Memoria de acceso aleatorio

Memoria de acceso aleatorio
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Memoria de acceso aleatorio
La memoria de acceso aleatorio (en inglés:
random-access memory cuyo acrónimo es
RAM) es la memoria desde donde el
procesador recibe las instrucciones y guarda
los resultados.
Nomenclatura
La frase memoria RAM se utiliza
frecuentemente para referirse a los módulos
de memoria que se usan en los computadores
personales y servidores. En el sentido estricto,
los modulos de memoria contienen un tipo,
entre varios de memoria de acceso aleatorio,
ya que las ROM, memorias Flash, caché
(SRAM), los registros en procesadores y otras
unidades de procesamiento también poseen la
cualidad de presentar retardos de acceso
iguales para cualquier posición. Los módulos
de RAM son la presentación comercial de este
tipo de memoria, que se compone de circuitos
integrados soldados sobre un circuito impreso,
en otros dispositivos como las consolas de
videojuegos, esa misma memoria va soldada
sobre la placa principal.
Módulos de memoria instalados de 256 MB cada uno en un sistema con doble
canal.
Historia
La historia está marcada por la necesidad del
volumen de datos. Originalmente, los datos
eran programados por personas físicas (en el
contexto de personas materiales) con
Integrado de silicio de 64 bits sobre un sector de memoria de núcleo (finales de
movimientos de interruptores. Se puede decir
los 60).
que el movimiento de datos era bit a bit. Las
necesidades apuntaron a una automatización y se crearon lo que se denomina byte de palabra. Desde una consola
remota, se trasladaban los interruptores asignándoles valores de letra, que correspondían a una orden de
programación al microprocesador. Así, si se deseaba programar una orden NOT con dos direcciones distintas de
memoria, solo se tenía que activar el grupo de interruptores asociados a la letra N, a la letra O y a la letra T.
Seguidamente, se programaban las direcciones de memoria sobre las cuales recibirían dicho operador lógico, para
después procesar el resultado. Los interruptores evolucionaron asignándoles una tabla de direccionamiento de 16x16
bytes, en donde se daban 256 valores de byte posibles (la actual tabla ASCII). En dicha tabla, se traducen lo que
antes costaba activar 8 interruptores por letra, a una pulsación por letra (de cara al recurso humano, un ahorro en
tiempos. Una sola pulsación, predisponía 1 byte en RAM... o en otras palabras, cambiaba la posición de 8
interruptores con una sola pulsación). Se usó el formato de máquina de escribir, para representar todo el alfabeto
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latino, necesario para componer palabras en inglés; así como los símbolos aritméticos y lógicos que permitían la
escritura de un programa directamente en memoria RAM a través de una consola o teclado.
En origen, los programadores no veían en tiempo real lo que tecleaban, teniendo que imprimir de cuando en cuando
el programa residente en memoria RAM y haciendo uso del papel a la hora de ir modificando o creando un nuevo
programa. Dado que el papel era lo más accesible, los programas comenzaron a imprimirse en un soporte de celulosa
más resistente, creando lo que se denominó Tarjeta perforada. Así pues, los programas constaban de una o varias
tarjetas perforadas, que se almacenaban en archivadores de papel con las típicas anillas de sujeción. Dichas
perforaciones, eran leídas por un dispositivo de entrada, que no era muy diferente al teclado y que constaba de
pulsadores que eran activados o desactivados, dependiendo de si la tarjeta en la posición de byte, contenía una
perforación o no. Cada vez que se encendía la máquina, requería de la carga del programa que iba a ejecutar.
