Límites y alternativas en la miniaturización electrónica: de la

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Simposium internacional RAMON ARECES
Límites y alternativas en la
miniaturización electrónica:
de la Microelectrónica a la
Nanotecnología
Instituto de Microelectrónica de Barcelona
(IMB-CNM-CSIC)
Bellaterra, Barcelona
4 – 5 de Abril de 2002
1.- Marco del Simposium
El desarrollo de la microelectrónica, desde la invención del transistor y del circuito
integrado, ha supuesto el límite máximo de la miniaturización en electrónica y a través de
esto una transformación transcendental de la sociedad moderna, habiéndose integrado en
prácticamente todos los aspectos de la vida de las personas.
El eje motriz del devenir de la microelectrónica es la miniaturización (ley de Moore), que
permite alcanzar las densidades de integración de los actuales microprocesadores y
memorias. Por ello hoy en día las dimensiones críticas en los circuitos integrados están
alcanzado la región de los 100 nm. La predicción del “roadmap” del SIA (Semiconductor
Industry Association) finaliza con dimensiones por debajo de los 50 nm, a las que se espera
llegar hacia el año 2010. En este rango de dimensiones aparecen límites, tanto
fundamentales (el funcionamiento de los dispositivos pasa a ser regido por fenómenos
cuánticos), como tecnológicos (la gestión de disipación térmica es un problema creciente al
aumentar la densidad de integración) o económicos (el precio de las instalaciones de
fabricación de circuitos integrados que se precisan para conseguir estas dimensiones puede
llegar a exceder la estimación de ventas)
En paralelo con esta tendencia, durante los últimos años se está llevando a cabo una extensa
actividad de investigación en el campo de la Nanotecnología, cuyo objetivo es el desarrollo
de la tecnología para fabricar, caracterizar y utilizar estructuras con dimensiones que van
desde la escala atómica hasta los 100 nm. El desarrollo de la Nanotecnología conlleva la
creación de un nuevo cuerpo de conocimientos, que se concreta en la disponibilidad de
nuevas herramientas, nanoestructuras y métodos, que permiten realizar nuevos dispositivos
nanoelectrónicos, tanto por miniaturización de las técnicas de fabricación clásica
(aproximación top-down), como a partir de la utilización de bloques básicos (moléculas o
átomos, aproximación bottom-up). Esta última aproximación se conoce con el nombre de
Electrónica Molecular.
2.- Objetivo del Simposium
El simposium tiene como objetivo principal analizar la situación actual de la miniaturización
en microelectrónica, para determinar como su evolución futura vendrá marcada por nuevos
conceptos y técnicas provenientes de la Nanotecnología. Para ello, se reunirán a expertos
internacionalmente reconocidos tanto del área de la Microelectrónica como del área de la
Nanotecnología que podrán dar a conocer puntos de vista complementarios e incluso
contrapuestos.
El simposium tendrá una duración de 2 días y se estructurará en ponencias alternadas del
campo de la Microelectrónica y de la Nanotecnología, para contrastar la visión que, sobre el
futuro de la electrónica, se observa desde ambos campos. El simposium finalizará con una
mesa redonda para discutir aquellos aspectos más destacados aparecidos durante el
desarrollo de las ponencias. Por ejemplo, se analizará si la línea por la que discurrirá la
miniaturización se basará en el mismo tipo de estructuras utilizadas hoy en día (CMOS) o
bien si será necesario incorporar y desarrollar conceptos, ideas y métodos alternativos
Concretamente, se pretenden abordar los siguientes aspectos:
-
Dar a conocer el estado actual del arte en microelectrónica (dimensiones,
integración, materiales, aspectos económicos,…)
-
Revisar la evolución de la microelectrónica. Incidir sobre los límites
fundamentales, tecnológicos y económicos en la tendencia hacia la
miniaturización
-
Repasar cual es la potencialidad de las principales herramientas, técnicas y
conceptos en Nanotecnología
-
Analizar las posibilidades de la Nanotecnología como complemento o alternativa
a las tecnologías de Microelectrónica.
3.- Localidad
El Simposium se celebrará en el Instituto de Microelectrónica de Barcelona del Centro
Nacional de Microelectrónica del CSIC (IMB-CNM) sito en el Campus de la UAB en
Bellaterra (Barcelona)
Edificio del Instituto de Microelectrónica de Barcelona (IMB-CNM-CSIC)
Programa provisional
Dia 1. Jueves, 4 de Abril de 2002
9:45—10:15
10:15 – 11:00
Inauguración / Opening
El desarrollo de los circuitos integrados
The development of the integrated circuits
Emilio Lora-Tamayo
Universidad Autónoma de Barcelona
Vicepresidente del Consejo Superior de Investigaciones Científicas
11:30 – 12:15
Pausa/ Break
Límites fundamentales para la integración a "Tera-escala"
Fundamental Limits on Terascale Integration (TSI)
James Meindl
Georgia Institute of Technology EE.UU.
