UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍA FACULTAD DE INGENIERÍA MECÁNICA INFORME LABORATORIO N °2 CURSO: Electrónica de Potencia SECCIÓN: “B” PROFESOR: Ing.Huamani Huamani Edilberto ESTUDIANTES: Chávez Duran Marvin Jorge 20150204E Lima, 18 de mayo del 2018 1 ÍNDICE OBJETIVOS FUNDAMENTO TEORICO……………………….………………………………………………….3 PROCEDIMIENTO…………………………………………………………………………………….11 CALCULOS PREVIO…………………………………………………………………………………..12 SIMULACION EN PROTEUS…….………………………………………………………………..14 BIBLIOGRAFIA………………………………………………………………………………….……...15 ……………………………………….………....………………………………..……3 2 DISPARO DE UN TIRISTOR CON C.I UJT Y PUT I. OBJETIVOS: Diseñar circuitos de disparo de tiristores usando circuitos integrados UJT y PUT. Usando los circuitos diseñados disparar un tiristor que actuva una carga activa. II. Fundamento Teórico 1. EL TRANSISTOR DE UNIJUNTURA (UJT) Este dispositivo se utiliza, fundamentalmente, como generador de pulsos de disparo para SCR y TRIACs. El UJT es un componente que posee tres terminales: dos bases y un emisor, tal como se muestra en la siguiente figura: En la figura se puede apreciar la constitución de un UJT, que en realidad está compuesto solamente por dos cristales. Al cristal P se le contamina con una gran cantidad de impurezas, presentando en su estructura un número elevado de huecos. Sin embargo, al cristal N se le dopa con muy pocas impurezas, por lo que existen muy pocos electrones libres en su estructura. 3 Esto hace que la resistencia entre las dos bases RBB sea muy alta cuando el diodo del emisor no conduce. Para entender mejor cómo funciona este dispositivo, vamos a valernos del circuito equivalente de la figura siguiente: R1 y R2 equivalen a la resistencia de los tramos de cristal N comprendidos entre los terminales de las bases. El diodo D equivale a la unión formada por los cristales P-N entre el terminal del emisor y el cristal N. Mientras el diodo del emisor no entre en conducción, la resistencia entre bases es igual a: Si en estas condiciones aplicamos una tensión de alimentación VBB entre las dos bases, la tensión que aparece entre el emisor y la base será la que corresponda en el circuito equivalente a R1; es decir, en el divisor de tensión se cumplirá que: 4 Si llamamos η=R1/RBB, la ecuación queda: V1 = η VBB. El término η representa la relación intrínseca existente entre las tensiones V1 y VBB. Así, por ejemplo, si un UJT posee una relación intrínseca característica igual a 0,85 y queremos determinar la tensión que aparecerá entre el terminal de emisor y la base 1 al aplicar 12V entre bases, bastará con operar de la siguiente forma: Al valor de V1 se le conoce como tensión intrínseca, y es aquélla que hay que aplicar para que el diodo comience a conducir. En nuestro ejemplo, si aplicamos una tensión de 8V al emisor, éste no conducirá, ya que en el cátodo del diodo D existe un potencial positivo de 10,2V correspondiente a la tensión intrínseca, por lo que dicho diodo permanecerá polarizado inversamente. Sin embargo, si aplicamos una tensión superior a 10,9V (los 10,2V de V1 más 0,7V de la tensión de barrera del diodo D), el diodo comenzará a conducir, produciéndose el disparo o encendido del