TEMA DEMO - Didacta21

TECNOLOGÍA
TEMA 60
CIRCUITOS DE CONMUTACIÓN
CON TRANSISTORES.
APLICACIONES CARACTERÍSTICAS
Difícilmente podrá encontrarse una actividad,
técnica o no, que no implique algún elemento o
circuito de conmutación.
Los circuitos de conmutación se caracterizan por
funcionar de modo binario, es decir, utilizan
dispositivos mediante los cuales sólo son
posibles dos estados.
Pues bien, en este tema se va a realizar un estudio
de los circuitos de conmutación mediante
transistores, así como de sus aplicaciones.
Comenzamos con los transistores bipolares,
seguidos de los transistores de efecto campo
como
conmutadores
y
terminamos
con
aplicaciones características.
EQUIPO DOCENTE
TEMARIO ESPECÍFICO - TEMA DEMO
TECNOLOGÍA
TEMA 60: CIRCUITOS DE CONMUTACIÓN CON TRANSISTORES.
APLICACIONES CARACTERÍSTICAS
1.
INTRODUCCIÓN. ...........................................................................2
2. REGIONES DE FUNCIONAMIENTO Y CURVA
CARACTERÍSTICA DEL TRANSISTOR BIPOLAR DE UNIÓN............2
2.1. Operación en región activa directa .............................................................................................2
2.2. Operación en región activa inversa.............................................................................................3
2.3. Zona de corte ..............................................................................................................................3
2.4. Zona de saturación......................................................................................................................3
3. REGIONES DE FUNCIONAMIENTO Y CURVA
CARACTERÍSTICA DEL TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO O
UNIPOLAR .............................................................................................3
3.1. Regiones de funcionamiento y curva característica del JFET ....................................................4
3.3. Regiones de funcionamiento y curva característica del MOSFET .............................................5
4.
EL TRANSISTOR BIPOLAR EN CONMUTACIÓN........................7
4.1. Funcionamiento del transistor como interruptor.........................................................................8
4.2. Efecto de la carga capacitiva ......................................................................................................9
5. EL TRANSISTOR FET EN CONMUTACIÓN. EJEMPLO DE
APLICACIÓN: EL INTERRUPTOR FET Y EL INTERRUPTOR
CMOS. ....................................................................................................9
5.1. Funcionamiento en conmutación..............................................................................................10
5.2 El interruptor FET .....................................................................................................................11
5.3. El interruptor CMOS. Puerta de transición...............................................................................11
6. CIRCUITOS DE CONMUTACIÓN. APLICACIONES
CARACTERÍSTICAS ...........................................................................12
6.1. Circuitos combinacionales........................................................................................................13
6.2. Circuitos secuenciales...............................................................................................................14
6.2.1. Clasificación de los circuitos regenerativos multivibradores..............................................14
Multivibrador Biestable acoplado por colector (FLIP-FLOP) .......................................................14
Multivibrador Biestable con MOSFET..........................................................................................15
Multivibrador monoestable ...........................................................................................................15
Multivibrador astable ....................................................................................................................15
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TEMARIO ESPECÍFICO - TEMA DEMO
1. INTRODUCCIÓN.
El transistor es un componente semiconductor que desde su descubrimiento ha
revolucionado el mundo de la electrónica. En la actualidad, cualquier ordenador de los
que manejamos comúnmente, incluso cualquier calculadora de bolsillo, puede llevar
varios millones de transistores en su interior, funcionando en conmutación.
El transistor ofrece una gran cantidad de aplicaciones posibles, debido a su
comportamiento particular ante diferentes señales de entrada y ante distintas
regiones de funcionamiento.
Respecto de las posibles señales de entrada debemos hacer dos distinciones
fundamentales:
-
Alimentación con corriente alterna: En alterna y con los transistores
polarizados en la zona activa (en el transistor bipolar de unión BJT) y en la zona
de saturación (en los transistores de efecto campo) el transistor se puede
comportar como un amplificador.
-
Alimentación con corriente continua: En continua, dependiendo de las relaciones
que existan entre las tensiones de los bornes del transistor, o en otras
palabras, de cómo estén polarizados los diodos internos o las distintas uniones
de que se compone, podremos hacer funcionar al transistor en distintas
regiones de características muy diferentes. Conmutando entre estas regiones
podemos hacer trabajar al transistor en conmutación.
