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Diodos – Características de conmutación
i
+
vi
+
R
D
_
1/RD
vo
_
vi
1/RI
i
i
P (vo=0; i=V/R)
P
iD
-1/R
-1/R
1/RD
Q (vo=V; i=0)
vo
Q
iI
RD iD
1/RI
RI iI
vo
Diodos – Tiempos de retardo
+
vi
_
+
R
D
vo
_
Transistores bipolares - Características de conmutación
VCC
RC
RB
IC(sat)
VBC=0V
P
-1/RC
RB
RC
vo
+
+
vo
V
_
_
iC
vo
vo
vi
VCC
RC
RC
+
+
VCC
VCC
IB
_
IC
_
Corte
Zona Activa
Saturación
IB
0
>0
>0
IC
≈0
β IB
VCC/RC (<βIB)
VO
≈ VCC
VCC - RCIC
VCE(sat)(≈0)
VBE
≤ 0,6V
> 0,6V
>0,75V
VBC
≤0
≤0
>0
VCC
RC
C
RB
+
Q
IC(corte)
VCE(sat)
VBE=0,6V
VCC v
CE
vi
_
+
B
vo
E
_
Transistores bipolares – Tiempos de retardo
VCC
RC
RB
+
vi
_
+
vo
_
Transistores bipolares – Carga capacitiva en colector
VCC
RC
RB
+
vi
_
+
C
vo
_
Transistores bipolares – Carga capacitiva en emisor
VCC
RB
+
+
vi
RE
C
vo
_
_
τCARGA = (RE
Req ) C
Req = (RB + hie) / (1+β)
τDESCARGA = RE C
Carga
Descarga
vO = VOH + (VOL- VOH) e -t/ τCARGA
vO = VOH e -t/
τDESCARGA
FETs - Características de funcionamiento
D
VDS
IDS
D
IDS
G
VDS
D
D
IDS
VDS
G
G
IDS
VDS
D
G
G
VGS
VGS
S
VGS
S
VGS
S
S
S
iD
iD = k VDS 2
VGS3
VGS2
VGS1
VGS=VGST
vDS
Corte
Saturación
Zona ohmica
VGS
< VGST
<=(VDS+VGST)
>(VDS+VGST)
IDS
≈0
= cte.
VDS/RON
RCH
ROFF ≈ ∞
VDS/IDS
RON ≈103Ω
FETs – Tiempos de retardo
VDD
RD
CGD
D
+
rg
+
vi
_
G
CGS
S
vo
CDS
_
FET como resistencia de carga
VDD
D2
G2
VCC
R2
S2
D1
+
vo
RON < R1 < ROFF
+
vi
_
G1
S1
vo
_
Bibliografía básica
Ginzburg. M. C., Técnicas Digitales con Circuitos Integrados. (B)
- Capítulo 9 (Diodos y transistores bipolares)
- Capítulo 10 (FETs)