Practica Nº 1 I: objetivos.

Practica Nº 1
Características del transistor de unijuntura (UJT)
I: objetivos.
Medir las resistencias entre el emisor y la base y la resistencia entre bases.
Determinar las curvas características del (UJT) par diferentes polarizaciones de inter
base .
II: Equipo y material
Equipo:
Milímetro digital con puntas.
Amperímetro con puntas.
Material
Transistor UJT Nº 2N2646 o equivalente
Resistencias de 470 homs
Resistencia de 100 homs
Resistencia de 4700 homs
10 conectrores
Dos pares de puntas para las fuentes.
III: introducción
El transistor de unijuntura es en realidad un diodo doble base . consta de una barra de
material semiconductor que funciona como base y un pequeño material semiconductor
diferente a la base al cual se le llama emisor. El símbolo y el diagrama de su
estructura se muestran en la figura 1.1.
Se utiliza varias aplicaciones tales como circuitos de disparo , osciladores ,
generadores de dientes de cierra , circuitos temporizadores etc.
Su curva característica de operación muestra 8 regiones, una de corte donde alcanza
el voltaje máximo de emisor, en esta región el UJT se enciende, es decir comienza a
trabajar.
La segunda se llama región de resistencia negativa , recibe esta nombre ya que con
un aumento de corriente de voltaje de emisor disminuye . esta región es donde el
transistor tiene su recta de operación. La tercera región recibe el nombre de región de
saturación , en esta zona las características de transistor se aproxima a las del diodo
semiconductor.
B2
B1
UJT
UJT
Figura 1.1
IV: Desarrollo
Medición de la resistencias en polarización inversa y dirección del UJT.
4.1.1 mida la resistencias entre emisor y base 1 anote su lectura en la tabla 1.1
4.1.2 invierta las puntas del hometro y mida otra ves las resistencias en los mismos
puntos. Anote su lectura en la tabla 1.1
4.1.3 mida la resistencia entre emisor y base 2 anote su lectura en la tabla 1.1
4.1.4 invierta las puntas del hometro y mida otra ves la resistencia en los mismos
puntos . anote su lectura en la tabla 1.1
4.1.5 mida la resistencia entre base 1 y base 2 anote la lectura en la tabla 1.1
4.1.6 invierta las puntas y vuelva a medir la resistencia y anote su lectura en la tabla
1.1
Resistencia
Directa
inversa
Emisor base 1
Emisor base 2
Tabla 1.1
4.2 determinación de las curvas características.
Base 1 a base 2
4.2.1. arme el circuito de la figura 1.2
R3
4k7
Q1
AC Amps
UJT
+88.8
R1
B4
470R
R2
+88.8
B3
12V
100k
AC Volts
12V
Figura 1.2
4.2.2. encienda la fuente Vbb y déjala en 0 volts . ponga el amperímetro en 10 mA,
reduzca el rango si es necesario.
4.2.3 encienda la fuente Vee y girando la perilla lentamente ¨, introduzca al circuito las
corrientes que se indica en la tabla 1.2 . para cada corriente , haga lectura de voltaje
correspondiente y anótela en la tabla 1.2
4.2.4 ponga a cero la fuente de tención Vee
4.2.5 aumente el voltaje de la fuente Vbb a 5 volts
4.2.6gire gradualmente la perilla de la fuente Vee . observe el amperi metro , cuando
este se dispare anote el voltaje este valor corresponde al voltaje de disparo del UJT.
4.2.7 con la perilla de la fuente Vee reduzca el voltaje del emisor hasta que el
amperímetro marque una corriente mínima (0.4mA) sin que la aguja llegue a 0 anote
la corriente y el voltaje.
4.2.8 aumente gradualmente el voltaje de la fuente Vee e introduzca al circuito las
corrientes que se indican en la tabla 1.2. para cada corriente haga la lectura de voltaje.
4.2.9 ponga a 0 volts la fuente de tenciónVee
4.2.10 aumente el voltaje de la fuente Vbba 10 volts.
4.2.11 gire gradual mente la perilla de la fuente Veeredusca el voltaje del emisor hasta
que el amperímetro se dispare, anote el voltaje .
4.2.12 con la perilla de la fuente Vee reduzca el voltaje del emisor hasta que el
amperímetro marque una corriente minima(0.8ma) cuidando que la aguja no llegue a
cero anote la corriente y el voltaje en la tabla 1.2.
4.2.13aumenta gradualmente el voltaje de la fuente Vee e introduzca al circuito las
corrientes que se indican en la tabla 1.2 para cada corriente haga la lectura de voltaje
correspondiente y anótela en la tabla 1.2
4.2.14 ponga a cero volts la fuente Vee
Corriente mA
Vbb=0v
v
Vbb=5v
v
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
10
15
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
Tabla 1.2
Vbb=10v
v
PRACTICA 3
APLICACIONES DEL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO
I.- OBJETIVOS.
-Medir las condiciones en reposo de un amplificador JFET.
-Medir las condiciones con señal alterna en el JFET.
II.- EQUIPO Y MATERIAL
EQUIPO
 Multimetro digital con puntas de prueba
 Generador d e señales con puntas de prueba
 Osciloscopio con dos puntas de prueba
MATERIAL






10 conectores
Transistor JFET No. 2N4304o equivalente
Base para tierra
Resistores: 1 de 470 ohms, 1 de 1k ohm, 1 de 4.7k ohm, 1 de 100k ohm
1 capacitor de 50u F, electrolítico a 16VCD
2 capacitores de 0.1u F
III.- INTRODUCCION
El transistor de efecto de campo, es un dispositivo que requiere una polarización que lo
deshabilite para conducir, y no una polarización que lo habilite para conducir como al
transistor bipolar (BJT).
Para una correcta polarización, la compuerta necesita ser negativa con respecto a la fuente.
Esto es lo mismo si la fuente es positiva y la compuerta negativa. La compuerta se puede poner
a tierra por medio de una resistencia, y la fuente puede ser hecha positiva por medio de la
corriente de drenado que fluye en una resistencia conectada entre la alimentación y la tierra.
El valor de la resistencia de la compuerta puede ser muy alto, puesto que ninguna corriente
fluye de esta juntura de muy alta impedancia de polarización inversa.
Cuando se alimenta una señal alterna entre la compuerta y al fuente, el voltaje aplicado a la
compuerta-fuente, causara una corriente variante de drenado. Esta corriente fluye por a
través de la resistencia de carga de drenado causando una señal de voltaje que aparecerá a
través de ella. Dando por resultado un voltaje amplificado.
La resistencia que se coloca a la entrada del electrodo fuente, queda en serie con la juntura
compuerta- alimentación, por lo que aparece a través de ella una señal de voltaje opuesta ala
señal de entrada, reduciendo la ganancia del amplificador. Para evitar estos inconvenientes se
utiliza un capacitor de desacople en paralelo con la resistencia colocada a ala entrada de la
fuente. El capacitor actuara como un corto circuito para señales alternas, mejorando la
ganancia.
La ganancia en el JFET en configuración fuente común, esta dada por la siguiente ecuación:
Av= gm. RD
DONDE:
Av= ganancia de voltaje en V.
Gm= transconductancia en siemens (s)