Ministerio de Educación Pública IPEC de Santa

MINISTERIO DE EDUCACIÓN PÚBLICA
IPEC DE SANTA BÁRBARA
MANTENIMIENTO DE EQUIPO DE COMPUTACIÓN
Memoria Principal – RAM – Memoria de acceso aleatorio
MEMORIA RAM
 Memoria de acceso aleatorio, es la memoria primaria de toda computadora. Se
puede describir como un contenedor eléctrico, compuesto de capacitores con
transistor Interruptor).
TIPOS
SEGÚN SU FUNCIONAMIENTO
MEMORIA DINÁMICA - DRAM
DRAM (Dynamic Random Access Memory). Es el tipo de
memoria mas común. En el interior de cada chip de RAM
dinámica se encuentra un bit de información que está
compuesto de dos partes: un transistor y un capacitador
(condensador eléctrico). Son transistores y capacitadores
extremadamente pequeños por lo que millones de ellos
pueden caber en un solo chip de memoria. El capacitador
mantiene el bit de información (un 0 o un 1). El transistor
actúa como un interruptor que permite a los circuitos del
chip leer el capacitador o cambiar su estado.
El cambio continuo de estado es la operación de refresco (si
no olvida, borra, lo que contiene), por eso se llama RAM
dinámica. El inconveniente de este continuado refresco, es
que consume tiempo y ralentiza la memoria.
MEMORIA ESTÁTICA- SRAM
Static Random Access Memory. Tipo de memoria
basada en semiconductores que a diferencia de la
memoria DRAM, es capaz de mantener los datos,
mientras esté alimentada, sin necesidad de circuito de
refresco, igualmente pierden la información si se les
interrumpe la alimentación eléctrica. La memoria
SRAM es más cara, pero más rápida y con un menor
consumo (especialmente en reposo) que la
memoria DRAM. Por sus características es utilizada en
caché de procesadores, almacenadora de registro de
CPU.
TIPOS
SEGÚN SU CONECTOR
SIMM
 SIMM (Single In-line Memory Module) módulo de
memoria simple en línea.
 Formato para módulos de memoria RAM que
consisten en placas de circuito impreso sobre las que
se montan los integrados de memoria DRAM
(Dinamica RAM). Estos módulos se insertan en
zócalos sobre la placa base. Los contactos en ambas
caras están interconectados, muy populares desde
principios de los 80 hasta finales de los 90.
 Pines: de 30 a 72
DIMM
 DIMM (dual in-line memory module) módulo de
memoria con contactos duales.
 Igulamente se conectan directamente en las
ranuras de la placa base de las computadoras
personales y están constituídos por pequeños
circuitos impresos que contienen circuitos
integrados de memoria. Son reconocibles
externamente por tener cada contacto (o pin) de
una de sus caras separado del opuesto de la otra, a
diferencia de los SIMM en que cada contacto está
unido a su opuesto.
 Un DIMM puede comunicarse con la caché a
64 bits (y algunos a 72 bits), a diferencia de los 32
bits de los SIMM.
SO-DIMM
 SO-DIMM (Small Outline DIMM).
 Versión compacta de los módulos DIMM, suelen
emplearse en computadores portátiles.
TIPOS
DE MEMORIAS DINÁMICAS
SDRAM
 La memoria DRAM tenía una interfaz asíncrona, lo que significaba
que el cambio de estado de la memoria se efectúa en un cierto
tiempo.
 En cambio, en las SDRAM el cambio de estado tiene lugar en un
momento señalado por una señal de reloj y, por lo tanto, está
sincronizada con el bus de sistema del ordenador. Utiliza el
método de segmentación (pipeline) significa que el chip puede
aceptar una nueva instrucción antes de que haya terminado de
procesar la anterior.
 Son ampliamente utilizadas en los ordenadores, desde la
original SDR SDRAM y las posteriores DDR, DDR2, DDR3 y
posterior DDR4
DDR
 DDR (Double Data Rate),Doble tasa de
datos.
 Capacidad
de
transferir
simultáneamente datos por dos canales
distintos en un mismo ciclo de reloj.
 Primero usadas con procesadores AMD
Athlon, luego las utilizó Intel.
 Pines: 184
 Voltios: 2.5
DDR
DDR2
 Funcionan con 4 bits por ciclo, es decir 2
de ida y 2 de vuelta en un mismo ciclo
mejorando sustancialmente el ancho de
banda.
 Pines: 240
 Voltios: 1.8
DDR2
DDR3
 Transferencias de datos más rápidamente, y con esto obtener
velocidades de transferencia y de bus más altas que las
versionesDDR2.
 Disminución del consumo eléctrico.
 Pines: 240
 Voltios: 1.5
DDR3
DDR4
 Transferencias de datos más rápidamente, y con esto obtener
velocidades de transferencia y de bus más altas que las
versionesDDR2.
 Disminución del consumo eléctrico.
 Pines: 288
 Voltios: 1.2
Comparación
Consideraciones de lección de la memoria
RAM
• El socket del procesador (de la tarjeta madre) soportan velocidades
de fabricación, por tanto la memoria RAM debe ser compatible con
ésta.
LATENCIA
 Se conoce como el tiempo (nanosegundos) que trascurre entre el momento que el
controlador de memoria solicita un dato hasta que este lo recibe. Se utiliza CLx, la x
representa el número de ciclos de reloj de latencia (espera).
Promedios de latencia
 DDR: CL3
 DDR2: CL5
 DDR3: CL7
 Aunque en cada generación de memoria la latencia aumenta, el tiempo real de espera es
menor, ya que los ciclos son más breves en tiempo, ya que son más veloces.
 La latencia es el principal problema que enfrentan las memorias RAM, los fabricantes
intentan que en cada generación el tiempo que consume sea menos.
REFERENCIAS
 http://es.wikipedia.org/wiki/SIMM
 http://es.wikipedia.org/wiki/DIMM
 http://es.wikipedia.org/wiki/DDR_SDRAM
 http://www.ordenadores-y-portatiles.com/tipos-de-memoria-ram.html