ELECTRNICA ANALGICA I - INGENIERA ELECTRNICA

ELECTRÓNICA ANALÓGICA I - INGENIERÍA ELECTRÓNICA
1
14 Ju
3
UNIDAD
1.2.2
21 Ju
1.2.3
2
19 Ma
22 Vi
1.2.3-1.3
MARZO
15 Vi
1.1
12 Ma
1.1
DÍA
1.2.1
MES
SEMANA
CRONOGRAMA DE ACTIVIDADES AÑO 2013
28 Ju
29 Vi
SEMANA SANTA
18 Ju
19 Vi
23 Ma
7
25 Ju
26 Vi
30 Ma
8
2.1
2.1.2 2.1.1
2.1.3
16 Ma
2.2.1 2.1.4
ABRIL
12 Vi
2.2.2-2.2.32.2.4
11 Ju
DÍA DE LOS VETERANOS Y DE LOS CAÍDOS EN LA GUERRA DE MALVINAS
Transistores bipolares (BJT) Características constructivas. Funcionamiento. Corrientes en el transistor. Ecuaciones que
relacionan las corrientes por los electrodos. Polarización de las junturas Base-Emisor y Base-Colector. Amplificación
de corriente en el transistor.
Mañana Grupos “A”: Simulación en PC - Diodos
Tarde
Grupos “A”: Laboratorio Real - Diodos
Grupos “B”: Libre
Grupos “B”: Gabinete de Diodos
Configuraciones básicas de los circuitos con transistores: Base común (BC), Emisor común (EC) y Colector común
(CC). Curvas características de entrada y salida para cada configuración.
El amplificador básico. Tipos de polarización, comparaciones. Concepto de recta de carga. Análisis gráfico de
corrientes y tensiones. Ubicación del punto de reposo “Q”. Máxima excursión simétrica de la corriente de colector.
Mañana Grupos “B”: Simulación en PC diodos
Tarde
Grupos “B”: Laboratorio Real diodos
Grupos “A”: Libre
Grupos “A”: Gabinete de Diodos
Cálculos de potencia. Potencia suministrada por la fuente de alimentación. Potencia disipada en la carga. Potencia
disipada en el colector. Rendimiento. Factor de mérito. Análisis gráfico de potencias en función de la componente
alterna de la corriente de salida.
EVALUACIÓN PERIÓDICA 1
Condensadores de acoplamiento de señal y de carga, condensadores interetapa y de desacoplamiento de resistencia de
emisor.
Transistores de efecto de campo (FET). El FET de unión o juntura (J-FET). Generalidades, principios de funcionamiento
Curvas características de salida y de transferencia. Ecuación de Shockley.
El JFET como resistencia controlada por tensión. Amplificadores con JFET.
RECUPERACIÓN EVALUACIÓN
Polarización de JFET. Polarización fija, autopolarización, polarización con divisor de
PERIÓDICA 1
voltaje, recta de carga en la curva característica de transferencia, análisis gráfico.
FUERA DE HORARIO DE CLASES
Transconductancia y ganancia de tensión.
Mañana Grupos “A”: Simulación en PC Transistores 1ª parte Tarde Grupos “A”: Laboratorio Real transistores 1ª parte
Grupos “B”: Libre
Grupos “B”: Gabinete de transistores
FET de compuerta aislada o MOS-FET. Generalidades. MOS-FET de acrecentamiento o enriquecimiento. MOS-FET
de agotamiento o empobrecimiento. Características de drenador y transferencia. Polarización.
2.2.5
04 Ju
09 Ma
6
02 Ju
GABINETE DE TRANSISTORES
Mañana Grupos “B”: Simulación en PC Transistores 1ª parte Tarde Grupos “B”: Laboratorio Real transistores 1ª parte
Grupos “A”: Libre
Grupos “A”: Gabinete de transistores
Estabilidad de la polarización de transistores bipolares. Factores que intervienen en la estabilidad la polarización de
07 Ma
transistores bipolares: β, ΔVbe, ICBO. Definición de los correspondientes factores de estabilidad: S(β), S(Vbe), S(ICBO).
Análisis de un amplificador en configuración emisor común con y sin RE.
09 Ju
EVALUACIÓN PERIÓDICA 2
Estabilidad de la polarización de transistores de efecto de campo. Polarización para estabilizar la corriente de drenador
contra las variaciones de temperatura. Polarización para compensar los efectos de recambio, teniendo en cuenta la
10 Vi
dispersión de los parámetros de los transistores. Consideraciones térmicas ambientales en los amplificadores con
transistores. Curva de reducción de los valores nominales. Características de los transistores de alta potencia dadas por
los fabricantes. Significado de los símbolos. Disipadores de calor.