Vamos a realizar un resumen de las zonas de funcionamiento de un transistor bipolar
de unión y de los transistores unipolares o de efecto campo para así poder comprender
mejor el funcionamiento en conmutación de ambos transistores.
2. REGIONES
DE
FUNCIONAMIENTO
Y
CURVA
CARACTERÍSTICA DEL TRANSISTOR BIPOLAR DE UNIÓN
Puesto que un transistor BJT tiene dos uniones PN, dependiendo de como se polaricen
ambas uniones, podemos conseguir que trabaje en distintas regiones de operación.
Veamos cada una de ellas:
2.1. Operación en región activa directa
Decimos que un transistor está en zona activa directa, cuando la unión base-emisor se
encuentra polarizada en directo (VBE > Vγ), y la unión base-colector se encuentra
polarizada en inverso (VBC < 0 ). En estas condiciones la corriente de colector Ic viene
dada por:
Ic = β⋅IB
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Donde α y β son factores de amplificación. β= α/(1-α)
Ic = α⋅IE
IE = IC +IB
2.2. Operación en región activa inversa
Decimos que un transistor está en zona activa inversa, cuando la unión base-emisor se
encuentra polarizada en inverso (VBE < 0), y la unión base-colector se encuentra
polarizada en directo (VBC > Vγ ).
En este caso se invierten los papeles del emisor y del colector. La diferencia entre
activa directa e inversa es que mientras que en directa la corriente de huecos es
despreciable frente a la de electrones, en inversa no podemos considerarla así. El
inconveniente principal para no poder trabajar en esta zona es que las ganancias que
se obtienen son muy pequeñas.
2.3. Zona de corte
Decimos que un transistor está en zona de corte, cuando tanto la unión base-emisor
como la unión base-colector se encuentran polarizadas en inverso
(VBC, VBE< 0 ).
En este caso no existe inyección de corriente ni de emisor a colector ni de colector a
emisor. Sólo quedan las corrientes inversas de saturación de los diodos, las cuales
podemos considerar despreciables o nulas.
IB = IC = IE = 0
2.4. Zona de saturación
Decimos que un transistor está en zona de saturación, cuando tanto la unión baseemisor como la unión base-colector se encuentran polarizadas en directo (VBC, VBE >
Vγ ).
En este caso la corriente de base aumenta
ya que ahora hay dos inyecciones de huecos
y dos de electrones con lo cual hay más
recombinación. La corriente de colector
será la de saturación y un incremento de IB
no originará un incremento proporcional en
IC. En esta región se cumple que:
ICSAT < β⋅IB
VCE = VCESAT ≈ 0.2 V
( . . . )
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3. REGIONES
DE
FUNCIONAMIENTO
Y
CURVA
CARACTERÍSTICA DEL TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO O
UNIPOLAR
Vamos a repasar las regiones de funcionamiento del JFET y del MOSFET, para
comprender mejor posteriormente su funcionamiento en conmutación.
3.1. Regiones de funcionamiento y curva característica del JFET
La estructura básica de un transistor de efecto campo de unión, JFET, está formada
por un semiconductor, de tipo n por ejemplo, con dos contactos óhmicos en sus
extremos, uno de ellos S denominado fuente y el otro D conocido por el nombre de
drenador D. El tercer electrodo G, denominado puerta, está constituido por dos
regiones de tipo p difundidas a ambos lados de la estructura del semiconductor. En la
figura vemos su estructura y su símbolo.
JFET de canal n
Supongamos inicialmente que el electrodo de puerta está polarizado al potencial de
tierra, esto es VG=O, y que aumentarnos lentamente desde cero la tensión aplicada al
drenador, VD, manteniendo el surtidor a una tensión fija de cero voltios, esto es VS=0
(potencial de tierra). Para pequeños valores de VD, la corriente que circula entre el
surtidor y el drenador, ID, debe ser pequeña. Esta corriente es debida al movimiento
de electrones desde la fuente al drenador a través del canal. En esta situación se
considera que el canal está completamente abierto, comportándose del mismo modo que
una resistencia (fig. a). Así pues, la variación de ID en función de VD en el rango de
tensiones bajas será prácticamente de tipo lineal. (Zona triodo)
( . . . )
3.2. El potencial en el punto P de estrangulamiento se mantiene constante e
igual al valor de saturación VDSAT.