UJT. En resumen, para conseguir que el UJT entre en estado de conducción es necesario aplicar al emisor una tensión superior a la intrínseca. Una vez que conseguimos que el diodo conduzca, por efecto de una tensión de polarización directa del emisor respecto a la base 1, los portadores mayoritarios del cristal P (huecos) inundan el tramo de cristal de tipo N comprendido entre el emisor y dicha base (recordar que el cristal P está fuertemente contaminado con impurezas y el N débilmente). Este efecto produce una disminución repentina de la resistencia R1 y, con ella, una reducción de la caída de tensión en la base 1 respecto del emisor, lo que hace que la corriente de emisor aumente considerablemente. 5 Mientras la corriente de emisor sea superior a la de mantenimiento (Iv), el diodo permanecerá en conducción como si de un biestable se tratase. Esta corriente se especifica normalmente en las hojas de características y suele ser del orden de 5mA. En la figura de la derecha, se muestra el aspecto de una de las curvas características de un UJT. Vp (punto Q1) nos indica la tensión pico que hay que aplicar al emisor para provocar el estado de encendido del UJT (recordar que Vp = V1 + 0,7). Una vez superada esta tensión, la corriente del emisor aumenta (se hace mayor que Ip), provocándose el descebado del UJT cuando la corriente de mantenimiento es inferior a la de mantenimiento Iv (punto Q2). Aplicaciones del UJT Una de las aplicaciones del UJT más común es como generador de pulsos en diente de sierra. Estos pulsos resultan muy útiles para controlar el disparo de la puerta de TRIACS y SCR. En la siguiente figura, se muestra el esquema de uno de estos circuitos . 6 Su funcionamiento es como sigue: Al aplicar una tensión VCC al circuito serie RC, formado por la resistencia variable RS y el condensador CS, dicho condensador comienza a cargarse. Como este condensador está conectado al emisor, cuando se supere la tensión intrínseca, el UJT entrará en conducción. Debido a que el valor óhmico de la resistencia R1 es muy pequeño, el condensador se descargará rápidamente, y en el terminal de B1 aparecerá un impulso de tensión. Al disminuir la corriente de descarga del condensador, sobre el emisor del UJT, por debajo de la de mantenimiento, éste se desceba y comienza otro nuevo ciclo de carga y descarga del condensador. Así, se consigue que en el terminal de la base 1 aparezca una señal pulsante en forma de diente de sierra, que puede utilizarse para controlar los tiempos de disparo de un SCR o de un TRIAC. Para regular el tiempo de disparo es suficiente con modificar el valor óhmico de la resistencia variable RS, ya que de ésta depende la constante de tiempo de carga del condensador. En la siguiente figura, se muestra una típica aplicación del generador de pulsos de diente de sierra con UJT para controlar el disparo de un SCR. Mediante este circuito controlamos la velocidad de un motor serie (o de cualquier otro tipo de carga: estufas, lámparas, etc.) gracias a la regulación de la corriente que realiza sobre medio ciclo del SCR. Para controlar la 7 velocidad del motor, basta con modificar la frecuencia de los pulsos en dientes de sierra, lo cual se consigue