Dado que los datos en memoria son de 0 o 1, que esas posiciones físicamente representan el estado de un
conmutador, que la estimulación del conmutador evolucionó a pulsos electromagnéticos, el almacenamiento de los
programas era cuestión de tiempo que su almacenamiento pasara del papel a un soporte lógico, tal como las cintas de
almacenamiento. Las cintas eran secuenciales, y la composición de la cinta era de un material magnetoestático;
bastaba una corriente Gauss para cambiar las polaridades del material. Dado que el material magnético puede tener
polaridad norte o sur, era ideal para representar el 0 o el 1. Así, ahora, cargar un programa no era cuestión de estar
atendiendo un lector de tarjetas en el cual se debían de ir metiendo de forma interminable tarjetas perforadas que
apenas podían almacenar apenas unos bytes. Ahora, los dispositivos electromagnéticos secuenciales requerían la
introducción de la cinta y la pulsación de una tecla para que se cargara todo el programa de inicio a fin, de forma
secuencial. Los accesos aleatorios no aparecieron hasta la aparición del disco duro y el Floppy. Con estos medios, un
cabezal lector se deslizaba por la superficie en movimiento, si dicho movimiento tenía como consecuencia la lectura
de un valor N-N (norte-norte) no generaba corriente, tampoco si era S-S (Sur-Sur), por el contrario, si era N-S o S-N
sí creaba una corriente, que era captada por el circuito que mandaba el dato a la memoria RAM.
Toda esta automatización requiso del diseño de un sistema operativo, o de un área de gestión del recurso para su
automatización. Estos sistemas requerían de un área de memoria reservada, en origen de 64 Kb (Capacidades de
representación de texto en monitor monocromo), para irse ampliando a 128 Kb (Monocromo con capacidades
gráficas), 256 (Texto y gráficos a dos colores), 512 (Texto y gráficos a 4 colores) y los tradicionales 640 Kb (Texto y
gráficos a 16 colores). Esa memoria se denominó memoria base.
Es en esta parte del tiempo, en donde se puede hablar de un área de trabajo para la mayor parte del software de un
computador. La RAM continua siendo volátil por lo que posee la capacidad de perder la información una vez que se
agote su fuente de energía.[1] Existe una memoria intermedia entre el procesador y la RAM, llamada caché, pero ésta
sólo es una copia (de acceso rápido) de la memoria principal (típicamente discos duros) almacenada en los módulos
de RAM.[1]
4MB de memoria RAM para un computador VAX de finales de los 70. Los
integrados de memoria DRAM están agrupados arriba a derecha e izquierda.
La denominación “de Acceso aleatorio” surgió
para diferenciarlas de las memoria de acceso
secuencial, debido a que en los comienzos de
la computación, las memorias principales (o
primarias) de las computadoras eran siempre
de tipo RAM y las memorias secundarias (o
masivas) eran de acceso secuencial (cintas o
tarjetas perforadas). Es frecuente pues que se
hable de memoria RAM para hacer referencia
a la memoria principal de una computadora,
pero actualmente la denominación no es
precisa.
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Uno de los primeros tipos de memoria RAM
fue la memoria de núcleo magnético,
desarrollada entre 1949 y 1952 y usada en
muchos computadores hasta el desarrollo de
circuitos integrados a finales de los años 60 y
principios de los 70. Antes que eso, las
computadoras usaban relés y líneas de retardo
de varios tipos construidas con tubos de vacío
para implementar las funciones de memoria
principal con o sin acceso aleatorio.
Módulos de memoria tipo SIPP instalados directamente sobre la placa base.
En 1969 fueron lanzadas una de las primeras
memorias RAM basadas en semiconductores
de silicio por parte de Intel con el integrado 3101 de 64 bits de memoria y para el siguiente año se presentó una
memoria DRAM de 1 Kibibyte, referencia 1103 que se constituyó en un hito, ya que fue la primera en ser
comercializada con éxito, lo que significó el principio del fin para las memorias de núcleo magnético. En
comparación con los integrados de memoria DRAM actuales, la 1103 es primitiva en varios aspectos, pero tenía un
desempeño mayor que la memoria de núcleos.
