Laboratorio de electrónica II - Universidad Autónoma de Nuevo León

LABORATORIO DE
n
ELECTRONICA
UNIVERSIDAD AUTONOMA DE NUEVO LEOFF
FACULTAD DE INGENIERIA C A N I C A Y ELECTRICA
COORDINACION DE ELECTRONICA Y CONTROL
DEPARTAMENTO DE ELECTRONICA
I ARflPATflRlfl nr R Í C T R O N I C A H
I N D I C E
C 5 6 0
1020111790
PAG
PRACTICA
-
INTRODUCCION
1
1
MEDICION DE IMPEDANCIAS
2
2
CONFIGURACION EMISOR-COMUN
7
3
CONFIGURACION COLECTOR-COMUN
17
1\
CONFIGURACION SURTIDOR-EMISOR
27
5
CONFIGURACION EMISOR-EMISOR
36
6
CONFIGURACION EMISOR-COLECTOR
46
7
CONFIGURACION DARLINGTON
52
8
AMPLIFICADOR DIFERENCIAL
62
9
MEDICION DE LOS PARAMETROS DEL
10
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
68
AMPLIFICADORES LINEALES BASICOS
79
APENDICE
!
>
*3v
-i-Km*1
,055 c
INTRODUCCION
Esta serie de prácticas tiene como objetivo comprobar la
teoría expuesta en la clase de Electrónica II, éstas con
sistirán en la implementación del circuito y en la medición de diferentes parámentros con la finalidad de encon
trar las características de cada circuito y.comparar los
resultados prácticos con los teóricos.
Los parámetros que se medirán son:
*
Ganancia de votlaje
*
Impedancia de entrada
*
Impedancia de salida
*
Puntos de operación
Estos parámetros son importantes en el diseño de amplificadores de C.D. y C.A. ejemplos:
*
Amplificadores de instrumentación
*
Amplificadores de audio
*
Amplificadores de potencia
Para optimizar el desarrollo de las prácticas recomenda—
mos:
*
Conocer la teoría de las prácticas a realizar
*
Revisar el buen estado de los elementos elec—
trónicos, así como la continuidad de las co
nexiones.
i
*
Organizar la colocación de los componentes del
circuito, conexiones y equipo, de modo que se
facilite las mediciones y revisión del circuito.
\s/>iM
Con este circuito equivalente, la impedancia de entrada se mide haciendo el siguiente procedimiento.
MEDICION DE IMPEDANCIAS.
1
*
Conéctese un generador de funciones con una impedancia
de salida conocida (600 ohms) a la entrada del disposi
OBJETIVO:
Medir la impedancia de entrada y de salida de un dispo
tivo o instrumento como se muestra en la fig.2-A.
sitivo o instrumento.
2.
TEORIA:
Mida el voltaje de salida de la fuente sin carga para
conocer (Vi).
Cuando se hace el diseño de un circuito en muchos de los casos se requiere conocer la impedancia de entrada
y de salida de los circuitos a los que se va acoplar -
3
*
Conecte la carga y mida el voltaje (V'i).
el amplificador.
Obtenga la relación de (Zi) matemáticamente y sustituPara obtener la impedancia de entrada o de salida se pueden emplear uno de los métodos que a continuación -
ya los valores obtenidos en la medición.
Zi
Zi
=
=
Vi/
rl
se describen:
IMPEDANCIA DE ENTRADA (Zi).
Un dispositivo o instrumento se puede representar como
un circuito equivalente, formado este por una impedancia de entrada, una fuente de voltaje dependiente del
voltaje de entrada y una impedancia de salida, como se
muestra en la figura 1.
F-CGUAO. N O .
J
Figura 2.
Otro método para medir (Zi) es utilizando un potenció-
El otro método para medir la Zo es utilizando un poten
metro (RP) en serie como se muestra en la fig. 2B y el
ciómetro (Rp) y siguiendo el mismo procedimiento.para
procedimiento a seguir es el siguiente:
medir Zi. figura 3B.
Mida el voltaje de salida de la fuente o el generador
de funciones sin carga para conocer (Vi).
2.
Conecte la carga y ajuste el potenciómetro hasta que el voltaje en la carga o sea (V'i) sea igual a la m i —
tad de Vi.
3.
Desconecte el potenciómetro y mida el valor de su r e —
sistencia.
4.
Obtenga la relación (Zi) matemáticamente y sustituya
los valores obtenidos en la medición.
Figura 3
Zi
IMPEDANCIA DE SALIDA
=
600
+
(s j
Rp
PROCEDIMIENTO:
(Zo).
Utilice un radio, una grabadora, un circuito am
plificador, etc.
do el procedimiento descrito en cada caso (con-
Para medir la impedancia de salida (Zo), se sigue un
método similar al utilizado para medir la Zi.
siga los conectores adecuados para esta prácti-
En es-
te caso se conecta en la entrada del dispositivo o
Para medir la Zi, Zo, siguien
ca) .
—
instrumento un generador de onda senoidal y se ajusta
Vi
el nivel del voltaje de entrada hasta que la señal en
la salida no exista distorsión; esto es sin carga
—
V'i
V'o
Zi
Vo
Zo
, 500 Hz
500 Hz
(V'o) enseguida se conecta una resistencia que actúa
como carga, esta debe de tener un valor conocido y se
1 KHz
1 KHz
10 KHz
10 KHz
mide el voltaje de salida del dispositivo o instrumen
to presente en la carga (Vo).
La Zo queda en función
de V'o, Vo y RL. figura 3A.
Vo
x
V'oRL
RL+Zo
NOTA:
Las impedancias son dependientes de la frecuencia, en
el caso de audio las impedancias se medirán a una frecuencia de 1 KHz.
PREGUNTAS;
PRACTICA
¿Porqué Zi debe ser mayor que Zo?
No. 2
CONFIGURACION EMISOR COMUN.
OBJETIVO:
Comprobar las características de un amplificador de emisor-común, mediante las mediciones siguientes:
2.
En el caso ideal ¿Cómo debe de ser Zi y Zo, explique porqué?
*
Punto de operación
*
Ganancia de voltaje
*
Impedancia de entrada
*
Impedancia de salida
Medir la ganancia de votlaje, impedancia de entrada e
3>
cuál es la corriente de entrada máxima de su aparato o
impedancia de salida de este amplificador.
dispositivo sin que exista distorsión a la salida?
Utilizar un capacitor de desvío ó desacoplo en el emi
sor de 100 yF, y capacitores de acoplamiento en la en
trada y la salida de 10JJF .
4.
Cuál es la impedancia de entrada teórica en el circuito
utilizado.
Para observar su efecto en la ganancia de voltaje, im
pedancia de entrada y la magntiud de la señal de e n —
trada.
5.
Cuál es la impedancia de salida teórica en el circuito
LISTA DE MATERIAL Y EQUIPO.
utilizado.
1
Transistor 2N3904
2
Capacitores de 10 ]X F - 16 VCD
1
Capacitor de
100 pF _
y2 w
1
Resistencia de 120 Q -
W
1
Resistencia de 470 ft -
Vz W
1
Resistencia de 680 fi -
>2 W
1
Resistencia de 2.2KÜ -
Vz W
1
Resistencia de 15 Kfi -
W
1
Osciloscopio de doble canal
PREGUNTAS;
PRACTICA
¿Porqué Zi debe ser mayor que Zo?
No. 2
CONFIGURACION EMISOR COMUN.
OBJETIVO:
Comprobar las características de un amplificador de emisor-común, mediante las mediciones siguientes:
2.
En el caso ideal ¿Cómo debe de ser Zi y Zo, explique porqué?
*
Punto de operación
*
Ganancia de voltaje
*
Impedancia de entrada
*
Impedancia de salida
Medir la ganancia de votlaje, impedancia de entrada e
3>
cuál es la corriente de entrada máxima de su aparato o
impedancia de salida de este amplificador.
dispositivo sin que exista distorsión a la salida?
Utilizar un capacitor de desvío ó desacoplo en el emi
sor de 100 yF, y capacitores de acoplamiento en la en
trada y la salida de 10JJF .
4.
Cuál es la impedancia de entrada teórica en el circuito
utilizado.
Para observar su efecto en la ganancia de voltaje, im
pedancia de entrada y la magntiud de la señal de e n —
trada.
5.
Cuál es la impedancia de salida teórica en el circuito
LISTA DE MATERIAL Y EQUIPO.
utilizado.
1
Transistor 2N3904
2
Capacitores de 10 ]X F - 16 VCD
1
Capacitor de
100 pF _
y2 w
1
Resistencia de 120 Q -
W
1
Resistencia de 470 ft -
Vz W
1
Resistencia de 680 fi -
>2 W
1
Resistencia de 2.2KÜ -
Vz W
1
Resistencia de 15 Kfi -
W
1
Osciloscopio de doble canal
1
Generador de funciones
1
Multímetro digital
1
Fuente de alimentación Dual
Conecte el canal "A" del osciloscopio en la entrada
del amplificador y el canal "B" a la salida.
—
Empieze
a incrementar el nivel del voltaje de entrada hasta
—
que la señal de salida empieze a distorsionarse.
CIRCUITO:
Si el nivel del voltaje de salida del generador de fun
ciones se encuentra al mínimo y existe distorsión de la señal en la salida del amplificador, conecte entonces un circuito atenuador ir en la entrada del amplifi
cador, ver apéndice.
lOyMf
Mida la amplitud del voltaje de salida sin distorsión
+
ya sea que lo haga de pico a pico o de cero a pico y -
lOOMf
la amplitud del voltaje de entrada, con estas dos medi^
ciones haga la relación y encuentre la ganancia de vol
taje (Av) y verifíquela en forma teórica.
PROCEDIMIENTO.
Vo
,=
medido
;
Vi .. . =
medido
^Vmedido
'
^V(teórico)
Implemente su circuito de la figura 1 en un protoboard
Grafique las formas de onda de la señal de entrada y -
para la facilidad en mediciones y que no existan f a l -
salida con sus magnitudes correspondientes.
sos contactos
Energize su circuito con el voltaje de polarización
—
adecuado y mida su punto de operación (Q).
^Qímedidor
; V
CEQ(medido)=
En seguida conecte en la entrada del circuito amplificador un generador de funciones (señal senoidal) utili
ze un condensador de acoplamiento de lOyF entre el ge
nerador y el circuito; asegúrese de que el generador tenga su nivel de amplitud al mínimo y una frecuencia
1000 Hz al iniciar sus mediciones.
Haga lo mismo con las impedancias Zi, Zo,
Esta ganancia de voltaje se midió al estar conectado el capacitor de desvío (desacoplo). Déjelo conectado para medir Zi y Zo.
Zi
medida
;
Zo
medida
Observe el desfasamiento (si es que existe) de la s e —
Zi
;
Zi
teórica
nal de salida con respecto a la señal de entrada.
Mida las impedancias de salida y de entrada con los mé
teórica
Para expresar la ganancia de voltaje en (dB):
todos descritos en la práctica anterior y compruébelos
en forma teórica.
Zl
medida
Zi
teórica
Av
'
=
Z
°medida"
Ai
dB
=
20 log
Vo
Vi
=
20
io
ii
log
; Zo, , . =
teórica
Grafique la forma de onda de la señal de entrada y de sali^
da para cuando no tiene capacitor de desacoplo.
Ahora al mismo circuito amplificador desconecte el capacitor de desvío (desacoplo e inicie el mismo procedí
miento que el anterior.
Mida el punto de operación (Q).
Para esto, apague ó -
desconecte el generador de señales para la medición de
C.D.
I
V
CQ
CEQ
Enseguida conecte el generador e incremente su señal de entrada al amplificador; tome lecturas.
Vo
Av
Vi
medido"
medido"
Av
medido
teórico"
Primeramente escogemos nuestro punto de operación asegurándonos que se encuentre en la región lineal, esto es:
Ejemplo de diseño:
Datos:
Vcc == 15v
Av
= -40
rs
== .6KÍÍ
*CQ
= 10mA
ic
-
ie
Fijamos el voltaje V g B (típicamente entre 1 y 2 volts)
En nuestro caso
V__ = 2v
BB
Del transistor tenemos las curvas características:
De la malla de entrada se tiene:
IE =
I
V
- V
BB
BE
R + R
B_
E
hfe+1
V
E
donde :
=
R
hfe E
B
V
BB
hfeR
R_
BE
R
E + E
10(hfe+1)
lo cual:
R
E
R„
E
y Rn
D
Rn
D
=
.238K Q
=
238 ^
4.29 K fi
=
4290 íí
Para el cálculo de R^ y R^ tenemos:
R
!