12:15– 13:00
Los nuevos paradigmas de la Nanotecnología y
Microelectrónica
New paradigms of Nanotechnology and Microelectronica
Francesc Pérez-Murano
Instituto de Microelectrónica de Barcelona (IMB-CNM-CSIC)
15:30 – 16:15
Descanso / Halt
Oportunidades de mercado en Nanotecnología: el caso
danés.
Getting nanotechnology to market: case studies in
nanotech innovation from Denmark
Francois Grey
Mikroelektronik Centret. Dinamarca
16:15 – 17:00
Electrónica Molecular
Molecular electronics
Christian Joachim
Universidad de Toulouse. Francia
17:30 – 18.15
Pausa/ Break
Avances recientes en microsistemas
Recent advances in microsystems
Peter Vettiger
IBM Zurich. Suiza
18.15 – 19:00
Nanomecánica (NEMS) y nanofluídica
Nanomechanics (NEMS) and nanofludics
Stephen Turner
Cornell University, EE.UU
Day 2. Viernes, 5 de Abril de 2002
9:45 – 10:30
Diseño de circuitos integrados: situación, perspectivas y
límites
Integrated circuit design: situation, perspective and limits
José Luis Huertas
Instituto de Microelectrónica de Sevilla (IMSE-CNM-CSIC)
10:30 – 11:15
Computación cuántica / Quantum computing
Rolf Tarrach
Universidad de Barcelona
Presidente del Consejo Superior de Investigaciones Científicas
11:45 – 12:30
Pausa/ Break
El AFM como herramienta para la Nanotecnología
AFM as a tool for Nanotechnology
John Dagata
National Institute of Standards and Technology. EE.UU.
12:30 – 13:15
Dispositivos Nanoelectrónicos y Megasistemas
Nanoelectronic devices and Mega-systems
Michael Forshaw
University College of London
15:30 – 16:00
Descanso / Halt
Nanotecnología en Europa/ Nanotechnology in Europe
Ramon Compañó
Directorate General Information Society
European Commission. Bruselas
16:00 – 16:30
Nanotecnología en Estados Unidos
Nanotechnology in the United States
Gernot Pomrenke
Defense Advanced Research Projects Agency. EE.UU
16:30 – 17:00
Nanotecnología en Japón / Nanotechnology in Japan
Hiroshi Yokoyama
Institute of Nanotechnology. AIST. Japón
17.30 – 19:00
Pausa/ Break
Mesa redonda: Microelectrónica y Nanotecnología:
convivencia o sustitución
Round Table: Microelectronics and Nanotechnology:
coexistance or substitution
Francesc Serra Mestres. Centro Nacional de Microelectrónica
James Mendl. Georgia Insitute of Technology. EE.UU.
Francois Grey. Mikroelektronik Centret. Dinamarca.
José Luis Huertas. Instituto de Microelectrónica de Sevilla.
19:00 – 19:30
Clausura / Closing
FUNDACIÓN RAMÓN ARECES
SIMPOSIO INTERNACIONAL:
LIMITES y ALTERNATIVAS A LA MINIATURIZACION EN ELECTRONICA: DE LA
MICROELECTRONICA A LA NANOTECNOLOGIA
Barcelona, 4-5 de Abril de 2002
HOJA DE INSCRIPCIÓN
DATOS
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Teléfono: ………………………….……
Fax: ………………………………………..
e-mail:..................................................................................................................................
Firma:
Las personas que deseen inscribirse en este Simposio, deberán enviar esta hoja de
inscripción, debidamente cumplimentada, antes del 21 de marzo de 2002, a:
SIMPOSIUM INTERNACIONAL:
LIMITES y ALTERNATIVAS A LA MINIATURIZACION EN ELECTRONICA:
DE LA MICROELECTRONICA A LA NANOTECNOLOGIA
Instituto de Microelectrónica de Barcelona
Campus Universidad Autónoma de Barcelona.
E-08193 Bellaterra.
Fax: 93 580 14 96
e-mail: [email protected]
El número de plazas es limitado. Se aceptarán las solicitudes por orden de recepción. No hay
cuota de inscripción.
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