En 1973 se presentó una innovación que permitió otra miniaturización y se convirtió en estándar para las memorias
DRAM: la multiplexación en tiempo de la direcciones de memoria. MOSTEK lanzó la referencia MK4096 de 4Kb
en un empaque de 16 pines,[2] mientras sus competidores las fabricaban en el empaque DIP de 22 pines. El esquema
de direccionamiento[3] se convirtió en un estándar de facto debido a la gran popularidad que logró esta referencia de
DRAM. Para finales de los 70 los integrados eran usados en la mayoría de computadores nuevos, se soldaban
directamente a las placas base o se instalaban en zócalos, de manera que ocupaban un área extensa de circuito
impreso. Con el tiempo se hizo obvio que la instalación de RAM sobre el impreso principal, impedía la
miniaturización , entonces se idearon los primeros módulos de memoria como el SIPP, aprovechando las ventajas de
la construcción modular. El formato SIMM fue una mejora al anterior, eliminando los pines metálicos y dejando
unas áreas de cobre en uno de los bordes del impreso, muy similares a los de las tarjetas de expansión, de hecho los
módulos SIPP y los primeros SIMM tienen la misma distribución de pines.
A finales de los 80 el aumento en la velocidad de los procesadores y el aumento en el ancho de banda requerido,
dejaron rezagadas a las memorias DRAM con el esquema original MOSTEK, de manera que se realizaron una serie
de mejoras en el direccionamiento como las siguientes:
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• FPM-RAM (Fast Page Mode RAM)
Inspirado en técnicas como el "Burst Mode" usado en
procesadores como el Intel 486,[4] se implantó un modo
direccionamiento en el que el controlador de memoria envía una
sola dirección y recibe a cambio esa y varias consecutivas sin
necesidad de generar todas las direcciones. Esto supone un ahorro
de tiempos ya que ciertas operaciones son repetitivas cuando se
desea acceder a muchas posiciones consecutivas. Funciona como
si deseáramos visitar todas las casas en una calle: después de la
primera vez no seria necesario decir el número de la calle
únicamente seguir la misma. Se fabricaban con tiempos de acceso
de 70 ó 60 ns y fueron muy populares en sistemas basados en el
486 y los primeros Pentium.
• EDO-RAM (Extended Data Output RAM)
Módulos formato SIMM de 30 y 72 pines, los últimos
fueron utilizados con integrados tipo EDO-RAM.
Lanzada en 1995 y con tiempos de accesos de 40 o 30 ns suponía
una mejora sobre su antecesora la FPM. La EDO, también es capaz de enviar direcciones contiguas pero direcciona
la columna que va utilizar mientras que se lee la información de la columna anterior, dando como resultado una
eliminación de estados de espera, manteniendo activo el buffer de salida hasta que comienza el próximo ciclo de
lectura.
• BEDO-RAM (Burst Extended Data Output RAM)
Fue la evolución de la EDO RAM y competidora de la SDRAM, fue presentada en 1997. Era un tipo de memoria
que usaba generadores internos de direcciones y accedía a mas de una posición de memoria en cada ciclo de reloj, de
manera que lograba un desempeño un 50% mejor que la EDO. Nunca salió al mercado, dado que Intel y otros
fabricantes se decidieron por esquemas de memoria sincrónicos que si bien tenían mucho del direccionamiento
MOSTEK, agregan funcionalidades distintas como señales de reloj.
Arquitectura base
En origen, la memoria RAM se componía de hilos de cobre que atravesaban toroides de ferrita, la corriente polariza
la ferrita. Mientras esta queda polarizada, el sistema puede invocar al procesador accesos a partes del proceso que
antes (en un estado de reposo) no es posible acceder. En sus orígenes, la invocación a la RAM, producía la
activación de contactores, ejecutando instrucciones del tipo AND, OR y NOT. La programación de estos elementos,
consistía en la predisposición de los contactores para que, en una línea de tiempo, adquiriesen las posiciones
adecuadas para crear un flujo con un resultado concreto. La ejecución de un programa, provocaba un ruido
estruendoso en la sala en la cual se ejecutaba dicho programa, por ello el área central de proceso estaba separada del
área de control por mamparas insonorizadas.
