajando en saturación. (1 p.)
b) Calcular el rango de valores de Vo para los que el MOSFET está en conducción (1 p.)
e) Calcular el rango de valores de vo para los que el MOSFET está en saturación (0,5 p.)
Datos: con el MOSFET en saturación se cumple:
iD = k(vcs-fiJ
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k = l mA
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FEBRERO 2002
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Ejercicio 1.
El fotodiodo del circuito de la figura 1.1 se puede .modelar mediante el circuito equivalente de la
figura 1.2. En oscuridad desde mucho tiempo atrás, recibe a partir de t = O una iluminación tal que produce una
corriente fotogenerada constante Ir= 10 µA como muestra la figura I .3. Se pide:
a) Calcular la tensión de salida en estado estacionario en oscuridad (t < O) y en iluminación (t ~ oo) (1,0 p.)
b) Expresar la variación de la tensión de salida en función .del tiempo t para t > O (l;O p.)
e) Calcular el tiempo de conmutación tlH que se define como el que tarda la tensión de salida en alcanzar el 90 %
de su yalor final desde que se establece la iluminación (0,5 p.)
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DATOS: VcC'= 5 V; R = 100 kn; ln(lO) 2,3; el diodo en inversa (vD::; Vr= 0,7 V) e~ régimen transitorio equivale
a una capacidad de valor C1 = 1O pF y en estado estacionario a un circuito abierto, siempre en paralelo con la fuente
de corriente proporcional a la iluminación.
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Figura 1.2
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JUNIO 2005
Ejercicio 4. El fotodiodo D del circuito de la Figura 4.1, presenta en inversa una capacidad parásita entre sus terminales
::; = 10 nF. ·El circuito equivalente del diodo incluyendo la fotogeneración y la capacidad parásita se muestra en la Figura 4.2.
Por tanto, el fotodiodo iluminado se puede modelar como un diodo ' Convencional en paralelo con una fuente de corriente
constante de valbr i¿ y en paralelo con un 'condensador de valor C.
,
·
.
.
Para t<O; el fotodiodo no está iluminado. A partir de t =O recibe una iluminación c.onstante que genera una foto corriente
i¿ = 1 mA. Se pide:
a) Calcular la tensión de salida v0 con eí diodo en oscuridad (t:::; O) (0,7 p.)
b) Calcular la tensión de salida v0 cuando el diodo lleve mucho tiempo iluminado (t---* ro) (Q,7 p.)
e) Calcular cuánto tiempo después del comienzo de la iluminación (t¡) la tensión de salida alcánza su valor final (0,8 p.)
e
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Figura 4.1
DATOS: R = 100 kQ; Vcc = 5 V
Figura 4.2"
Modelo lineal por tra~os del diodo: Vr= O
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FEBRERO 1998
Ejercicio 5
~ conmutador
de la figura 5.1, tras mucho tiempo en la posición A, pasa en t =O a la posición B. Se pide:
1 Calcular el voltaje y la corriente del diodo justo antes del cambio de posición del conmutador (en t =o-) (0,4
p.)
b) Lo mismo, justo después del cambio (en t= o+) (0,4 p.)
c) Lo mismo, mucho tiempo después del éarribio (cuando t ~ <;0) (0,4 p.)
d) Calcular el tiempo toN que tarda el diodo ep ponerse en directa (vD ::O: Vr) desde que cambia la posición del
conmutador (0,8 p.)
NOTA: Por un generador de corriente en circuito abierto no circula corriente.
A
B
~
I
+Vcc
Las ecuaciones del diodo en régimen
aproximarse linealmente por tramos como:
.
dvD
VD _-::;, Vr => l D :::: CJ
.
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Figura 5.1
DATOS:
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VD -
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VD -
Vr
RF
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dv D
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Vcc= 5 V; R=
Diodo: Vr =
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0,7 V; RF = 5 Q; CJ= 0,5 nF; CD= 0,5 µF;
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JUNIO 2003
Ejercicio 4.
El circuito de la figura 4.1 , utilizado para desplazar el nivel de continua de la señal de entrada, se excita
.. .
con el pulso dibujado en la figura 4.2.
