Contenido

Gigacom de México S.A. de C.V.
Curso de Entrenamiento.
Contenido
PRESENTACION
1
OBJETIVO
2
INTRODUCCION
3
DEFINICION DE MEMORIA
Diferencia entre memoria y almacenamiento
5
Tipos de RAM
5
CLASIFICACION DE MEMORIA RAM
Tecnologías
Apariencia física
5
Fabricantes
5
Formatos de memoria RAM
5
SIMM
DIMM
7
DDR
7
RIMM
7
TARJETAS PCMCIA
7
Instalación de memoria
Verificación de datos
Memorias del mañana
Guía general para actualizar memoria
5
CONCLUSION
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GLOSARIO
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Presentación
En el momento que una empresa ingresa en un mercado para ofrecer sus
productos y servicios, esta entrando a un proceso de competencia con otras
empresas que también ofrecen sus productos y servicios y con las que va a
entablar una permanente lucha por cada cliente, por cada sector del mercado y
por cada punto de utilidad.
Para Gigacom de México S.A. de C.V., el resultado de esta competencia,
favorable o no, lo determina el nivel táctico, por ello, la búsqueda de la táctica
consiste en indagar acerca de un ángulo, un hecho, un concepto, o una
característica de nuestra empresa o de nuestro producto que nos sirva para
identificarnos y que nos diferencie ventajosamente de los demás (empresas o
productos).
Gigacom de México S.A. de C.V. define en este manual dos de sus tácticas: la
especialización en el conocimiento de sus productos y la implementación de una
cultura de servicio en la prestación de los mismos.
Ambas tácticas exigen una vez mas a nuestra empresa una valoración del recurso
humano, en reciprocidad, sobre ellos recae el compromiso de adoptar una
actitud constante sobre las tácticas, induciéndolas a que estas se deriven en una
estrategia de empresa. Una táctica se convierte en estrategia cuando adquiere la
característica de ser permanente.
Obvio es entonces, que la capacitación y la actualización sean las vías para el
logro de nuestros propósitos y es el objetivo del presente manual, los términos y
modismos nuevos que ameriten una definición breve muy probablemente se
encuentren en el glosario de este manual, para una mejor compresión.
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Objetivo
Crear un instrumento pedagógico de apoyo en la capacitación de personal en
nuestra empresa, a cualquier nivel de conocimiento, estatus o desempeño,
incorporándolo con ello a las estrategias previamente establecidas por Gigacom
de México S.A. de C.V.
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Introducción
Hoy en día no importa cuanta memoria tenga tu computadora, nunca parece
tener lo suficiente. Hace poco tiempo, no se pensaba que una computadora
tuviera más de 1 o 2 MB de memoria, hoy en día, se necesitan por lo menos 256
MB para que una computadora trabaje adecuadamente con los sistemas
operativos actuales.
Para algunas personas, la ecuación de memoria es muy simple: cuanta más
memoria, mejor. Sin embargo, para quienes desean saber un poco más, la
siguiente guía de referencia proporciona una visión general de lo que es memoria
y como funciona.
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Definición de memoria.
En un sistema de computo podremos hallar dos tipos de memoria en general:
memoria ROM y memoria RAM.
Memoria ROM
La memoria ROM es sólo para lectura, y contiene rutinas preestablecidas tales
como la inicialización del sistema. Un ejemplo de ello es la BIOS1, la cual
contiene las rutinas necesarias para revisar el estado del sistema al encenderlo y
cargar el Sistema Operativo.
Memoria RAM
La memoria RAM es de lectura y escritura y es el motivo de estudio en el
presente manual, en consecuencia, con el término memoria haremos referencia
desde ahora a Random Access Memory (Memoria de Acceso Aleatorio) o RAM.
La RAM es la memoria que utiliza la Unidad Central de Proceso (CPU) o
procesador de un ordenador para almacenar la información que utiliza más
frecuentemente.
El procesador cuando requiere de un dato primeramente recurre a la memoria
caché L1, si no está lo busca en la caché L2, y si no está lo busca en la RAM. La
estructura lógica de la memoria es el de una matriz2 de celdas, como una hoja
cuadriculada, donde se almacena la información. Se dice que es de acceso
aleatorio por que podemos acceder a una celda determinada sin necesidad de
leer toda una fila de celdas, para acceder a una celda determinada se utiliza el
numero de fila y de columna, De ésta manera, el procesador puede acceder
rápidamente a las instrucciones y a los datos almacenados en la memoria.
