© R Ejercicios Resueltos 10 N TE AL LD 20 O 1 VA UT LL FS EJ M O S, 20 EI Apéndice A 178 Capı́tulo 1 EJERCICIO 1.1 Analizar el circuito de la Figura A.1, para los valores de excitación que aparecen en la Tabla A.1 y determinar cada una de las entradas que están en blanco en dicha Tabla. ' , 9 9 ' ' 10 , 9 N TE AL LD 20 O 1 VA UT LL FS EJ M O S, 20 9 9' 5 >N@ ,5 Figura A.1: Circuito Máx-Off de dos entradas Caso 1 2 3 V1 [V] 3 -3 2 V2 [V] 3 -2 5 Estado D1 D2 V0 [V] IR [mA] EI Tabla A.1: Análisis del circuito de la Figura A.1 R RESPUESTA. © Caso 1. De acuerdo a la ecuación 1.4 y lo que establece en el punto iii), ambos diodos quedan directos. En consecuencia: V0 =2,25[V]. Luego IR , está dado por: IR = (V2 − VD2 )[V] = 1, 125[mA] 2[KΩ] Caso 2. La ecuación 1.4 y el punto i), establece que ambos diodos quedan abiertos. En consecuencia: V0 =0[V]. Luego IR , está dado por: A. Ejercicios Resueltos IR = 179 V0 [V] = 0[mA] 2[KΩ] Caso 3. La ecuación 1.4 y el punto ii), determinan que D2 está directo y D1 queda abierto. En consecuencia: V0 =4,25[V]. Luego IR , está dado por: (V2 − VD2 )[V] = 2, 125[mA] 2[KΩ] 10 IR = N TE AL LD 20 O 1 VA UT LL FS EJ M O S, 20 Los resultados obtenidos en los tres casos anteriores se resumen en la Tabla A.2. Caso 1 2 3 V1 [V] 3 -3 2 V2 [V] 3 -2 5 Estado D1 D2 Directo Directo Abierto Abierto Abierto Directo V0 [V] 2,25 0 4,25 IR [mA] 1,125 0 2,125 Tabla A.2: Análisis del circuito de la Figura A.1 EI EJERCICIO 1.2 Analizar el circuito de la Figura A.2 para los valores de excitación que aparecen en la Tabla A.3. Determinar cada una de las entradas de la Tabla A.3: R >9@ © ,5 5 >N@ ' 9 9 ' 9 , 9 ' 9' , Figura A.2: Circuito Mı́n-Off de dos entradas. 180 Caso 1 2 3 V1 [V] 3 -3 2 V2 [V] 3 -2 5 Estado D1 D2 V0 [V] IR [mA] Tabla A.3: Análisis del circuito de la Figura A.2 RESPUESTA. N TE AL LD 20 O 1 VA UT LL FS EJ M O S, 20 10 Caso 1. De acuerdo a la ecuación 1.5, ambos diodos quedan directos, En consecuencia: V0 = 3, 75[V] Luego, IR : IR = (5 − V0 )[V] = 0, 625[mA] 2[KΩ] Caso 2. La ecuación 1.5, establece que D1 se encuentra directo y D2 abierto. En consecuencia: EI V0 = −2, 25[V] R Luego IR , está dado por: (5 − V0 )[V] = 3, 625[mA] 2[KΩ] © IR = Caso 3. La ecuación 1.5, determina que D1 se encuentra directo y D2 abierto. En consecuencia: V0 = 2, 75[V] Luego IR , está dado por: IR = (5 − V0 )[V] = 1, 125[mA] 2[KΩ] 181 A. Ejercicios Resueltos En resumen, en cada uno de los casos anteriores el estado del circuito Mı́n-Off es el siguiente: Caso V1 [V] 3 -3 2 1 2 3 V2 [V] 3 -2 5 Estado D1 D2 Directo Directo Directo Abierto Directo Abierto V0 [V] 3,75 -2,25 2,75 IR [mA] 0,625 3,625 1,125 N TE AL LD 20 O 1 VA UT LL FS EJ M O S, 20 10 EJERCICIO 1.3 Considerando que cualquier voltaje entre 0[V] y 0,2[V] es considerado un 0 lógico y que los voltajes entre 2,4[V] y 5[V] son considerados 1 lógico; para el circuito de la Figura A.3, determine los estados de los diodos D1 , D2 y D3 , para los casos enunciados en la siguiente tabla. Además, determine I[mA], Vx [V] y V0 [V] para cada caso. R1 R2 [V] [KΩ] [KΩ] 1 5 4 1 2 5 4 0 3 5 4 1 4 0 4 1 5 0 4 0 6 0 Caso V1 Estado Estado Estado D1 D2 D3 I Vx V0 [mA] [V] [V] ON ON 1 4 R EI Tabla A.4: Tabla de resultados >9@ © , 5 >N@ 9 ' ' ' 9N 9 5 >N@ Figura A.3 182 RESPUESTA. Antes de resolver el circuito, es conveniente redibujarlo de la siguiente forma: >9@ , 5 >N@ ' 9 ' 9 N TE AL LD 20 O 1 VA UT LL FS EJ M O S, 20 5 >N@ 10 ' 9[ Figura A.4: Circuito de la Figura A.3 reorganizado. Tal como se ilustra en la Figura A.4, el circuito corresponde a una variante de circuito Mı́n-Off, lo cual facilita su análisis. Caso 1. De acuerdo a la ecuación 1.5, D1 queda cortado, mientras que D2 queda directo. En consecuencia: R Vx EI (5 − VD2 )[V] = 0, 85[mA] 5[KΩ] = 5[V] − (4[KΩ] ⋅ 0, 85[mA]) = 1, 6[V] I = © V0 = Vx − VD2 [V] = 1, 6 − 0, 75 = 0, 85[V] Caso 2. En este caso D1 queda inverso, mientras D2 y D3 quedan directos. Por lo tanto: (5 − VD2 − VD3 )[V] = 0, 875[mA] 4[KΩ] = 5[V] − (4[KΩ] ⋅ 0, 875[mA]) = 1, 5[V] I = Vx V0 = Vx − VD2 − VD3 = 0[V] A. Ejercicios Resueltos 183 Caso 3. En este caso D1 queda inverso, mientras que D2 y D3 quedan directos. En consecuencia: (5 − VD2 − VD3 )[V] = 0, 7[mA] 5[KΩ] = 5[V] − (4[KΩ] ⋅ 0, 7[mA]) = 2, 2[V] I = Vx V0 = (Vx − VD2 − VD3 )[V] = 0, 7[V] N TE AL LD 20 O 1 VA UT LL FS EJ M O S, 20 10 Caso 4. D1 se encuentra directo y Vx es suficiente para polarizar directo a D2 . Observación: En general, el análisis de la proporción de corriente que circula por cada diodo no es relevante en el tipo de análisis de circuitos integrados que se hace en este texto. Vx = VD1 + V1 = 0, 75 + 0 = 0, 75[V] V0 = (Vx − VD2 )[V] = 0, 75 − 0, 75 = 0[V] (5 − Vx )[V] = 1, 0625[mA] I = 4[KΩ] EI Caso 5. En este caso D1 queda directo. Nuevamente Vx no es suficiente para polarizar los demás diodos, los cuales quedan abiertos. © R Observación: V0 queda indefinido, ya que no está conectado eléctricamente a ningún circuito. En consecuencia: (5 − Vx )[V] = 1, 0625[mA] 4[KΩ] = VD1 + V1 = 0, 75 + 