Electrónica - Academia Minas

Electrónica
Semiconductores
=n q+p q
Conductividad de una muestra semiconductora
n
p
q = carga del electrón
n, p = densidad de electrones y de huecos
 ,  = movilidades de electrones y huecos
n
p
n=p=n
densidad de electrones = densidad de huecos
i
Semiconductor intrínseco
resistividad  = 1 / 
A
Semiconductor con impurezas aceptadoras y donadoras
D
A
M
in
D
as
Neutralidad eléctrica:
n+N-=p+N+
N (número de impurezas aceptadoras)
N (número de impurezas donadoras)
n p = n2
Ley de acción de masas
i
Nivel de dopado alto
N - N >> n
D
A
i
 q n 
N n
p = n2 / N
n
Semiconductor tipo n
D
i
D
ia
 q p 
N p
n = n2 / N
Semiconductor tipo p
p
em
A
i
A
Diodo de unión p - n
I = A q [ D n / L + D p / L]
Corriente inversa de saturación (depende donde A es la sección de la unión, q la carga del electrón.
D y D son las constantes de difusión para electrones y huecos
de las características del diodo)
L = [D  ]1/2
Corriente total del diodo
I = I [exp (V / V ) - 1]
L es la distancia dentro del semiconductor a la que la
concentración inyectable disminuye a 1/e de su valor máximo.
 y  es la vida media de los portadores
Potencial de contacto
V = [K T / q] ln [ N N / n 2 ]
l = [ (2  / q) V ( 1 / N + 1 / N )]1/2
Anchura de la zona de transición
l=x +x
anchura de la zona tipo p de la región de
x =lN /(N +N)
transición
x =lN /(N +N)
Campo eléctrico máximo
E (0) = - [ (2 q / ) V (N N ) / (N + N )]1/2
V = V (x ) - V (-x )
o
n
ad
po
n
p
no
p
p
n
Ac
n
n
n
o
T
p
p
n
o
A
o
n
i
A
D
p
p
D
A
D
n
A
A
D
o
o
D
n
A
D
A
p
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