generacion de funciones gausianas usando transistores mos

GENERACIÓN DE FUNCIONES GAUSSIANAS USANDO TRANSISTORES
MOS POLARIZADOS EN SUB-UMBRAL.
Sánchez-López Carlos, Díaz-Sánchez Alejandro, Tlelo-Cuautle Esteban
Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica
Av. Luis Enrique Erro # 1. Apartado Postal 51 y 216, 72000 México
E-mail: [email protected] , [email protected] , [email protected]
RESUMEN.
Se presenta el diseño de un Circuito Integrado
(CI), usando Transistores MOS (TMOS), enfocado
a la generación de funciones Gaussianas (FGs) en
modo corriente. La metodología de diseño está
basada en la aplicación del Principio Translineal
(PT), por lo que los TMOS se polarizan en la
región de sub-umbral. Para confirmar la validez del
diseño se presentan las simulaciones realizadas en
HSPICE usando una tecnología de un solo pozo de
0.6um de AMS. Considerando los resultados de
simulación, el diseño propuesto se clasifica dentro
de las aplicaciones en modo corriente y baja
potencia con un voltaje de polarización de 1.5V.
1. INTRODUCCIÓN.
Hoy en día, el rápido desarrollo de tecnologías
submicrométricas, aunado al incremento en la
demanda de sistemas electrónicos portátiles, a dado
camino al desarrollo de metodologías de diseño de
CIs en bajo-voltaje [1]-[4], usando el PT [4]-[12].
Muchos de los trabajos relacionados con el PT
utilizan transistores bipolares (BJTs), debido a su
alta precisión y alta velocidad. Un aspecto
fascinante de los circuitos que usan el PT, es su
insensibilidad a las variaciones de temperatura, a
pesar de que las corrientes de los transistores
dependen de la temperatura en forma exponencial.
El PT se puede aplicar a TMOS operando en débil
inversión [7],[10]. Los circuitos MOS que operan
en débil inversión, tienen algunas ventajas sobre
los circuitos translineales con BJTs; Primero: no
sufren de la ganancia de corriente finita como
sucede con los BJTs y tienen un bajo voltaje de
saturación, el cual es conveniente en aplicaciones
de baja-potencia y en diseños de bajo-voltaje.
Segundo: los TMOS son dispositivos de cuatro
terminales que en débil inversión tienen una
dependencia exponencial extra de la corriente de
drenaje, lo que permite explorar configuraciones
nuevas [12]. Sin embargo, una de las limitaciones
de los TMOS operando en débil inversión, es el
efecto de cuerpo, el cual puede ser reducido
conectando la terminal del Bulk a la terminal de
fuente, esto nos lleva a utilizar una tecnología de
doble pozo [3].
En este trabajo, se presenta el diseño de un CI
en modo corriente enfocado a la generación de
FGs, aplicando el PT usando TMOS operando en
débil inversión. En la sección 2 se introduce la
ecuación matemática asociada a la FG. Las
posibles configuraciones para la implementación
de la FG, se describen en la sección 3. El problema
de ocurrencia de un nivel de offset en la corriente
de salida del diseño propuesto, generado por el
efecto de cuerpo, y un método de compensación de
offset, se presentan en la sección 4. La realización
completa del CI propuesto y los resultados
observados del diseño correspondiente, se
presentan en la sección 5. Finalmente, las
conclusiones se listan en la sección 6.
2. MODELO DE LA FUNCIÓN GAUSSIANA
La ecuación que gobierna una FG [13], [14]
esta dada por:
hs ,? (t ) ?
El término
1
S
1? t? ? ?
?
S ?
2
1 ? 2 ??
e
S
(1)
es un factor de escalamiento para
preservar la energía en diferentes escalas, entonces
la ecuación (1) representa una FG normalizada, ?
esta relacionado con la translación en tiempo,
mientras que S relaciona diferentes posiciones de
escala para el análisis de la señal. Una FG asocia el
producto óptimo tiempo-ancho de banda,
determinado por el principio de incertidumbre para
análisis de señales sobre el espacio tiempofrecuencia. Una aplicación interesante de la FG es
su uso en la realización de Onduletas [13], [14].
3. CIRCUITOS TRANSLINEALES.
Existe una gran variedad de circuitos que usan
el PT con BJTs [7], [11]. Estos circuitos pueden
realizarse con TMOS operando en débil inversión.
La corriente de drenaje de un TNMOS esta
dada por [3]-[6]:
W
ID ? I DOe
L
? n? 1?VBS
nVt
? VGS? VTH ?
?
?
? nVt ?
e
? VDS
?