0 = 0, 75[V] I = Vx Caso 6. En este caso D1 queda directo; sin embargo Vx no es suficiente para polarizar D2 y D3 , en consecuencia éstos quedan abiertos. Luego, se obtiene: 184 (5 − VD1 )[V] = 1, 0625[mA] 4[KΩ] = VD1 + V1 = 0, 75 + 0 = 0, 75[V] I = Vx V0 = 0[V] La Tabla A.5 resume los análisis realizados arriba. I Vx V0 [mA] [V] [V] ON 0,85 1,6 0,85 Directo 0,875 1,5 0 0,7 2,2 0,7 1,0625 0,75 0 R1 R2 Estado Estado Estado [KΩ] [KΩ] D1 D2 D3 1 5 4 1 Abierto Directo 2 5 4 0 Abierto Directo 3 5 4 1 Abierto Directo Directo 4 0 4 1 Directo Directo ON 5 0 4 0 Directo Abierto Abierto 1,0625 0,75 - 6 0 4 1 Directo Abierto Abierto 1,0625 0,75 0 10 V1 [V] N TE AL LD 20 O 1 VA UT LL FS EJ M O S, 20 Caso Tabla A.5: Tabla de resultados EJERCICIO 1.4 Considere el circuito de la Figura A.5a y la entrada en función del tiempo que se muestra en el gráfico de la Figura A.5b: EI ▪ Determinar el estado de los diodos D1, D2, D3, D4 en los instantes τ1 , τ2 , τ3 , τ4 . © R ▪ Graficar V0 (t). >9@ 5 >.@ ' ' ' 9 9 ' 5 >.@ Figura A.5 A. Ejercicios Resueltos 185 9LW>9@ N TE AL LD 20 O 1 VA UT LL FS EJ M O S, 20 WVHJ 10 Figura A.6: Gráfico de V1 (t) RESPUESTA. En la Figura A.7, el circuito está redibujado para dejar en evidencia que se trata de una variante de un circuito Min-Off. >9@ >N@ 9 9[ 9 ' ' >N@ R EI ' ' © Figura A.7: Circuito de la Figura A.5 redibujado Instante τ1 . De acuerdo a la ecuación 1.5 y lo que se establece inmediatamente después de esta, los diodos D1 y D2 están abiertos, mientras que D3 y D4 están directos. En consecuencia: 5 − VD3 − VD4 = 0, 7[V] (R1 + R2 ) = (5 − R1 IR1 ) = 2, 2[V] IR1 = IR2 = Vx V0 (τ1 ) = (Vx − VD3 − VD4 ) = 0, 7[V] 186 Instante τ2 . En este caso los diodos D1 y D2 están directos. Además, como Vx es menor que 0[V], D3 y D4 quedan abiertos. Por lo tanto: IR2 = 0[V] V0 (τ2 ) = 0[V] (5 − VD3 − VD4 ) = 0, 7[mA] (R1 + R2 ) = (5 − R1 IR1 ) = 2, 2[V] N TE AL LD 20 O 1 VA UT LL FS EJ M O S, 20 IR1 = IR2 = 10 Instante τ3 . En este caso, los diodos D1 y D2 quedan abiertos, mientras que D3 y D4 están directos. En consecuencia: Vx V0 (τ3 ) = (Vx − VD3 − VD4 ) = 0, 7[V] Instante τ4 . Debido a que V1 tiene el mismo voltaje de la tierra, D1 no se polariza, en cambio D2 sı́ lo hace. Esto causa que D3 y D4 queden en zona de corte. En consecuencia: IR2 = 0[V] V0 (τ2 ) = 0[V] R EI En resumen: Instante © τ1 τ2 τ3 τ4 V1 (t) [V] 7 -2 5 0 D1 OFF ON OFF OFF Estado D2 D3 OFF ON ON OFF OFF ON ON OFF D4 ON OFF ON OFF V0 (t) [V] 0,7 0 0,7 0 Tabla A.6: Resumen de resultados del ejercicio 1.4 Considerando el hecho de que en el circuito Min-Off de la Figura A.7, V0 (t) depende directamente de v1 (t) y usando los datos obtenidos en los cálculos anteriores y la tabla A.6, se puede concluir que: si V1 (t) ≥ 5[V], entonces V0 (t) = 0, 7[V]. Por otro lado, si V1 (t) < 5[V], entonces V0 (t) = 0[V]. Estos antecedentes permiten obtener el siguiente gráfico de V0 (t) en función de V1 (t). A. Ejercicios Resueltos 187 9LW>9@ WVHJ WVHJ N TE AL LD 20 O 1 VA UT LL FS EJ M O S, 20 10 9LW>9@ Figura A.8: Gráfico de V0 (t) EJERCICIO 1.5 Dado el circuito de la Figura A.9: ' ,' ,5 ,' 9' ' 9 9' 9 5 >N@ Figura A.9 R EI 9 © Para los valores de las fuentes V1 y V2 especificados en la Tabla A.7, determine los valores que están en blanco en dicha Tabla. V1 [V] 10 −5 V2 [V] 5 −10 Estado D1 Estado D2 VD1 [V] ID1 [mA] VD2 [V] ID2 [mA] V0 [V] Tabla A.7: Análisis de la Figura A.9 RESPUESTA. Al analizar el circuito, se observa que existe un circuito del tipo Max-off, lo cual queda en evidencia al redibujarlo en la siguiente forma: 188 10 Figura A.10: Circuito de la Figura A.9 redibujado N TE AL LD 20 O 1 VA UT LL FS EJ M O S, 20 Caso 1. V1 = 10[V], V2 = 5[V]. De acuerdo a la ecuación 1.4 y lo que se establece inmediatamente después de esta, el diodo D1 queda directo, mientras que D2 queda abierto. En consecuencia: VD1 = 0, 75[V] ID2 = 0[mA] V0 = (V1 − VD1 )[V] = 9, 25[V] VD2 = (V2 − V0 )[V] = −4, 25[V] V0 [V] = 9,25[mA] ID1 = R[KΩ] © R EI Caso 2. V1 = −5[V], V2 = −10[V]. Debido a que ambos voltajes son menores al voltaje de la tierra 0[V], D1 y D2 quedan abiertos. En consecuencia: ID1 = ID2 = 0[mA] V0 = 0[V] VD1 = (V1 − V0 ) = −5[V] VD2 = (V2 − V0 ) = −10[V] EnVresumen: V2 Estado 1 [V] [V] D1 10 5 ON −5 −10 OFF Estado D2 OFF OFF VD1 [V] 0,7 −5 ID1 [mA] 9,25 0 VD2 [V] −4, 25 −10 Tabla A.8: Resultados del ejercicio 1.5 ID2 [mA] 0 0 V0 [V] 9,25 0 A. Ejercicios Resueltos 189 EJERCICIO 1.6 Para el circuito de la Figura A.11, determine el valor de las corrientes y voltajes en cada diodo, además del voltaje de la salida. 9 >9@ 5 9 >9@ ' ,' >N@ ,5 9 9' 10 9' ,' ' N TE AL LD 20 O 1 VA UT LL FS EJ M O S, 20 9 >9@ Figura A.11 RESPUESTA. El circuito de la Figura A.11 es un Min-Off, por lo tanto, de la ecuación 1.5 y su análisis, implican que, D2 queda directo y D1 queda abierto. En consecuencia: VD2 = 0, 75[V] V0 = (VD2 + V3 ) = 5, 75[V] VD1 = (V0 − V2 ) = −4, 25[V] © R EI ID1 = 0[mA] (V1 − V0 ) = 9,25[mA] ID2 = R EJERCICIO 1.7 Para el circuito de la Figura A.12: a) Calcule los estados de los siguientes diodos y voltajes. 