Con las nuevas tecnologías, las posiciones de la ferrita se ha ido sustituyendo por, válvulas de vacío, transistores y en
las últimas generaciones, por un material sólido dieléctrico. Dicho estado estado sólido dieléctrico tipo DRAM
permite que se pueda tanto leer como escribir información.
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Uso por el sistema
Se utiliza como memoria de trabajo para el sistema operativo, los programas y la mayoría del software. Es allí donde
se cargan todas las instrucciones que ejecutan el procesador y otras unidades de cómputo. Se denominan "de acceso
aleatorio" porque se puede leer o escribir en una posición de memoria con un tiempo de espera igual para cualquier
posición, no siendo necesario seguir un orden para acceder a la información de la manera más rápida posible.
Módulos de memoria RAM
Los módulos de memoria RAM son tarjetas de circuito impreso
que tienen soldados integrados de memoria DRAM por una o
ambas caras. La implementación DRAM se basa en una topología
de Circuito eléctrico que permite alcanzar densidades altas de
memoria por cantidad de transistores, logrando integrados de
decenas o cientos de Megabits. Además de DRAM, los módulos
poseen un integrado que permiten la identificación del mismos
ante el computador por medio del protocolo de comunicación
SPD.
La conexión con los demás componentes se realiza por medio de
un área de pines en uno de los filos del circuito impreso, que
permiten que el modulo al ser instalado en un zócalo apropiado de
Formato SO-DIMM.
la placa base, tenga buen contacto eléctrico con los controladores
de memoria y las fuentes de alimentación. Los primeros módulos comerciales de memoria eran SIPP de formato
propietario, es decir no había un estándar entre distintas marcas. Otros módulos propietarios bastante conocidos
fueron los RIMM, ideados por la empresa RAMBUS.
La necesidad de hacer intercambiable los módulos y de utilizar integrados de distintos fabricantes condujo al
establecimiento de estándares de la industria como los JEDEC.
• Módulos SIMM: Formato usado en computadores antiguos. Tenían un bus de datos de 16 o 32 bits
• Módulos DIMM: Usado en computadores de escritorio. Se caracterizan por tener un bus de datos de 64 bits.
• Módulos SO-DIMM: Usado en computadores portátiles. Formato miniaturizado de DIMM.
Relación con el resto del sistema
Dentro de la jerarquía de memoria la RAM se encuentra en un nivel después de los
registros del procesador y de las cachés. Es una memoria relativamente rápida y de una
capacidad media: sobre el año 2010), era fácil encontrar memorias con velocidades de más
de 1 Ghz, y capacidades de hasta 8 GB por módulo, llegando a verse memorias pasando la
barrera de los 3 Ghz por esa misma fecha mediante overclock. La memoria RAM contenida
en los módulos, se conecta a un controlador de memoria que se encarga de gestionar las
señales entrantes y salientes de los integrados DRAM. Algunas señales son las mismas que
se utilizan para utilizar cualquier memoria: Direcciones de las posiciones, datos
almacenados y señales de control.
El controlador de memoria debe ser diseñado basándose en una tecnología de memoria, por
lo general soporta solo una, pero existen excepciones de sistemas cuyos controladores
soportan dos tecnologías (por ejemplo SDR y DDR o DDR1 y DDR2), esto sucede en las
Diagrama de la
arquitectura de un
ordenador.
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épocas transitorias de una nueva tecnología de RAM. Los controladores de memoria en sistemas como PC y
servidores se encuentran embebidos en el llamado "North Bridge" o "Puente Norte" de la placa base; o en su defecto,
dentro del mismo procesador (en el caso de los procesadores desde AMD Athlon 64 e Intel Core i7) y son los
encargados de manejar la mayoría de información que entra y sale del procesador.