Unidades de Medida
La unidad básica de memoria es el bit, un bit puede tener 2 valores, es decir,
pueden ser 0 o 1, o estar prendido o apagado como si fuera un interruptor. Para
poder representar un carácter o símbolo como una letra o número es necesario
agrupar 8 bits, este agrupamiento recibe el nombre de byte. Por tanto, se tienen
las siguientes relaciones, haciendo la aclaración que son valores aproximados
para facilitar la nomenclatura:
1 byte = 8 bits
1 KB = 1,000 bytes
1 MB = 1,000 KB = 1,000,000 bytes
1 GB = 1,000 MB = 1,000,000 KB = 1,000,000,000 bytes
Diferencia entre memoria y almacenamiento
Muchas veces se confunden los términos memoria y almacenamiento,
especialmente cuando se trata de la cantidad que tiene cada uno. El término de
memoria se refiere a la cantidad de RAM instalada en la computadora, mientras
que almacenamiento hace referencia a la capacidad del disco duro.
1
BIOS (Basic Input Output System).
Una matriz se entiende como una agrupación de elementos de manera tal que conforman filas y
columnas, así que cada elemento puede ser referenciado de acuerdo a un número de fila y columna
particular.
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Para aclarar esta confusión, podemos comparar a la computadora con una oficina
que tiene una mesa de trabajo y varios archiveros. Los archiveros representan el
disco duro de la computadora, el cual proporciona el almacenamiento masivo. La
mesa de trabajo representa la memoria, la cual ofrece un acceso rápido y fácil a
los archivos con los que se esta trabajando en un momento dado.
Tipos de Ram
A continuación se enlistan los tipos de Ram actualmente conocidos:
SRAM (Static RAM)
La SRAM es más cara, requiere cuatro veces el espacio que un equivalente DRAM
(Dynamic RAM), pero mantiene su contenido sin necesidad de refrescamiento
eléctrico. Esto hace que el acceso sea más rápido, pasando de 60ns de una DRAM
a 25ns. Actualmente, los tiempos de acceso se han reducido. Normalmente se
usan en las cachés L1 y L2 de los procesadores.
BSRAM (Burst o SynchBurst SRAM)
Memoria SRAM que está sincronizada con el reloj del sistema o del reloj del
sistema de caché; lo que facilita la sincronización con cualquier dispositivo y
disminuye el tiempo de espera en el acceso. Se utilizó en la memoria caché L2
externa del chipset para Pentium II.
DRAM (Dynamic RAM)
Este tipo de memoria RAM es la más económica, y utiliza un capacitor que
requiere un refrescamiento eléctrico frecuente para retener su carga, dado que
al momento de haber una lectura el chip descarga su contenido, debe haber un
refrescamiento después de cada operación. El refrescamiento se da cada 15
microsegundos.
FPM DRAM (Fast Page Mode DRAM)
Apareció en 1987 y es uno de los primeros tipos de DRAM, accesa toda una fila de
direcciones de forma simultánea, esto reduce el tiempo de acceso (50ns) y
consumo de energía.
EDRAM (Enhanced DRAM)
Tecnología que combina SRAM y DRAM en un sólo paquete, normalmente usada
para cachés L2, la lectura a la SRAM es de 15ns, y si no encuentra el dato ahí,
busca en la DRAM con tiempo de acceso de 35ns.
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EDO RAM (Extended Data Output RAM)
Apareció en 1995, y es un 25% más rápida (50ns) que los chips DRAM estándar, y
reduce la necesidad de cachés L2. Tipo de RAM utilizado con sistemas Pentium,
originalmente optimizada para trabajar con el Pentium de 66MHz. Existe una
variante conocida como BEDO RAM (Burst EDO RAM), la cual tiene la capacidad de
enviar los datos de una dirección de memoria mientras comienza a accesar la
siguiente dirección. Esto le permite hacer envíos de datos por cada ciclo de
reloj. Ambas funcionan con buses que corran hasta 66MHz.
NVRAM (Non-Volatile RAM)
Tecnología RAM especial, la cual no pierde los datos al apagar el sistema o al
haber una falla de corriente. De forma similar a la ROM, utiliza una batería
interna para mantener sus datos, se utiliza para almacenar datos en dispositivos
tales como números en teléfonos, configuraciones en módems, etc.
SDRAM (Synchronous DRAM)
Nombre genérico dado a varios tipos de RAM que se sincronizan con el reloj del
procesador, lo cual aumenta el número de instrucciones que puede operar el
procesador. La SDRAM se mide en MHz en lugar de ns, lo que facilita la
comparación entre la velocidad del bus de datos y el chip. Se puede convertir la
velocidad de MHz a ns, dividiendo la velocidad del chip entre mil millones de ns.
Ej.: Un chip de 83MHz es de 12ns.