1 2 3 4 Diodo 5 6 7 8 9 10 V1 b) Calcule las corrientes en cada Resistencia. V2 Voltaje V3 V4 V0 190 >9@ 5 >.@ ' >9@ ' 9 9 ' >9@ ' ,5 5 . ,5 ' 9 N TE AL LD 20 O 1 VA UT LL FS EJ M O S, 20 10 >9@ ' >9@ >9@ ' ' 9 ' 9 ,5 ' 5 >.@ 5 >.@ ,5 5 . ,5 >9@ Figura A.12 D2 OFF V1 [V] 5,25 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 D10 ON ON OFF ON ON OFF ON ON OFF V2 [V] 3,25 V3 [V] 4,75 V4 [V] 4 V0 [V] 4 ID1 [mA] 5,25 ID3 [mA] 3,25 ID6 [mA] 0,25 ID7 [mA] -1 ID9 [mA] 4 © R D1 EI RESPUESTA. Tabla A.9 EJERCICIO 1.8 El circuito de la Figura A.13a), es conocido como rectificador de media onda. Determine (grafique) V0 (t) para el caso en A. Ejercicios Resueltos 191 que Vi (t) es una señal senoidal de 220[V] RMS, tal como aparece en Figura A.13b. ,5 5 9W 9LW N TE AL LD 20 O 1 VA UT LL FS EJ M O S, 20 10 a) Circuito 9LW>9@ >9@ 10 20 30 40 50 60 70 W>PV@ b) Gráfico Vi (t) Figura A.13 © R EI RESPUESTA. Dado que se tiene una señal de excitación alterna de 220[V] RMS, se deben analizar dos tipos de casos: cuando Vi (t) toma un valor positivo y cuando toma un valor negativo. Cuando Vi (t) toma un valor positivo (> 0, 75[V]), este voltaje logra polarizar directamente el diodo, obteniendo V0 (t) = Vi (t) − 0, 75[V]. Sin embargo, debido a que la caı́da de voltaje en el diodo es mucho menor al voltaje de entrada, para simplificar el análisis se puede suponer que el diodo es ideal. En consecuencia: si V0 (t) ≥ 0, entonces Vi (t) ≈ V0 (t). Para el segundo caso, cuando Vi (t) toma un valor negativo, el diodo se polariza de forma inversa, sin permitir el paso de la corriente (circuito abierto), por lo cual V0 (t) = 0[V]. Los antecedentes previos permiten obtener el gráfico de la Figura A.14. 192 9 L W > 9 @ >9 @ W>PV@ 9 W >9 @ >9 @ N TE AL LD 20 O 1 VA UT LL FS EJ M O S, 20 10 W>PV@ Figura A.14: V0 (t) en función de Vi (t) para el circuito de la Figura A.13 EJERCICIO 1.9 Considere el circuito de la Figura A.15 para las siguientes señales de excitación: v1 (t) = sen(wt), v2 (t) = sen(wt+2π/3) y v3 (t) = sen(wt + 4π/3). Considere que las tres señales de entrada tienen la misma frecuencia f = 50[Hz] y VRMS = 220[V]. Grafique la salida V0 en función del tiempo y determine cuál es la función que implementa el circuito. D1 VD1 R EI D2 v0 (t) © VD2 D3 VD3 v1(t) IR v2 (t) v3 (t) 5 >N Figura A.15 RESPUESTA. Para una señal sinusoidal de la forma A sen(Wt), se A. Ejercicios Resueltos 193 A cumple que: VRMS = √ . En este caso VRMS = 220[V], por lo tanto la 2 amplitud de la señal de salida es 310[V]. Esta es la misma amplitud que tienen las tres entradas del circuito. Los antecedentes previos implican que V0 (t) está dado por: YL W >9 @ Y W >9 @ N TE AL LD 20 O 1 VA UT LL FS EJ M O S, 20 Y W Y W 10 Y W π π π π ϑ > UDG @ W>PV @ W>PV @ © R EI Figura A.16: Señales de excitación y salida del circuito de la Figura A.15 De acuerdo a la Figura y su configuración, se puede ver que este circuito es un Max-Off, por lo que la salida toma el valor de la mayor señal. EJERCICIO 1.10 Considere el circuito de la Figura A.17 para los siguientes valores de entrada: v1 (t) = sen(wt), v2 (t) = sen(wt + 2π/3) y v3 (t) = sen(wt + 4π/3). Las tres señales de entrada tienen la misma frecuencia f = 50[Hz] y VRMS = 220[V]. Grafique la salida V0 en función del tiempo. 194 ' 9' ' Y W 9' ' 9' YW Y W 5 ,5 Y W >N N TE AL LD 20 O 1 VA UT LL FS EJ M O S, 20 10 Figura A.17 RESPUESTA. Nuevamente, las entradas de los diodos son señales sinusoidales de igual amplitud y frecuencia pero de diferente fase. De acuerdo a la Figura, se puede ver que este circuito es un rectificador Mı́n-Off, por lo que la salida toma el valor de la menor señal. Esto se puede comprobar con los siguientes gráficos donde se muestra la relación entre la entrada y la salida del circuito. YL W >9 @ Y W Y W R EI π π π π ϑ>UDG @ W>PV @ W>PV @ © Y W Y W >9 @ − Figura A.18 A. Ejercicios Resueltos 195 EJERCICIO 1.11 Considere el circuito de la Figura A.19 para los siguientes valores de excitación: v1 (t) = sen(wt), v2 (t) = sen(wt + 2π/3) y v3 (t) = sin(wt + 4π/3). Las tres señales de entrada tienen la misma frecuencia f = 50[Hz] y VRMS = 220[V]. Obtenga el gráfico de la salida V0 en función del tiempo. 9' ' ' 9' ' 9' ,5 YW Y W Y W 5 >N Y W N TE AL LD 20 O 1 VA UT LL FS EJ M O S, 20 10 9' ' ' 9' ' 9 ' Figura A.19 RESPUESTA. Las entradas de los diodos son señales sinusoidales de igual amplitud y frecuencia pero de distinta fase. Nótese que este circuito está formado como la unión de los circuitos de los dos ejercicios anteriores. Especı́ficamente, los diodos D1 , D2 y D3 forman un circuito Max-Off, mientras que D4 , D5 y D6 forman un circuito Min-Off. Esto permite obtener el siguiente gráfico para V0 (t). YL W >9 @ Y W Y W Y W R EI π π π π ϑ>UDG @ W>PV @ W>PV @ © Y W >9 @ Figura A.20 196 EJERCICIO 1.12 Para el circuito de la Figura A.21, grafique la corriente IR en función de (wt), dado Vi (t) = V sen(wt). 