Transistores BJT - electronicafetsybjts
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FET vs BJT Transistores BJT El transistor bipolar es el más común de los transistores, y como los diodos, puede ser de germanio o silicio. Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP. Cuenta con 3 patitas que se denominan de la siguiente manera: base (B), colector (C) y emisor (E). Tipos: Su función y composición… Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la "base") entre dos capas de material dopado N. Una pequeña corriente ingresando a la base en configuración emisor-común es amplificada en la salida del colector. Los transistores PNP son comúnmente operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentación a través de una carga eléctrica externa. Una pequeña corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector. BJT Configuraciones del transistor bipolar Hay tres tipos de configuraciones típicas en los amplificadores con transistores, cada una de ellas con características especiales que las hacen mejor para cierto tipo de aplicación. y se dice que el transistor no está conduciendo. Normalmente este caso se presenta cuando no hay corriente de base (Ib = 0) Amplificador emisor común - Para que una señal esa amplificada tiene que ser una señal de corriente alterna. No tiene sentido amplificar una señal de corriente continua, por que ésta no lleva ninguna información. En un amplificador de transistores están involucradas los dos tipos de corrientes (alterna y continua). La señal alterna es la señal a amplificar y la continua sirve para establecer el punto de operación del amplificador. Este punto de operación permitirá que la señal amplificada no sea distorsionada. Amplificador colector común El amplificador seguidor emisor, también llamado colector común, es muy útil pues tiene una impedancia de entrada muy alta y una impedancia de salida baja. Nota: La impedancia de entrada alta es una característica deseable en una amplificador pues, el dispositivo o circuito que lo alimenta no tiene que entregarle mucha corriente (y así cargarlo) cuando le pasa la señal que se desea amplificar. - Amplificador base común Nota: Corriente de colector y corriente de emisor no son exactamente iguales, pero se toman como tal, debido a la pequeña diferencia que existe entre ellas, y que no afectan en casi nada a los circuitos hechos con transistores. Transistores FET.. Que son?... Se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET, como todos los transistores, pueden plantearse como resistencias controladas por voltaje. Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenaje (drain) y fuente (source), se comporta como un interruptor controlado por tensión, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenaje y fuente. FETs Se dividen en: El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor).-Consiste en un transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS(estructura MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) consiste en un condensador que será la "puerta", el dieléctrico se forma con un óxido del semiconductor del sustrato, y un semiconductor, denominado como sustrato). Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica. Prácticamente la totalidad de los circuitos integrados de uso comercial están basados en transistores MOSFET. El JFET (Junction Field-Effect Transistor) .-es un circuito que, según unos valores eléctricos de entrada, reacciona dando unos valores de salida, estos valores de entrada son las tensiones eléctricas, en concreto la tensión entre los terminales S (fuente) y G (puerta). Son de dos tipos… Canal N.- Se llama material tipo N al que posee átomos de impurezas que permiten la aparición de electrones sin huecos asociados a los mismos. Los átomos de este tipo se llaman donantes ya que "donan" o entregan electrones. Canal P.- Se llama así al material que tiene átomos de impurezas que permiten la formación de huecos sin que aparezcan, como ocurre al romperse una ligadura, electrones asociados a los mismos. Los átomos de este tipo se llaman aceptores, ya que "aceptan" o toman un electrón. Características… Tiene una resistencia de entrada extremadamente alta (casi 100M). No tiene un voltaje de unión cuando se utiliza Conmutador (Interruptor). Hasta cierto punto inmune a la radiación. Es menos ruidoso. Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad térmica. Ventajas de los FETs frente a los transistores bipolares Fabricación sencilla, ocupando menor espacio en su integración Son más estables térmicamente Son relativamente más inmunes a la radiación Tiene una gran resistencia de entrada (MW): se pueden conectar como resistencias de carga en sistemas digitales No tienen tensión umbral para corriente de drenaje cero: excelentes recortadores y muestreadores de señal Debido a sus capacidades internas o propias pueden funcionar como elementos de memoria Tienen menor ruido Inconvenientes Como amplificadores, menor producto ganancia-anchura de banda Practica simulada 1 Materiales Transistor BJT 2n2222 1 resistencia de 5 kΩ 1 resistencia de 10 kΩ 1 resistencia de 1 kΩ Fuente de voltaje de 5v BJT 2N2222 Simulado VRc VRb VRe 3.88v 3.22v 1.1v Temperatura Ambiente 4.64v 4.02v .417v Aplicando Calor 4.61v 4.38v .447 Estática 4.61v 4.02v .417v Practica simulada 2 Materiales Transistor BJT 2n2222 1 resistencia de 4.7 kΩ 1 resistencia de 4.7MΩ 1 resistencia de 1 kΩ Fuente de voltaje de 5v JFET 2n5457 Simulado Temperatura Ambiente Vs Vg Vd 626.31mV 14.31μV 2.94V .791v 0v 3.68v Aplicando Calor(aproximado 200 C .714v 0v 3.46v Estática .792v 0v 3.681v