.
.
a) Calcule el valor de la tensión en bomas de la :capacidad ve y la tensión de salida v 0 para el estado
estacionario en el intervalo t < O (0,5 p.).
b) En t =O se produce la transición y v1 pasa a valer -5 V. Indique el valor de la tensión de salida v 0 y el
estado del diodo en el instante t =O+ (0,5 p.).
e) Obtenga la ecuación diferencial que rige la evolución de ve en el intervalo O < t < T, y calcule la
expresión de vo(t) en ese caso (1 p.).
d) En t=T la tensión a la entrada vuelve a cambiar al valor VF. Si T = 1 ms, indique el valor de la tensión
de salida Voy el estado del diodo en el instante t = T (0,5 p.).
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Figura 4: 1
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Figura 4.2
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C = 100 µF; R= 100 !:f:.VF= 7 V; VR = 5 V
Para el diodo:
Modelo con tensión de codo Vy = 0,5 V y resistencia en directa rF = H1.
Efectos capacitivos internos despreciables
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PROBLEMA 2.- El transistor ,de la figura 3 debe
conmutar sobre una carga capacitiva CL= l O nF Esta
capac1dp.d es, l~ <;¡ue ·li111ita la v·docidad de la conmutación,
y no las capacidades parásitas del transjstor qµe pueden ,
por tanto, ignorarse.
,
+Yce = l.:
a) Calcular el punto de trab~JO del tra~sistor en estado
estac10nario con el conmutador en la posición 1 (0,3 p).
b) Idem con e l conmutador en 2 (0,5 p).
e) En t =O el conmutador pasa de 1, donde llevaba mucho
.ti~mpo, a 2. Calcular el tiempo t0 N que tarda v 0 en alcanzar
s u valor final. (Puesto que ignoramos las capacidades del
transistor, éste entra instantáneamente en modo activo)
( 1,2 p)
Transistor:
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JUNIO 2006
. Ejercició ~.El circuito de la figura 4.1 consta de un transistor MOSFET de acumulación y una resistencia de
carga RD La tensión ele entrada V; se representa en la figura 4 .2. Calcular:
a) El valor de la tensión de salid~ para t=O, v.0 (0), y para t-+oo, v 0 (t~) (0,7 _p) .
.
:
b) La expresión de Ja tensión
.
de salida, v0(t), para t>T (0,9 p)
c) Si la resistencia de carga RD se sustituye por una carga activa, como muestra el circuito de Ja figura 4.3,
vuelva a calcular el valor de Ja tensión de salida para t=O, v 0 (0) (0,9 p)
DATOS: VDD=5 V; RD=20 kü; C=5 µF
MOSFET Q,, canal n de acumulación (normalmente OFF): K 1=20 µA/V 2 ; Vn=2 V;
MOSFET Q 2 , canal riele tleplex:ión (nmmahnente .O N): K 2 =5 µA/V 2.; Vn=-2V
Para los transistores en saturación i 0
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Figura 4.1
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EBAS
Problemas
adicionales
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FEBRERO 2007
Ejercicio l.
En el circuito de la figura 1 los cuatro diodos, Di, D2, D3 y D4 son iguales. El generador Va es de tensión
continua.
a) Para Va= O V, diga, razonando la respuesta, en qué estado se encuentra cada uno de los diodos.
Calcule la corriente por las resistencias Ri. R 2 y R1 . (1 p)
b) Para Va = 7 V demuestre que los diodos D 1 y D4 están en OFF. Calcule el valor de la tensión de
salida, V0, y la corriente por la resistencia R1 • (1 p)
c) Para VG = -7 V explique cuál será el estado de cada uno de los diodos. (0,5 p)
DATOS: Vcc = lOV, Ri =R2 = Rt.= 10 kQ. Para los diodos
utilice un modelo lineal por tramos con Vr =O, 7V:
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15k
FEBRERO 2007
Ejercicio 2.
El circuito de la figura 1 representa un amplificador CMOS. Los dos transistores M1 y M2 son normal OFF.