variando el valor del potenciómetro RS. 2. DISPARO CONTROLADO DE TIRISTORES MEDIANTE TRANSISTORES UNIJUNTURA PROGRAMABLES (PUT) El Transistor Unijuntura Programable (Programable Unijunction Transistor, PUT) es un dispositivo compuesto de 4 capas semiconductoras, similar a un SCR. Sin embargo, el disparo del mismo es respecto del ánodo en vez del cátodo. Mediante un divisor de tensión resistivo se establece precisamente la tensión de disparo (tensión de pico, Vp, del PUT). Los PUTs se utilizan casi exclusivamente para control de fase en circuitos de rectificación controlada, y en algunos casos, se los utiliza como osciladores. Operación del PUT: El PUT tiene 3 terminales, un ánodo (A), un cátodo (K) y una compuerta (G). El símbolo eléctrico del PUT y su correspondiente circuito equivalente se ven en la figura 1. Figura 1 8 En la figura puede verse que el PUT es como un SCR disparado por ánodo, esto es, si la compuerta se hace negativa respecto del ánodo, el dispositivo pasará del estado de bloqueo (o de corte) al estado de conducción. Una característica interesante que presenta este dispositivo es que tiene una región o zona de trabajo de resistencia negativa. Cuando la tensión entre ánodo y cátodo, Vak, supera a la tensión de pico Vp (la cual es programada mediante el divisor resistivo; R1, R2), el dispositivo entra en conducción, con lo cual cae la tensión Vak y aumenta la corriente. Esto ocurre hasta que se llega a la tensión de valle (Vv), el cual es un punto estable de operación. De esta forma, se obtiene la región de resistencia negativa, delimitada entre los puntos de pico y de valle. Esto puede verse claramente en la figura 2. Figura 2 La tensión de pico Vp es esencialmente la misma que la tensión de referencia del divisor de tensión, excepto por la caída de tensión en la juntura de la compuerta. Una de las aplicaciones típicas de este dispositivo es en un oscilador de relajación, como el de la figura 3. Para analizar más fácilmente como funciona este circuito, es conveniente hablar del equivalente de Thevenin para la fuente de tensión externa y el divisor resistivo, aplicado en la compuerta. Estos parámetros quedan definidos: 9 Las corrientes de pico, Ip, y de valle, Iv, dependen de la impedancia equivalente en la compuerta, Rg, y de la tensión de alimentación Vs. Por lo tanto, la curva característica del PUT es sensible respecto de variaciones en Rg y Vs. Figura 3 La red RC compuesta por Rt y Ct controla la frecuencia de oscilación junto con R1 y R2. El periodo de oscilación T está dado en forma aproximada por: 10 III.PROCEDIMIENTO A. PRIMERA PARTE: UJT 1. Diseñar e implementar el circuito de disparo de la figura 1 para Vz=24V. FIGURA 1. Esquema del circuito a implementar en la primera experiencia 2. Considerar que todas las resistencias y potenciómetros deben disipar potencias de 2W o más. 3. Para C=0.22uF cerrar el interruptor SW1 y anote lo que ocurre, luego cierre el interruptor SW2 anotando lo sucedido, luego variar RP observe y anote. 4. Cambiar el valor de C por los demás y repita el paso 3. 