Las señales básicas en el módulo están divididas en dos buses y un conjunto misceláneo de líneas de control y
alimentación. Entre todas forman el bus de memoria:
• Bus de datos: Son las líneas que llevan información entre los integrados y el controlador. Por lo general están
agrupados en octetos siendo de 8,16,32 y 64 bits, cantidad que debe igualar el ancho del bus de datos del
procesador. En el pasado, algunos formatos de modulo, no tenían un ancho de bus igual al del procesador.En ese
caso había que montar módulos en pares o en situaciones extremas, de a 4 módulos, para completar lo que se
denominaba banco de memoria, de otro modo el sistema no funciona. Esa es la principal razón de haber
aumentar el número de pines en los módulos, igualando el ancho de bus de procesadores como el Pentium de 64
bits a principios de los 90.
• Bus de direcciones: Es un bus en el cual se colocan las direcciones de memoria a las que se requiere acceder. No
es igual al bus de direcciones del resto del sistema, ya que está multiplexado de manera que la dirección se envía
en dos etapas.Para ello el controlador realiza temporizaciones y usa las líneas de control. En cada estándar de
módulo se establece un tamaño máximo en bits de este bus, estableciendo un límite teórico de la capacidad
máxima por módulo.
• Señales misceláneas: Entre las que están las de la alimentación (Vdd, Vss) que se encargan de entregar potencia
a los integrados. Están las líneas de comunicación para el integrado de presencia que da información clave acerca
del módulo. También están las líneas de control entre las que se encuentran las llamadas RAS (row address
strobe) y CAS (column address strobe) que controlan el bus de direcciones y las señales de reloj en las memorias
sincrónicas SDRAM.
Entre las características sobresalientes del controlador de memoria, está la capacidad de manejar la tecnología de
canal doble (Dual Channel), tres canales, o incluso cuatro para los procesadores venideros; donde el controlador
maneja bancos de memoria de 128 bits. Aunque el ancho del bus de datos del procesador sigue siendo de 64 bits, el
controlador de memoria puede entregar los datos de manera intercalada, optando por uno u otro canal, reduciendo las
latencias vistas por el procesador. La mejora en el desempeño es variable y depende de la configuración y uso del
equipo. Esta característica ha promovido la modificación de los controladores de memoria, resultando en la aparición
de nuevos chipsets (la serie 865 y 875 de Intel) o de nuevos zócalos de procesador en los AMD (el 939 con canal
doble , reemplazo el 754 de canal sencillo). Los equipos de gama media y alta por lo general se fabrican basados en
chipsets o zócalos que soportan doble canal o superior.
Tecnologías de memoria
La tecnología de memoria actual usa una señal de sincronización para realizar las funciones de lectura-escritura de
manera que siempre esta sincronizada con un reloj del bus de memoria, a diferencia de las antiguas memorias FPM y
EDO que eran asíncronas. Hace más de una década toda la industria se decantó por las tecnologías síncronas, ya que
permiten construir integrados que funcionen a una frecuencia superior a 66 Mhz (A día de hoy, se han superado con
creces los 1600 Mhz).
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SDR SDRAM
Memoria síncrona, con tiempos de acceso
de entre 25 y 10 ns y que se presentan en
módulos DIMM de 168 contactos. Fue
utilizada en los Pentium II y en los Pentium
III , así como en los AMD K6, AMD Athlon
K7 y Duron. Está muy extendida la creencia
de que se llama SDRAM a secas, y que la
denominación SDR SDRAM es para
diferenciarla de la memoria DDR, pero no
Memorias RAM con tecnologías usadas en la actualidad.
es así, simplemente se extendió muy rápido
la denominación incorrecta. El nombre
correcto es SDR SDRAM ya que ambas (tanto la SDR como la DDR) son memorias síncronas dinámicas. Los tipos
disponibles son:
• PC100: SDR SDRAM, funciona a un máx de 100 MHz.
• PC133: SDR SDRAM, funciona a un máx de 133 MHz.