R
=
1
R
2
b
=
-
V
BB
Vcc
%
Vcc
v
BB
4.29
K^
1 -
2V
25v
=
4.29
=
4.66
K(25)
=
K fl
53.62 K^
2v
De las curvas características trazamos la línea de carga de
!
I
C.D. y escogemos gráficamente un valor de V
C¿ 12.5V y
Del análisis de señal pequeña la ganancia de voltaje es
de la ecuación de la malla de salida tenemos
Av
Vcc
=
IcRc
V
+
+
z
CE
=
Vo
Vi
ERe
a
)
fe)
(^I)
Rx
Vcc
R
R
C
+
r
+
C
=
I
V
E
R
(Rc
CC
-
V
+
R
E
)
+
Vo
V CE
Vo
ib
25V - 12.5V
5 x 10-3 A
CE
=
= -
-
180
180
ib
(
Rc/?rJ\ f
(Rc//RL)
ib
ib
V
por lo tanto
Rg// hie
V =
Vi Rx
Rx + rs
= _V_
hie
hie
Rx
Rx + rs
vi
2.5 K ft
E
=
Donde :
R^
2.5
K -
Av
.238 KÍÍ
=
hfe
f Rx
1 Rx
\
(RC//RL)
hie
+
\
Rx
=
Rx
=
A.29// .9 Kft
.743 Kfì
rs J
2.262 K Ü
Av
=
Análisis de pequeña señal:
Circuito equivalente de pequeña señal:
Ri.
=
mV h f e
z
I
hie
=
EQ
.9 K SI
=
(1) ( 2 5 X 1 0 - 3 )
5
Rx
=
.743 = .552
Rx+rs
.743+.6
(".552)= 40
99.51
(RC//Rl)
=
40
99.51
(Rc//Rl)
=
36
RC//Rl
=
36
99.51
Rc//Rl
=
.361 Kft
(.9)
Vio
donde
h i e
180 (RC//Rt.)
.9
(180)
=
-9KQ
Rt
L
=
R
L
=
.429 K Í2
429
x 10
Una vez encontrada la RT podemos graficar la línea de carga de C.A.
1.
A que se debe que la señal de salida se desface con respecto a la señal de entrada, explique:
COLECTOR COMUN.
OBJETIVO:
Comprobar las características de una configuración colectorcomún haciendo las siguientes mediciones:
2.
Porqué a este circuito se le conoce como emisor-común?
*
Puntos de operación
*
Ganancia de voltaje
*
Impedancia de entrada
*
Impedancia de salida
*
Desfasamiento
LISTA DE MATERIAL Y EQUIPO:
3.
4.
5.
Calcule la ganancia en corriente a partir de la ganancia
de voltaje.
1
Transistor 2N3904 ó equivalente
2
Capacitores de 10 yF
2
Resistencias de 3.9K&
Diga que sucedería con la amplitud del voltaje de salida en
2
Resistencias 150K Q
el amplificador para cada uno de los siguientes cambios:
1
Osciloscopio
1
Generador de funciones
1
Multímetro digital
1
Fuente de alimentación dual.
a)
Incremento en la hfe
b)
La conexión de una carga de 1K ft a la salida
c)
Incremento en R g
16VCD.
^W.
CIRCUITO A IMPLEMENTAR:
Cuál es la finalidad de utilizar el capacitor de desacoplo
(ce) explique:
6.
En dónde utilizaría este tipo de amplificador?
asvcíi
1.
A que se debe que la señal de salida se desface con respecto a la señal de entrada, explique:
COLECTOR COMUN.
OBJETIVO:
Comprobar las características de una configuración colectorcomún haciendo las siguientes mediciones:
2.
Porqué a este circuito se le conoce como emisor-común?
*
Puntos de operación
*
Ganancia de voltaje
*
Impedancia de entrada
*
Impedancia de salida
*
Desfasamiento
LISTA DE MATERIAL Y EQUIPO:
3.
4.
5.
Calcule la ganancia en corriente a partir de la ganancia
de voltaje.
1
Transistor 2N3904 ó equivalente
2
Capacitores de 10 yF
2
Resistencias de 3.9K&
Diga que sucedería con la amplitud del voltaje de salida en
2
Resistencias 150K Q
el amplificador para cada uno de los siguientes cambios:
1
Osciloscopio
1
Generador de funciones
1
Multímetro digital
1
Fuente de alimentación dual.
a)
Incremento en la hfe
b)
La conexión de una carga de 1K ft a la salida
c)
Incremento en R g
16VCD.
^W.
CIRCUITO A IMPLEMENTAR:
Cuál es la finalidad de utilizar el capacitor de desacoplo
(ce) explique:
6.
En dónde utilizaría este tipo de amplificador?
asvcíi
PROCEDIMIENTO:
Grafique la forma de onda de la señal de entrada y de salí
da del amplificador.
Implemente su circuito de la figura No. 1 en un Protoboard
para la facilidad en mediciones y para que no existan falsos contactos. (Cheque que su circuito esté bien armado).
Energize el circuito y mida su punto de operación;
Ico
V
CQ
Enseguida conecte en la entrada del circuito un generador
de señales (señal senoidal), utilice condensadores de acoplamiento de 1Oy F, asegúrese de que el generador tenga su
nivel de amplitud al mínimo y una frecuencia de 1000 Hz.
Conecte el canal "A" del osciloscopio en la entrada del am
plificador y el canal "B" en la salida.
Empieze a incrementar el nivel del voltaje de entrada hasta observar que la señal de salida no exista distorsión.
Mida el voltaje de salida sin distorsión y el voltaje de entrada para concecer su ganacia de voltaje y verifíquela
en forma teórica.
Vo =
Vi =
Observar el desfasamiento si es que existe de la señal de
salida con respecto a la señal de entrada.
Mida las impedancias de entrada y de salida y compruébelas
en forma teórica:
Zi =
medida
Zi =
medida
Zi =
teórica
Zo = ^
teórica
Ejemplo de un Diseño:
R-
Rb
1 - V.
BB
72K
1 - 9.6v
18v
154.28KŒ
(72K (18)
9. 6v
135KÍ2
'cc
Datos:
Vcc = 18v
.97
Av
Zi >
lOKft
Zo
20Ü
r
V
Rb CC
V.
BB
-
GRAFICA DE LA LINEA DE CARGA DE C.D. Y C.A,
600ft
De las curvas características del transistor 2N3904.
IcQ
=
VCeQ
=
para que se encuentre en la
2mA
10
o
región normal activa.
volts
FIGURA NO. 2 .
Análisis P/ CD •
De la ecuación No.l
Vcc
1
=
+
CEQ
I
R
EQ
V
-
CC
I
V
18 y
CEQ
R
E
=
18v
4K3
=
4.5mA
-
lOv
=
4K «
=
72Kfì
De la figura No.l el circuito equivalente de pequeña señal queda:
2xlO~3A
EQ
hfe Re
10
(180 (4K)
1 0
V¿qULKCL
BB
V.
BB
V.
BB
V
Vcc
CD
ANALISIS PARA PEQUEÑA SEÑAL:
E
V
cmax
E
De aquí:
R
I
BB
I
"BH -b
+
V
BEQ
-3
=, 2x10
(
180
144
62x10
+
180
9.6
+
.7v
I
+
+
.7v
8v
+
=
-3,
(2x10 )
(4x10 )
Para obtener la ganancia de voltaje (Av
), es necesario refle-
fiejar los elementos que se encuentran en el emisor hacia el
volts.
Ho. 3
EQRE
circuito de base, esto es:
—
R
(Re//Rl)
EQ
•
(hfe + 1)
r.
Debido a que
por lo tanto:
JCRg/yR^)
(hfe + 1
>>
hie, la ganancia de
voltaje (Av) se aproxima a la unidad, esto significa que la
—
R puede tomar cualquier valor que cumpla con la condición anL
terior.
Para máxima oscilación posible de VL, la RL debe de ser muy
—
Ou
grande (en caso ideal RL = °° ) y en este caso la línea de
—
carga de C.D. = a la línea de carga de C.A.
Para máxima transferecia de energía la RL = RE.
Suponiendo que la RL
A
v
(
v
(
v
^ ')
Vi
^ ')
Vs
Obtenemos la siguiente Av de la ec. 2.
ViR
EQ
VL
R
Vi
=
EQ+hÍe
Rx = (R EQ +hie )// R ¿
Vs Rx
R +rs
x
Av
Rx
^
=
r
EQ
R
EQ+hÍe
= 4 Kfi
hie=mvthfe
Rx
Rx+rs
Vi
Vs
I
=
Zi
~
Av
=
= ( R E / / R L) ( hfe + 1 )
EQ
R
del amplicador
= (1)(25x10 3)(180)
R
EQ+hÍe
<V/RL)
(hfe
+
1) +
=
Heq
cir
R^.+hie
Observando que:
Zi
=
hie =
por lo tanto:
_Zi
Cr 1
Zi + rs
Entonces :
Av
2,250fi
ciones iniciales o sea:
. Zi + rs
Zi >> rs,
^EQ
R
+ hie
=
Zi
=
(REQ + hie) // R b
Zi
=
(363 + 2.25)//
Zi
=
60.11K > lOKft
Para Zo:
.97
ec.2
EQ
fs
Av
=
( V 7 R L ) (hfe + 1)
=
(RE// R l ) (hfe+1) + hie
.97
(4K//4K)
B
72 Kft
=
^1)+2.25KQ
2xl0"3
EQ
.97
hie
.99
Con este valor de resistencia R^ = 4Kft
Av
(4K//4K) (181)
cumple con las condi-
Ahora se reflejan los elementos que se encuentran en la base
hacia el circuito del emisor, esto es:
Zo
=
prs// R B)
+ hie
hfe + 1
L
1
J
1.
. Porqué al colector-común se le llama seguidor de emisor?
2.
Qué nos podría afectar al alterar el valor de la resis-
// R
E
tencia (Re) en la impedancia de salida?
Zo
=
M.6//72) +
L
Zo
=
2.25
j
// 4 K Q
181
15.6
fl
15.6 fl < 20 fl
3.
¿Cómo es la impedancia de entrada del amplificador de
—
colector-común con respecto a la-de emisor-común?"
con la R l
=
4Kfí
la línea de carga de C.A. se muestra
en la figura No. 2.
4.
Determine la ganancia de corriente Ai en forma teórica.
5.
Diga si la impedancia de entrada del amplificador colec-
NOTA :
Para implementar el circuito seleccione los valores
estándares comerciales más cercanos a los calcula—
tor-común aumentará, disminuirá o permanecerá igual en -
dos y rediseñe el circuito.
las siguientes condiciones:
Si la variación es mu-
cha, seleccione otros valores comerciales cercanos.
a)
Disminución del RL
b)
Aumento de Rs
c)
Aumento de hfe
d)
Aumento de Vcc
e)
Aumento de Re
a)
b)
~
c)
'
d)
'
e)
~
6.
Indique los efectos que cada uno de los siguientes c a m —
bios, tendrá en Av y Ai.
SURTIDOR-COMUN
Comprobar las características que presenta un amplifica-
OBJETIVO:
a)
Aumento de RL
b)
Disminución de Re
c)
Aumento de hfe
d)
Disminución de Rb
e)
Aumento de Rs
dor con F.E.T. en la configuración surtidor común hacien
do las siguientes mediciones:
a)
b)
c)
(FUENTE-COMUN)
El amplificador C-C.
-
*
Puntos de operación
*
Ganancia de voltaje
*
Impedancia de entrada
*
Impedancia de salida
Medir la ganancia de voltaje, impedancia de entrada e impedancia de salida del amplificador.
d)
e)
LISTA DE MATERIAL Y EQUIPO:
1
F.E.T.
1
Resistencia 2.2 MfiV2\i
2
Resistencias
1
Resistencia
lKfi
2
Capacitores
10 y F
1
Capacitor 100 y F
1
Osciloscopio de doble canal
1
Generador de funciones
1
Multímetro digital
1
Fuente de poder dual
10K Q
16VCD
16VCD
CIRCUITO A IMPLEMENTAR:
15V
VOKfL
6.
Indique los efectos que cada uno de los siguientes c a m —
bios, tendrá en Av y Ai.
SURTIDOR-COMUN
Comprobar las características que presenta un amplifica-
OBJETIVO:
a)
Aumento de RL
b)
Disminución de Re
c)
Aumento de hfe
d)
Disminución de Rb
e)
Aumento de Rs
dor con F.E.T. en la configuración surtidor común hacien
do las siguientes mediciones:
a)
b)
c)
(FUENTE-COMUN)
El amplificador C-C.