Se pide:
sduro..c,(r.
a) Calcular /Dl,JD2 y V"o (en continua) y los parámetros del circuito equiv~ente en pequeña señal, gm y r0 ~
para cada transistor. Compruebe que ambos transistores trabajan en@ Para el análisis de polarización
tome VA -700, pero no use esta aproximación para ningún otro cálculo. (lp)
b) Dibujar el circuito equivalente en pequeña señal y calcular la ganancia de tensión,
Av =v0 /V;. (1,5p)
vt>D
DATOS:
VDD=5V; ~=2,5 V; R=312,5 kn
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FEBRERO 2007
Ejercicio ~· El circuito de la figura 1 se utiliza para aplicaciones de comunicaciones ópticas. El transistor trabaja
conmutando y con ello se modula el diodo emisor de luz (Drno) en ON (encendido) - OFF (apagado). La señal
que se aplica al circuito es la de la figura 2. Se pide:
a) Para t <O, diga el estado en el que se encuentran los diodos D 1 y DLED y el transistor. Calcule. la
corriente de colector del transistor, ic , la corriente a través del diodo, iLED, y la tensión en los bomas
del condensador v0 • (0,9p)
b) Para t-+oo, diga el estado en el que se encuentran los diodos D 1 y~ y el transistor. Calcule la
corriente de colector del transistor, ic , la corriente a través del diodo,
iLED,
y la tensión en los bornes
del condensador v0 • (0,9p)
c) Calcule la variación d~ la tensión en el condensador para t>O, v0 (t). (0,7p)
Va
.!lt$])
DATOS:
Vcc =5 V; Re =2kn; RB =500 Q;
R=l,8kü; C=IO nF
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R
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Diodo D1: Modelo lineal por tramos
con V,,1 =0, 7 V
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Diodo LED: Modelo lineal por tramllos::r1>2
con V,,LED = 1, 2 V
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Transistor Bipolar:
V,,E =0, 7 V; VCEsar =0,2 V; ,8=100
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FEBRERO 2007
Ejercicio 3.
El circuito convertidor tensión-corriente de la Figura 1 está formado por un par diferencial con dos transistores idénticos que trabajan en activa. Se pide:
a) Calcular las corrientes de los colectores lc 1 e lc 2 en continua y los parámetros r.n-I y rtr 2 del modelo
equivalente para pequeña señal de los transistores T1 y T2 respectivamente. (O,Sp)
b) Dibujar el circuito equivalente en pequeña señal del circuito completo (no utilice el teorema de
Bartlett). (lp)
c) Sobre el circuito anterior, calcular la resistencia de entrada del circuito en modo diferencial,
lín == :vrJI i =(v1 -v2 )/ i~do la señal alterna en modo común ve =0. (lp)
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DATOS:
Transistor:
P=lOO;. J/;=25 mV.
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7
- JUNIO 1998
Ejercicio 5
desean conocer las limitaciones del Amplificador Diferencial representado en la figura 5, en lo que
_~specta a algunos valores de diseño.
Vvv
DATOS:
VDn= 10 V; Rn = 10 kQ
Fuente de corriente: lo=l mA; VcE,sa; = 0,2 V
Transistores NMOST idénticos: Vr= 1 V
Característica 1-V en saturación:
ID= 1c(Vas - Vr) 2
Rv
o
Vvv
L_
(
VfN
con K = 0,125 mNV2
-Vss
Figura 5
Se quiere diseñar el amplificador para que funcione correctamente en un cierto rango de tensión de entrada
común (VJN = Vnv; VnvMIN s v!N s VIN.MAX ).
a) Calcular el valor de la tensión continua en el nodo O cuando el Amplificador Diferencial funciona
· correctamente. (0,2 p.)