JEDEC SDRAM (Joint Electron Device Engineering Council SDRAM)
Estándar de la industria para SDRAM, el cual salió en 1997 y tiene una
arquitectura de doble banco y varios modos de acceso en ráfaga que pueden ser
ajustados, funcionan a 83, 100 y 133MHz, también se le conoce como PC66
SDRAM, para distinguirlo de la arquitectura estándar PC100 y PC133 DRAM.
PC100 SDRAM
Especificación creada por Intel en 1998, para usarse con el chipset i440BX de
100MHz. Presenta una mejora del 10 al 15% en sistemas que usan o utilizaron
Socket 7.
PC133 SDRAM
PC-133 es una nueva especificación de memoria basada en las anteriores PC-66 y
PC-100, estándar JEDEC, promovida fundamentalmente por IBM.
DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM)
Tecnología creada en el 2000, la cual puede mejorar el acceso de la SDRAM hasta
llegar a 266MHz. Utiliza el flanco de subida y bajada del reloj, multiplicando por
dos las operaciones.
ESDRAM (Enhanced SDRAM)
Creado por Enhanced Memory Systems, incluye una pequeña SRAM en el chip,
compite con DDR SDRAM en sistemas que usan Socket 7.
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DRDRAM (Direct Rambus DRAM)
Tecnología creada por Rambus Inc. e Intel en 1999, la cual puede obtener
velocidades hasta de 800MHz. Este tipo de RAM es el primer modelo propuesto
para Pentium 4.
SLDRAM (SyncLink DRAM)
Al igual que la Rambus DRAM, está basada en un protocolo donde todas las
señales dirigidas a la RAM están en una misma línea. Dado que el tiempo de
acceso no depende de la sincronización de múltiples líneas, puede obtener
velocidades hasta de 800MHz y duplicar las operaciones por cada ciclo de reloj.
FRAM (Ferroelectric RAM)
Tipo de RAM que combina el funcionamiento de la DRAM con la capacidad de
mantener su contenido al apagarse el sistema. Su capacidad es muy inferior a las
tecnologías DRAM existentes, por lo que no se espera que las reemplace, sin
embargo se espera que tengan mucha aplicación en dispositivos móviles como
PDAs, celulares, etc. Es más rápida que la memoria Flash, y se espera que
reemplace a la EEPROM (Programmable ROM).
Memoria FLASH
Memoria en estado sólido, no volátil y rescribible, la cual funciona como una
combinación de RAM y almacenamiento secundario, es de alta velocidad, y por
no perder los datos al apagar el dispositivo, es ideal para usarse con cámaras
digitales, celulares, PDAs, etc.
PC CARD y CREDIT CARD MEMORY
Antes de la salida de los SO-DIMM, los fabricantes de portátiles desarrollaron
soluciones propietarias, una de ellas fue utilizar dispositivos llamados PC CARD o
PCMCIA, semejantes a tarjetas de crédito a ser insertadas en ranuras especiales,
debido a la lentitud de la comunicación del procesador con estos dispositivos,
aún no existe un estándar para RAM en PCMCIA.
VRAM (Video RAM)
Memoria de video genérica, la cual es dos veces más rápida que la DRAM
estándar.
RAMDAC (RAM Digital-to-Analog Converter)
Microchip que convierte la imagen digital en una señal analógica requerida por el
monitor. incluye una pequeña SRAM con la paleta de colores y tres convertidores
Digital-a-Analógico, uno para cada color básico: Rojo, verde y azul.
SGRAM (Synchronous Graphics RAM)
Memoria de video de bajo costo sincronizada por reloj. Puede escribir usando
máscaras de bits o bloques completos. La Matrox Mistique usa esta RAM.
WRAM (Window RAM)
Memoria de video de alto rendimiento, la cual utiliza dos puertos y a un menor
costo. Sus características aceleran operaciones de representación de texto y
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llenado de áreas. Es para imágenes de alta resolución (1600x1200) a 32 bits de
color. La Matrox Millenium utiliza WRAM, y el nombre no está relacionado con
Microsoft Windows.
MDRAM (Multibank Dynamic RAM)
Memoria RAM para video, desarrollada por MoSys, la cual divide la memoria en
bancos de 32 KB, los cuales pueden ser accesados individualmente. La memoria
RAM tradicional es monolítica, donde todo el buffer es accesado de una sola vez.
En cambio, la MDRAM permite el acceso de forma entrelazado, aumentando el
desempeño general.
RDRAM Rambus Dynamic RAM
Memoria de video rediseñada por Rambus Inc., la cual contiene un bus
propietario que acelera la transferencia entre la RAM de video y el buffer.