5. Para los pasos 3 y 4 colocar el osciloscopio entre los terminales del condensador y grafique la forma de onda. B. SEGUNDA PARTE: PUT 2N6027 1. Diseñar e implementar el circuito de disparo de la figura 2 para Vz=30V. 11 FIGURA 2. Esquema del circuito a implementar en la segunda experiencia 2. Repetir los pasos 3, 4 y 5 de la primera parte. CALCULOS Y RESULTADOS. CIRCUITO DE DISPARO UJT Materiales Potenciome Resis (RB2) Resis fija Valor buscado 50<Rp<2K 520.83 500 nominal cantidad potencia Rp>2K RB2>520.83K R<500K 1 1 1 2W 2W 2W UJT 2N4870 CONDEN.(uF) CANTIDAD 0.22 1 0.5 1 1 1 ZENER 1 12 2N2646 VOLTAJE 50V 50V 50V 30V Realizando el análisis del primer circuito a implementar, tenemos: Cálculo de RB2: 10^4Ω 10^4Ω 𝑅𝐵2 = = = 476Ω(𝑎𝑝𝑟𝑜𝑥) 𝑛 ∗ 𝑉𝑠 0.7 ∗ 30 Cálculo de R: 𝑇= 1 1 1 = 𝑅 ∗ 𝐶 ∗ 𝐿𝑛 ( )→𝑅∗𝐶 = = 13.843𝑚𝑠(𝑎𝑝𝑟𝑜𝑥) 1 𝑓 1−𝑛 60 ∗ 𝐿𝑛 (0.3) 𝑅 ∗ 𝐶 = 13.843𝑚𝑠(𝑎𝑝𝑟𝑜𝑥) Entonces: 𝑅 > 3𝑘Ω → 𝐶 < 4.614𝑢𝐹 𝐶 = 1𝑢𝐹 → 𝑅 = 13.843𝑘Ω → 𝑅𝑝 = 11.643𝑘Ω(𝑎𝑝𝑟𝑜𝑥) 𝐶 = 0.5𝑢𝐹 → 𝑅 = 27.686𝑘Ω → 𝑅𝑝 = 25.486𝑘Ω(𝑎𝑝𝑟𝑜𝑥) 𝐶 = 0.22𝑢𝐹 → 𝑅 = 62.923𝑘Ω → 𝑅𝑝 = 60.723𝑘Ω(𝑎𝑝𝑟𝑜𝑥) Condensador (uF) R(K) T (ms) 0.22 62.922 13.849 0.5 27.686 13.849 1 13.843 13.849 4.7 2.94531915 1.38E-02 10 1.3843 1.38E-02 22 0.62922727 1.38E-02 47 0.29453191 1.38E-02 Los valores de azul son los valores con los que se hizo la experiencia mientras que los valores en rojo son los calculados en la teoría, pero quedan descartados porque en nuestro circuito real hay una resistencia fija de 2.2 K. Cálculo de RB1: Sabemos que T=T1+T2=R*C+RB1*C 1 𝑇2 = 𝑇 − 𝑇1 = − 13.843 = 2.824𝑚𝑠(𝑎𝑝𝑟𝑜𝑥) = 𝑅𝐵1 ∗ 𝐶 60 Entonces: 𝐶 = 1𝑢𝐹 → 𝑅𝐵1 = 2.824𝑘Ω(𝑎𝑝𝑟𝑜𝑥) 𝐶 = 0.5𝑢𝐹 → 𝑅𝐵1 = 5.648𝑘Ω(𝑎𝑝𝑟𝑜𝑥) 𝐶 = 0.22𝑢𝐹 → 𝑅𝐵1 = 12.836𝑘Ω(𝑎𝑝𝑟𝑜𝑥) Condensador (uF) 0.22 0.5 1 RB1(K) 12.836 5.648 2.824 13 T2 (ms) 2.824 2.824 2.824 Circuito Integrado UJT 1. Circuito de disparo para el UJT 2. Graficas en el osciloscopio a. Condensador de 0.22 uF, con una Rp=62.92KΩ y parametros de diseño: RB1= 15KΩ RB2=500Ω 14 b. Condensador de 0.5uF, con una Rp=13.625KΩ y parametros de diseño: RB1= 2.2KΩ RB2=500Ω b. Condensador de 1uF, con una Rp=27KΩ y parametros de diseño: RB1= 5,5KΩ RB2=500Ω 15 CIRCUITO DE DISPARO PUT Materiales Resis(RB1) Resis (RB2) Resis fija Resis ceramica Valor buscado 15.38K 28.57K 500 90 nominal cantidad potencia RB1>15K RB2>22K R<500 R<90 1 1 1 1 2W 2W 2W 2w PUT 2N6026 CONDEN.(uF) CANTIDAD 0.22 1 0.5 1 1 1 ZENER 1 2N26027 VOLTAJE 50V 50V 50V 30V Cálculo de R1 y R2: Dados los datos del datasheet, asumiremos un valor de Rg=10k. Entonces 10𝑘Ω 10𝑘Ω 𝑅1 = = = 14.286𝑘(𝑎𝑝𝑟𝑜𝑥) 𝑛 0.7 10𝑘 10𝑘 𝑅2 = = = 33.333𝑘(𝑎𝑝𝑟𝑜𝑥) 1−𝑛 0.3 Cálculo de Rp: 1 1 1 𝑇 = = 𝑅 ∗ 𝐶 ∗ 𝐿𝑛 ( )→𝑅∗𝐶 = = 13.843𝑚𝑠(𝑎𝑝𝑟𝑜𝑥) 1 𝑓 1−𝑛 60 ∗ 𝐿𝑛 (0.3) Entonces: 𝑅 > 3𝑘Ω → 𝐶 < 4.614𝑢 𝐶 = 1𝑢𝐹 → 𝑅 = 13.843𝑘Ω → 𝑅𝑝 = 11.643𝑘(𝑎𝑝𝑟𝑜𝑥) 𝐶 = 0.5𝑢𝐹 → 𝑅 = 27.686𝑘Ω → 𝑅𝑝 = 25.486𝑘(𝑎𝑝𝑟𝑜𝑥) 𝐶 = 0.22𝑢𝐹 → 𝑅 = 62.923𝑘Ω → 𝑅𝑝 = 60.723𝑘(𝑎𝑝𝑟𝑜𝑥) Condensador (uF) 0.22 0.5 1 4.7 10 22 47 R 62.922 27.686 13.843 2.94531915 1.3843 0.62922727 0.29453191 Cálculo de Rs: 16 T (ms) 13.849 13.849 13.849 1.38E-02 1.38E-02 1.38E-02 1.38E-02 Sabemos que T=T1+T2=R*C+Rs*C 1 𝑇2 = 𝑇 − 𝑇1 = − 13.843 = 2.824𝑚𝑠(𝑎𝑝𝑟𝑜𝑥) = 𝑅𝑠 ∗ 𝐶 60 Entonces: 𝐶 = 1𝑢𝐹 → 𝑅𝑠 = 2.824𝑘Ω(𝑎𝑝𝑟𝑜𝑥) 𝐶 = 0.5𝑢𝐹 → 𝑅𝑠 = 5.648𝑘Ω(𝑎𝑝𝑟𝑜𝑥) 𝐶 = 0.22𝑢𝐹 → 𝑅𝑠 = 12.836𝑘Ω(𝑎𝑝𝑟𝑜𝑥) Condensador (uF) 0.22 0.5 1 RB1(K) 12.836 5.648 2.824 T2 (ms) 2.824 2.824 2.824 1. Circuito de disparo del PUT Imagen tomada el 04 de mayo del 2018 en el laboratorio de electrónica de potencia. 