3.1
3.2-3.3
MAYO
03 Vi
9
Diodos. Introducción. Propiedades no lineales. El diodo ideal. El diodo real.
Ecuación del diodo. Aproximaciones por segmentos de recta y sus circuitos equivalentes. Análisis de circuitos simples
con diodos. Recta de carga de corriente continua (análisis gráfico). Análisis de señal débil. Concepto de resistencia
dinámica. Desplazamiento del punto “Q”. Efecto de la temperatura en los diodos. Curva de reducción de los valores
nominales.
Aplicaciones de diodos. Circuitos básicos de rectificación de media onda y onda completa. Frecuencia de la tensión de
salida. Valores medios de las tensiones de salida de los diferentes tipos de rectificador. Filtro capacitivo. Cálculo del
valor de la capacitancia de filtrado en función del rizado deseado. Formas de onda de la corriente por los diodos por
efecto del filtro capacitivo. Selección de los diodos de acuerdo a los requerimientos del circuito. Interpretación de
hojas de datos.
Regulación de tensión. Diodos Zener. Descripción del funcionamiento. Análisis de la curva tensión-corriente. Recta de
carga. Aplicación a las fuentes de corriente continua. Cálculo de resistencia limitadora en diferentes aplicaciones.
Otros circuitos con diodos. Circuitos limitadores. Características de transferencia (entrada - salida). Recortadores de
corte superior y/o inferior con diodos rectificadores y zener. Circuitos comparadores. Comparador con diodo y fuente
de corriente continua.
Circuitos de fijación. Enclavadores con diodos. Circuitos multiplicadores de amplitud. Doblador. Multiplicador de
tensión. Puerta de discriminación o muestreo. Circuitos moduladores y demoduladores. Diodos especiales.
Características fundamentales: Diodos Emisores de Luz (LED). Diodos Schottky
GABINETE DE DIODOS
05 Vi
5
• Presentación del personal de cátedra. Explicación de las diferentes actividades prácticas y horarios de las mismas.
• Formación de grupos para actividades prácticas.
26 Ma
02 Ma
4
TEMA
4.1
Redes de cuatro terminales. Modelo de red basado en cuadripolos. Circuito equivalente con fuente de tensión a la
entrada y de corriente a la salida. Modelo del transistor utilizando parámetros híbridos.
Modelos y análisis de amplificadores de baja frecuencia para señal débil, con parámetros híbridos. Resistencia para
corriente alterna de la base al emisor cuando se considera la corriente de base o de emisor. Modelo del amplificador en
configuración base común. Ganancias de tensión, corriente y potencia. Impedancias de entrada y salida. Variación de la
ganancia de tensión en función de la carga.
Modelo del amplificador en configuración emisor común. Ganancias de tensión, corriente y potencia. Impedancias de
entrada y salida. Modelo del amplificador en configuración colector común. Ganancias de tensión, corriente y potencia.
Impedancias de entrada y salida. Reflexión de impedancias.
Modelo para corriente alterna y señal débil del transistor efecto de campo. Análisis
RECUPERACIÓN EVALUACIÓN
de amplificadores en configuración fuente común y seguidor de fuente.
PERIÓDICA 2
Especificaciones de los fabricantes. Interpretación de las especificaciones dadas por
FUERA DE HORARIO DE CLASES
los fabricantes para transistores de baja potencia.
Amplificadores de potencia en audiofrecuencia. Introducción. Definiciones y tipos de amplificadores. El amplificador
ideal. Clases de amplificadores de potencia: A, B, AB, C y D. Amplificador de potencia clase "A" acoplado por
inductor. Situación del punto de reposo. Cálculos de potencia. Potencia suministrada por la fuente de alimentación.
Potencias disipadas en la carga y en el colector. Rendimiento. Factor de mérito. Comparación con el análisis de
potencia del amplificador emisor común sin inductor.