Existen dos variantes: Base Rambus y Concurrent Rambus. Está optimizada para
el streaming de video. Esta tecnología es utilizada por algunas consolas de juego
de Nintendo.
Clasificación de memoria RAM:
Para la memoria existen múltiples clasificaciones, por ejemplo:
Según medio de soporte:
•
•
Volátil. Se pierde la información al desconectar la alimentación.
No volátil. Información permanente.
Según el refresco de datos:
•
•
Estáticas. Utilizan Flip-Flop
Dinámicas. Necesitan refrescar la información.
Según el modo de acceso:
•
•
Por dirección. Se da una dirección y se obtiene el dato.
Por contenido. Dado el dato se proporciona la dirección.
Según la tecnología y prestaciones:
•
•
•
RAM Dinámica (DRAM): Se necesita gran capacidad de almacenamiento →
Memoria principal (SDRAM).
RAM Estática (SRAM): Se necesita tiempo de acceso rápido → Memoria Caché.
ROM: Contenido importante que no se pierda ni al apagar el computador →
BIOS (Flash)
La diferencia estriba, aparte de las características intrínsecas, en la
velocidad de acceso, siendo RAM mucho más rápida que ROM.
En este manual utilizaremos la clasificación de acuerdo a la característica del
refresco de datos, luego entonces, existen dos clasificaciones principales de
RAM: RAM estática (SRAM) y RAM dinámica (DRAM). De a cual, es trascendental
comenzar a distinguir que el producto que comercializa Gigacom de México S.A.
de C.V. se concentra en la clasificación de RAM Dinámica, y de ella hablaremos a
continuación:
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DRAM (Dynamic RAM)
El DRAM es el tipo más común de memoria para computadora, se le conoce como
RAM dinámica debido a que requiere ser re-energizada o ¨refrescada¨ millones
de veces para retener la información.
Debido a que la SRAM es significativamente cara, se utiliza la memoria DRAM que
es más barata y más pequeña, pero también es más lenta, como ya se mencionó,
debido que hay que refrescarla periódicamente para que no pierda la
información, esta memoria es la más antigua, y es asíncrona. La SDRAM, que es la
utilizada hoy día, es síncrona y por tanto más rápida que la DRAM. Se dice que es
síncrona porque trabaja sincronizadamente con el procesador, es decir, el
procesador sabe exactamente cuando va a tener su petición lista para poder
recogerla y cuando puede hacer otra petición sin tener que esperar a que la
memoria esté libre. Esto evita que el procesador esté pendiente de la memoria y
desperdicie ciclos de reloj. El estándar de la memoria SDRAM es el llamado
JEDEC de diciembre de 1996.
Los chips de DRAM se presentan en tres formas principales:
1.
DIP. (Dual In-line Package).
2.
SOJ. (Small Outline with J-leads).
3.
TSOP (Thin Small Outline Package).
4.
sTSOP (Shrink Thin Small Outline Package).
El DRAM tipo DIP fue sumamente popular cuando la memoria se instalaba
directamente en la placa base. Los DRAM tipo SOJ y TSOP son componentes que
actualmente se soldan directamente en la superficie de la PCB3, tal como se
muestra:
3
Placa de Circuito Impreso por sus siglas en Ingles.
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Una mirada de cerca
Increíble pero cierto: la memoria comienza como arena común de playa. La
arena contiene silicio, que es el componente primario en la fabricación de
semiconductores o "chips". El silicio se extrae de la arena, se derrite, se corta, se
planta y se pule en wafers de silicio. Durante el procesamiento de fabricación de
chips, los patrones intricados de circuitos se imprimen en los circuitos mediante
una variedad de técnicas. Una vez que se completa esto, los chips se prueban y
se cortan. Los chips buenos se separan y se procede a una etapa llamada
"enlace": este proceso establece las conexiones entre el chip y las guías de oro o
de estaño, o las pines. Una vez que se enlazan los chips, estos se empacan en
gabinetes de plástico o cerámica sellados herméticamente. Después de la
inspección, estos están listos para su venta.
La memoria viene en una variedad de tamaños y de formas. En general, tiene la
apariencia de una placa plana color verde con pequeños cubos negros en ella.
Obviamente, hay mucho más en la memoria que eso. La ilustración siguiente
muestra un módulo típico de memoria y describiremos algunas de sus
características más importantes.