Si en el JFET de canal n polarizado a una tensión de drenador positiva determinada,
aplicamos ahora tensiones negativas en el contacto de puerta VG, la unión p-n de puerta
queda polarizada en inverso a un potencial más elevado que en el caso anterior (VG=0).
En esta situación el canal se hace aún más estrecho por lo que la corriente a través de
él disminuye, hasta el punto que para un valor de VG negativo igual a la tensión de
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estrangulamiento VP, el canal permanecerá cerrado independientemente del valor de
tensión en el drenador VD, situación que se conoce como región o zona de corte en
cual VGS=-VP y la corriente ID=0. Siendo VP la tensión inversa necesaria aplicar en
puerta para cerrar el canal cuando la corriente de drenador es cero. Despreciando
potencial de barrera en la puerta, podemos decir que:
VP = VDSAT - VG
la
la
la
el
Expresión que nos sirve para calcular la VDSAT para una tensión de
puerta determinada.
En la figura vemos la curva característica
de este dispositivo. Se observa un
aumento abrupto de la corriente cuando
se alcanza una tensión crítica por encima
del valor de saturación. Este aumento se
debe a un fenómeno de avalancha de
electrones originado en la unión pn entre
la puerta y el canal. Esta zona es conocida
como región de avalancha o ruptura.
VP0
VP(-1)
VG = -VP0
r.corte
Las ecuaciones correspondientes a cada región de funcionamiento son:
Región lineal:
ID=β·[(VGS-Vp)·VDS – ½ ·VDS2]
Región de saturación:

V
IDSAT=IDS· 1 − GS

VP

Región de corte:
ID = 0
2

 donde IDS es IDSAT para VG=0V

siendo VGS=-VP0
( . . . )
3.3. Regiones de funcionamiento y curva característica del MOSFET
Los transistores MOSFET encuentran en la actualidad amplia aplicación en las puertas
lógicas utilizadas en electrónica digital y en las memorias semiconductoras. En la figura
vemos la estructura básica de un transistor MOS de silicio de canal n y su símbolo.
Dispone de un electrodo metálico G, que actúa como terminal de puerta. Existen
además dos regiones pequeñas de la superficie dopadas fuertemente con impurezas
tipo n+, situadas a cada lado de la puerta, con su electrodo metálico formando el
contacto de fuente S y de drenador D. En el MOSFET de canal p la corriente tiene
sentido opuesto y el símbolo lleva la flecha invertida.
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+Consideremos primero el caso de que el voltaje aplicado a la puerta es cero, es decir,
VG=O. Las dos regiones o islas de tipo n+ de fuente y drenador forman con el resto del
semiconductor de tipo p sendas uniones pn+ conectadas en oposición, por lo que
prácticamente no existe paso de corriente entre los electrodos de fuente y sumidero,
cualquiera que sea el signo de la tensión aplicada entre ellos no existirá canal (región
de corte).
Supongamos ahora que aplicamos un voltaje positivo suficientemente alto a la puerta
para tener la condición de inversión fuerte en la interfase del semiconductor con el
óxido. Esto quiere decir que VG ≥ VT, siento VT el voltaje umbral de la estructura MOS.
Los portadores minoritarios, electrones en este caso, dan lugar a la formación de un
canal conductor de tipo n en la superficie del semiconductor entre la fuente y el
drenador con una conductancia mayor cuanto más alto sea el voltaje aplicado en la
puerta. Este canal está limitado en su parte inferior por la región de carga espacial que
se forma en el semiconductor bordeando la puerta y también alrededor de las islas n+
de los contactos de fuente y sumidero.
( . . . )
Cuando se alcanza un voltaje, tal que la anchura del canal se reduce a cero en el
drenador (fig. b), se dice que ha ocurrido el estrangulamiento del canal (punto P). Esto
ocurrirá para un voltaje denominado voltaje de saturación, VD.sat, el cual ha de cumplir
la relación VDsat = VG - VT (región de saturación).
VD<VDSAT
VG≥VT
VD=VDSAT
VG≥VT
P
a)
b)
VD>VDSAT
VG≥VT
P
c)
Para voltajes más elevados, la región del canal estrangulada, aumentará de longitud en
la dirección de la fuente (fig. c) y la corriente se mantendrá esencialmente constante,
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ya que el voltaje en el nuevo punto P de estrangulamiento se mantiene prácticamente
igual a VD.sat. De hecho, el mecanismo de limitación de la corriente entre el punto P y la
región de agotamiento del drenador es muy similar a la de un transistor JFET, de ahí
que las características ID-VD sean también similares.