-
*
Puntos de operación
*
Ganancia de voltaje
*
Impedancia de entrada
*
Impedancia de salida
Medir la ganancia de voltaje, impedancia de entrada e impedancia de salida del amplificador.
d)
e)
LISTA DE MATERIAL Y EQUIPO:
1
F.E.T.
1
Resistencia 2.2 MfiV2\i
2
Resistencias
1
Resistencia
lKfi
2
Capacitores
10 y F
1
Capacitor 100 y F
1
Osciloscopio de doble canal
1
Generador de funciones
1
Multímetro digital
1
Fuente de poder dual
10K Q
16VCD
16VCD
CIRCUITO A IMPLEMENTAR:
15V
VOKfL
PROCEDIMIENTO:
Implemente el circuito de la figura No.l en un protoboard
:
Vo
=
medido
;
Vi
Av
=
medida
;
Av^ „ . =
teórica
j • j
medido
para la facilidad en mediciones y para que no existan fal
sos contactos. (Cheque que su circuito este bien armado Grafique las formas de onda de entrada y salida con sus
para que no existan corto-circuitos).
magnitudes correspondientes cada una.
Energize el circuito amplificador con el voltaje correcto
de polarización y mida los puntos de operación respectivos.
I
DQ =
;
V
DSQ =
Enseguida conecte en la entrada del circuito amplificador
un generador de funciones (señal senoidal) mediante un capacitor de acoplamiento de 10 yF entre el generador y el circuito; asegurándose de que el nivel de la amplitud del
generador se encuentre al mínimo y con una frecuencia de 1000 Hz. Al iniciar sus mediciones.
Conecte el canal "A" del osciloscopio en la entrada del am
plificador y el canal "B" a la salida.
Empieze a incremen
tar el nivel del voltaje de entrada en el amplificador has
ta que la señal de salida empieze a distorsionarse.
Si el nivel del voltaje de salida del generador de funcio-
Mida las impedancias de entrada y de salida con los méto-
nes se encuentra al mínimo y existe distorsión de la señal
dos descritos en la práctica No.2 y compruébelas en forma
en la salida del amplificador, conecte entonces un circuiteórica.
to atenuador tipo ^ , en la entrada del amplificador,
(ver apéndice).
Zi
medida=
5
Z
°*edida=
Mida la amplitud del voltaje de salida sin distorsión ya Zi
sea que lo haga de pico a pico o de cero a pico y la ampljl
teórica=
teórica
tud del voltaje de entrada, con estas dos mediciones haga
Ahora al mismo circuito amplificador desconecte el capaci
la relación Vo/Vi y encuentre la ganancia de voltaje (Av),
tor de desvío (desacoplo) e inicie las mismas mediciones
verifique esta ganancia en forma teórica.
descritas anteriormente:
30
Vo
a
medido
medido
31
EJEMPLO DE DISEÑO: Diseñar un amplificador de fuente-común con
una ganancia en voltaje de Av = - 6 y una -
Av
medida =
;
Av
impedancia de entrada Zi = 1 Mfi .
teórica=
Grafique las formas de onda de la señal de entrada y de
salida con sus respectivas magnitudes cada una.
Utilizando el transistor ECG247 (F.E.T. canal N),
SOLUCION:
de las curvas caracteristicas seleccionamos un pun
to de operación, esto es:
V
DSQ
=
+ 15 volts
I
DQ
=
+
2 mA
V
=
-
3 volts.
GSQ
gm
= 2,100 \i mhos.
Mida las impedancias de entrada y de salida con los méto-
Suponiendo que se tiene un V ^ = +
dos anteriormente descritos.
la ecuación de la línea de carga de C.D.
Zi
=
medida
V
; Zo ... =
medida
= I
V
Zi
-
teórica
'
Zo
+
DRD
DD
(R
DD
D
+
V
+
DSQ
V
+
I
V
DRS
DSQ
teórica~
R
D
+
R,
V
DD
DQ
V
DSQ
25V, tenemos
Rd
V
GSQ
Rs
+
=
-
R
S
V
I
DRS
GSQ
=
-
-ID
Rs
=
PREGUNTAS:
=
3
V
^
Se selecciona una R
=
blecida donde Zi = R_ =
Mencione 3 ventajas del F.E.T. con respecto al B.J.T.
2.-
Mencione 4 características propias del F.E.T.
3.-
Qué diferencia hay entre una configuración de emisor-común
=
-(+2mA)
1.5 Kfl
1.-
Rd
=
3.5
Kti
1 M íí para cumplir con la condición estal M ft
y una de surtidor-común.
Circuito equivalente para señal débil.
4.-
Qué dispositivo tiene mayor ganancia en voltaje:
El F.E.T. ó el B.J.T. explique porqué.
5.-
Qué dispositivo tiene mayor ganancia en corriente:
El F.E.T.ó el B.J.T. explique porqué.
Av=
-
( r d // r l ) = - 6
gm
despejando de aquí R =
i-i
Rl
=
15
Kft
De los valores obtenidos en los cálculos se aproximan lo más posible a los valores estándares comerciales esto, es:
Rg
=
1.5 Kft
=
1.5 Kft
Rd
=
3.5 Kft
=
3.3 Kfi
Rq
=
1 MÍ2
=
1 MÍJ
=
15 Kfl
Rl
15
KQ,
Con los valores de los elementos que ya se tienen o sea los más a—
proximados se rediseña el circuito.
CONFIGURACION EMISOR-EMISOR
OBJETIVO:
Comprobar las características de un amplificador multietapa emisor-emisor acoplado entre etapas mediante una red RC,
al realizar las siguientes mediciones:
*
Puntos de operación para cada etapa
*
Ganancia de voltaje
*
Impedancia de entrada
*
Impedancia de salida.
Medir la ganancia de voltaje, impedancia de entrada e impe
dancia de salida del amplificador.
LISTA DE MATERIAL Y EQUIPO:
PROCEDIMIENTO!
Transistores 2N3904 o equivalente
para facilitar las mediciones y que no existan falsos con—
Resistencia 18K 9. V2VI
Resistencia 8.2KS1
Resistencia lKft
tactos.
/¿W
^W
Energize su circuito con el voltaje de polarización adecua-
Resistencia 470 9.
Resistencia 33 Kft
Implemento ©1 circuito de la figura No. 1, en un protoboard
do y mida sus puntos de operación respectivos para cada
^W
—
etapa.
Resistencia 10KŒ
Resistencia 560 ft
ICQ 1 =
Resistencia
VCEQ1=
100 Q %VJ
ICQ 2 =
;
VCEQ 2 =
3
Capacitores lOy F
16VCD
2
Capacitores 100 y F
1
Osciloscopio de doble canal
1
Generador de funciones
1
Fuente de poder dual
cuito; asegúrese de que el generador esté en su amplitud
1
Multímetros digital
mínima y con una frecuencia de 1,000 Hz al iniciar las s i -
16VCD
Enseguida conecte en la entrada del circuito amplificador un generador de funciones (señal senoidal) mediante un capa
citor de acoplamiento de 10 y F entre el generador y el cir
guientes mediciones.
-
Conecte el canal "A" del osciloscopio en la entrada del
amplificador y el canal "B" a la salida.
—
Empieze a incre-
mentar el nivel de voltaje de entrada en el amplificador hasta que la señal de salida empieze a distorsionarse.
Si el nivel del voltaje de salida del generador de funciones se encuentra al mínimo y existe todavía distorsión de
la señal a la salida del amplificador, conecte entonces un
circuito atenuador ir en la entrada del amplificador, ver
apéndice.
Mida la amplitud del voltaje de salida sin distorsión, ya
-na qi¡o lo haga do pico a pico ó d*» cero a pico y la ampH
tud del voltaje de entrada, con estas dos mediciones haga
la relación Vo/vi y tucuenUx' la ganancia de voltaje (Av);
verifique esta gananHn f»n forma teórica.
V
°( medido)-
Av
'
(medida) =
'medido" —
;
Av
—
(teórica)~
Mida la ganancia de voltaje de cada etapa y observe su des
fasamiento (si es que existe), para esto, desconecte la se
gunda etapa y conecte el generador de funciones en la e n —
trada de ésta, siguiendo el procedimiento anteriormente
—
Ahora mida la ganancia de la primera etapa, para esto coloque como carga, la impedancia de entrada de la segunda
descrito.
etapa, ver figura No. 2.
shlbsm
"••
V
°medido
'
Vl
medido
2
=
;
Avt
2(teórica):
-------
.
. O.::
Vo
,
'medido
Avt
*
;—vrr
—
'
"^medido
L3
;
Avtx = _ _ _
v OS
ooV
Avt
:
l(teórica)
íonesib 3b saetea
Grafique las formas de onda de entrada y de salida con
—
sus magnitudes correspondientes cada una de ellas, tanto
para cada entapa como para la total.
De las curvas características del transistor escogemos
un punto de operación, el cual lo fijamos para asegu—
rar que este está trabajando en la región lineal.
Se trabaja en la etapa No. 2.
Ya escogido el punto de operación, en nuestro caso
-
1
= 2.5mA y el voltaje V
(típicamente entre 1 y CQ¿
DD
2 volts) VD_ = 1.5 volts.
DD
De la malla de entrada de la segunda etapa tenemos:
I
= V
- V
E2
BB2
BE
R
+R
B
hfe2+l
donde R _ = hfe2R,
E2
B2
10
E2
hfe =
V
"E2 ~
V
BB2
BE
lo cual
2 R E2 = R
E2
10(hfe2 +1)
E2
=
180
291ft
hfe
y:
Rb2 =
5.23 KQ
Por lo tanto se encuentran los valores de R e 2 y R g 2 .
Y como:
=
Rb
Mida las impedancias de entrada y salida con los métodos
descritos en la práctica No.2 y compruébelas en forma
—
5.65 Kfi
5.23
1 - 1. 5v
1 - V
BB
Vcc
20
teórica.
R
^medida -
'
Z
Zi
'
Z
teórica
°medida-
=
Rb
2
Vcc
V
=
5.23 (20)
X
BB
=
69.73 K fl
-5V
°teórica~
De las mismas curvas características establecemos:
V
= 10V.
CEQ
EJEMPLO DE DISEÑO:
y obtenemos de la malla de salida de la -
2
Datos de diseño:
Vcc =
20 v
Av
=
2350
rg
=
600 fi
etapa No. 2:
VCC
= I C2 R C2 +V CEQ2
+
^2^2
X
Vcc = I
y se tienen las características máximas del transistor
a utilizar 2N3904.
C2(R
C2+RE2)
+
W
C -
X
E
Veo - CEQ2
C2
J
-
RC2
=
hfe
= "10°
2 V
R
E2
hie.
C2
hie0 = m V T hfe = (1)(25x10 3)(180) =
2.510=3"
'EQ2
v
20V - 10V
2.5 x 10-3
C2
"
VT2
V
- . 291 x 10
hie'
3.7 K «
Despejando el valor de R L
1,800
=
fi
1.37 K ^
Análisis de pequeña señal para la etapa No.2.
Se comprueba la ganancia de voltaje supuesta que es de
Circuito equivalente de C.A. para señal débil, etapa No.2
100 de la segunda etapa con el valor obtenido de R^-
ETAPA No. 1.
Análisis de C.D. de la la. E-capa.
•Vcc
un.
R&2.
Ihíe-
Q h í e ^
RCi
^ R L
ZL=RB2/M¿e2
Suponemos A ^ = 100
VL.
=
Vin
ib2
VL2
=
ÍL
" - X C2 R C2
R L « T-l
ib2
Vin
ÍL R L
R
c2
+
R
L
Se escoge de nuevo un pun .o de operación para el
IL
—
= HFE2IB2RC2
transistor No.l de las curvas características, este
RC2 * RL
se escoge un poco más abajo que q 1 d e la etapa No. 2,
V
Jr
esto es:
xo
L2 = " hfe20 b2RC2RL
R
= Vin
b*
hie.
b 2=
Vtíf-
1
hie2
V
L2
ib.
=
"
C2
hfe
+
R
L
2 ( R C2 / / R L )
W
=
2mA
-
Se vuelve a calcular el valor de R
:V
= 1.5V.
El
BB1
por lo tanto la ganancia total, n i e ^ (1)(25x10 3)(180)
I
= V
- V
EQ1
BB1
BE
hfe R + *
1 El
El
10(hfe1+l)
del circuito amplificador es el pro-
2 x 10~3
donde
=
hfe R
L1L
10
B1
ducto de A, = A
VT
= A
VT1
hie1 = 2,250
VT2 '
siempre y cuando la impedancia de en
R e1 = 366
Como:
trada de la segunda etapa no carge a la primera etapa.
y por lo tanto R ß l = 6.6 K ^
R1
=
\
1
R1
=
=
Y
R
2
=
RbVcc
Kft
LI
V,
VßB
- ^BB
Vcc
7.14
V
VT1
R2
=
88.07 K ß
V
*
hfG
!LI_= *
ib.
hfe
Ll
l
=
V
x
Ll
ibi
Vi
ib.