9LW 9 ' 9LW ,5 ' 5 ,I ʌ 10 ' ' ZW ʌ N TE AL LD 20 O 1 VA UT LL FS EJ M O S, 20 9 Figura A.21: Puente rectificador RESPUESTA. Para efectos de análisis, el circuito de la Figura A.21 se redibuja de la siguiente forma: ' 9LW ' ' ,5 5 © R EI ,I ' Figura A.22: Circuito redibujado Según esta configuración se puede reconocer que los diodos D1 , D2 y la resistencia forman un circuito Max-Off. Análogamente, la resistencia y los diodos D3 y D4 forman un circuito Min-Off. Se supondrá |V| ≥ 1, 5[V], ya que se necesita polarizar dos diodos para A. Ejercicios Resueltos 197 que la corriente circule por el circuito. En la siguiente tabla, se analiza el estado de cada diodo para cada perı́odo de tiempo ilustrado en el gráfico anterior. Tiempo t 0−π π − 2π D1 Directo Abierto Estado D2 D3 Abierto Abierto Directo Directo D4 Directo Abierto IR [mA](máx) (V − 1, 5)/R (V − 1, 5)/R 10 Tabla A.10 N TE AL LD 20 O 1 VA UT LL FS EJ M O S, 20 De acuerdo al comportamiento de Vi y de la corriente If , el comportamiento de IR en función de (wt) es el siguiente: ,5 9 5 ,',' ʌ ʌ ʌ ʌ ʌ ʌ ZW ZW © R EI ,',' ZW Figura A.23 En la figura se puede ver que durante el semiciclo positivo de Vi conducen los diodos D1 y D4 , los cuales determinan la corriente IR en ese semiperı́odo. Para el semiciclo negativo, la misma función la cumplen los diodos D2 y D3 . 198 Capı́tulo 2 EJERCICIO 2.1 Considere el circuito de la Figura A.24. Determine la zona en que se encuentra el transistor y también sus respectivas corrientes. ,& N TE AL LD 20 O 1 VA UT LL FS EJ M O S, 20 5% >. @ 10 >9@ ,% K)( ,( Figura A.24: Circuito 1 RESPUESTA. En este transistor debido a la fuente de 10[V] en la base, la juntura base-emisor está directa. En consecuencia: R EI VB = 0, 75[V] (10 − VB ) = 9, 25[mA] IB = RB © Suponiendo que el transistor está en ZAD: IC = hFE ⋅ IB = 462, 5[mA] VC = 10[V] Esto implica que VBC < 0. Por lo tanto la hipótesis de que el transistor está en ZAD es correcta. Por último: IE = IB + IC = 471, 75[mA] A. Ejercicios Resueltos 199 En Resumen: Vin [V] 10 Zona transistor ZAD VB [V] 0,75 IB [mA] 9,25 IE [mA] 471,75 IC [mA] 462,5 Tabla A.11: Resumen de resultados ejercicio 2.1 N TE AL LD 20 O 1 VA UT LL FS EJ M O S, 20 >9@ 10 EJERCICIO 2.2 Determine la zona de operación del transistor de la Figura A.25, ası́ como sus voltajes y corrientes respectivas. 5& >. @ ,5 ,& ,% K)( ,( Figura A.25: Ejercicio 1 © R EI RESPUESTA. En este caso la juntura base-emisor está ON. Para el análisis, comenzamos evaluando IR . De lo anterior: VB = 0, 75[V] (10 − VB )[V] = 9, 25[mA] IR = RC [kΩ] Por ley de Kirschoff: IE = IR . Suponiendo ZAD: IC = hFE ⋅ IB IE = IB + IC = (hFE + 1)IB 200 De esto: IB = 0, 092[mA] IC = 9, 16[mA] IE = 9, 25[mA] A su vez, viendo el circuito se puede notar que: 10 VB = VC = 0, 75[V] Zona ZAD N TE AL LD 20 O 1 VA UT LL FS EJ M O S, 20 Esto implica que VBC = 0[V]. Por lo tanto la hipótesis de que el transistor está en ZAD es correcta. En resumen: VB [V] 0,75 VE [V] 0 VC [V] 0,75 IB [mA] 0,092 IE [mA] 9,25 IC [mA] 9,16 EJERCICIO 2.3 Calcule las corrientes en cada uno de los transistores T1 y T2 del circuito de la Figura A.26 y también los voltajes VC1 y VC2 >9@ K)( K)( ,& 5 >. @ 5 >. @ © R EI 5 >. @ >9@ ,% ,& ,% 9& 9& 7 5 >. @ ,( Figura A.26: Circuito 3 7 ,( A. Ejercicios Resueltos 201 RESPUESTA. En el primer transistor, se cumple que la juntura baseemisor está ON. En consecuencia: VB = 0, 75[V] (10 − VB )[V] = 9, 25[mA] IR = R1 [kΩ] N TE AL LD 20 O 1 VA UT LL FS EJ M O S, 20 10 En el peor caso, toda la corriente circula por el colector de T1 , mientras la base de T2 queda sin corriente. Suponiendo además T1 en ZAD, se obtendrı́a: IC1 = hFE1 ⋅ IB1 = 462, 5[mA] VC1 = (10 − R2 IC1 ) = −452, 5[V] Esto implica que VBC1 > 0[V]. Por lo tanto, la hipótesis de que el transistor T1 está en ZAD es incorrecta, ya que la juntura base colector de T1 estarı́a ON. Por lo tanto, T1 está en ZS y no en ZAD. Por lo tanto: VC1 = 0, 2[V] © R EI Como VC1 es la entrada a T2 , éste no alcanza a polarizar su juntura BE de T2 , en consecuencia T2 está en ZC y sus corrientes y voltajes son: IB2 = IE2 = IC2 = 0[mA] VC2 = 0[V] Debido a que T1 está en ZS y que T2 está en ZC: (10 − VC1 ) = 9, 8[mA] R2 [KΩ] = IB1 + IC1 = 19, 05[mA] IC = IE1 202 Transistor Zona T1 T2 ZS ZC En Resumen: VC [V] 0,2 0 IB [mA] 9,25 0 IE [mA] 19,05 0 IC [mA] 9,8 0 EJERCICIO 2.4 Determine la zona en la que se encuentra el transistor de la Figura A.27 y también sus respectivas corrientes y voltajes. >9@ K)( N TE AL LD 20 O 1 VA UT LL FS EJ M O S, 20 10 5 >. @ ,& 5 >. @ >9@ ,5 ,5 5 >. @ ,( Figura A.27: Circuito 3 R EI 9& ,% © RESPUESTA. Debido a la fuente de 10 V en el transistor se cumple que la juntura base emisor está ON. En consecuencia: VB = 0, 75[V] (10 − VB )[V] = 9, 25[mA] IR1 = R1 [kΩ] En la misma rama de colector, calculamos IB e IR2 : (10 − IR1 R1 )[V] = 0, 75[mA] R2 [KΩ] = IR1 + IR2 = 8, 5[mA] IR2 = IB A. Ejercicios Resueltos 203 Suponiendo que el transistor se encuentra en ZAD: IC = hFE IB = 425[mA] VC = 5 − IC R3 = −420[V] 10 Esto implica que VBC > 0[V]. Por lo tanto la hipótesis de que el