RTL TTL DTL CMOS ECL NMOS MOS IIL DEFINICION Está

RTL
TTL
DTL
CMOS
ECL
NMOS
MOS
IIL
DEFINICION
Está compuesta por
diodos y
transistores
básicamente. La
función lógica es
realizada por la
combinación de
diodos a la entrada
y el transistor
inversor a la salida,
de ahí su nombre
(Diodo, Transistor,
Lógica).
Es una de las
tecnologías de
circuitos integrados
más extendidas
hasta el momento
desde principios de
los años sesenta. La
tecnología TTL es
de tipo bipolar, se
basa en los
transistores
bipolares (NPN,
PNP).
Es una categoría
de circuitos
digitales
inmediatamente
anterior a la
lógica transistortransistor.
Es una de las
familias lógicas
empleadas en la
fabricación de
circuitos integrados.
Son unos circuitos
integrados digitales
los cuales usan
transistores
bipolares, pero a
diferencia de los
TTL en los ECL se
evita la saturación
de los transistores,
esto da lugar a un
incremento en la
velocidad total de
conmutación.
Es un tipo de
semiconductor
que se carga
negativamente de
modo que los
transistores se
enciendan o
apaguen con el
movimiento de
los electrones.
Es un
dispositivo
electrónico
formado por un
sustrato de
silicio dopado,
sobre el cual se
hace crecer una
capa de óxido
(sio2).
Es una familia
de circuitos
digitales
construidos con
transistores de
juntura bipolar
de colector
múltiple (BJT).
ESCALA DE
INTEGRACION
Posee
acaparamiento de
corriente, cuando
varios transistores
se acoplan y sus
características de
entrada difieren
LSI
Lógica de
Resistenciatransistor.
Implementa su
lógica basándose en
transistores NPN y
PNP con una
integración en SSI y
MSI
Es un diodo
transistor trabaja
tensiones de
vbase=-2v y
Vcc=4v
Es un área de
integración a gran
escala VLSI para
microprocesadores y
LSI para memorias
grandes
Msi 10 y 100
puertas.
Esta tecnología
resulta apropiada
para la
integración de
muy alta densidad
con integración
VLSI
Este circuito
integrado
poseía 16
transistores
NMOS,
Integración
VLSI
A partir de
10.000 puertas
Lógica Transistor
Transistor.
Lógica DiodoTransistor
Silicio
Complementario de
Oxido de Metal
Canal N
Semiconductor de
Metal-Oxido
Lógica de
Inyección
Integrada
DISIPACION DE
POTENCIA
12 mw y la mos 0,1
mw
2mw a 10 mw
10 mw
Baja disipación de
potencia en
condiciones
estáticas
Alta disipación (40
mw)
Transistor de
Efecto de
Campo MetalOxidoSemiconductor
Disipación
estática
miníma, sólo
disipación de
potencia
dinámica
FAMILIAS
Bipolares
Bipolares
Bipolares
Mosfet
Bipolares
Mosfet
Mosfet
Bipolar
NOMBRE
RETARDO DE
PROPAGACION
Retardo de
propagación de 50
nanosegundos
Retardo de
propagación de 1 a 4
nanosegundos
Retardo de
propagacion de
30
nanosegundos
Es inversamente
proporcional a la
tención de
alimentación
FAN OUT
De 4 a 5 maximo
Fan-out garantizado
(en CC) de 10
Esta limitada
por el fabricante
a8
Fan-out 50
Retardos de
propagación
inferiores a 0,5
nanosegundos por
puerta.
Fan-out 20
MARGEN DE
RUIDO
El margen de ruido
l es de unos 0.5
voltios a unos 0.2
voltios.
400mv
Son de
aproximadamente
1.5V
Pequeños valores
de los márgenes de
ruidos
ALIMENTACIÓN
3v
La tensión de
alimentación es de
5 volt,
5v
Para 0 logico 1,7v 1
logico -0,8v
Cuenta con una
alimentación
entre 3v a 15v
NIVELES DE
VOLTAJE
El rango de la
tensión lógica 0 a
la tensión del
umbral es de unos
0.5 voltios, pero de
la tensión lógica 1
a la tensión de
umbral es de
solamente unos 0.2
voltios.
Se usa en equipos
de tubos de vacio y
equipos
transistorizado
Rango de tensión
comprendida entre
0,0V y 0,8V para el
estado (bajo) y los
2,4V y para el
estado (alto).
Voh(min)=4.8v
Vol(max)=0.2v
Vih(min)=1.5v
Vil(max)=1.2v
su alimentación se
halla comprendida
entre los 3v y los
15v o más no
obstante, se
recomienda utilizar
un máximo de 12v
para evitar un
deterioro prematuro.
El rango de tensión
es de 1.5 V como
BAJO, y 3.5 V
como ALTO
-1,63v y -5,2v para
el estado L lógica
“0” y
0 y -0,98v para el
estado H logica “1”
El rango de
tensión es de 0,7v
como BAJOS y
0,9 V como
ALTO
De 3 a 18
voltios
Alto: 0.7 V,
Bajo: 0.2 V
Microprocesadores,
memorias,
procesadores
digitales de señales.
Matrices lógicas
Memorias
(motorola,
fairchild)
Microprocesadores
(motorola, f100 de
ferranti)
Es usada en los lsi
y vlsi empleados
en computadores.
Es base de la
electrónica
digital actual.
Pero, además,
es el pilar
fundamental de
los dispositivos
de carga
acoplada, ccd,
Se usa tambn
en circuitos lsi
y vlsi debido a
la alta
uintensidad de
integracion de
esta familia
APLICACIONES
Microprocesadores,
como el 8x300, de
signetics, la familia
2900 de amd y
otros.
Memorias ram.
Memorias prom.
50 ns
Trabaja al igual
que la CMOS con
50
Fan-out 50
0,2 a 0,7v en
alto y bajo
tan común en
fotografía.
COMPLEJIDAD
Este tipo de
circuitos, presenta
el fenómeno
denominado
acaparamiento de
corriente que se
produce cuando
varios transistores
se acoplan
directamente y sus
características de
entrada difieren
ligeramente entre
sí.
Se caracteriza por su
alta velocidad (bajo
retardo de
propagación) Las
versiones Schottky
de bajo consumo de
chips TTL, solo
consumen un 20%
de energía pero son
más caras. Los
números de piezas
de estos chips llevan
LS en el centro de
su nomenclatura.
Familia Lógica
DTL está
compuesta por
diodos y
transistores
básicamente. La
función lógica
es realizada por
la combinación
de diodos a la
entrada y el
transistor
inversor a la
salida
Es una de las
familias lógicas
empleadas en la
fabricación de
circuitos integrados.
Su principal
característica
consiste en la
utilización conjunta
de transistores de
tipo PMOS y tipo
NMOS configurados
de tal forma que, en
estado de reposo, el
consumo de energía
es únicamente el
debido a las
corrientes parásitas,
colocado
obviamente en la
placa base.
CLASIFICACION
Digital
Digital
Digital
Lineales
La familia NMOS
produce
transistores canal
n, y pertenece a
la tecnología
CMOS compuesta
por transistores
canal n y canal p
sobre el mismo
substrato
Digital
Lineales
Es un
dispositivo de
cuatro
terminales
llamados
surtidor (S),
drenador (D),
compuerta (G)
y sustrato (B).
Sin embargo, el
sustrato
generalmente
está conectado
internamente al
terminal del
surtidor, y por
este motivo se
pueden
encontrar
dispositivos
MOSFET de
tres terminales.
Lineales
Digital