Íb
x Vi
V
ibx= Vi
hie-
l ( R Cl / / Z L )
i l*ci"
V
Rx = (Rßl//hiei) =7. i
Vi
hié.
Vi
Análisis de Pequeña Señal de la la. Etapa.
Vi
V
Circuito equivalente para señal débil de la la. etapa,
= Vs Rx
Rx + r.
=
_Rx
Rx +
r
S
m*,
i- il"fe
r-AA/V
VT1
hiei
- "«i
W
Zi
" Zi +
hie1
AA/V
Z
L
=
RB2//hie2
Z
L
=
5.23K//1.8K
Zi = 6.6K
Z
L
=
1.33K ß
Zi
Zi
= RB1//hiei
=
Zi
Zi+r
1.67 K fi
1.67Kß + •.ÔYiï
//2.,
1.67 Kß
Sj;
Zi+r.
V i
=
(-180)
W
.733
= - 23.5
2.25
De aquí se despeja R
A
= - 23.5
VT1
V
Se tomó este valor debido hie = m T hfei
T
a que se ha supuesto la A
= -100 EQ1
V1
L/ X
.572
K fì
Se comprueba en forma total la ganancia de voltaje de amplificad« y se obtiene A ^ = A V T 1 x A ^
ficador
2,350
= (-23.5)(-100) =
•M
V
— —
S
VL2
V
L2
ib
=
X
—
ib2
X
îb.^
R-R-
V
Vi
- 180 ib 2 (RC2//Rl)
=
X
45
S
Cuántos tipos de acoplamientos existen entre etapas?
ib2 = - 180ib
.515 1+ (.515)
1.8
(-180) (Hc2//Rl)
Rx = .572K//5.23K^
Rx - .515 K Q
=
Qué ventaja o desventaja presenta este tipo de amplifi-
(1_180)(#515)
cador emisor-emisor con respecto al emisor-colector.
.515 + 1.8
ib
ib
i1
vi
=
l
R
2.25K Q
Y
R
Y
=
=
6.6K//2.25KÍ3
Vi =
R
1.67 K N
V
R
o
Y
+
Y
r
s
Para que se acoplan 2,3, o más etapas para formar un amplificador?.
s
Ry
+
rs
Qué sucede con la ganancia de voltaje cuándo se desco-
A,
T
VT
Avt
=
(-180) (3.7//1.37)
=
(1-180) ( .515)
.515+1.8'
1
2.25
nectan los condensadores de desacoplo que hay en el
1
67
1.67+.6
—
emisor de cada etapa .
2,353
5.-
En qué circuitos es conveniente utilizar este tipo de
acoplamiento.
Zi
=
Zi
=
6.6K// 2.25
1,67 Kti
Zo
Zo
Rc2
=
amp.
CIRCUITO
r-S-6K
EQUIVALENTE
2.Î5K
3.7 Kfl
6.-
COMPLETO
CON LAS 1
ETAPAS:
Calcule la ganancia de corriente total del amplificador.
46
.i
CONFIGURACION EMISOR-COLECTOR
OBJETIVO:
Comprobar las características de un amplificador multieta
pa acoplado en forma indirecta; esto es, mediante acoplamiento RC mediante las siguientes mediciones:
Puntos de operación para cada etapa
Ganancia de voltaje
Impedancia de entrada
Impedancia de salida
Medir la ganancia de voltaje, impedancia de entrada e
impedancia de salida del amplificador.
Observar ventajas y desventajas con respecto a otras
configuraciones y sus aplicaciones.
PROCEDIMIENTO:
LISTA DE MATERIAL Y EQUIPO:
Implemente el circuito de la figura No. 1 en un proto2
Transistores 2N3904 o equivalente
4
Resistencias lKft
1
Resistencia lOKft
2
Resistencias 100K ft
3
Capacitores 10 yF
16VCD
1
Capacitor 100 y F
16VCD
1
Osciloscopio de doble canal
1
Generador de funciones
1
Fuente de Poder Dual
1
Multímetro digital
board para facilitar las mediciones y que no existanfalsos contactos ni cortos circuitos.
•
Energize su circuito con el voltaje de polarización adecuado y mida sus puntos de operación respectivos para cada etapa.
ICQ 1 =
ICQ 2 =
VCEQ- =
VCEQ 2 =
Vcc=20V.
Enseguida conecte en la entrada del circuito amplificador
un generador de funciones (señal senoidal) mediante un ca
pacitor de acoplamiento de 10 yF entre el generador y el
circuito; asegúrese de que el generador esté en su amplitud mínima y una frecuencia de 1000 Hz al iniciar sus mediciones.
Conecte el canal "A" del osciloscopio en la entrada del amplificador y el canal "B" a la salida.
Empieze a incre
mentar el nivel del voltaje de entrada en el amplificador
hasta que la señal de salida empieze a distorsionarse.
Si el nivel del voltaje de salida del generador de funcio
nes se encuentra al mínimo y existe distorsión de la s e ñal en la salida del amplificador, conecte entonces un
—
circuito atenuador TT en la entrada del amplificador, ver
apéndice.
Mida la amplitud del voltaje de salida sin distorsión ya
sea que lo haga de pico a pico o de cero a pico y la a m plitud del voltaje de entrada, con estas dos mediciones haga la relación Vo/Vi y encuentre la ganancia de voltaje
(Av); verifique esta ganancia en forma teórica.
\i
Av
(medido)-
medida
=
'
?
Vi
=
cedido
AV
(teórica):
Mida la ganancia de voltaje de cada etapa y observe su
1-
—
desfasamiento (si es que existe), para esto, desconecte -
íiy\z
la segunda etapa y conecte el generador de funciones en la entrada de ésta siguiendo el procedimiento anteriormen
te descrito.
Vo
medido =
Av t 2 =
1
5
VÍ
<nedido=
Av
t2 (teórica)-
FIGURA
No. 2
Mo,
50
51
Ahora mida la ganancia de la primera etapa, para esto coloque como carga la impedancia de entrada de la según
da etapa, ver fig. No.2.
1.Vo
medido =
Av t l =
5
VÍ
forma directa o en forma indirecta?.
medido =
Av
i
Que diferencia existe entre amplificadores acoplados en
tl (téorica)
Grafique las formas de onda de entrada y de salida con 2.-,
¿Porqué se les llama amplificadores en cascada y que fi-
sus magnitudes correspondientes cada una, tanto para canalidad tiene?.
da etapa como para la total.
3.-
¿Qué ventaja presenta este amplificador emisor-colector
con respecto al emisor-emisor?.
4.-
¿Tiene algún efecto la entrada de la etapa No.2 sobre el
nivel de señal en el colector del transistor No.l ?
(Exponga datos).
Calcule la ganancia de corriente teórica de este amplificador.
Mida las impedancias de entrada y de salida con los métodos descritos en la práctica No. 2 y compruébelas en forma teórica.
Zi
medida =
?
Z
Zi
teórica~ —
?
Z
°medida"
°teórica=
102111790
37704
CIRCUITO A IMPLEMENTAR:
<j>Vcc=2QV.
h . i w i
CONFIGURACION DARLINGTON.
IQMÍ
OBJETIVO:
Comprobar las características de un amplificador multie-
)\
•
•390VCA.
iQMf
í
i—o
tapa acoplado en forma directa, realizando las siguien—
^ 1
tes mediciones:
*
Puntos de operación de cada etapa
*
Ganancia de voltaje
*
Impedancia de entrada
*
Impedancia de salida
Y2N3904
>)2oa
1=1
+
=J»oqMf
lÍ 2 1 K S L
»
m
Medir la ganancia de voltaje, impedancia de entrada e im
pedancia de salida de este amplificador.
Qué ventajas o desventajas se obtiene al trabajar con es
te tipo de amplificador, sus aplicaciones.
LISTA DE MATERIAL Y EQUIPO:
2
Transistores 2N3904 o equivalente
1
Resistencia 120JX Vz\¡
1
Resistencia 2.2K.A. Vz\i
1
Resistencia 22K/7.
1
Resistencia 47KH- 1/£W
1
Resistencia 390KA ^W
2
Capacitores 10/|F
1
Capacitor
1
Osciloscopio de doble canal
100
PROCEDIMIENTO:
Implemente el circuito de la figura No.l en un protoboard
para la facilidad en mediciones.
16VCD
F
16VCD
Generador de funciones
1
Multímetro digital
1
Fuente de poder dual
—
con el voltaje correcto de polarización y mida los puntos
de operación respectivos para cada etapa.
CQ2
1
Energize el circuito
CEQ1'
VCEQ2"
CBQ2"
Enseguida conecte en la entrada del circuito amplificador un generador de funciones (señal senoidal) mediante
un capacitor de acoplamiento de 10 y F entre el genera—
dor y el cirucito; asegúrese de que el nivel de la a m —
plitud del generador se encuentre al mínimo y una fre—
cuencia de 1000 Hz al iniciar sus mediciones.
Conecte el canal "A" del osciloscopio en la entrada del
amplificador y el canal "B" a la salida.
Empieze a in-
crementar el nivel del voltaje de entrada en el ampli—
ficador hasta que la señal de salida empieze a distor—
sionarse.
Si el nivel del voltaje de salida del generador de fun
ciones se encuentra al mínimo y existe distorsión de la señal en la salida del amplificador, conecte entonces un circuito atenuador
TT , en la entrada del a m —
plificador (ver apéndice).
Mida la amplitud del voltaje de salida sin distorsión
ya sea que lo haga de pico a pico ó de cero a pico y la amplitud del voltaje de entrada, con estas dos med^
ciones haga la relación Vo/Vi y encuentre la ganancia
de voltaje (Av), verifique esta ganancia en forma
teórica.
Vo
=
medido
; Vi ,. , =
medido
Av
'
medida
Av
(teórica)
Grafique las formas de onda de entrada y salida con sus
magnitudes correspondientes cada una.
r
>7
56
ANALISIS
Vi n n u i Ñ A S LQ AL :
Observe si existe desfasamiento de la señal de sali-
Vcc
da con respecto a la señal de entrada.
«1
Mida las impedancias de entrada y de salida y compárelas con las obtenidas en forma teórica.
Re
n?.i5 Ce,
-AMA/—)\Zi =
medida
;
Zi =
teórica
; Zo =
teórica
-HÉ-
Zo =
medida
\ L Q ,
EJEMPLO DE DISEÑO:
rrfw
Utilizando un transistor 2N3904, diseñe un amplifica
dor que tenga una ganancia de voltaje Av = 200 y una
impedancia de entrada Zi> 20
Solución:
Kft .
Debido a que la ganancia de voltaje (Av)
CIRCUITO
EQUIVALENTE
PARA
SEÑAL
DEBIL-.
que se especifica es muy grande, vamos a utilizar un
amplificador en la configurución Darlington de emisor
Ts-Ü
WAAj-
común en lugar de utilizar los E-C en cascada.
Suponemos un Vcc = 20v.,
VgB
=
2v.
I
De las curvas características del transistor 2N3904,
tenemos que hfe = 180 y selecionamos un punto de ope
ración (Q), asegurándonos que debemos escogerlo en la región lineal para que este amplifique, esto es:
I
CQ2
5mA
=
W
=
8
volts
La ecuación de malla de entrada:
I
E2
=
V
BB
"
2V
BE
~W~o
(hfe+1) + R£
donde:
2h ¡e,
AWv
R
= hfe2Re
10
Q
Rô
Ù h f e 2 x¿ b
Re
-
.12
KS2 ;
Re
=
120 U
Av
= V
=
L
V
L
ib
Vi
ib
V
__V_
Vi
De la ecuación de la malla de salida:
hfe2ib
Vcc = I c 2 R c
+
VCE0?
Ie2Re
+
V
l
cc
R
+ V
= *c2*c
R
C
+
C
R
C
=
E
CE02
+
R
+ J
+
E
Vcc
~
R
C
V
c
+
R
Rc
=
E
=
h f e
=-
(R
- V CE0?
=
20V
I
2 hie.
-3
5 xlO
=
(180)2(.12)
|
=
Av
388.8K Q
Rb
=
388.8
1
" !bb_
Rb
V
Vcc
BB
=
432
Zi
Zi+ri
179.4K
179.4K + .