17 Forma de la onda de señal. 1. Para un condensador de 0.22u F y una resistencia en el potenciómetro de 20.2K con los valores de diseño de R1=22K y R2=33k y finalmente con un Rs=12k. Salida de la señal aproximadamente a 30v con una frecuencia de 95Hz.Debido a la carga y descarga del capacitor de 0.22uF. 18 Mayor a la frecuencia de 200hz el dispositivo dejo de funcionar Señal a la salida del PUT 19 CUESTIONARIO 1. Hacer el fundamento teórico del experimento realizado El fundamento teorico va a anexado al informe presente como un tópico previo para entender los parámetros de diseño y funcionamiento del circuito. 2. 3. El informe debe contener todos los datos técnicos del UJT, PUT, valores de los componentes utilizados, así como los gráficos obtenidos en la experiencia. 20 21 TIRISTOR (2N3669) STATIC CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER MIN TYP. MAX. UNIT IGT Gate trigger current - 2 15 mA 22 IL Latching current - 10 40 mA VT Holding current - 7 20 V VGT Gate trigger voltaje - 0.6 105 V ID Off-state leakage current - 0.1 0.5 mA PUT (2N6026 T= 25C°) ELECTRICAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER MIN TYP MAX UNIT IP Peak current - 0.7 1.0 mA VT Offset Voltage 0.2 0.7 1.6 V IV Valley Current 70 150 - mA IGAO Gate to Anode Leak Current - 1.0 10 nAdc IGKS Gate to Cathode leakage Current - 50 50 nAdc VF Forward Volatage - 0.8 1.5 V VO Peak Output voltaje 6.0 11 - V tr Pulse Voltage Rise Time - 40 80 ns UJT 2N2646 ELECTRICAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER MIN TYP MAX UNIT n Intrinsic stand off ratio 0.56 - 0.75 - RBBO Interbase Resistance VB2B1=3 4.7 - 9.1 K VEB1 SAT Emitter Saturation Voltage - - 2.5 V IB2 MOD Modulated Interbase Current - 15 - V IEO Emitter Revers Current - - 12 uA VBR Base 1 Emitter breakdown Voltage 30 - - V IV Valley Current 4 - - mA IP Peak Current - - 5 uA 4. ¿Qué sucede con la lámpara cuando aumenta el valor de C en ambos circuitos? 23 La lámpara enciende más rápido y tiende a ser más estable debido a la a que disminuye del Rp y el t1 que son parámetros para la carga del tiristor. En el caso del circuito integrado UJT, el condensador afectó la frecuencia de oscilación. Al aumentar el valor del condensador de 0.22 a 1 uF, el valor de la frecuencia de oscilación en el condensador bajo de casi 20 Hz a 10 Hz. Además, el valor del condensador afecta el ángulo de disparo y por tanto la luminancia, por lo que teóricamente la luminosidad tendría que disminuir con un C de mayor valor. En el caso del PUT influyo de manera importante en el tiempo de relajación y el periodo, ya que a medida que íbamos cambiando los condensadores y resistencias las frecuencias variaban y por ende el tiempo de encendido y luminosidad de la lámpara. Otro dato curioso es sobre las situaciones donde nuestro condensador almacena voltaje; ya que al quemarse varias veces nuestro circuito explotaba el condensador, por lo que requeríamos hacerlo con uno de mayor voltaje y capacitancia. 