_) Expresar exclusivamente en función de la variable Vm la tensión continua en el nodo S · cuando el
Amplificador Diferencial funciona correctamente. (0,3 p.)
e) Para un cierto valor de VIN= VINMIN, alguno(s) de los componentes del circuito se sitúa(n) en el límite de
su funcionamiento deseado. ¿De qué componente(s) se trata? ¿En qué límite se halla(n)? (0,5 p.)
d) Calcular el valor de Vss para que VJN.1v1nv= -5 V. (0,5 p.)
e) Para un cierto valor de Vm= Vnv.MAX, alguno(s) de los componentes del circuito se sitúa(n) en el límite de
su funcionamiento deseado. ¿De qué componente(s) se trata? ¿En qué límite se halla(n)? (0,5 p.)
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SEPTIEMBRE 1999
Ejercicio 4. Erí este ejercicio se propone el estudio de un Amplificador Operacional real con etapa de
entrada asimétrica, ganancia finita e impedancia de salida no nula. Su circuito equivalente se ha
representado en la figura 4.1.
V+
R(l+s)
VA
R(l-s)
Vo
Figura 4.2
R(l+c)
R(l-&)
Figura 4.1
Figura 4.3
Se le pide que:
a) Calcule la impedancia de salida del Amplificador Operacional, Ro (0,5 p.).
b) Calcule su impedancia de entrada para el modo común, R1c=v1cli1c, y la ganancia de tensión en modo
común Ac=voclv1c, conforme a la figura 4.2 (0,9 p.).
e) Calcule su impedancia de entrada para el modo diferencial, R1IFV1diJn, y la ganancia de tensión en
modo diferencial ÁD=vodv1n, conforme a la figura 4.3 (0,9 p.).
d) Calcule su CMRR expresado en dB (0,2 p.).
DATOS: R=l k.Q, Rs=SO .Q,A=lOOO, .s=0,001
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-JUNIO 2001
· Ejercicio 4.
Para el amplificador diforencial de la figura_ se
pide:
a) Calcular el nivel de continua a la salída y comprobar que los
transistores están saturados (OS p)
h) Calcular !a g<mancia t:n mudo cmnún (Are= l'.,,lv;c, con
V¡¡ =V12 = V1,,)0 siendo Vu el voltaje de pt"t¡uefü1 se!'íal a la salida
(1,(} p)
e) Calcular la ganancia en modo diferencial (Ar,¡== v,Jv;,¡, con
V¡¡= •V12 = V¡j2) (1,0 p}
IDD=5V~RD=7k.U;Jo=
l mA
Transistores iguales: k = l mA.V-2; Fr= l V; f'A-+ "'-'
Las fuentes de cmTiente continua son ideales
Figura 4
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JUNIO 1997
Ejercicio 5.-
Fig. 5.1 muestra un circuito comparador utilizado para excitar un diodo LED. Mientras la señal de
entrada v1 puede variar de forma continua con el tiempo, la señal de salida v0 sólo puede tomar dos
valores ..
:i
DATOS
Vcc= lOV
r-~-e
y0
R¡ =3KQ, R2=1K, R3=1KQ.
A.O ideal sin efectos capacitivos.
+
Diodo aproximado por tramos rectos con:
V¡"-'
lvD
r¡=IOQ,
lfy=0.6V,
Capacidad de despoblación (vD < Vy) =lOpF
Capacidad de difusión (vn < Vy)=O F
Fig.5.1
a) Calcular
Vref
(0.3p)
b) Calcular en estática Vo para V¡>
y para VJ <
Vref
Vref
V:,.,.¡----
(0.4p)
e) Calcular en ~stática io para V1 >
y para V1 <
vref
t
vref
(0.5p)
Fig. 5.2
d) Si la señal v1 es como muestra la Fig 5.2. Calcular el tiempo que tarda el diodo en pasar de OFF a ON
después de conmutar en t =O (tiempo que tarda V0 en alcanzar el valor Vy (0.8p)
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JUNIO 1999
Ejercicio 3.
En el circuito de la figura 3.1 los dos MOSFET de canal n (MI y M2) son iguales. Lo
mismo ocurre con los dos MOSFET de canal p (M3 Y M4). Los cuatro son normalmente off (acumulación)·
y 1 Vr 1 es el mi.smo para los cµatro. Suponiendo que los cuatro MOSFET están trabajando en saturación .