= (-180) «c//Hl
=
200
.996
SI
.996
Zi+ri
)
32270 (RC//RL)
=
200 (2)
32.270
®
66,664
(166.66
V/RL
"JV
20
=
RB//2hiei
R
388.8 (20)
=
= 3.88.8//2 (166.66K)
(Rc//Rl)
K fl
C//RL
32270
2.06 Kfí
3.888 Mf¿
de donde:
IE1 , IE2
= 5x1Q-3a
hfe+1
Zi
Zi
Zi+ri
10
Vcc
Zi
C//rL)
Av - - hfe¿ (Rc//Rl)
- 8V
Av
--
=
(Rc//Rl)
2,28 K Q
1
R2
Zi
Zi+ri
2 , 4
hfe2Re
R
V
Vi
CEQ2
10
y
=
1
2hie.
ib
2(166.66K
Rb =
_ib
V
V = ViZi
Zi+ri
E
E
C
R
= V
2hie^
a
C
Vcc
ib
'
=
R.
21.34 K Q
181
I £ 1 = .027mA
Recuerde que tiene que aproximar los valores obtenidos
Zi
=
179.46
(1)(25X10- 3 )(180)
J^L
1
3
.27xl0""
Zo = R
o oo „
Zo = 2.28 K
hie
-, =
1
166.66 K^
de las resistencias a valores estándares comerciales y
rediseñar el circuito.
Nota:
Para calcular Rb se utilizó la siguiente ecua—
ción.
(.1
Rb
=
hfe Rp
E
10
de esta forma
Rb
< Re,
(hfe+1?
1.-
Qué tipo de acoplamiento existe entre los transistores y que
ventaja o desventaja se obtiene?
Pero como en este caso el valor de Rb es muy grande, podemos
escoger una Rb mucho menor, por ejemplo:
2
Rb
=
hfe
r
e
f
esto nos daría
=
38.88 KQ
2.-
Compare los siguientes parámetros del amplificador Darlington
con los del amplificador emisor-común.
100
Esto se hace con la finalidad de que R^ y R ? no resulten muy
a)
Ganancia en voltaje
grandes y se tenga el problema de estabilidad con respecto -
b)
Ganancia en corriente
a la temperatura ó a las tolerancias de las resistencias.
c)
Impedancia de entrada
d)
Impedcincia de salida
3.-
Cuál es la hfe aproximada del amplificador Darlington?
4.- Calcule la ganancia de corriente del amplificador.
5.- Si se utiliza el amplificador Darlington en la configuración
de colector-común cuáles son sus características?
AMPLIFICADOR DIFERENCIAL.
OBJETIVO:
Comprobar, observar las características y las formas de onda de un amplificador diferencial, la ganancia en forma diferencial y en modo común median
te las siguientes mediciones.
Puntos de operación
Voltajes máximos de salida
Voltajes máximos de entrada
El CMRR.
Medir los puntos de operación para cada transistor,
-Vcc
voltaje máximo de salida sin distorsión, voltajes
FIGURA No. 1
de entrada, obtener las ganancias diferencial y co
mun y compararlas en forma teórica.
PROCEDIMIENTO:
LISTA D E M A T E R I A L Y
EQUIPO:
Implemente el circuito de la figura No. 1 en un - Protoboard para la facilidad en las mediciones y
—
para que no existan falsos contactos.
1
Circuito integrado
2
Resistencias de lKft
2
Resistencias de lOKft1/¿W
Energize su circuito con el voltaje de polarización
1
Resistencia de 8.2 K ft
adecuado de + 10V.
Para esto conecte las resisten-
1
Osciloscopio de doble canal
cias de base de 1K
a tierra y mida los puntos de
1
Generador de funciones
operación para cada transistor.
1
Multímetro digital
1
Fuente de alimentación dual
V
V
CEQ1 =
;
I
CEQ2~
'
I
CQ1
=
CQ2 ~
MODO DIFERENCIAL:
NOTA:
Para la medición de la ganancia de modo diferencial se -
Cuando haga la medición entre los colectores asegúrese
—
utilizará el circuito mostrado en la figura No. 2.
que ninguno de los 2 canales del osciloscopio esté conectado a tierra.
-
Ya hecho esto, mida el máximo voltaje de salida sin dis—
torsión y el de entrada.
Con estas dos mediciones haga -
la relación Vo/Vi y encuentre la ganancia en forma dife—
rencial (Avd) y compruébela en forma teórica.
medido
Av
d
medida
medido
'
Avd
teórica
Grafique las formas de onda de las 3 salidas y las de en-
trada para el modo diferencial con sus respectivas magni-
fI7w7
FIGURA
tudes cada gráfica.
FIGURA
2
3
Esto es, conecte una de las entradas a tierra y a la otra
aplique una onda senoidal con el generador de funciones, asegurándose de que este se encuentre con una amplitud mínima y una frecuencia de 1,000 Hz al iniciar sus mediciones .
Incremente poco a poco la amplitud de la señal de entrada
hasta observar que en la salida (cualesquiera de los dos colectores con respecto a tierra) no exista la distorsión.
Obsérvese que en el circuito se pueden tener 3 salidas:
a)
Entre el colector 1 y tierra
b)
Entre el colector 2 y tierra
c)
Entre los 2 colectores
Ya obtenidas las ganancias de modo diferencial y modo común haga la relación Avd/Avc para obtener la razón de rePara la medición de la ganancia en modo común se utilizará el circuito de la figura No.3
chazo de modo común (RRMC).
Esto es ,
Avd =
;
Ave =
conecte en las 2 entradas el generador de funcio—
RRMC =
nes (señal senoidal) asegurándose de que éste se encuentre con una amplitud mínima y una frecuencia
de 1000 Hz al iniciar sus mediciones.
Incremente poco a poco la amplitud de la señal de
PREGUNTAS:
1.
Como debe ser la ganancia de modo común con respecto al modo diferencial, explique?
entrada hasta observar que en la salida (cuales
quiera de los 2 colectores con respecto a tierra)
no exista distorsión.
Hecho esto, mida el voltaje de salida y el de e n 2.
Mencione algunas aplicaciones del amplitficador diferencial
3.
En el caso de que los voltajes en los colectores sean dife
trada y haga la relación Vo/Vic y encuentre la ganancia en forma común (Ave) y compruébela en forma
teórica.
Vo
medido =
Avc
medida s
'
VÍC
1
AvC
medido =
teórica =
rentes de C.D. ¿En que nos afecta y que podríamos hacer pa
Grafique las formas de onda de salida y las de entrada pa
ra igualarlos?.
ra el modo común con sus respectivas magnitudes cada grá-
Explique.
fica:
4.
Calcule las impedancias de entrada de modo común y modo diferencial en forma teórica.
Zid =
5.
; Zic =
Cuál es el objetivo de conectar las bases a tierra para
la medición del punto de operación y que ocurre si una de
ellas no se conecta, explique:
MEDICION DE LOS PARAMETROS DEL AMPLIFICADOR OPERACIONAL
OBJETIVO:
El objetivo de esta serie de experimentos es el de
medir varios de los parámetros característicos de
un amplificador operacional de propósito general,
tal como el 741.
Así que, en estos experimentos de
terminará:
*
El voltaje de desbalance
*
La corriente de polarización
*
La rapidez de cambio del voltaje de salida
*
La razón de rechazo de modo común.
*
El ancho de banda
LISTA DE MATERIAL Y EQUIPO
4
LM741C
3
Resiiteneiai d© 100 ohms, % W
3
Resistencias de 10K ohms, % W
4
Resistencias de 100K ohms, % W
1
Resistencia de 1 Mohm,
1
Base experimental
1
Osciloscopio, de doble canal
1
Generador de funciones
1
Fuente de alimentación dual
W
70
H-
DJ
ÍO
M
O
H
td
w
o
¡
H
M
td
en
M
H
H
S
H
71
MEDICION DE LA CORRIENTE DE POLARIZACION.
Para medio la corriente de polarización se emplea el cir
cuito de la figura 2, sí el valor de Rp es mucho mayor que Rj la mayor parte de la corriente de polarización de
la entrada inversora para por Ri.
Midiendo los voltajes
VA y V_ se tiene que:
A
D
RI
R
lo
B
=
Z
3
B1
+ I
r
B2
en donde I n representa el valor promedie de les cerrienB
tes de polarización.
Figura 4.
MEDICION DE LA RAZON DE RECHAZO DE MODO COMUN (CMRR)
MEDICION DE LA RAPIDEZ DE CAMBIO Y ANCHO DE BANDA.
FUNDAMENTOS
El circuito inversor de la figura 3, permite medir la ra
TEORICOS;
pidez de cambio (SR) del voltaje de salida del amplifica
MEDICION DEL VOLTAJE DE DESBALANCE:
La medición del voltaje
dor operacional.
Al aplicar una onda cuadrada en la en-
de desbalance V. o en la entrada puede hacerse con -
trada, en la salida se puede observar durante los cam
la ayuda del circuito de la figura 1, y atendiendo
bios de estado, la variación del voltaje con respecto al
a la siguiente expresión:
tiempo.
V
o
=
SR
V.
io
=
& V
¿ t
v
/s
El ancho de banda de este mismo amplificador inversor
El valor de
debe de ser pequeño para despreciar
puede determinarse de la relación:
el efecto de la corriente de polarización.
BW
=
0.35
Hz
—
M
75
Aplique energía a la base experimental y con el multíme-
en donde t es el tiempo de elevación, es decir, el que
r
transcurre cuando la señal de salida cambia desde el 10%
al 90% de su valor final.
tro digital, tome lectura del voltaje de salida V Q .
V
o
Determine el valor del voltaje de desbalance de acuerdo
MEDICION DE LA RAZON DE RECHAZO DE MODO COMUN.
con la teoría vista.
Finalmente el circuito amplificador diferencial de la
—
V.
10
figura 4, permite la medición de la Razón de Rechazo de
Modo Común (CMRR).
La forma en que está conectado permi
te medir experimentalmente la ganancia de voltaje de mo-
MEDICION DE LA CORRIENTE DE POLARIZACION.
do común A^
Alambrar el circuito de la figura 2.
=
A
c
V
que otra.
T
dada por la relación:
•
La alimenta
ción siempre será dual de + 15 V, salvo que se especifi-
o
mientras que la ganancia de voltaje diferencial A d está
¿H
Nota:
con el multfmetro digital de los voltajes V A y V g .
*F
d
Aplique energía a la base experimental y tome lecturas
V,
A .
'
R
V
B
3
Calcular las corrientes de polarización I B 1 e Ig2
lo anterior permite evaluar la CMRR de la siguiente mane
ra:
CMRR = 20 log
A
_d
A
c
acuerdo con la teoría vista.
"B1
dB
de
"B2
Determine el valor promedio de la corriente de polarización.
PROCEDIMIENTO.
MEDICION DEL VOLTAJE DE DESBALANCE V. q .
1.
Implemente el circuito de la figura 1.
Ajuste previamen
te la fuente de alimentación dual a + 15 V y apague.
Mida el voltaje de salida V q correspondiente y anote el
MEDICION DE LA RAPIDEZ DE CAMBIO DEL VOLTAJE DE SALIDA
resultado.
(SLEW RATE, SR).
V
Implementar el circuito amplificador inversor de la figu
A
c
=
Determine las ganancias de modo común y modo diferencial
ra 3.
de acuerdo con el fundamento teórico.
Con la ayuda del osciloscopio, ajuste el generador de
—
A =
c
A =
• d
funciones para obtener una onda cuadrada de lOKHz y 5 V
de pico a pico.
Se recomienda en el osciloscopio.
Calcular el valor de la CMRR, teórico y práctico,
CMRR =
*
CHA:
5 V/div
*
CHB:
1 V/div
*
Base de tiempo 10
*
Modo de C.A.
s/div
REPORTE
Tomar lecturas de AV, U
y t r directamente de la panEscribir la definición de cada
talla del osciloscopio.
una de las siguientes
características de un amplificador operacional.
AV
=
,
At =
,
CAPACIDADES MAXIMAS:
tr =
Determinar de acuerdo con la teoría los parámetros SR y
a)
Voltaje de alimentación
BW.
b)
Disipación de potencia
c)
Voltaje de entrada diferencial
d)
Voltaje de entrada de modo común
e)
Temperatura de operación
f)
Duración de cortocircuito en la salida
BW
SR =
=
MEDICION DE LA RAZON DE RECHAZO DE MODO COMUN , CMRR.
PARAMETROS DE ENTRADA:
Implemente el circuito amplificador diferencial de la
—
figura 4.