5. Según su opinión cuál de los circuitos integrados de disparo es el recomendable ¿Por qué? El que pudimos experimentar fue el circuito con el UJT y podríamos recomendarlo por la facilidad en su uso e implementación. El PUT es más flexible que el UJT ya que la compuerta se conecta a un divisor de tensión que permita variar la frecuencia del oscilador sin modificar la constante de tiempo RC. Además, es más fácil de encontrar en el mercado este tipo de dispositivos. El PUT es utilizado también como oscilador de relajación. Si inicialmente el condensador está descargado la tensión Vak será igual a cero. A medida que transcurre el tiempo este adquiere carga cuando se alcanza el nivel Vp de disparo, el PUT entra en conducción y se establece una corriente Ip. Luego, Vak tiende a cero y la corriente aumenta. A partir de este instante 24 el condensador empieza a descargarse y la tensión Vgk cae prácticamente a cero cuando la tensión en bornes del condensador sea prácticamente cero, el dispositivo se abre y se regresa a las condiciones iniciales.Por lo que recomendaría el 6. ¿Qué dificultades encontró para realizar este experimento? Sugiera que cambios se podrían hacer para mejorarlo. Las dificultades surgieron cuando no se encontraban las resistencias adecuadas para el circuito, ya que los cálculos de estos dependían de los parámetros de los transistores mono unión (UJT-PUT). Otra de las dificultades era los cortocircuitos y explosiones de condensador, a pesar de que ya habíamos armado el circuito de disparo y funcionaba tanto en el UJT y en el PUT (comprobamos incluso para diferentes valores de condensadores y resistencias que disipaban más de 2 W) mostrándonos que la lámpara se iluminaba y que a medida que subíamos el potenciómetro la luz era más intensa; el problema radica cuando se conectaba en el osciloscopio para observar la señal de salida nuestros cables se quemaban y nuestros componentes electrónicos de igual manera; por lo que se tuvo que volver hacer el mismo circuito ,comprar otra vez los integrados y esta vez conseguir cables más gruesos para la zona de alta potencia ; de ese modo ya se pudo observar la señal de salida de los circuitos de disparo. OBSERVACIONES En el primer circuito de disparo con el UJT se observó que a medida aumentábamos el potenciómetro manualmente la luminosidad del foco también aumentaba. Las gráficas con el UJT son de característica de diente de sierra, al inicio solo se mostraban una gráfica vaga e irreconocible, pero al hacer los cambios de los conductores y los condensadores este tomaba ya una forma aceptable. El valor del potenciómetro (Rp) disminuye pues el valor de ángulo de disparo también disminuye, es decir el voltaje pico (Vp) se alcanza más rápido 25 El tiempo de carga (t1) disminuye levemente al aumentar la Capacitancia El tiempo de descarga (t2) aumenta pues este depende del R1*C y el R1 queda constante. Se pueden usar curvas para facilitar el cálculo de las resistencias para cada serie de PUT y UJT Al aumentar la resistencia en el potenciómetro se aumenta la frecuencia y periodo en el osciloscopio haciéndose y se hace grande la imagen. CONCLUSIONES Del experimento podemos concluir, que se cumple la teoría del diseño y operación de los circuitos, así como la visualización óptima del estado de la frecuencia en el osciloscopio y estado del foco cuando