Mañana Grupos “A”: Simulación en PC Transistores 2ª parte Tarde Grupos “A”: Laboratorio Real transistores 2ª parte
Grupos “B”: Libre
Grupos “B”: Gabinete de transistores
16 Ju
4.2.2-4.2.3
10
4.2-4.2.1
14 Ma
4.3-4.4
17 Vi
11
5.1-5.2
21 Ma
23 Ju
24 Vi
28 Ma
5.2.1-5.3-5.4
30 Ju
06 Ju
13
07 Vi
13 Ju
FUNDACIÓN DE SAN JUAN
14 Vi
7.1
14
18 Ma
7.2.1-7.3-7.3.1
JUNIO
11 Ma
6.1-6.2-6.3
04 Ma
5.45.4.1
31 Vi
7.1
12
GABINETE DE TRANSISTORES
Amplificador clase “A” acoplado por transformador. Cálculos de potencia. Potencia suministrada. Potencia transferida
a la carga. Disipación de colector. Rendimiento. Factor de mérito. Grado de libertad que proporciona la relación de
transformación. Hipérbola de disipación máxima. Definición de Área de Operación Segura (SOA).
Amplificadores de potencia clase "B" push-pull. Funcionamiento. Determinación de la recta de carga. Distorsión de
cruce por cero.
Mañana Grupos “B”: Simulación en PC Transistores 2ª parte Tarde Grupos “B”: Laboratorio Real transistores 2ª parte
Grupos “A”: Libre
Grupos “A”: Gabinete de transistores
Cálculos de potencia. Potencia suministrada. Potencia transferida a la carga. Potencia disipada en el colector.
Rendimiento. Factor de mérito. Resumen de ventajas y desventajas. Amplificadores simétricos complementarios
EVALUACIÓN PERIÓDICA 3
Conexión en cascada de etapas amplificadoras. Acoplamientos directo y capacitivo. Análisis del punto de reposo y
para señal débil. Ganancias. Impedancias. Amplificador compuesto. Configuración Darlington. Determinación del
punto de reposo, funcionamiento con señal débil. Ganancias de tensión y corriente. Impedancias. Principio de
funcionamiento del amplificador diferencial.
Respuesta en frecuencia. Consideraciones generales sobre frecuencia. Análisis de
RECUPERACIÓN EVALUACIÓN
baja frecuencia. Diagramas. Respuesta a baja frecuencia de amplificadores básicos.
PERIÓDICA 3
Representación de la ganancia en decibelios.
FUERA DE HORARIO DE CLASES
15
Teorema de Miller. Respuesta a alta frecuencia de transistores. Modelo de alta frecuencia de transistores bipolares.
Emisor común (sin y con resistencia de emisor). Colector común. Base común. Modelo de alta frecuencia de FET.
Respuesta en frecuencia de amplificadores multietapa.
Circuitos de conmutación. El transistor como conmutador. Tiempos de conmutación. Circuitos para acelerar la
conmutación. Multivibradores. Multivibrador biestable con transistores bipolares. Curvas características.
Determinación de los resistores para asegurar corte y saturación. Capacitores de conmutación. Disparos: asimétrico y
simétrico. Multivibrador monoestable. Curvas características, funcionamiento, uso. Disparo. Multivibrador astable.
Funcionamiento. Curvas características. Disparador de Schmitt con transistores bipolares. Concepto de disparador de
Schmitt y ciclo de histéresis. Aplicación en sistemas de control.
20 Ju
DÍA DE LA BANDERA
FERIADO PUENTE
21 Vi
JULIO
16
25 Ma
RECUPERACIÓN EXTRAORDINARIA EVALUACIONES PERIÓDICAS 1, 2 Y 3
28 Vi
01 al 05/07
FECHA LÍMITE PARA LA PRESENTACIÓN DE PLANILLAS CON ALUMNOS EN CONDICIONES DE RENDIR EXAMEN FINAL
09 al 21/07
ANIVERSARIO INDEPENDENCIA - RECESO INVERNAL
EXÁMENES 1ª ÉPOCA 1º PERÍODO
LUGARES Y HORARIOS DE DICTADO DE CLASES
DÍA
HORARIO
TIPO DE ACTIVIDAD
LUGAR
MARTES
JUEVES
18:30 a 20:05
16:50 a 18:25
CLASES DE TEORÍA Y EVALUACIONES
CLASES DE TEORÍA Y EVALUACIONES
AULA 1 PABELLÓN CENTRAL
VIERNES MAÑANA
8:30 a 10:30
SIMULACIÓN EN PC
LABORATORIO DE COMPUTACIÓN
1º PISO EDIFICIO CONSTANTINI
18:30 a 20:55
18:30 a 20:55
CLASES DE TEORÍA
CLASES DE GABINETE
AULA 1 PABELLÓN CENTRAL
18:30 a 20:55
LABORATORIO REAL
LAB. ELECTRÓNICA ANALÓGICA
1º PISO EDIFICIO CONSTANTINI
VIERNES TARDE