Con la ayuda del generador de funciones y el multímetro
digital, aplique una señal senoidal V. de por lo menos 4 V rms y de una frecuencia tan baja como sea posible, (menor de
8 HZ).
Anote este valor.
g)
Voltaje de desbalance
h)
Corriente de desbalance
i)
Corriente de polarización
j)
Resistencia de entrada
—
PARAMETROS DE SALIDA:
k)
Resistencia de salida
1)
Corriente de cortocircuito
m)
Oscilación del voltaje de salida
AMPLIFICADORES LINEALES BASICOS
OBJETIVO:
PARAMETROS DINAMICOS:
El propósito de esta serie de experimentos es el de
comprobar el funcionamiento de las siguientes confi^
guraciones básicas.
n)
Ganancia de voltaje de lazo abierto
o)
Rapidez de cambio (Slew Rate)
p)
Tiempo de elevación
q)
Ancho de banda
*
Amplificador inversor
*
Amplificador no inversor
*
Amplificador sumador
*
Amplificador diferencial
OTROS PARAMETROS:
r)
Razón de rechazo de modo común
s)
Corriente de alimentación
T.TSTA DE MATERIAL Y EQUIPO.
6
LM741C
Detallar el procedimiento para la medición del voltaje
3
Capacitores de 0.1 F, 50 V.
de desbalance.
7
Resistencias de 10K ohm, Va W.
¿
Resistencias de 33 K ohm, VA W.
5
Resistencias de 100 K ohm, 10 vueltas
Detallar el procedimiento para la medición de la c o — •
1
Base experimental
rriente de polarización.
1
Osciloscopio de doble canal
1
Generador de funciones
1
Fuente de alimentación dual
Comparar con el valor en la hoja de
—
datos del 741.
Comparar el resultado con -
el valor en la hoja de datos del 741.
Detallar el procedimiento para la medición de la rapidez de cambio SR.
Comparar con el valor en la hoja de
datos del 741.
Detallar el procedimiento para la medición de la CMRR.
Comparar el resultado experimental con el valor en la
hoja de datos.
PARAMETROS DE SALIDA:
k)
Resistencia de salida
1)
Corriente de cortocircuito
m)
Oscilación del voltaje de salida
AMPLIFICADORES LINEALES BASICOS
OBJETIVO:
PARAMETROS DINAMICOS:
El propósito de esta serie de experimentos es el de
comprobar el funcionamiento de las siguientes confi^
guraciones básicas.
n)
Ganancia de voltaje de lazo abierto
o)
Rapidez de cambio (Slew Rate)
p)
Tiempo de elevación
q)
Ancho de banda
*
Amplificador inversor
*
Amplificador no inversor
*
Amplificador sumador
*
Amplificador diferencial
OTROS PARAMETROS:
r)
Razón de rechazo de modo común
s)
Corriente de alimentación
T.TSTA DE MATERIAL Y EQUIPO.
6
LM741C
Detallar el procedimiento para la medición del voltaje
3
Capacitores de 0.1 F, 50 V.
de desbalance.
7
Resistencias de 10K ohm, Va W.
¿
Resistencias de 33 K ohm, VA W.
5
Resistencias de 100 K ohm, 10 vueltas
Detallar el procedimiento para la medición de la c o — •
1
Base experimental
rriente de polarización.
1
Osciloscopio de doble canal
1
Generador de funciones
1
Fuente de alimentación dual
Comparar con el valor en la hoja de
—
datos del 741.
Comparar el resultado con -
el valor en la hoja de datos del 741.
Detallar el procedimiento para la medición de la rapidez de cambio SR.
Comparar con el valor en la hoja de
datos del 741.
Detallar el procedimiento para la medición de la CMRR.
Comparar el resultado experimental con el valor en la
hoja de datos.
DIAGRAMA ESQUEMATICO DEL EXPERIMENTO.
RF
FIGURA 1.
AMPLIFICADOR INVERSOR
FIGURA 3.
FIGURA 2.
AMPLIFICADOR NO INVERSOR
AMPLIFICADOR SUMADOR
AMPLIFICADOR DIFERENCIAL:
FUNDAMENTOS TEORICOS
El circuito formado por los ele-
mentos R 1 , R 2 , R 3 , R 4 y A2 de la figura 4, cons
tituye a un amplificador diferencial básico.
AMPLIFICADOR INVERSOR:
La expresión para el voltaje de salida es:
El circuito de la figura 1, constituye
un amplificador inversor básico cuyas ecuaciones de
operación son:
°
R
Airm
vm
R
in
F—
Ganancia de voltaje
R1
=
if
<V2 -
V
y necesariamente R 2 = R 4 y R 1
Resistencia de entrada
=
R3
El circuito inversor Al que acompaña al amplifi^
cador diferencial de la figura 4, solo es con el
propósito de demostración.
AMPLIFICADOR NO INVERSOR:
El circuito de la figura 2 constitu
Como se puede obser-
var en la expresión del voltaje de salida, V q es
ye la configuración del amplificador no inversor -
proporcional a la diferencia de los voltajes de
básico, cuyas ecuaciones de operación son:
entrada V 1 y V2»
D
1
A
vm
+
F
p—
R
Ganancia de voltaje
I
PROCEDIMIENTO.-
R
Resistencia de entrada
in
~
^
AMPLIFICADOR INVERSOR
Implemente el circuito de la figura 1 y aplique una onda s e —
AMPLIFICADOR SUMADOR:
La característica del amplificador del
noidal en la entrada del amplificador.
Con ayuda del oscilos
circuito de la figura 3, es que suma los voltajes -
copio ajuste el generador de funciones para obtener una onda
de las entradas y cambia de signo o invierte el re-
seno de 1000 Hz.
sultado.
Con el osciloscopio mida el voltaje de salida de pico a pico,
La expresión para el voltaje de salida es:
V
o
%
= -
"*
R
"
V. -
ÜF
R
i
o bién si R 1 = R 2 = R
V
para diferentes voltajes de entrada.
tabla.
2
2
V/i
la expresión queda como:
VAP
v
=
-
R
F
(V-
+
V )
PK*n
1
Nota:
El amplificador seguidor de voltaje que
—
acompaña al amplificador sumador de la figu
ra 3, solo es con el propósito de demostración.
Complete la siguiente
Nota:
Compruebe que el voltaje en la entrada inversora es
aproximadamente 0 volts.
ficador operacional.
-
Procure no saturar al ampli-
AMPLIFICADOR DIFERENCIAL
'
Implemente el circuito de la figura 4.
Grafique Vo y Vi en función del tiempo.
Aplique energía a la
base experimental.
Con la ayuda del osciloscopio y del generador de funciones -
AMPLIFICADOR NO INVERSOR
aplique una onda senoidal de 1000 Hz y 2V de pico a pico a Siga el mismo procedimiento que en el circuito anterior y compíete la siguiente tabla.
Dibuje las formas de onda Vo y Vi y justifique de acuerdo
—
con la teoría los resultados obtenidos.
—
Compruebe que el
Vi
voltaje V 1 es la inversión del voltaje Vi.
Vo
Pruebe con otras formas de onda.
Avm
Grafique Vo y Vi en función del tiempo.
AMPLIFICADOR SUMADOR
Implemente el circuito de la figura 3.
Aplique energía a la ba
se experimental.
Con la ayuda del osciloscopio y del generador de funciones apli
q ue
la entrada Vi del circuito.
una onda senoidal de 1000 Hz y 2V de pioo a pico a la entra
da Vi del circuito.
Dibuje las formas de onda Vo y Vi y justifique de acuerdo con la teoría los resultados obtenidos.
V x es igual al voltaje Vi.
Pruebe con otras formas de onda.
Compruebe que el voltaje -
APENDICE
ECUACIONES DE LOS ATENUADORES
REPORTE
1.
Detallar el procedimiento seguido al experimentar con el
En este sección obtendremos las ecuaciones de análisis y diseño
amplificador inversor.
del atenuador T en puente y del atenuador pi.
Incluya las gráficas solicitadas
y compare los resultados experimentales con los valores
Empezaremos por
el T en puente, figura B.l.
esperados teóricamente.
A W W V \ A
R3
2.
Detallar el procedimiento seguido al experimentar con el
amplificador no inversor.
Incluya las gráficas solicita
AW/V
A/WW-
Ri
Rl
das y compare los resultados experimentales con los valo
Rl
res esperados teóricamente.
3.
Explique el procedimiento realizado al experimentar con
Figura B.l. Atenuador T en puente
el amplificador sumador.
Muestre las formas de onda y -
la justificación de ellas.
Primero encontraremos Ro, y se define como Ro =
4.
Explique el procedimiento realizado al experimentar con
de Riño es la resistencia de entrada con la salida abierta y
el amplificador diferencial.
Rins es la resistencia de entrada con la salida en corto, de -
Muestre las formas de onda
y la justificación de ellas.
5.
Cuál es la impedancia de entrada del amplificador inversor comparado con el no inversor.
6.
RinoRins don
la fig. B.l. tenemos:
Riño
=
R1//(R3+R1) + R 2
Riño
=
R 1 (R 3 +R 1 )
Mencione algunas aplicaciones de los amplificadores I n versor, no inversor, sumador y diferencial.
2R
1
+
+
Rins
=
R3//(R1+R1//R2)
Rins
=
R3(R
x
R2(2R1+R3;
R
3
+ 2R x R 2 )
(R3+R1)(R1+R2)+R1R2
RinsRino
APENDICE
ECUACIONES DE LOS ATENUADORES
REPORTE
1.
Detallar el procedimiento seguido al experimentar con el
En este sección obtendremos las ecuaciones de análisis y diseño
amplificador inversor.
del atenuador T en puente y del atenuador pi.
Incluya las gráficas solicitadas
y compare los resultados experimentales con los valores
Empezaremos por
el T en puente, figura B.l.
esperados teóricamente.
A W W V \ a
R3
2.
Detallar el procedimiento seguido al experimentar con el
amplificador no inversor.
Incluya las gráficas solicita
A W / V
A/WW-
Ri
Rl
das y compare los resultados experimentales con los valo
Rl
res esperados teóricamente.
3.
Explique el procedimiento realizado al experimentar con
Figura B.l. Atenuador T en puente
el amplificador sumador.
Muestre las formas de onda y -
la justificación de ellas.
Primero encontraremos Ro, y se define como Ro =
4.
Explique el procedimiento realizado al experimentar con
de Riño es la resistencia de entrada con la salida abierta y
el amplificador diferencial.
Rins es la resistencia de entrada con la salida en corto, de -
Muestre las formas de onda
y la justificación de ellas.
5.
Cuál es la impedancia de entrada del amplificador inversor comparado con el no inversor.
6.
RinoRins don
la fig. B.l. tenemos:
Riño
=
R1//(R3+R1) + R 2
Riño
=
R 1 (R 3 +R 1 )
Mencione algunas aplicaciones de los amplificadores I n versor, no inversor, sumador y diferencial.
2R
1
+
+
Rins
=
R3//(R1+R1//R2)
Rins
=
R3(R
x
R2(2R1+R3;
R
3
+ 2R x R 2 )
(R3+R1)(R1+R2)+R1R2
RinsRino
as
haciendo
R
se obtiene:
Ro
De la ecuación B.5., despejando R 2 y de la ecuación B.2,
B.L
2R3
B.2
R2
=
Ro
a- 1
La segunda fórmula que nos es útil en nuestro trabajo es la de la ecuación B.l.
cantidad de atenuación que hay de la entrada a la salida del
atenuador cargado con su resistencia característica. fig.B.2.
RpRq
¿o
=
R
o
R Q = (a - 1 ) R
O
O
Resumiendo tenemos que las ecuaciones de análisis son:
Ro
=
Ri
a
=
1 + R,
R
Figura B.2
=
o
R2
^ R3
^
Circuito para calcular la atenuación a
y las ecuaciones de diseño son:
De la fig. B.2., las ecuaciones de malla son:
Vin =
V
R
0 =-I x R 2
2
)
" X2R2 " T3R1
+ I 2 (R 2 +
2
V
B.4
=
(a -1) Ro
=
Vin
R x + R3
En la fig. B.3 se muestra el atenuador pi.
Ql
0
RoVin_
Para eso „seguiremos el mismo método utilizado -
para la obtención de las ecuaciones del atenuador T en puente.
l2
sustituyendo en la ecuación B.4.
=
Ro_
Ahora obtendremos las ecuaciones de análisis y diseño para el
Resolviendo las ecuaciones B.3 para I 2 encontramos que
a
=
R3
atenuador pi.
R
R2
a -1
" I3R1
I2R0
Vo =
= Ro
B. 3
O =-I 1 R 1 - I 2 R 1 + I 3 ( 2 R 1 + R 3 )
Vo =
Rx
— w w w
Rl
1———0
=
1
+
R,
R]
2
V V
„2
^
R2
R2
JRI
i?r
;
-c
=
1
O
m = 32
1 + R3
Vin
Vo
-AMA/W
+ R.