(su ecuación es la que se indica en la figura 3.2), detennine:
a) La expresión de i2 en función de i1 a partir de las ecuaciones que imponen M3 y M4 (0,5 p)
b) La expresión de vo en función de v1 y v2 (no es un análisis de pequeña señal), es decir, exprese v0 =
fiy1,v2) (0,5 p)
e) La expresión de vo en función de VD y ve, vo = g(vD, ve), siendo vn=v1-v2 y vc=(v 1+v2)/2 (0,5 p)
d) A partir de la expresión anterior (vo = g(vn, ve)) y haciendo el desarrollo en serie en tomo al punto
vD=Vo, vc=Vc, calcular la señal alterna vº en función de las señales alternas vd y Ve, suponiendo que la
amplitud de las señales alternas vd y Ve es suficientemente pequeña como para en el desarrollo en serie
se puedan despreciar los términos de las derivadas de orden 2 o mayor. v0 , VD y ve se pueden
descomponer como sigue: vo=Vo+vº, vn=Vn+vd, vc=Vc+vc donde Vo,VD y Ve son señales continuas y
además Vo=g(Vn,Vc). (1 p)
+ Vss
~
D
~
s
ii¡
- Vss
Figura 3.1
DATOS: kn = 1 mA/V2,
l.·º?=~1
~ ,
Figura 3.2
R=l kn,
J ~)1\ lz. == l. :1
!Vn=IV,
Vss=lOV,
Vn= 0,5 V,
Ve= 1 V
¡
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b) t Vº=d(~A)?
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·
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0
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5
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' Vo ~i (v.,v,)
18
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~ :;
2Rkn (ve+ Vss - J VrY
~'
2/f:k, VD
Va
Ve
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;v~ {fo Ye} -= 2f2krt{t-+ fss- - J\'1-V
:?l (ir,;,-i;) ~ 2 R&,Vr,
~vº+~ =Y°"+2Kkl¡{Vc+Vs 5 -fVr/)(v.i~,=~)+2RkhVo(vc+~')
J
7
SEPTIEMBRE 2000
Ejercicio 4. Los dos transistores bipolares del amplificador
diferencial con, salida diferencial de la figura A. trabajan en
activa directa. Ambos están a la misma temperatura pero no son
iguales: para Q¡, fs¡ = ªF hsi = 0,9 10·14 A, mientras que, para
Q2, !Sl = aF hsi. = 1, 1 10· 14 A. Por tanto el circuito no es
simétrico.
+Vce
10 = J mA
(ideal)
a) Se aplica a las dos entradas la misma tensión vn = v12 = vA.
Exprese la tensión de salida v0 en función de VA. (0,8 p.)
b) Se aplica a las dos entradas 'una (pequeña) señal común
vn(t) = Vü(t)"= vc(t). A partir del resultado del apartado a),
sin
Re= 1 kQ
resolver
ningún
circuito,
calcule
la
ganancia
~00
.
.
=
--,
siendo Va(t) la parte alterna de la tensión de
·
vc(t)
Ác
-Vcc
salida. (0,4 p.)
Figura 4
Por último, las entradas se excitan con una (pequeña) señal diferencial V;¡(t)
e) Dibuje el cto equivalente de pequeña" señal (0,7 p.)
•
V 0 (t)
d) Calcule la ganancia A0 ?= - - (0,6 p.)
= -
v12(t)
=
vlJ)/2.
vAt)
DATOS:
/31 = /32 = /3 >> 1, rir = /3 k~/e, r
0
--7
ce,
kT /e:::: 0,025 V
e
NOTA: Considere los efectos capacitivos de los transistores despreciables.
BJT
e-i.
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bj
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iicci.
JUNIO 1999
Ejercicio 2.
La figura 2.1 muestra un circuito "multiplicador de VsE" que realiza la función de
mantener en sus terminales una tensión aproximadamente proporcional a la tensión vnE del BIT. Para su
correcto funcionamiento, la corriente de base ÍB debe ser despreciable en el nodo B. Sabiendo que el BIT
opera en activa:
=
a) Calcule el valor de M que cumple que v M vnE suponiendo que
is es despreciable en el nodo B (0,8 p.)
b) Si se ha medido V= 1860 mV y VsE = 61 O m V, calcule el valor
del parámetro hs del BJT (0,9 p.)
e) En el punto de trabajo del apartado b), calcule la resistencia
equivalente del circuito como componente de dos terminales
para pequeña señal a frecuencias medias (0,8 p.)