V ?
? 1? e Vt ? DS ?
?
V0 ??
?
(2)
donde VGS , es el voltaje compuerta-fuente; V DS el
voltaje drenaje-fuente y V BS el voltaje bulk-fuente
(efecto de cuerpo). VTH es el voltaje de umbral y:
Vt ?
kT
el voltaje térmico (26mV a temperatura
q
ambiente), V0 indica el voltaje Early, n el factor
de pendiente (usualmente menor a 2), el cual tiende
a 1 para grandes valores en VG . I D 0 representa la
corriente asociada al parámetro transconductancia
K ´ y es aproximadamente [4]-[6]:
I D0 ?
2 K ´(nVt )
e2
(3)
Minimizando el efecto Early y el efecto de cuerpo,
podemos simplificar la ecuación (2).
? VGS ? VTH ?
?
nVt ?
?
W
ID ?
I DO e ?
L
(4)
3.1 Circuito de Cuadratura.
En la figura 1 se muestra un circuito asociado
a una función de cuadratura obtenido a partir de la
topología de Gilbert [7], [8], [11], remplazando los
BJTs por TNMOS. La función de cuadratura la
realizan los TMOS M1-M5. Minimizando el efecto
Early y el efecto de cuerpo, podemos aplicar la
ecuación (4), satisfaciendo la siguiente condición:
Iy ? I? ? 0
(5)
Aplicando el PT puede demostrarse que la
corriente I o queda expresada como:
I *I
I o ? d1 d 2
I?
(6)
Aplicando KCL podemos encontrar que la
corriente de drenaje de M1 y M2 son:
I? ? Iy
I? ? Iy
Id2 ?
(7)
2
2
Como Iy ? ( Ix ? Iu) en la ecuación (6), la
I d1 ?
corriente de salida del circuito de cuadratura es:
Ir ?
( Ix ? Iu)
4 I?
2
(8)
Los TMOS M6-M7 copian la corriente Ir al
drenaje de M7, ya que también forman un lazo
translineal básico [8]. Esta corriente se utiliza para
la realización exponencial de la FG, dada en la
ecuación (1). Si Ir tiene baja sensibilidad a los
parámetros de proceso y es insensible a las
variaciones de temperatura, entonces esta corriente
es controlable.
Figura 1. Circuito de Cuadratura en modo corriente.
3.2 Circuitos de Funciones Gaussianas.
Para diseñar un circuito que genere FG,
existen varias topologías [9], basadas en BJTs, los
cuales pueden remplazarse por TMOS. Uno de los
circuitos que generan FGs se muestra en la figura
2. Ir fluye a través del resistor generando un
voltaje Vg , dado por la siguiente expresión:
Vg ? Rg * Ir
(9)
Entonces el voltaje Vx puede ser expresado como:
Vx ? VGS1 ? RgIr
(10)
Ya que, VGS1 esta dado por:
?
?
IG
? (11)
VGS 1
?
?
? I DOM 1 ??
? M1
?
M2 convierte el voltaje equivalente Vx en la
?
?
? VTH 1 ? nVt * Ln??
?W
?? ?
?? L
corriente de salida, la cual esta dada por la
siguiente ecuación:
?W ?
? ? I D0 M 2
? VTH 1 ? VTH 2 ? RgIr ?
?
?
? L ? M2
nVt
?
I0 ?
I G e?
(12)
W
? ?
? ? I D0 M 1
? L ? M1
Si los TMOS M1 y M2 son iguales, la ecuación
(12) se reduce a:
I 0 ? IG e
? ? RgIr ?
?
?
? nVt ?
(13)
Sustituyendo (8) en (13) obtenemos:
I 0 ? IG e
? ? Rg ? ? Ix ? Iu ?2
?
?
? 4 nVt ?
I?
?
?
??
??
??
??
(14)
basado en la transconductancia de pequeña señal
de un TMOS [9]. La figura 4 muestra un TMOS
conectado como diodo, en el cual la resistencia
equivalente de pequeña señal esta dada por:
Rin ?
Vin
1
?
Ir g m1
(15)
como en débil inversión, la transconductancia de
ID
[5], [6],
nVt
[8], la impedancia de entrada es proporcional a Vt .
nVt
Rin ?
(16)
IB
pequeña señal se aproxima a g m ?
Figura 2. Función Gaussiana usando un Resistor flotante
Una implementación más eficiente, utiliza un
resistor a tierra [9] como se muestra en la figura 3.
En este caso Ir fluye a través del resistor R
generando una pequeña señal de voltaje
proporcional a la corriente de entrada, este voltaje
se convierte a una corriente de salida por M2.