En
la
figura
vemos
la
curva
característica de este dispositivo. Para
un voltaje VD dado, al hacer mayor VG, la
corriente ID se hace más elevada, ya que
el canal es más ancho y por tanto el
número de portadores más elevado. Para
conseguir que el canal sea conductor es
preciso que VG tenga un valor por lo
menos igual al voltaje umbral (alrededor
de un voltio, dos voltios en la curva
característica).
Las ecuaciones correspondientes a cada región de funcionamiento son:
( . . . )
Existe una variedad de MOSFET en el que existe canal aunque haya una tensión nula en
la puerta. Aplicando una tensión de signo contrario a la necesaria para crear el canal se
puede deshacer este. Este tipo de MOSFET se denomina MOSFET de deplexión y su
característica es similar a la de un JFET.
4. EL TRANSISTOR BIPOLAR EN CONMUTACIÓN.
Si queremos que el transistor bipolar trabaje en conmutación, es decir, de modo que la
mayor parte del tiempo el transistor se encuentre polarizado en dos estados
diferenciados, uno en el cual se considera el transistor en conducción (ON), y otro en
el cual se considera abierto (OFF). Dado que existen diversas regiones de
funcionamiento del transistor, será posible establecer diversas combinaciones que
permitan distinguir entre los dos estados necesarios. Estos modos de funcionamiento
pueden ser los siguientes:
MODO
1
2
3
ESTADO ON
Saturación
Activa
Activa
ESTADO OFF
Corte
Corte
Activa
Los modos 1 y 2 son los más utilizados, ya que el apartado 3 precisa de unas condiciones
de diseño más exigentes al tener que discriminar entre dos valores de salida, estando
funcionando el transistor siempre en la región activa. Los circuitos digitales suelen
operar bajo las condiciones del modo 1, conmutando entre corte y saturación.
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4.1. Funcionamiento del transistor como interruptor
Se puede hacer que el transistor funciones como interruptor diseñando el circuito
asociado de manera que el transistor esté en corte o saturación. Cuando el transistor
está en corte no fluye corriente de colector y el interruptor está abierto (OFF).
Cuando el transistor está en saturación fluye la máxima corriente de colector y el
interruptor está cerrado (ON). El interruptor es controlado por la corriente aplicada a
la base. En consecuencia, es posible conmutar de un estado a otro, suministrando o
extrayendo carga por el terminal de base.
El circuito correspondiente al transistor bipolar funcionando en conmutación se puede
ver en la figura. Su respuesta ante una tensión de entrada con forma de onda de
impulso vi está también representada.
Para conmutar un transistor npn al estado ON, debemos suministrar carga a la base. Se
requiere que esta para neutralizar las cargas de la región de carga espacial que
correspondan al estado OFF y para establecer una carga en exceso en la región de la
base, suficiente para poder mantener cualquier corriente colectora solicitada por el
circuito cuando el transistor está en ON. Para conmutar el transistor al estado OFF
debemos extraer toda la carga en exceso en la base y las de las regiones de carga
espacial para que las uniones puedan soportar las tensiones solicitadas por el circuito
cuando el transistor está en OFF. De estas consideraciones se deduce que la transición
entre estados no es instantánea. En la figura se representan los retardos definidos por
diferentes intervalos temporales que analizamos a continuación:
( . . . )
- Tiempo de almacenamiento. El tiempo de almacenamiento es el tiempo
transcurrido desde el flanco de bajada del impulso de entrada (t=T) hasta el
punto en que ic comienza justamente a disminuir hacia cero.
- Tiempo de caída. El tiempo de caída tf es el tiempo que tarda la corriente de
colector en disminuir desde Icsat hasta 0,1·Icsat.
Los cálculos del tiempo de retardo, tiempo de subida, tiempo de caída y tiempo de
almacenamiento implican varias aproximaciones y generalmente dan por resultado
valores que difieren apreciablemente de los publicados por los fabricantes. Además, la
mayoría de interruptores con transistor o puertas hoy día en uso son circuitos
integrados que contienen muchos transistores que no admiten un análisis simple.