DDR SDRAM
Memoria síncrona, envía los datos dos veces por cada ciclo de reloj. De este modo trabaja al doble de velocidad del
bus del sistema, sin necesidad de aumentar la frecuencia de reloj. Se presenta en módulos DIMM de 184 contactos.
Los tipos disponibles son:
• PC2100 o DDR 266: funciona a un máx de 133 MHz.
• PC2700 o DDR 333: funciona a un máx de 166 MHz.
• PC3200 o DDR 400: funciona a un máx de 200 MHz.
DDR2 SDRAM
Las memorias DDR 2 son una mejora de las memorias DDR (Double
Data Rate), que permiten que los búferes de entrada/salida trabajen al
doble de la frecuencia del núcleo, permitiendo que durante cada ciclo
de reloj se realicen cuatro transferencias. Se presentan en módulos
DIMM de 240 contactos. Los tipos disponibles son:
•
•
•
•
PC2-4200 o DDR2-533: funciona a un máx de 533 MHz.
PC2-5300 o DDR2-667: funciona a un máx de 667 MHz.
PC2-6400 o DDR2-800: funciona a un máx de 800 MHz.
PC2-8600 o DDR2-1066: funciona a un máx de 1066 MHz.
SDRAM DDR2.
Memoria de acceso aleatorio
DDR3 SDRAM
Las memorias DDR 3 son una mejora de las memorias DDR 2, proporcionan significantes mejoras en el rendimiento
en niveles de bajo voltaje, lo que lleva consigo una disminución del gasto global de consumo. Los módulos DIMM
DDR 3 tienen 240 pines, el mismo número que DDR 2; sin embargo, los DIMMs son físicamente incompatibles,
debido a una ubicación diferente de la muesca. Los tipos disponibles son:
• PC3-8600 o DDR3-1066: funciona a un máx de 1066 MHz.
• PC3-10600 o DDR3-1333: funciona a un máx de 1333 MHz.
• PC3-12800 o DDR3-1600: funciona a un máx de 1600 MHz.
RDRAM (Rambus DRAM)
Memoria de gama alta basada en un protocolo propietario creado por la empresa Rambus, lo cual obliga a sus
compradores a pagar regalías en concepto de uso. Esto ha hecho que el mercado se decante por la tecnología DDR,
libre de patentes, excepto algunos servidores de grandes prestaciones (Cray) y la consola PlayStation 3. La RDRAM
se presenta en módulos RIMM de 184 contactos.
Detección y corrección de errores
Existen dos clases de errores en los sistemas de memoria, las fallas (Hard fails) que son daños en el hardware y los
errores (soft errors) provocados por causas fortuitas. Los primeros son relativamente fáciles de detectar (en algunas
condiciones el diagnóstico es equivocado), los segundos al ser resultado de eventos aleatorios, son más difíciles de
hallar. En la actualidad la confiabilidad de las memorias RAM frente a los errores, es suficientemente alta como para
no realizar verificación sobre los datos almacenados, por lo menos para aplicaciones de oficina y caseras. En los usos
más críticos, se aplican técnicas de corrección y detección de errores basadas en diferentes estrategias:
• La técnica del bit de paridad consiste en guardar un bit adicional por cada byte de datos, y en la lectura se
comprueba si el número de unos es par (paridad par) o impar (paridad impar), detectándose así el error.
• Una técnica mejor es la que usa ECC, que permite detectar errores de 1 a 4 bits y corregir errores que afecten a un
sólo bit esta técnica se usa sólo en sistemas que requieren alta fiabilidad.
Por lo general los sistemas con cualquier tipo de protección contra errores tiene un costo más alto, y sufren de
pequeñas penalizaciones en desempeño, con respecto a los sistemas sin protección. Para tener un sistema con ECC o
paridad, el chipset y las memorias debe tener soportar esas tecnologías. La mayoría de placas base no poseen dicho
soporte.
Para los fallos de memoria se pueden utilizar herramientas de software especializadas que realizan pruebas integrales
sobre los módulos de memoria RAM. Entre estos programas uno de los más conocidos es la aplicación Memtest86+
que detecta fallos de memoria.