transistor está en ZAD es incorrecta, ya que la juntura base colector estarı́a ON. Por lo tanto, el transistor está en ZS. Por lo tanto: N TE AL LD 20 O 1 VA UT LL FS EJ M O S, 20 VC = 0, 2[V] Consecuentemente: IR2 = (5 − 0, 2)[V] = 4, 8[mA] R3 [KΩ] En resumen: Zona VB [V] 0,75 IB [mA] 8,5 IE [mA] 13,3 IC [mA] 4,8 © R EI ZS VC [V] 0,2 EJERCICIO 2.5 Considere el circuito de la Figura A.28. Para el valor de la fuente V1 especificado en la Tabla 2.2, determine cada una de las entradas en blanco de dicha tabla. V1 [V] 0 5 Zona VB [V] IB [mA] IE [mA] IC [mA] Tabla A.12: Análisis Figura A.28 204 >9@ KIH ,& 5 >. @ 9& 9 5 >. @ ,% N TE AL LD 20 O 1 VA UT LL FS EJ M O S, 20 10 ,( Figura A.28: Circuito RESPUESTA. Caso 1. V1 = 0[V]. En este caso, la juntura base-emisor está cortada, lo mismo ocurre en la juntura base-colector. En consecuencia el transistor está en zona de corte. Por lo tanto: IB = IC = IB = 0[mA] EI VB = V1 − R1 IB = 0[V] © R Caso 2. V1 = 5[V]. En este caso la juntura base-emisor está ON. En consecuencia: VB = 0, 75[V] (V1 − VB )[V] = 0, 085[mA] IB = R1 [KΩ] Suponiendo que el transistor está en ZAD: IC = hFE IB = 4, 25[mA] VC = 5 − R2 IC = 0, 75[V] A. Ejercicios Resueltos 205 Esto implica que VBC = 0[V]. Por lo tanto la hipótesis de que el transistor está en ZAD es correcta. Por último: IE = IB + IC = 4, 335[mA] En resumen: ZC ZAD VB [V] 0 0,75 IB [mA] 0 0,085 IE [mA] 0 4,335 IC [mA] 0 4,25 10 Zona N TE AL LD 20 O 1 VA UT LL FS EJ M O S, 20 V1 [V] 0 5 Tabla A.13: Análisis Figura A.28 EJERCICIO 2.6 Determine la zona en la que se encuentra el transistor de la Figura A.29 y también sus respectivas corrientes. >9@ ,5 5 >. @ 5 >. @ ,& ,5 ,% © R EI 5 >. @ K)( ,( Figura A.29 RESPUESTA. Debido a que la fuente en la base es la misma que en colector, se supondrá que el transistor está en ZS. De esto obtenemos 206 que: VC = 0, 2[V] Las resistencias R1 y R2 , están en paralelo, lo que implica que la resistencia equivalente en colector y la corriente en el colector son: = N TE AL LD 20 O 1 VA UT LL FS EJ M O S, 20 IC = 1 1 + =⇒ RC = 0, 5[KΩ] R1 [KΩ] R2 [KΩ] (10 − VC )[V] = 19, 6[mA] RC [KΩ] 10 1 RC [KΩ] Considere ahora la rama base emisor. Suponiendo que los transistores están en ZS, se cumplirı́a que: VB = 0, 75[V] (10 − VB )[V] = 9, 25[mA] IB = R1 [KΩ] © R EI Por lo tanto y para que se cumpla la suposición de que el transistor está en ZS: IC < hFE IB 19, 6 < 9, 25 ⋅ 50 Como la desigualdad se cumple, entonces la suposición fue correcta. En resumen: Zona ZS VC [V] 0,2 IB [mA] 9,25 IE [mA] 28,85 IC [mA] 19,6 A. Ejercicios Resueltos 207 EJERCICIO 2.7 Para el circuito de la Figura A.30, complete los valores de la Tabla. Suponga hFE = 100. 5[V ] RC = 1[kΩ] I RC 9 V0 T1 T2 IE 9 RB 2 = 10[kΩ] N TE AL LD 20 O 1 VA UT LL FS EJ M O S, 20 RB1 = 10[kΩ] ,&7 10 ,&7 Figura A.30: Circuito V2 [V] 0 0 5 5 0 A.I Z.O. T1 Z.O. T2 ICT1 [mA] ICT2 [mA] IRC [mA] V0 [V] R 1 2 3 4 5 6 V1 [V] 0 5 5 A.I A.I A.I EI Caso © RESPUESTA. Caso 1: Dado que V1 = V2 = 0[V] ambos transistores se encuentras en zona de corte, por lo que la corriente de los colectores de ambos transistores es 0[mA]. Esto implica que: IRC = ICT1 + ICT2 = 0[mA] V0 = 5 − VRC = 5[V] Caso 2: En este caso T2 está en zona de corte al igual que en el caso 208 anterior. Sin embargo T1 se encuentra en zona de saturación. Por lo tanto: ICT2 = 0[mA] (5 − VCE1 )[V] = 4, 8[mA] 1[KΩ] = 5 − VRC = 5 − 4, 8 = 0, 2[V] ICT1 = IRC = V0 N TE AL LD 20 O 1 VA UT LL FS EJ M O S, 20 10 Caso 3: Ahora ambos transistores se encuentran en zona de saturación. Para simplificar el análisis se supone que la corriente IRC se distribuye en igual proporción en ambos transistores (el valor exacto depende de los parámetros de cada transistor). Luego: (5 − VCE1 )[V] = 4, 8[mA] 1[KΩ] = ICT2 = 2, 4[mA] IRC = ICT1 V0 = 5 − VRC = 5 − 4, 8 = 0, 2[V] R EI Caso 4: Para T1 se tiene alta impedancia por lo que éste se encuentra en zona de corte, mientras T2 se encuentra en zona de saturación. En consecuencia, toda la corriente que pasa por RC circula por el colector de T2 . Luego: © ICT1 = 0[mA] (5 − VCE1 )[V] = 4, 8[mA] 1[KΩ] = 5 − VRC = 5 − 4, 8 = 0, 2[V] ICT2 = IRC = V0 Caso 5: T1 se comporta de igual modo que en el caso anterior. Por otro lado, debido a V2 , T2 se encuentra en zona de corte. Por lo tanto: IRC = ICT1 + ICT2 = 0[mA] V0 = 5 − VRC = 5[V] A. Ejercicios Resueltos 209 Caso 6: En este caso ambos transistores se encuentran en zona de corte, por lo que la corriente en los colectores es nula, mientras la salida está dada por: V0 = 5 − VRC = 5[V] Con lo cual se completa la tabla con sus respectivos valores: V1 [V] 0 5 5 A.I A.I A.I Z.O. T1 Z.C Z.S Z.S Z.C Z.C Z.C Z.O. T2 Z.C Z.C Z.S Z.S Z.C Z.C ICT1 [mA] 0 4,8 2,4 0 0 0 ICT2 [mA] 0 0 2,4 4,8 0 0 IRC [mA] 0 4,8 4,8 4,8 0 0 N TE AL LD 20 O 1 VA UT LL FS EJ M O S, 20 1 2 3 4 5 6 V2 [V] 0 0 5 5 0 A.I V0 [V] 5 0,2 0,2 0,2 5 5 10 Caso >9 @ © R EI EJERCICIO 2.8 Si en el punto I del circuito de la Figura A.31 se aplican 0,2[V], determine la zona de operación de los transistores T1 y T2 . Justifique su respuesta. 