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4.2. Efecto de la carga capacitiva
Cuando se toma la salida por el colector, como ocurre en el transistor funcionando
como inversor (puerta NO), tpd+ es mayor que tpd- a causa de la inevitable capacidad en
la salida del interruptor. Cuando la salida disminuye, la capacidad de carga se descarga
a través del transistor, que actúa como baja impedancia; en cambio, cuando la salida
aumenta, el condensador se carga a través de la carga Rc, que tiene una impedancia
mucho más alta y, por tanto, el tiempo de carga es más largo. (figura a)
a)
b)
( . . . )
5. EL TRANSISTOR FET EN CONMUTACIÓN. EJEMPLO DE
APLICACIÓN: EL INTERRUPTOR FET Y EL INTERRUPTOR
CMOS.
El gran desarrollo de los circuitos integrados digitales, se debió en gran medida a la
utilización de dispositivos MOS, que permitieron obtener circuitos cada vez más
complejos, más fiables e inmunes al ruido y de mayor escala de integración, se obtienen
densidades de integración unas cinco veces superiores a los transistores bipolares.
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Los transistores de efecto campo o FET, como hemos visto antes, se clasifican en
JFET canal N y canal P, y MOSFET, de empobrecimiento o deplexión, y de
enriquecimiento o acumulación, ambos con canal P o N. Las curvas características de
transferencia (corriente de drenador en función de la tensión de puerta), pueden ser
agrupadas en dos tipos diferentes si hacemos abstracción del sentido y polaridad de la
corriente y tensión respectivamente. Dichas curvas, si simplificamos suponiendo que
representamos la zona lineal son:
( . . . )
A continuación vemos una comparación cualitativa de los distintos tipos de
interruptores analógicos con FET, con sus ventajas e inconvenientes.
5.1. Funcionamiento en conmutación
El transistor FET puede ser utilizado en conmutación, haciéndolo trabajar entre dos
puntos bien diferenciados de su curva característica (ID-VD), de forma similar a como
se hacía con el transistor bipolar.
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La zona de funcionamiento se deberá fijar
entre los puntos Q1, correspondiente a la
región de corte y Q2 correspondiente a la
región lineal. La tensión de puerta deberá
de ser tal que haga conmutar al transistor
entre dichos estados. Variando la tensión
de puerta entre los límites VGS<VT (no
existe canal, transistor cortado) y
VGS=VGS4 (en el ejemplo corresponde a
región triodo, transistor en conducción),
haremos funcionar al transistor en
conmutación.
VGS4
Q2
VGS3
VGS2
Q1
5.2 El interruptor FET
En la figura se muestra un interruptor FET. Se utilizan para conectar una señal de
tensión vi a una resistencia de carga RL sólo cuando se ordena mediante una tensión de
control vG. En este circuito, cuando vG es una tensión positiva adecuadamente elevada
VN, el transistor conduce y la caída de tensión vo a través de RL será proporcional a vi ,
siempre y cuando el transistor se comporte para esos valores de entrada y control
como una resistencia lineal (región de funcionamiento lineal o triodo). Cuando vG es una
tensión negativa –VF, el canal se cierra y el transistor se corta, la corriente no puede
atravesar el transistor y la tensión de salida es nula.
( . . . )
5.3. El interruptor CMOS. Puerta de transición.
Vamos a analizar el funcionamiento del transistor NMOS y PMOS como conmutador
con carga capacitiva para finalmente deducir las ventajas que aporta el interruptor
CMOS o complementario.
En la figura vemos un transistor NMOS actuando como conmutador con impedancia de
carga capacitiva CL. Si suponemos el condensador inicialmente descargado y se aplica a
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la puerta VGS=0V, la corriente IDS=0 independientemente del valor de la entrada Vin.
Cuando la tensión de puerta φ=’1’ (VGS=VDD), y la tensión en la entrada Vin=’1’, el
transistor de paso empieza a conducir cargando la capacidad CL hasta el valor VDD.
( . . . )
Un análisis similar con el transistor PMOS nos llevaría a unos resultados inversos a los
anteriores, degradando la transmisión del cero lógico (Vo=VT) y pasando completamente
el ‘1’.
De este modo, si construimos un interruptor de paso o puerta de transición, con un
transistor NMOS en paralelo con un PMOS, de modo que la señal de control de las
puertas esté invertida (interruptor CMOS), aprovecharemos las características de
ambos consiguiendo la transmisión correcta tanto del cero como del uno lógico.