se varía el valor de la resistencia del potenciómetro. Al aumentar la capacitancia en el UJT se puede concluir que el diente de sierra se acorta debido a que el tiempo de condensador fue mucho mayor y por lo cual la frecuencia de oscilación disminuye. Se concluye que el ancho de pulso con la constante de descarga es sumamente pequeño como se vio en las gráficas por tal se consideró un diente de sierra de amplitud de 15 V. Se concluye que para el PUT el tiempo de oscilación era mucho mayor si se aumentaba más la capacitancia y el voltaje de entrada de 30V, sin embargo al pasar un límite de frecuencia umbral de oscilación la señal se perdía o se distorsionaba mucho. Con una frecuencia mayor a 200 Hz se concluye que se pierde la señal en el PUT,por ello se recomienda trabajar entre frecuencias de 90 a 100 Hz El uso del PUT es relativamente más fácil de implementar y más rápido de encontrar los componentes de su circuito. 26 Como estudiantes estamos listos y más familiarizados en el uso de elemento UJT y PUT como disparadores de SCR para control de fase o rectificación de señales que será en un próximo experimento. RECOMENDACIONES Se recomienda de manera muy estricta hacer los cálculos previos para la selección y compra de los materiales, así como tener también con los cálculos las simulaciones correspondientes, luego montar el circuito y estar probando con las resistencias, condensadores, el diodo Zener y los potenciómetros hasta que usted obtenga una gráfica lo suficientemente visible. La especificación de los 2W que va consumir cada elemento pasivo debe ser tomado en cuenta, de lo contrario se quemara el circuito. De preferencia utilice conductores más gruesos para que puedan tolerar la corriente que circulara por el lado de alta tensión, ya que si trabajamos con los cables convencionales nuestro circuito se dañara totalmente incluyendo nuestros circuitos integrados, que en lo personal son difíciles de conseguir y muy caros ya que son de carácter industrial. Coloque un diodo Zener de 30V como dispositivo de regulación de la fuente DC esto ayudara en la carga de nuestro condensador para su tiempo de carga y descarga, así como influirá en el valor pico y su disparo con su respectivo Angulo. Evité suprimir del circuito este componente ya que a menudo suele quemarse de preferencia trabaje con unos 8 como lo hicimos en nuestro caso. Tenga cuidado con el osciloscopio y con el condensador ya que al conectar en esa zona es justo el punto de falla donde se desarrolla el cortocircuito, podría explotar varias veces incluso llegar a a dañarle, ya que la explosión es muy fuerte e impredecible una vez que el circuito ya este disparado. Recomiendo usar un condensador de mayor almacenaje de voltaje. 27 ANEXOS CIRCUITO UJT 28 GRAFICA DEL OSCILADOR EN EL CIRCUITO UJT: CIRCUITO PUT: 29 VI. BIBLIOGRAFÍA Guía de laboratorio de Electrónica de Potencia UNI – FIM- Articulo: Electrónica de Potencia Tiristores: http://www.profesormolina.com.ar/tutoriales/enica_pot.htm- Articulo: El Tiristor: http://www.electronicafacil.net/tutoriales/El-tiristor.php http://www.datasheetspdf.com/pdf/1128083/Motorola/2N4870/1 http://www.nteinc.com/specs/original/2N4870.pdf 30