Memoria RAM registrada
Es un tipo de módulo usado frecuentemente en servidores y equipos especiales. Poseen circuitos integrados que se
encargan de repetir las señales de control y direcciones. Las señales de reloj son reconstruidas con ayuda del PLL
que está ubicado en el módulo mismo. Las señales de datos pasan directamente del bus de memoria a los CI de
memoria DRAM.
Estas características permiten conectar múltiples módulos de memoria (más de 4) de alta capacidad sin que haya
perturbaciones en las señales del controlador de memoria, haciendo posible sistemas con gran cantidad de memoria
principal (8 a 16 GiB). Con memorias no registradas, no es posible, debido a los problemas surgen de sobrecarga
eléctrica a las señales enviadas por el controlador, fenómeno que no sucede con las registradas por estar de algún
modo aisladas.
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Memoria de acceso aleatorio
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Entre las desventajas de estos módulos están el hecho de que se agrega un ciclo de retardo para cada solicitud de
acceso a una posición no consecutiva y por supuesto el precio, que suele ser mucho más alto que el de las memorias
de PC. Este tipo de módulos es incompatible con los controladores de memoria que no soportan el modo registrado,
a pesar de que se pueden instalar físicamente en el zócalo. Se pueden reconocer visualmente porque tienen un
integrado mediano, cerca del centro geométrico del circuito impreso, además de que estos módulos suelen ser algo
más altos.[5]
Véase también
•
•
•
Circuito
integrado
Circuito
impreso
JEDEC
•
•
•
DRAM
SRAM
Acceso
aleatorio
•
•
•
Memoria principal
Memoria ROM
FB-DIMM Nuevo formato de
memoria
•
•
•
SPD Serial Presence Detect
FRAM Memoria Ram
Ferromagnetica
VRAM Memoria Ram de Video
•
•
•
Dual Channel
Memoria
(informática)
Memoria volátil
Enlaces externos
•
Wikimedia Commons alberga contenido multimedia sobre Memoria RAM.Commons
• Explícame: ¿Para qué sirve la memoria RAM? [6]
• Tomshardware: Tutorial sobre RAM de 1998 [7] (en inglés)
Referencias
[1] [ |Mueller, Scott (http:/ / www. informit. com/ authors/ bio. aspx?a=96F57ED8-2FAA-4E08-BD72-5DCACD2B103A)] (2005). Upgrading
and Reparing PC (http:/ / books. google. com/ books?id=E1p2FDL7P5QC& dq=Scott+ mueller& printsec=frontcover& source=bl&
ots=M1niG634hB& sig=oYl9HC5uOjVNkZfcgFAd33xu2rw& hl=en& sa=X& oi=book_result& resnum=25& ct=result) (13 edición). QUE. .
[2] « Mostek Firsts (http:/ / www. mindspring. com/ ~mary. hall/ mosteklives/ history/ 10Ann/ firsts. html)».
[3] « Datasheet & Application Note Database, PDF, Circuits, Datasheets (http:/ / www. datasheetarchive. com/ pdf-datasheets/ DataBooks/
Book273-277. html)».
[4] « The HP Vectra 486 memory controller (http:/ / findarticles. com/ p/ articles/ mi_m0HPJ/ is_/ ai_11405923)».
[5] http:/ / download. micron. com/ pdf/ datasheets/ modules/ ddr2/ HTJ_S36C512_1Gx72. pdf
[6] http:/ / www. explicame. org/ content/ view/ 50/ 1/
[7] http:/ / www. tomshardware. com/ reviews/ ram-guide,89-14. html
Fuentes y contribuyentes del artículo
Fuentes y contribuyentes del artículo
Memoria de acceso aleatorio Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?oldid=40008091 Contribuyentes: .José, 2009yac, Aadrover, Airunp, Alakasam, Alhen, Alitagm, Alvaro qc, Amadohc,
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