Figura B.3
Atenuador Pi
4P*
*
-
susituyendo Ro de la ecuación B.6 en
Las resistencias Rins y Riño son:
a
Rino
= m R //(R- + m
= H m ( m+1)
2m+ 1
1"
+ Mi + 2 m
B.9
de las ecuaciones de diseño se obtienen como sigue:
R^m
m R 1 // R i
=
1 + m
m
tenemos que
Rins
=
= R 2 y de la ecuación B.6
a
Mi + 2
m
= R^m
= R2
Ro
Ro
m+1
Ro
= \jRinsRino
Ro
=
B .6
B.10
sustituyendo la ecuación B.10 en B.9
Ri m
a
=
R1
í 2m +1
+ 1
+
Ri
R2
B.ll
RO
de la ecuación B.10
El factor de atenuación
se obtiene de la fig. B.4.
R-1
2R R 2 o
2
=
RI
A/WWVVV-
R
de B.ll
R2
2
"
B.12
R
°
= R1Ro
Ro { a -1 ) -Rx
sustituyendo R 2 en la ecuación B.12 y resolviendo para R.^ se
°btiene
R.
=
( a 2 - 1)
Ro
2a
Para obtener R 2 sustituímos R^ de la ecuación B.12 en la ecuaFigura B.4
Circuito para obtener la atenuación a
ción B.ll y resolvemos para R 2
R
= Ro (1+ a ) 2
p
a - 1
Las ecuaciones de malla son:
Vin
0
=
Si tomamos el signo negativo, entonces
Ijm R x
-
I2m3l
B
= - I^m Rx+I2( m R 1 +R 1 + ni R ^ o )
R2
'7
=
I-( mR,Ro )
- Ro
que no es cierto, por lo tanto tomamos el signo positivo y
R
m R1+Ro
Vo
=
= Ro
(1+ a
a " 1
)
resumiendo tenemos que las ecuaciones de análisis son:
mR^+Ro
Ro
=
=
= Vin
Vo
=
mR 1 +Ro
m Ro
(1+
x
m
\ 1 + 2m
De las ecuaciones B.7 y B.8 se obtiene que:
a
R
m Ro )
m r +Ro
1
l + m
+
+ 2 m
m
y las ecuaciones de diseño son:
R
R
i
=
o
=
¿
(a 2 - 1 ) Ro
2a
+ 1) Ro
a -1
EJEMPLO:
en donde
Diseñar un atenuador
m
=
R,
con las siguientes especificaciones:
Resistencia de salida de 600 SL
sustituyendo se tiene:
R
o
=
600 -JCI»
Atenuación de 10
m
=
a
=
720
2700
=
a = 10
9.39
De las ecuaciones de diseño se tiene:
y
=
(a2 - 1)
2a
=
(CIO)2 - 1
2C10
R1
=
2970 Jl
R
=
(a + 1)
a - 1
Ro
=
10+1
10-1
600
=
733.33 Jl
R
R
1
2
R
2
R2
Rq
B.13
581.33 ¿l
600
B.14
Obsérvese que los valores obtenidos no son comercial, por lo que hay que utilizar resistencias de presición de 1%.
De otra
manera si se aproximan R 1 y R. a sus más cercanos que son:
Ri
=
2.7 K A
R2
=
720 JL
Despejando A y R q de las ecuaciones B.9 y B.6 se
tiene:
a =
1+ m + 1 + '2m
m
Ro =
Rj
m
2m+l
—
.2666
0.1
\
TYPES 2N3903, 2N3904> A5T3903, A5T3904*
N-P-ir SILICON TRANSISTORSi
E
electrical characteristics at 25°C free-a.r temperature
"1YP.ES' 2N39Q3. 2N3904, À5T3903, A5T3904
N-P4I ^SILICON TRANSISTORS
8 U L L E 7 I N N O . DL-S 7311576, N O V E M B E R 1 9 7 1 — R E V I S E D M A R O
PARAMETER
TESI
2N3903. A5T3903
CONDITIONS
19/3
v
SILECT* TRANSISTORSi
FOR GENERAL PURPOSE SATURATED-SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATIONS
•
MAX
Breakdown Voltage
Collector-Emitter
v
•
(BR)CBO
2N3904. AST39Q4
MAX
Collector-data
For Complementary Use with P-N-P Types 2N3905,2N3906, A5T3905, and A5T3906
Rugged One-Piece Construction with In-Line Leads or Standard TO-18 100-mil
Pin-Circle Configuration
•
v
(BR)CEO
(BRIEBO
'C.MmA.
l
B
= 0.
V Ç £ - 1 V .
l
C
=100pA
Break d o w n Voltage
See N o t e 3
Emitter-Bate
_
B r e a k d o w n Voltage
Collector Cutoff Current
mechanical data
—
Base C u t o f f C u r r e n t
-
These transistors are encapsulated in a plastic compound specifically designed for this purpose, using a highly
mafifcanized process developed by Texas Instruments. The case will withstand soldering temperatures without
deformation. These devices exhibit stable characteristics under high-humidity conditions and are capable of meeting
Ml L-STD-202C, Method 1066. The transistors are insensitive to light.
Static F o r w a r d Current
h p g
2 N3903. 2N3904
VßE
e osa .MOU
v
Transfer Ratto
C E - t V .
I ç - I O m A
VCE-»V.
Iç-SOmA
V
IQ = 100 m A
C £ - ' V ,
S e e N o w
3.
Base-Emitter Voltage
A
v
CE(sai)
Collector-Emitter
. ,
.
,
w
Sotutation Voltage
See N o t e 3
Small-Signal Comrrwn-Em.tter
I
Input Impedance
uxiinJ -3 UAOl »»17 _;jSl
,
Small-Signal C o m m o r v E m i t t e r
V
C E
- 1 0 V.
F o r w a r d Current Trentfer Ratio
NOTES:
A . Lead d i a m e t e r k n o t c o n t r o l l e d i n this area.
B A - i d i m e n s i o n s are i n i n c h e s
' A L L J E D E C T O 92 D I M E N S I O N S A N D N O T E S ARC
Small-Signal C o m m o n - E m i t t e r
EBC
R e v e r e Voltage Transfer Ratio
f - 1 kHz
Smail-SiynaJ C o m m o n - E m i t t e r
APPLICABLE
Outout Admittance
ABT3903. ABT3B04
l.Mmii
*
• ww-i
Sma
j hfp{
M
r„ . « »»»
Ì
"
S,9nal
Common-Emitter
F o r w a r d Current Transfer Ratio
Transition Freauency
'
01».
NOTES:
J_
T»OOIC
C o m m o n Base O p e n - C i r c u i t
-,
OMO A*
—
C
B
3 ca-jooi
. . . . . .
,
Q
Storage Temperature Range
c
" "
""
Vçç »
Vca-SV/.
'E * 0.
=
o.
3.
These p a r a m e t e r , m u s t b e m e a s u r e d u s i n g p u l s e t e c h n i q u e s .
To o b t a i n f T . the h f a | r e s p o n d - w i t h l ^ n c y
' r e q u e n c y a t w h i c h | h f , | » ».
- 300
d u t y c y c l e J l 2%
is e x t r a p o l a t e d a t t h . rate o . J e
dB per octave f r o m f -
ICO M H ? to « •
'operating characteristics at 25°C free-air temperature
60 V *
40 V *
PARAMETER
TEST CONDITIONS
.
6V
.
"
f = 100 M H z
Input Capacitance
4.
. . . » • » "
Continuous Device Dissipation at lor below) 25°C Free-Air Temperature {See Not« 2)
I q = 10 m A ,
'c
'bo
NOTES:
. T :
-
- 2 0 V .
IH
•hsolute maximum ratings at 25° C free-air temperature (unless otherwise noted)
\
C E
1 MHz
dW
A . L e a d d i a m e t e r is n o t c o n t r o l l e d I n t h i » a r e a .
B
L e a d s h a v i n g m a x i m u m d i a m e t e r 1 0 . 0 1 9 ) »hall b e w i t h . n 0.O3T o>
«rue p o s i t i o n s measured
i n t h e g a g i n g p l a n e 0 . 0 5 4 b e l o w t h e « e a t i n g p l a n « o f tfc* o e . - c e r e l a t i v e t o • m a x i m u m
d i a m e t e r package.
C. A l l d i m e n s i o n s are i n i n c h e s .
Collector-ease Voltage
Collector-Emitter Voltage (See Note 1)
n ... »...
Emmer Base Voltage
Qontinuous Col lector-Current
V
200 m A *
/ 6 2 5 mW§
• '
\310mW*
/ - 6 5 ° C to 150°C§
\ - 5 5 ° C t o 135°C*
V Q E - 5 V,
.
{
260° C§
230° C*
Average Noise Figure
See N o »
NOTE
S.
Noi«
6 dB/octave.
*THe asterisk
identifies
I C => 1 0 0 h A .
RQ
1 kn.
N o i » B a n d w i d t h - 15.7 k H z ,
$
F i g u r e h m e « o r « ! i n art a m p l i f i e r w i t * W O W » d o w n 3 d B a t 1 0 H z a n d 1 0 k H « a n d a h i g h - f r ^ j u e n c y r o l l o « !
•v • —
•
JEDEC ragmered dete for the 2 N 3 9 0 3 ano ¿ N 3 9 0 « only.
I
"
TYPES 2N3905, 2N3908, A5T3906, A5T3908
P-N-P SILICON TRANSISTORS
rrYPES 2N3903,2N3904, A5T3903. A5T3904
fl-P-N .SILICON TRANSISTORS
g U l L f T I N N O .
0 1 9
7J11ST?. N O V i M B K R
19T1-ff BVI 3 » t t M A *
CM
S l k f i S X t TRANSISTORS ?
FOR GENERAL PURPOSE SATURATED-SWITCHING
AND AMPLIFIER APPLICATIONS
URATEC
»switchins dwtfLteiisliys at 25 C frepairtempewWure
2N3904
TEST
PARAMETER
A5T3904
CONDITIONS*
MAX
V B E(off>
Delav 1 ime
•
For Complementary Us« with N-P-N Type» 2N3903, 2N3904, A5T3903, and A5T3904
•
Rugged One-Piece Construction with In-Line Leads or Standard TO-18 100-mil
Pin-Circle Configuration
- 0 . 5 V.
See Figure 1
mechanical data
«Vol«»"
a n d c u r r e n t velue» s h o w n aie n o m i n a l : e x a c t »alues v a r y n i g h t l y
• . p i t s IS c a l c u l a t e d u s i n g t t i e m i n i m u m v a l u e o f V
r.1 VEE.
•Tt-e «sterljk
B E
with
transistor parameters.
N o m i n a l base c u r r e n t f o r d e l a y a n d rise
. N o m i n a l base c u r r e n t s f o r storage a n d f a l l t i m e s are c a l c u l a t e d u s i n g t h e m a x i m u m
identities JE D E C registered data for the 2 N 3 9 0 3 end 2 N 3 9 0 4
These transistors are encapsulated i n a plastic c o m p o u n d specifically designed f o r this purpose, using a highly
mechanized process developed b y Texas Instruments. The case w i l l .vithstand soldering temperatures without
d e f o r m a t i o n . These devices e x h i b i t stable characteristics under high-humidity conditions and are capable of meetinq
M1L-STD-202C, Method 1068. The transistors are insensitive t o light.
value
2N390S,
only.
2N3906
—,
~~
"
f—-tîsî
«-ÎKS
«osa MOTI at
PARAMETER MEASUREMENT INFORMATION
P
f:
j
1 IttOi 001/
INPUT
NOTES:
O
OUTPL
A.
Lead d i a m e t e r
9
A l l d i m e n s i o n « a r e Ir» i n c h e e .
* n o t c o n t r o l l e d i n tr<>,
ir*a
A L L JEOÇC TO 92 DIMENSIONS A N D NOTES ARE
A5T3905,
INPUT
ESC
BLE
A5T3906
OUTPUT
TEST
V O L T A G E
CIRCUIT
FIGURE
1 - D E L A Y A N D RISE
»
WAVEFORMS
TIMES
NOTES:
A.
B.
L e a d d i < ) r * - * t i r is r . o t c o n t r o l l e d i n t h i s a r e a .
L e a d s h a v i n g T > a * i m u m d i a m e t e r ( 0 . 0 1 9 1 s h a l l Om w i t h i n 0 . 0 0 7 o f t h e i r t r u e p o s i t i o n s
in
the
j j g f a plane
diameter
C.
0 054
below
the
seating
plan» of
the-device
relative
to a
measured
maximum
package.