5 = >NΩ@ ,5 9 7 , 7 Figura A.31: Circuito 210 RESPUESTA. 1. T1 : Es un transistor PNP. En este caso, la juntura C-B T1 está inversa. Además la juntura B-E de T1 siempre se encuentra directa. Esto implica que T1 está en zona activa directa. 2. T2 : Dado I = 0, 2[V], se puede ver claramente que la juntura B-E de T2 no alcanza a quedar directa. Además B-C de T2 también se encuentra en corte. Esto implica que T2 está en zona de corte. N TE AL LD 20 O 1 VA UT LL FS EJ M O S, 20 10 EJERCICIO 2.9 Para el siguiente circuito, determine la zona de operación del transistor, las corrientes y el voltaje V0 . >9 @ 5& = >Ω@ 5 = >Ω@ , 9; , ,& ,% 9 7 ,( 5 = >Ω@ © R EI 5( = >Ω@ Figura A.32 RESPUESTA. Para efectuar el análisis de una manera más sencilla, se evaluará el voltaje y resistencia Thevenin de la entrada: RTH = VTH = R1 ⋅ R2 R1 + R2 R2 ⋅5 R1 + R2 211 A. Ejercicios Resueltos >9 @ >9 @ 5& 5& ,& ,% 5 97+ 5 7+ ,% ,( , ,( 5( 5 5( >9 @ N TE AL LD 20 O 1 VA UT LL FS EJ M O S, 20 Figura A.33 10 , ,& Ahora se supone que el transistor está en ZAD, en cuyo caso: VTH − IB RTH − IE RE − 0, 75[V] = 0 [V] Despejamos IB : VTH − IE RE − 0, 75[V] RTH = hFE IB IB = IC EI IE = IB + IC = IB (1 + hFE ) © R Luego, ( IB 1 + hFE 1+ RTH ) = IB = VTH − 0, 75[V] RTH VTH − 0, 75[V] RTH + 1 + hFE Como HFE ≫ 1: IC ≈ IE . Observación. El tipo de configuración del circuito de la Figura A.32, es llamada polarización por división de tensión, cuyo propósito es facili- 212 tar la polarización necesaria para que la juntura base-emisor quede en Z.A.D. Reemplazando los valores: R1 = R2 = 400[Ω] hFE = 100 RC = RE = 500[Ω] RTH = 0, 2[KΩ] 10 VTH = 2, 5[V] 2, 5 − 0, 75 = 0, 0175[mA] IB = 0, 2 + 1 + 100 IC = 1, 72[mA] N TE AL LD 20 O 1 VA UT LL FS EJ M O S, 20 IE = 1, 74[mA] V0 = 5 − 1, 72 ⋅ 1, 5 = 4, 14[V] EJERCICIO 2.10 Encontrar zona de operación de los transistores T1 y T2 , junto con sus respectivos voltajes, corrientes y V0 para los valores de entrada tabulados. Determinar la función lógica implementada. 0 0 0 5 5 0 5 5 >9 @ R EI A B © >NΩ@ 9$ 9 > N Ω @ 7 9% Figura A.34 > N Ω @ 7 A. Ejercicios Resueltos 213 RESPUESTA. Dado que ambos transistores son simétricos, se analizará el siguiente circuito: >9 @ > NΩ@ ,% 7 N TE AL LD 20 O 1 VA UT LL FS EJ M O S, 20 9$ 9 10 ,& > N Ω @ ,( Figura A.35 EI Caso 1: Para A = 0[V] , la juntura JB−E de T1 está cortada, al igual que la juntura JB−C , por lo tanto, el transistor se encuentra en Z.C., lo que implica que: IB = IC = IE = 0[mA]. Por tanto V0 = 5[V], además de que T1 se comporta como un circuito abierto. © R Para A = 5[V], la juntura JB−E de T1 está directa, por lo que VBE = 0, 75[V]. Por lo tanto: (5 − 0, 75)[V] = 0, 425[mA] 10[KΩ] (5 − VC )[V] = 4, 7[KΩ] = IC + IB IB = IC IE Suponiendo ZAD, se cumple que: IC = hFE IB = 50 ⋅ 0, 425[mA] = 21, 25[mA] 214 Finalmente: VC = 5[V] − 4, 7[KΩ] ⋅ 21, 25[mA] = −94, 875[V] Lo que implica que T1 está en ZS, por lo cual: VC = 0, 2[V] N TE AL LD 20 O 1 VA UT LL FS EJ M O S, 20 (5 − 0, 2)[V] = 1, 021[mA] 4, 7[KΩ] = 1, 446[mA] IC = IE 10 Y se cumple que: V0 = 0, 2[V] Caso 2: El análisis precedente permite concluir que mientras alguna de las dos entradas esté en 5[V], la salida será V0 = 0, 2[V]. Por otro lado, si ambas son 0[V], la salida queda en V0 = 5[V]. © R EI A 0 0 5 5 B 0 5 0 5 S 5 0 0 0 Lo que corresponde a la función lógica NOR. EJERCICIO 2.11 En el circuito de la Figura A.36, determinar el estado de los diodos D1 , D2 , D3 , D4 y D5 ; la zona de operación de T1 ; y V0 para: A B 0 0 0 5 5 0 5 5 A. Ejercicios Resueltos 215 9 FF > N Ω @ ' > NΩ@ 9 ' ' $1' % ' 9 ,% ,& 7 ,( > NΩ@ N TE AL LD 20 O 1 VA UT LL FS EJ M O S, 20 ' 9 25 10 $ Figura A.36: Circuito RESPUESTA. En primer lugar, se observa que las entradas A y B determinan V1 y V2 . Para determinar estos voltajes se utiliza el hecho que D1 y D4 forman un Mı́n-Off y D2 y D3 un Max-Off, por lo tanto: A 0 0 5 5 B 0 5 0 5 V1 0 4,25 4,25 4,25 V2 0,75 0,75 0,75 5 EI Este análisis permite simplificar el circuito de la Figura A.36, de la siguiente forma: © R 9 > NΩ @ 9 ,% ,& 7 ,( Figura A.37: Circuito 9 216 Caso 1: Para que JB−E quede polarizada, V1 debe ser mayor que 1,5[V]. Cumpliéndose sólo cuando V2 = 5[V]. Suponiendo ZAD: 5 [V] − 1, 5[V] = 0, 7[mA] 5[kΩ] = hFE ⋅ IB = 70[mA] IB = IC V0 = 4, 25 [V] − 70 [mA] ⋅ 4, 5 [kΩ] = −275[V] N TE AL LD 20 O 1 VA UT LL FS EJ M O S, 20 10 Lo cual es absurdo. Por lo tanto, el transistor se encuentra saturado determinando que: V0 = 0, 2[V]. Caso 2: Para el caso en que V2 < 1, 5[V], JB−C queda OFF, por lo que el transistor está cortado, lo cual implica que: V0 = V1 = 4, 25[V] { Nótese que éste es el valor de V0 para los casos: A = 5 [V] y B = 0[V] A = 0 [V] y B = 5[V] R EI Caso 3: Con V1 = 0[V] y V2 = 0, 75[V], el transistor está cortado, dejando: V0 = V1 = 0[V] © Entonces V0 está determinado según la siguiente tabla: A 0 0 5 5 B 0 5 0 5 V0 5 4,25 4,25 0,2 Nótese que el circuito de la Figura A.36 implementa la función lógica XOR (OR exclusivo). A. Ejercicios Resueltos 217 