DATOS:
¡+
1 <=>
2R
1
V
V
R
R=lkQ, Vi=26mV
Del BJT:
bJ
q
/3F= 50, ro ~.co
V-::42,0niV
lfe¡:-= .()OmV
,_---f@
T
2R=-
~he
~-
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v- lfeE - 1~6-o,6d. _-~4,2r _ 0 o..Jrn
,, 2 ~ A
2.R
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Z
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\ I,. I,. -
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A
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~
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N
V
R
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\/
=)
2R +(í<I/ rn)
=J
=)
_
ZR+ ( f(J/
rn)
g,,, (re// r;,)+ i
22
'
=
J
A%,S- JL
JUNIO 1997
Ejercicio 3
pretende estudiar cómo influyen ciertos elementos externos (circuito de polarización) y factores
íntemos de un transistor de efecto de campo, en el comportamiento del dispositivo. Para ello, considérese
el circuito de la figura.
+V
DO
DATOS:
Circuito de polarización:
VDD = Vss= + 5 V ; V00 =O V.
Transistor MOSFET (de acumulación), de canal n:
Vr = 3 V ;
k
=
z = 10- 3 A /
k' -
L
V2
L: Longitud del canal; Z: Anchura del canal
'
Característica I-V en saturación: 1D = k · {v08
-
Vr )2
l
a) Calcular los rangos de valores de R0 que hacen trabajar al MOSFET en las
distintas regiones de funcionamiento (corte, región gradual y saturación). (0,8 p.)
b) Repetir el apartado anterior si se intercambian las tensiones de polarización aplicadas a los nodos de
puerta y fuente, esto es, ·se hacen Va =-Vss y Vs = V00 (0,6 p.)
-V SS
e) Se quiere estudiar seguidamente la variación del parámetro de transconductancia del MOSFET en
saturación, gm, con respecto de posibles variaciones de las dimensiones Z y L del transistor en tomo a
su valor nominal de diseño. Para ello, se escoge un valor de Rn = 1 kQ. Calcular los valores nominal,
máximo y mínimo de gm si
f
1A:1 = 16 1~ 0,02 . (0,6 p.)
ª) ¿ RD?
rr : VGs =VG6 - Vss
l
Es: Vol> - r~RD - Vos C: T0= k(VGs- \IT
Vss. =o
y·
\0s~ ~ v,G - Vss o -(-s) =!V] 1nJ~j,en~ J, RD
:=
\ IJ)a¿= Jó3 {5-3)2 = l()o- 3A = 4~11 ] ,~ient, Je Ro
Jv~ = Voo-r Rr.>-Vss = 5-lfRl>-(-s) =)0-4RoJ
0
~f'°~s fa.s ÁfÍ88's
VGs = 5 V > V,. = 3V
de sduro.ciÓn:
~ VRn
f:I f1oSFET e&ÍA
~s > v~ :9 Jo-lfRo > VGs-VT -'.) )o4RD
11,,- {,,,.fe,'
Si
R0 '> 2 0z.
5,·
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Rn < 2k.fl. [
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JUNIO 1998
Ejercicio 1
El componente de dos terminales de la figura 1 limita la tensión en bomas de la resistencia R mediante la
/~·~·acción de los diodos D1 y D2.
a) ¿Cuál·es esa tensión límite en valor absoluto, si considera como primera aproximación el modelo lineal
por tramos para los diodos? (0,6 p.)
- · ··
b) Obtenga y represente gráficamente la característica 1 - V del componente en e~tática, utilizando de
nuevo el modelo lineal por tramos. (0,8 p.)
e) Considerando como segundo nivel de aproximación el modelo de Shockley para los diodos, calcule el
valor de la resistencia equivalente rEQ del componente para pequeña señal en el punto de trabajo_.