Analizando el circuito, la corriente de salida está
dada por (13) y utilizando (8) se obtiene (14).
Aunque el siguiente circuito cumple con lo
requerido en (14), una desventaja es limitación de
rango lineal.
Figura 4. Resistor activo con un TMOS.
En la figura 5 se muestra un resistor activo mas
elaborado [9], esta topología incrementa el rango
lineal debido a que la señal de entrada se extiende
por los pares diferenciales, reduciendo el voltaje de
desbalance de cada uno. Un análisis de pequeña
señal calcula una resistencia de entrada dada por:
Rin ?
Figura 3. Función Gaussiana con un Resistor a tierra.
4nVt
IB
La ecuación (14) se asocia a una ventana gaussiana
cuyos parámetros son controlados usando fuentes
de corriente. I G e Iu controlan la ganancia de
pico y el valor medio o parámetro de translación.
I? controla la escala o desviación estándar.
3.3 Resistores Activos.
En la implementación de las FGs es necesario
el uso de resistores. En tecnología CMOS, los
resistores presentan una tolerancia alrededor del
30%. Debido al PT, podemos realizar un resistor
Figura 5. Resistor activo linealizado.
(17)
Sustituyendo (17) en (14), se obtiene la corriente
de la FG, la cual es insensible a las variaciones de
temperatura. Si I B es proporcional a la corriente
de control de escala ?? IB ? I? ?? , la corriente de
?
4 ?
salida de la FG puede escribirse como:
I 0 ? IG e
? 2*? Ix ? Iu ? ?
??
?
I?
?
?
PT, se obtiene la ecuación (19). Sustituyendo (19)
en (18), se obtiene una FG en modo corriente
normalizada, representada como:
3
I0 ?
? 2*? Ix ? Iu ? ?
?
I?
?
I1 ? ??
e
I?
2
(20)
2
(18)
El circuito de la figura 5, también puede ser
implementado con TNMOS.
3.4 Circuitos de Normalización de Energía.
Para preservar la energía de la ventana
gaussiana, la corriente de salida debe ajustarse al
variar el factor de escala según la ecuación (1);
entonces I G debe ser proporcional a 1 ? 1 .
I?
S
Un esquema de normalización de energía se
muestra en la figura 6 [7]-[8], de acuerdo al PT, y
considerando que todos los TMOS tienen las
mismas dimensiones, la corriente de salida es:
IG ?
Figura 6. Generador de
IG
I1
I?
Figura 7. Generador de
IG
adecuado para bajo-voltaje.
3
(19)
4. EFECTO DE CUERPO.
Los circuitos presentados en la sección 3 no
presentan efecto de cuerpo, debido a que V BS ? 0
[8],[10]; indicandonos que el layout debe diseñarse
usando una tecnología de doble pozo. En la
realización de la FG, el circuito que presenta
mayor variación debido al efecto de cuerpo, es el
circuito de la figura (1). En la figura 8 se presenta
una modificación del circuito de cuadratura en la
cual el offset generado por el efecto de cuerpo, se
reduce agregando una fuente de corriente
controlada por corriente en la compuerta de M5.
Como la corriente de entrada Iy varía de acuerdo
a (5), también la corriente en M4 varía, reduciendo
así el offset generado en la corriente de salida.
usando transistores en pila.
Aunque este circuito cumple con las condiciones
requeridas, no es adecuado para aplicaciones de
bajo-voltaje, debido a que los voltajes V DS de los
TMOS M1-M3 más el voltaje de la fuente
sobrepasan el voltaje de polarización de 1.5V. Para
un buen funcionamiento el voltaje de polarización
mínimo requerido es de aproximadamente 2.5V.
Un circuito eficiente, generador de I G para bajovoltaje, se muestra en la figura 7 [9]. Aplicando el
Figura 8. Compensación de offset del circuito de
Cuadratura debido al efecto de cuerpo.
El transistor M2 se cambia por un PMOS
cumpliendo el PT, debido a que el NMOS produce
una no-linealidad en la corriente de salida.
La corriente de drenaje de los TMOS que no sufren
el efecto de cuerpo se modela por la ecuación (4), y
las corrientes de los TMOS que presentan el efecto
de cuerpo se modelan por:
? V GS ? VTH
nVt
??
W
ID ?
I DO ABS e?
L
?
??
?
(21)
? n? 1?VBS
donde ABS ? e nVt se asocia al incremento de
la corriente de drenaje debido al efecto de cuerpo,
y tiende a ser 1 cuando V BS ? 0 .