EJERCICIO 2.12 Para el circuito de la Figura A.38, determinar la zona de operación de T1 y T2 , junto con sus corrientes y voltajes respectivos para A = 5[V] y A = 0[V]. >9 @ 9; $ 7 9 ,& N TE AL LD 20 O 1 VA UT LL FS EJ M O S, 20 > N Ω @ ' 10 > N Ω @ 9< 7 >Ω @ ,5 Figura A.38: Circuito R EI RESPUESTA. © Caso 1: Para A = 5[V]: se logra polarizar IB−E de T1 , y JB−E de T2 . Suponiendo que T1 esta en ZS: IC1 IB 1 IE1 5[V] − 0, 2[V] = 2, 4[mA] 2[KΩ] 5[V] − 0, 75[V] − 0, 75[V] = 0, 875[mA] = 4[KΩ] = IB1 + IC1 = 0, 875[mA] + 2, 4[mA] = 3, 275[mA] = Luego, dado Vx = 0, 2[V], D1 queda OFF, por lo que no circula corriente 218 por él, dejando IC2 = 0[mA]. Esto implica que T2 está en ZS, lo que a su vez significa que: V0 = 0, 2[V]. VY IR IB2 = 0, 75[V] VY = 0, 93[mA] = 0, 8[KΩ] = IE1 − IR = 2, 345[mA] N TE AL LD 20 O 1 VA UT LL FS EJ M O S, 20 IE2 = IC2 + IB2 = 2, 345[mA] 10 IC2 = 0[mA] © R EI Caso 2: Para A = 0[V]: T1 y T2 están en Z.C., mientras que D1 está directo. Bajo esta condición, se cumple que: V0 = 0[V], Vx = 0, 75[V], IC2 = 2, 125[mA]. A. Ejercicios Resueltos 219 Capı́tulo 3 EJERCICIO 3.1 Obtenga la función de transferencia del circuito de la Figura A.39. 9&& >9@ 5 5& 9%( 9L N TE AL LD 20 O 1 VA UT LL FS EJ M O S, 20 9 10 9 ,' 9 Figura A.39: Circuito NAND RESPUESTA. De acuerdo el método de análisis visto en el capı́tulo 1 y 2, para el circuito se puede establecer que: R EI i) Si es que algunas de las entradas V1 , V2 o ambas, tienen un voltaje menor o igual a 1,3[V], el transistor queda en ZC, en cuyo caso se cumple que: (A.1) © V0 = VCC = 5[V] ii) Luego, si la menor de las entradas, o ambas, aumenta hasta que Vi asuma un valor para dejar ON la juntura B-E, el transistor se encuentra en ZAD., por lo que: Vi ZC−ZAD = 2, 2[V] (A.2) Si se encuentra en ZAD, las ecuaciones que rigen el comportamiento circuital son las siguientes: 220 IB = ID IC = hFE IB V0 = VCC − IC RC Lo que permite concluir que: (A.3) N TE AL LD 20 O 1 VA UT LL FS EJ M O S, 20 10 V0 = VCC − hFE IDiodo RC De acuerdo a la ecuación A.3, cuando el transistor se encuentra en ZAD, la variación de V0 no depende directamente de Vi , sino de ID , y éste se ve afectado por el valor que asuma Vi , por lo que en el gráfico la pendiente en la ZAD es −(hFE RC /RB ). iii) Si la menor de las entradas, o ambas, siguen aumentando, se llega al punto donde el transistor se satura; es decir: V0 ≈ 0, 2[V], por lo tanto: si Vi > Vi ZAD−ZS , entonces V0 = 0, 2[V]. Con esto, se obtiene la función de transferencia del circuito A.39. (FXDFLyQ © R VCC EI V0 (t ) (FXDFLyQ (FXDFLyQ 0 ,2 ZAD ZC Vi−Z.C.−Z.A.D (FXDFLyQ Vi−Z.A.D−Z.S. (FXDFLyQ ZS Vi (t ) Figura A.40: Gráfico función de transferencia del circuito de la Figura A.39 A. Ejercicios Resueltos 221 EJERCICIO 3.2 Obtenga la función de transferencia del circuito de la Figura A.41, para lo cual cortocircuite ambas entradas y varı́e la señal de excitación entre 0[V] y 5[V]. VCC = 5[V ] RC R1 10 N TE AL LD 20 O 1 VA UT LL FS EJ M O S, 20 V1 V0 IC RB I B V2 Figura A.41: Circuito NAND RESPUESTA. Al cortocircuitar las entradas, el circuito quedarı́a de la siguiente forma: VCC = 5[V ] RC Vi RB I B IC V0 © V R EI R1 Figura A.42: Circuito NAND con entradas cortocircuitadaa Siguiendo el mismo método de análisis que en el ejercicio anterior, se puede establecer que: i) Si V es un valor muy pequeño, Vi también lo será, por lo que la juntura B-E estará en estado OFF, en consecuencia el transistor 222 se encuentra en ZC, se cumple que: V0 = VCC = 5[V] (A.4) 10 ii) Luego si V aumenta lo suficiente, para que Vi asuma un valor para poder dejar ON la juntura B-E del transistor, el transistor entra en ZAD. El umbral entre ZC y ZAD debido a los tres diodos en serie es: N TE AL LD 20 O 1 VA UT LL FS EJ M O S, 20 Vi ZC−ZAD = 2, 95[V] (A.5) En ZAD las ecuaciones que rigen son las siguientes: (Vi − 2, 25) RB = hFE IB IB = IC V0 = VCC − IC RC Con lo que se puede concluir: ( ) (A.6) R EI V0 = VCC − (Vi − 2, 25) hFE RC RB © Por lo que la pendiente que posee el gráfico cuando al transistor se encuentra en ZAD es igual a −hFE RC /RB . iii) Si V continua aumentando, llega a un punto en que el transistor entra en ZS. El lı́mite entre ZAD y ZS ocurre cuando Vi asume un valor tal que V0 sea aproximadamente 0,2[V]. Es decir: 0, 2 = VCC − (Vi ZAD−ZS − 2, 25) Vi ZAD−ZS = (VCC − 0, 2) hFE RC RB hFE RC + 2, 25[V] RB (A.7) A. Ejercicios Resueltos 223 Si Vi > Vi ZAD−ZS , el transistor se encuentra saturado, en cuyo caso se puede suponer V0 ≈ 0, 2[V]. Con esto se obtiene la siguiente función de transferencia: V0 (t ) (FXDFLyQ VCC (FXDFLyQ RC RB N TE AL LD 20 O 1 VA UT LL FS EJ M O S, 20 10 pendiente = − h FE (FXDFLyQ 0 ,2 Z .S . Z . A.D. Z.C. Vi−Z.C.−Z.A.D Vi−Z. A.D−Z.S. (FXDFLyQ (FXDFLyQ Vi (t ) Figura A.43: Función de transferencia Ejercicio 3.2 EJERCICIO 3.3 Demuestre que el operador NOR es un operador completo. 