VQ = 580 rnV. (0,6 p.)
DATOS: R = 1 kn, Vi= 25 mV
+
Parámetros de los diodos,
+
Modelo lineal por tramos:
R
V
Vr:;t: O, rd =O, Vz-+ oo
Modelo de Shockley:
Is= 2,1 pA
11
I - diD
--gd - dv
ra
v vD=va
. NOTA: Para el cálculo de pequeña señal del apartado e) los efectos capacitivos de f'os. diodos son
+. vl> In
despreciables.
Figura 1
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./JUNIO 1995
Ejercicio 4
El circuito de la figura permite medir el parámetro h¡e ( z fJ) del transistor T3 a través de la ganancia de
tensión en pequeña señal A.,=v/v5 • Para ello se polariza un circuito en emisor común con una corriente de base
(ls3 =lc2) fija, de 50 µA, mediante un circuito Widlar (espejo de coniente con reducción o lente de corriente).
Dado que el transistor T3 es de tipo npn, para realiz.ar esta polarización se requiere una fuente Widlar con
transistores pnp.
a) Calcular la corriente ICJ y la resistencia R2 para obtener esa corriente de base en T 3. (0,8 p.)
b) Si la ganancia medida a frecuencias medias vale Av=-v0 vs=-200. ¿cuál es el valor de h¡e del transistor T3?.
Suponga en este apartado que el transistor T3 se encuentra en activa y que la resistencia equivalente en
pequeña señal de la fuente Widlar vista entre los terminales BE de T3 es infinita. (0,4 p.)
. e) Para el valor de h1e obtenido en b) comprobar que, efectivamente, el transistor medido, T3, se encuentra en
activa. (0,3 p.)
d) Calcular la frecuencia de corte inferior del circuito. (0,5 p.)
:"
··-·-- --- --------
·:
VEE
: ............................... :
Datos:
f31
= ~2 >> 1
(en activa) VEB1=VEB2 =0,7 V
(en activa) VBE3 = 0.7 V
h;e3 (k.Q) = 0,025/IB3Q (mA)
Rc1 = 4,65 k.Q
Rc3= 1 k.Q
!X)~
R,,q
-·
.
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JUNIO 2000
Ejercicio 2. La figura 2 muestra un circuito receptor de comunicaciones ópticas que emplea un fotodiodo
orno sensor y un amplificador de corriente realizado con un JFET de canal n. El fotodiodo, de sensibilidad
s, equivale desde el punto de vista circuital, a un generador de corriente de valor sp¡ (siendo p¡ la potencia
de la pequeña señal luminosa incidente) en paralelo con un diodo, como muestra la figura 2.
a) En ausencia de señal (p¡ = O), calcule Rs para que h = O, comprobando que el diodo opera en OFF y el
transistor en saturación (1 p.)
b) Dibuje el circuito equivalente de pequeña señal para frecuencias medias (0,5 p.)
i
e) Calcule la relación - 1- de pequeña señal y frecuencias medias(0,5 p.)
p¡
d) Halle el margen dinámico a la salida para la señal ii, sabiendo que no está limitado por el diodo ni
porque el JFET entre en región de corte o gradual, sino por la falta de validez del modelo de pequeña
señal del transistor.
NOTA: Considere el margen dinámico de la corriente como la máxima amplitud simétrica de i1 que no
produce distorsión. Suponga que el JFET es un dispositivo aproximadamente lineal si: ¡vg,I <!Vas -Vz.l/5
(O,Sp.).
Vcc
h==h+i1
S-p¡
...
DATOS:
Vcc= 12 V,
RD = 3 kD., Ra = 1O kD., Cs--+ oo.
Para el fotodiodo:
Vr = 0,5 V, Vz --t oo,
s = 0,5 AJW
Para el JFET en saturación se cumple que:
ID =K(Vas -VT)2
con: x:= 1 mA/V2, Vr = -6 V, VA (tensiónEarly)--t oo,
-Vcc
Figura 2
i,,_=O
Vcc
Q
(Q]
+
~
Vos
+
-
l/GS -
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Rs
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