Además, como la dependencia de la resistencia del canal con la señal de entrada es de
sentido opuesto según sea el canal p o n, aumentando con la tensión de entrada en el
caso de canal n y disminuyendo en el caso de canal p, con la disposición en paralelo se
logra que la resistencia del canal sea bastante independiente de la amplitud de la
tensión de entrada como podemos apreciar en la figura.
6. CIRCUITOS
DE
CARACTERÍSTICAS
CONMUTACIÓN.
APLICACIONES
Los circuitos de conmutación se clasifican en dos grandes grupos:
- No regenerativos, sin memoria o combinacionales.
- Regenerativos, con memoria o secuenciales.
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6.1. Circuitos combinacionales
Los circuitos de conmutación no regenerativos, son aquellos que se caracterizan porque
la salida en un instante determinado depende única y exclusivamente de las entradas
aplicadas.
Los circuitos combinacionales se pueden implementar con diferentes combinaciones de
interruptores con transistor como los estudiados.
( . . . )
NAND CMOS
Inversor
AND (A·B)
NOR (A·B )
NOR CMOS
OR (A+B)
NAND(A + B )
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6.2. Circuitos secuenciales
Los circuitos regenerativos son aquellos cuya salida en un instante depende de las
entradas y de las salidas. Es decir, la salida del circuito realimenta y se combina con la
entrada en un cierto punto, de tal modo que se crea un camino de realimentación
positiva. Dicha realimentación positiva, es la característica común de todos los
circuitos de conmutación regenerativos. Además obliga a que el circuito recuerde el
estado anterior, lo que le confiere un carácter de memoria, que los hace muy útiles en
multitud de aplicaciones. Nosotros vamos a centrarnos en los circuitos multivibradores
con transistores.
Se define estado a la situación a la que evoluciona un circuito como consecuencia de una
transición, hay dos estados posibles en este tipo de circuitos:
( . . . )
6.2.1. Clasificación de los circuitos regenerativos multivibradores
Los circuitos multivibradores son circuitos regenerativos a base de transistores y con
acoplo exterior y se clasifican en:
-
-
BIESTABLE: Son circuitos con dos estados estables, es decir, puede permanecer
indefinidamente en cualquiera de sus dos estados estables. La transición de un
estado a otro se realiza de modo brusco mediante una excitación exterior. Se
trata de un circuito con memoria.
MONOESTABLE: Se trata de circuitos con un solo estado estable permanente,
siendo el otro metaestable. Se requiere una señal de dispar externa para
producir una transición del estado estable al metaestable. Al cabo de cierto
tiempo, que puede ser controlado, el circuito volverá a su estado estable sin
necesitar ninguna otra señal exterior.
( . . . )
Multivibrador Biestable acoplado por colector (FLIP-FLOP)
En esencia podemos decir que un flip-flop
consiste
en
dos
amplificadores
interconectados de forma tal que la salida
de uno se une a la entrada del otro y
viceversa.
En la figura se muestra un Biestable
acoplado por colector con transistores
bipolares.
FUNCIONAMIENTO: Si suponemos que el transistor T1 está inicialmente conduciendo
(saturado), por haber aplicado un tensión positiva a su base, su tensión de colector
será VCESAT=0,2V. Al estar el colector de T1, unido a la base de T2, la tensión de dicha
base será de 0,2 V, que mantendrá a T2 sin conducir, o sea cortado. Al estar T2
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cortado, su tensión de colector será prácticamente Vcc que a su vez mantiene saturado
a T1, al estar conectada la base de este al colector de T2.
( . . . )
Multivibrador Biestable con MOSFET
Los dispositivos con una alta impedancia de entrada, como los MOSFET, pueden
conectarse directamente para obtener configuraciones biestables como la mostrada en
la figura siguiente.
FUNCIONAMIENTO:
Si suponemos que T1 está saturado y T2
cortado, tendríamos que VD1=0V y como VT2>0
(tensión umbral de T2), T2 efectivamente está
cortado por lo que la tensión en el drenador de
T2, que es igual a la de puerta de T1 vale:
( . . . )
Multivibrador monoestable
( . . . )
Multivibrador astable
( . . . )
7. BIBLIOGRAFÍA
( . . . )
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