6 Ɩ $ 6 Ɩ $ 6 $Â% © $ R EI RESPUESTA. Se sabe que un operador completo debe poder sintetizar las tres operaciones lógicas del algebra de Boole. Por lo tanto: & $ 6 $Â% % $ % ' & 6 $% % Figura A.44 $ % 6 $% 224 Dadas las implementaciones anteriores basadas sólo el compuertas NOR queda demostrado que dicha compuerta es un operador completo. Se adjuntan las tablas de verdad para mayor entendimiento. Inversor: A 0 1 S=A NOR A 1 0 NOT A 1 0 A B 0 0 1 1 0 1 0 1 N TE AL LD 20 O 1 VA UT LL FS EJ M O S, 20 10 And: C= A NOR A 1 1 0 0 B 0 1 0 1 C=A NOR B 1 0 0 0 S= C NOR D 0 0 0 1 S=C NOR C 0 1 1 1 A AND B 0 0 0 1 A OR B 0 1 1 1 © R A 0 0 1 1 EI Or: D= B NOR B 1 0 1 0 EJERCICIO 3.4 Deduzca un método para implementar cualquier función lógica utilizando solamente compuertas NOR. Ayuda: proceda en forma análoga a la forma en que se usa solamente NAND’s para implementar cualquier función lógica. En este caso se debe intercambiar el rol de los operadores AND y OR y también se debe intercambiar el rol de los valores 0 y 1. RESPUESTA. Al igual que para la implementación con NAND’s se sintetiza cada operador lógico por medio de la compuerta(en este caso NOR). Este método es igual de ineficiente que el descrito en el capı́tulo A. Ejercicios Resueltos 225 para las compuertas NAND ya que también requiere muchas compuertas para implementar la función lógica. En este caso un método más eficaz consiste en escribir la función lógica como un producto de sumas. Los pasos a seguir son los siguientes(considerando que la función está minimizada): N TE AL LD 20 O 1 VA UT LL FS EJ M O S, 20 10 1. La función debe estar minimizada y escrita como producto de sumas. 2. Para cada variable de entrada generar su complemento (al igual que en el método en base a compuertas NAND, es conveniente hacerlo en base a NOT’s). 3. Existen dos niveles de compuertas NOR. 4. Por cada término de la función se asigna un NOR en el nivel 1. 5. Para cada variable que forma parte de un término se conecta la señal al NOR correspondiente(o su complemento). R EI 6. La salida de cada uno de los NOR’s del nivel 1 se conecta a una de las entradas del NOR del nivel 2. © 7. La salida del NOR del nivel 2 entrega la función lógica que se desea implementar. A modo de ejemplo para aplicar el método se tiene la siguiente función: f(A, B, C, D) = (A + B) ⋅ (B + C) El diagrama en base a compuertas NOR de acuerdo al método es el siguiente: 226 $ $ % % & & 6 10 Figura A.45 N TE AL LD 20 O 1 VA UT LL FS EJ M O S, 20 Para comprobar que el método es correcto se muestran las tablas de verdad de la función implementada con los operadores Booleanos y luego en base a compuertas NOR: B 0 0 1 1 0 0 1 1 C 0 1 0 1 0 1 0 1 (A + B) 1 1 0 0 1 1 1 1 (B + C) 1 0 1 1 1 0 1 1 S = (A + B)(B + C) 1 0 0 0 1 0 1 1 A B C A NOR B B NOR C 0 0 0 0 1 1 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 0 1 1 0 0 0 0 0 1 0 0 0 1 0 0 © R EI A 0 0 0 0 1 1 1 1 S= (A NOR B) NOR (B NOR C) 1 0 0 0 1 0 1 1 Las salidas son las mismas, por lo tanto el método es correcto. A. Ejercicios Resueltos 227 EJERCICIO 3.5 Diseñe un circuito AND. RESPUESTA. De antemano tenemos los circuitos de las compuertas NAND, NOR y NOT. Del trabajo con lógica se obtiene lo siguiente: AND = NOT (NAND) N TE AL LD 20 O 1 VA UT LL FS EJ M O S, 20 10 Por lo tanto simplemente basta con agregar un negador a la salida de un NAND, el circuito queda como sigue: 9&& >9@ 5& 5 , $ ,% 9; 9 5& 9 6 5% 5% ,% 9 % R EI Figura A.46: Circuito que implementa la función lógica AND © EJERCICIO 3.6 Diseñe un circuito OR. RESPUESTA. Considerando que ya se dispone de los circuitos que implementan las funciones NAND, NOR y NOT, un OR se puede obtener mediante la siguiente función: OR = NOT (NOR) Por lo tanto simplemente basta con agregar un negador a la salida de un NOR, con lo cual el circuito queda como sigue: 228 9&& >9@ 5& 5& 9 ,% $ 5% 9; 9 6 5% 9 N TE AL LD 20 O 1 VA UT LL FS EJ M O S, 20 5 10 % Figura A.47: Circuito que implementa un OR EJERCICIO 3.7 Determinar el valor de la salida cuando se realiza un Wired-AND entre las salidas de n compuertas NOT. RESPUESTA. El circuito para este ejercicio es el mismo que el que se vio en el Capı́tulo 3 para un Wired-AND, con la única diferencia que se enfrenta a una salida con n entradas en vez de dos. © R EI Caso 1. Todas las entradas en 0[V]. Para este caso, todos los transistores quedan en ZC. Bajo esta condición todas las corrientes de colector serán 0[mA], originando una salida S = 5[V]. Caso 2. Todas las entradas en 5[V]. Para este caso, todos los transistores estarán en ZS, esto implica que la salida será 0,2[V]. Caso 3. X entradas en 5[V] y (n − X) entradas en 0[V], con 1 ≤ X ≤ n. La cantidad de entradas no variará el resultado, solo producirá variaciones en las corrientes en los colectores de los diferentes transistores. Bajo estas condiciones, la salida S será de 0,2[V], la cual está determinada por los transistores en ZS. El resto de A. Ejercicios Resueltos 229 los transistores se encuentran en ZC, por lo cual no influyen en el valor de V0 . Los análisis de los resultados previos se resumen en la siguiente función: S= n ∏ Ai © R EI N TE AL LD 20 O 1 VA UT LL FS EJ M O S, 20 10 i=1