A l l dimensions j r e i n inches.
absolute maximum ratings at 25°C free-air temperature (unless otherwise noted)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage (See N o t e 1)
INPUT
•O
OUTPUT
E m i t t e r Base Voltage
C o n t i n u o u s Collector Current
io kn
INPUT
i
• •-•
-
\
1N916
Lead Temperature 1/16 Inch f r o m Case for 6 0 Seconds
TEST
VOLTAGE
CIRCUIT
1.
Thi« valoe applle. between
2.
Derate tha 6 2 5 - m W
TIMES
rating linearly to
•The atterifk
identifie»
affect at the time of
t
a.
The input waveforms'a'e suppüed b v a generator w i t h the to.lowing characterist.cs
b.
W a v e f o r m s are m o n . t o r e d o n an o s c i l l o s c o p e w i t h the f o l l o w , n g characterist.cs: t , <
Z
o u
, « 50 H . duly cycle -
1 m.
- 5 5 ° C to 135 C
/260°C
\230°C
WAVEFORMS
NOTES:
F I G U R E 2—"STORAGE A N D F A L L
i ' -
no& A
7
® m„
J 625 mW
\ 3 1 0 mW
/ - 6 5 ° C to '50°C
Storage Temperature Range
OUTPUT
N O t
•
Continuous Device Dissipation at (or below) 2 5 C Free-Air Temperature (See Note 2)
O —
1N916
{
Ì
-40^
-40
.
R,
n
-
1 0 Mil.
C
i n
2*.
« 4 p
Trademarl<
of Texe»
10 u A and 2 0 0 m A collectot c u r r e n r w h e n t h e baie-emitter d i o d e i l
rating linearly t o
1 5 0 ° C free-air t e m p é r a t u r e at t h e r a t e o l 5 m W i
open-clrculted.
C . D e r a t e t h e 3 1 0 - < n W ( J E D E C reg.st
I 3 5 ° C free-air t e m p e r a t u r e at the rate of 2 - 8 1 m<N/°C.
JEDEC
reg.stered d a t a
for
the
2 N 3 9 0 5 o n d 2 N 3 9 0 6 o n l y . Thîs aats *heet c o n u i n t ail applicable
„
ragisterad
publication.
Instruments
ÎU.S. Patent No. 3,439.238
§ Texas I n s t r u m e n t , guarantees thèse values i n a d d i t i o n to t h e J E D E C r e g i « e r e d v a l u e , w h t e h are aiso i h o w n .
US6S
"
CHiP
^
TYPES 2N3905, 2N3906. A5T3905, A5T3906
P-N-P SILICON TRANSISTORS
TYPES 2N3905. 2N39J6, Ä51350S, A 5 X M M
P - H * STtTCUKf T l t t N S ISTO RS
switching characteristics at 25'C free-air temperature
electrical characteristics at 25°C free-air temperature
PARAMETER
PARAMETER
A5T3906
MIN
ViBRtCBO
Colector-Base Breakdown Voltage
MAX
'C
-40
=
-10mA.
MAX
I
V
R L * 275 a .
Collector-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)EBO
2N3906
TEST CONDITIONS*
TEST C O N D I T I O N S
<C * - 1 0 m A ,
E m i t t e r - B a s e B r e a k d o w n Voltage
See Figure 1
I,
'8(21 = 1 mA.
R L = 275 n .
Collector Cutoff Current
MAX
8E(off) -Û.5V.
See Figure 2
Base C u t o f f C u r r e n t
VÇ£°-1V.
I ç = - 1 0 0 ¿iA
T h e a n e r i s k identifies JE DEC
S t a t i c F o r w a r d C u r r e n t Transfer R a t i o
and 2 N 3 9 0 6 only.
PARAMETER MEASUREMENT INFORMATION
Base-Emitter VoUaoe
i Vc£($a?!
Collector-Emitter Saturation Voltage
Small-Signal C c m m o n - E m i n e r
Input Impedance
INPUT
Small-Signal C o m m o n - E m i t t e r
F o r w a r d Current Trpnslor Ratio
Small-Signal C o m m o n - E m i t t e r
INPUT
Reverse Vo<ia>K Transfer R a t i o
Small-Signal C o m m o n - E m i t t e r
OUTPUT
Output Admittance
Small-Signal C o m m o n - E m i t t e r
TEST CIRCUIT
F o r w a r d Current Transfer R a t i o
VOLTAGE WAVEFORMS
Transition Frequency
F I G U R E 1—DELA Y A N D RISE T I M E S
Common-Base Open-Circuit
O u t p u t Capacitance
Common-Base Open-Circuit
I n p u t Capacitane-;
3. These p a r a m e t e r : must be measured using pulse techniques. I w - 3 0 0 (is. d u t y cycle < 2 S .
»
4. T o o b t a i n f j . t h e l h f e | response is e x t r a p o l a t e d at t h e rate of - 6 d B per octave f r o m f « 100 M H z t o t h e f r e q u e n c y at w h i c h
INPUT
^•—O OUTPUT
operating characteristics at 25° C free-air temperature
I N P U T O1N916
TEST C O N D I T I O N S
PARAMETER
MIN
Average Noise Figure
VCE"-5V,
IC " - 1 0 0 »/A,
RQ • 1 kii.
Noise B a n d w i d t h • 15.7 kHz.
MAX
OUTPUT
1N916
See N o t e 5
T E S T C , R C U , T
VOLTAGE WAVEFORMS
Average Noise Figure is measured in an « m p l i f i e r w i t h response d o w n 3 d B at 10 Hz and 10 k H z and a high f r e q u e n c y r o l l o f f of
FIGURE 2—STORAGE A N D F A L L T I M E S
6 dB/octave.
•»•Msk i d e n t i f i e * J E D E C registered data f o r t h e 2 N 3 9 0 5 a n d 2 N 3 9 0 6 o n l y .
N O T G S
" « V
b V a se,,era,0r W , , h ,h
b W " T ' VVaW"0"n' a "
*
I — « ' H t i c : Z o o t - 50 U . d u t y cycle - 2 V
b. Wa«etorms are m o m . o r e d o n an o s c i l l o s c o p e w i t h the f o l . o w . n g c h a r a c t e r , , ^
. ,* 0 M f l X < 4 p , .
.
• —it?».-
. « T O M
•mr.Ktff»-'
' " ' V
1
* - '
.
'
**TYPES Í N 5 9 4 9 THRU 2N5953
N-CK ANNELSILICON JUNCTION FIELD-fFFf CT TRANSISTORS
• j U t t ¿ P . N | » 0 . Q1--S
1 3 3 C
- APRIL
TYPES 2N5949 THRU 2N5953
N-CHANNEE SILICON^JUNCTION FIELD-EFFECT.TRANSISTORS
1970
*electri«»diaracteristics at 25*C free-air temperature (unless otherwi« n«t«H>
SJ^ECTt ¿IELD-EFFECT TRANSISTORS*
TEST C O N D I T I O N S
V(BR)6SS
•
Narrow loSS
MIN
Gate-Source B r e a k d o w n V o l t a g e
VGS(off) Ranges
G a t e Reverse C u r r e n t
•
For Low-Noise Audio-Frequency Amplifier Applications
v
GSIoff>
V G S " - 1 5 V.
VpS'Q
V G S - - I 5 V .
VoS-O,
Ta - ioo°c
Gate-Source C u t o f f V o l t a g e
V o s - 1 5 V,
MAX
MIN
MAX
l p » 1 0 0 nAr'
v
•
For RF Amplifier Applications Thru 100 MHz
•
Low r<is(on) for Chopper and Switching Applications
r
„tfchanical data
ds(on)
Zero-Gate-Voltage Drain
V D S " 15 V ,
Current
See N o t » 3
Small-Signal D r a i n - S o u r c e
VGS-0.
O n - S t a t e Resistance
f - 1
kHz
Small-Signal C o m m o n - S o u ree
Th-se transistors are encapsulated in a plastic c o m p o u n d specifically designed f o r this purpose, using a
UanTzed
process developed by Texas Instruments. The case w i l l w i t h s t a n d soWenng temperatures
" , o n .
T ^ d ^ c e s
Z
J
h^ly
F o r w a r d Transfer A d m i t t a n c e
m mh o
Small-Signal C o m m o n - S o u r c e
wnhout
Output Admittance
stable characteristics under h i g h - h u m i d i t y conditions and are capable of meeting
umho
Common-Source Short Circuit
M I L - S T D - 2 0 2 C M e t h o d 106B The transistors are insensitive t o light.
I n p u t Capacitance
VDS-15V.
VGS - 0.
Common-Source Short-Circuit
f - 1 MHz,
See N o t e 4
R e v e n e Transfer Capacitance
•CASE
OUTLINE
Small-Signal C o m m o n - S o u r c e
Input Conductarce
Small-Signal C o m m o n - S o u r c e
V
F o r w a r d Transfer C o n d u c t a n c e
DS-15V.
f -
V
100 M H z ,
- 0 f
G s
mmho
See N o t a 4
Small-Signal C o m m o n - S o u r c e
O u t p u t Conductance
PARAMETER
V(8R)GSS
A
Laad d i e n , « « - - n
o
t
T
a
h
B
Ï
r
T
o
^
t
-
S
T
Z
S
^
a
l
í
MIN
MAX I MIN MAX
UNIT
G a t e Reverse C u r r e n t
b e w i t h i n 0 . 0 0 7 o f t h e i r t r u e p o s i t i o n * mea-
r' £ U m g
TEST CONDITIONS
Gate-Source B r e a k d o w n V o l t a g e
P U n . of t h e d e v i c e r e v i v e t o a m a x ,
V
GS(0ff)
Gate-Source C u t o f f Voltage
m u m diameter package
C. A l l d i m e n s i o n » are i n ¡nenes.
Z e r o - G a t e - V o l tage D r a i n C u r r a n t
_
L/IOI1IMUUILII
V G S
O n - S t a t e Resistance
•
'
F o r w a r d Transfer A d m i t t a n c e
VQS » 1 5 V ,
Small-Signal C o m m o n - S o u r c e
See N o t e 4
'
30V
-30 V
Reverse Gate-Source Voltage
-
10 m A
Continuous F o r w a r d Gate Current • • • • • - • • • ' • ' * ' * '
Continuous Device Dissipation at (or below) 2 5 C Free-A,r T e m p e r a t u r e N o t e 1)
Continuous Device Dissipation at (or below) 2 5 C Lead Temperature (See N o t e 2)
Storage Temperature Range
Lead Temperature 1 / 1 6 Inch f r o m Case f o r 1 0 Seconds
Cr«
'
limbo
.
.- -
1. Derat« linearly t o 1 5 0 e C f r ^ - . i r t e m p e r a t u r e a t t h e rate o f
^
^
^
3 . D e r a t e l i n e a r ^ t o 1 5 0 ° C l « d t e m p o r e e t t h e r e t . o f 4 t n W / ° C . L e e d » m p ^ - t u r e •» m e e a u r - o n t h e
VOS " 1 5 V ,
See N o t e 4
Input Conductance
^
VGS - <
_
jimho
_
Small-Signal C o m m o n - S o u r c e
VOS-15V,
F o r w e r d Transfer Conductance
See N o t e 4
VGS - C
1
I
O u t p u t Conductance
operating characteristics at 25°C free-air temperature
£
TEST CONDITIONS
^
, / 1 6 inch f r o m
VOS
-
'5 V,
V q s - 0 ,
f - 100 MHz,
t h e case.
0.
C ^
NOTES!
d a t e . T h i s d a t a s h e e t c o n t a i n , .11 e p p l . « b . . r ^ t e r e d «tote i n e f f e c t a t t h e t i m e o f p u b l i c a t i o n ,
of T e x a s I n s t r u m e n t s .
•
*a,„„
f;iJ
3 439 23S
USES CHIP JN51
6.5
mmho
50
ymhc
Smalt-Siqnat C o m m o n - S o u r c e
260°C
•
I n p u t Capacitance
Common-Source Short-CircuitReverse T r a n s f e r Capacitance
.
_
"
Small-Siyial Common-Source
3 6 0 mW
™
.
mmho
VGS" I
Output Admittance
Common-Source Short-Circuit
„ * • " • " " ' • ' " * .
' P " " .
(vosl
«•bwlute maximum ratings at 25°C free-air temperature (unless otherwise noted)
Drain-Gate Voltage
'
Small-Signal C o m m o n - S o u r c e
f-IkH*,.
3,
T h i s p a r a m e t e r m u s t be measured using putoe technique«. t
4.
T h e i e p e r a m at e r , m u s t b e m e a s u r e d w i t h b i a s c o n d i t i o n s a p p l i e d f o r leae t h a n 8 s e c o n d s t o a v o i d o v e r h e a t i n g .
* JE D E C registered d a t a
w
- 300 ßt. duty
cycle«
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4
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