Otro circuito para la compensación de offset se
muestra en la figura 9. Debido al offset en la
corriente de salida, el voltaje en el nodo x varia
conforme Iy toma diferentes valores de acuerdo a
(5), el TMOS MA conectado como diodo estabiliza
el nodo x conforme varia Iy .
5. FUNCION GAUSSIANA.
En esta sección se presenta el diseño completo
del circuito que genera la FG usando una
tecnología de un solo pozo de 0.6um de AMS.
Figura 9. Modificación del circuito de Cuadratura.
5.1 Implementación.
En la figura 10 se muestra el circuito
generador de la FG, y en la tabla 1 se muestran los
rangos de las corrientes de entrada. El circuito
propuesto esta conformado por 3 bloques básicos, a
saber: Circuito de Cuadratura, Resistor Activo y
Circuito generador de FGs. En la figura 11 se
muestra el circuito generador de la FG
normalizada, y en la tabla 2 se muestran los rangos
de las corrientes de control, este circuito lo
conforman cuatro bloques: los bloques asociados a
la generación de la FG, más el Generador de I G .
Figura 10. Circuito propuesto para la realización de la Función Gaussiana.
VDD
Consumo de Potencia
IG
I?
Iy
1.5 V
0.843 ? W
10n -- 60n
40n -- 80n
-80n -- 80n
Tabla1. Condiciones de polarización para el circuito de Función Gaussiana.
Figura 11. Circuito propuesto para la realización de la Función Gaussiana Normalizada.
VDD
Consumo de Potencia
I?
Iy
I1
1.5 V
1.534 ? W
40n -- 160n
-160n -- 160n
40n
Tabla2. Condiciones de polarización para el circuito de Función Gaussiana Normalizada.
5.2 Resultados.
En la figura 12 se muestra la simulación del
circuito de cuadratura de la figura 1, con V BS ? 0 .
En la figura 13 se muestran las simulaciones de las
configuraciones de las figuras 8 y 9. En la figura
13.a se muestra la compensación de offset de la
figura 8. En la figura 13.b se muestra el resultado
de agregar el TMOS MA; aunque la configuración
no reduce completamente el offset, sí lo ubica en
un rango aceptable. Los resultados de simulación
del circuito generador de la FG se presentan en la
figura 14. La variación de la ganancia del pico
controlada por I G se muestra en la figura 14.a,
mientras que la desviación estándar controlada por
I? se muestra en la figura 14.b: puede notarse un
nivel de offset de 2.55nA, así como un efecto nolineal debido al efecto de cuerpo. En la figura 15 se
muestra la simulación de la FG Normalizada, allí
se observa la variación del pico y la desviación
estándar al variar Iy . Finalmente, en la figura 16
se muestra la simulación al realizar la translación
variando Iu. Los rangos de las corrientes de control
están dados en las tablas 1 y 2. Las corrientes Ix e
Iu deben mantenerse en el rango impuesto por Iy .
6. CONCLUSIONES.
Se ha discutido el diseño de un circuito para la
realización de FGs aplicando el PT usando TMOS
polarizados en débil inversión. El diseño propuesto
usa una tecnología de 0.6um de AMS de un solo
pozo. Para la función de cuadratura, se propuso el
diseño de un circuito compensador de offset. Se
enfatizó que éste offset se debe al efecto de cuerpo
de los TMOS. El efecto Early no es relevante.
Como el diseño de los circuitos que generan
FGs usan resistores activos, éstos se diseñaron con
TMOS basados en el PT. Se presentaron circuitos
para normalizar la energía en la implementación de
la FG normalizada. Los dos circuitos resultantes
son completamente programables, cuyas corrientes
de control se listan en las tablas 1 y 2. Finalmente,
se muestran las simulaciones realizadas en Hspice
para corroborar el desarrollo teórico. El efecto nolineal que se observa en las simulaciones, se debe
al efecto de cuerpo, el cual es difícil de minimizar
al usar una tecnología de un solo pozo.
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Figura 12. Circuito de cuadratura.
(a)
(b)
Figura 13. Circuito de cuadratura con efecto de cuerpo.
a) Compensación de offset con una fuente de corriente
controlada que es proporcional a la corriente de
polarización.
b) Circuito de cuadratura con un transistor adicional que
trata de establecer el voltaje en el drenaje de M5.
(a)
Figura 15. Simulación
Normalizada.
de la Función Gaussiana
Figura 16.
translación.
debido
(b)
Figura 14. Simulaciones de la Función Gaussiana.
a)
Control de la ganancia del pico por
b)
Control de desviación estándar por
IG .
I? .
Simulación
al
parámetro
de