Fabricación del módulo de la memoria
Aquí es donde los fabricantes incorporan los chips de memoria a la tableta para
conformar un módulo de memoria. Hay tres componentes importantes: los chips
de memoria, la PCB, además de otros elementos "a bordo" tales como resistores y
condensadores. Para el diseño de las PCB los ingenieros utilizan software CAD
(Diseño Asistido por Computadora), ya que un mejor diseño de las redunda
significativamente no solo en el costo de la producción sino también en el
desempeño del modulo, esta es la razón por lo que la apariencia física de un
modulo que desempeña el mismo trabajo lógicamente varia de un fabricante a
otro. La construcción de una tableta de alta calidad requiere la consideración
cuidadosa de la colocación y de la longitud del trazo de cada línea de señal. El
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proceso básico de la fabricación de la PCB es muy similar al de los chips de
memoria.
Cómo trabaja la memoria con el procesador
Nos referimos al procesador a menudo como el cerebro de la computadora, sin
embargo, también hay otros dispositivos y elementos de relevante trascendencia
en un ordenador, tales como:
Chipset
Contiene generalmente varios "controladores" que gobiernan la manera en que la
información viajara entre el procesador y otros componentes del sistema.
Algunos sistemas tienen más de un chipset.
Controlador de memoria
Es un componente importante en cualquier computadora, pues su función
principal es la de supervisar la transferencia de datos desde y hacia la memoria.
El controlador de memoria determina que tipo de verificación de datos se va a
llevar a cabo.
El controlador de memoria es parte del chipset, y este controlador establece el
flujo de información entre la memoria y la CPU.
Bancos de memoria y esquemas de bancos
Generalmente, la memoria en una computadora está diseñada y dispuesta en
bancos de memoria. Un banco de memoria es un grupo de sockets o módulos que
forman una unidad lógica. Por lo tanto, los sockets de memoria que están
dispuestos fisicamente en filas pueden ser parte de un banco o pueden dividirse
en diferentes bancos. La mayoría de los sistemas computacionales tienen dos o
más bancos de memoria, generalmente se llama banco A, banco B, y así
sucesivamente. Y cada sistema tiene reglas o convenciones de la forma en que se
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deben llenar los bancos de memoria. Por ejemplo, algunos sistemas
computacionales requieren que todos los sockets en un banco se llenen con el
mismo módulo de capacidad. Algunas computadoras requieren que el primer
banco aloje los módulos de capacidad más altos. Si no se siguen las reglas de
configuración, la computadora no encenderá y no reconocerá toda la memoria en
el sistema.
Con frecuencia puede encontrar las reglas de configuración de memoria
específicas para su sistema de computadora en el manual del sistema de la
computadora. También puede utilizar lo que se llama el configurador de
memoria. La mayoría de los fabricantes de memoria de terceras partes ofrecen
configuradores de memoria gratis disponibles en forma impresa o que se accesan
en forma electrónica a través de la Web. Los configuradores de memoria le
permiten buscar la computadora y encontrar los números de partes y las reglas
de configuración de memoria especiales que aplican a su sistema.
Bus de datos
Un bus de datos es una trayectoria en una computadora, que consiste de una
conexión por medio de varios alambres paralelos con los cuales el procesador, la
memoria, y todos los dispositivos de entrada-salida están conectados. El diseño
del bus, o de la arquitectura del bus, determina cuánto y que tan rápidamente
podrán moverse los datos a través de la placa base. Hay diversas clases de buses
en un sistema, dependiendo de las velocidades que se requieran para esos
componentes en particular.
Bus de memoria
El bus de memoria trabaja desde el controlador de la memoria a los zócalos de la
memoria del computador. Los sistemas más nuevos tienen una arquitectura de
bus de memoria en la cual el bus frontal (FSB) funciona del procesador a la
memoria central y un bus de la parte posterior (BSB) que funcione del
controlador de la memoria a la caché L2.
Velocidad de memoria
Cuando la CPU necesita la información de la memoria, envía una petición que es
manejada por el controlador de la memoria, este, envía la petición a la memoria
y le informa al procesador cuando la información estará disponible para poderla
leer. Este ciclo entero – del procesador al controlador, luego a la memoria y de
nuevo al procesador - puede variar según la longitud y velocidad de la memoria
así como otros factores, tales como velocidad del bus.
La velocidad de la memoria se mide a veces en megaciclos (Mhz), o en los
términos del tiempo de acceso - el tiempo real requerido para entregar datos medidos en nanosegundos (ns). Si la velocidad de la memoria está medida en
megaciclos o nanosegundos, puede indicar que tan rápidamente el módulo puede
responder a una petición una vez que la petición se reciba.
Tiempo de acceso (Ns)
El tiempo de acceso mide el tiempo en nanosegundos desde cuando el módulo de
la memoria recibe una petición de datos hasta cuando esos datos llegan a estar
disponibles. Los chips y los módulos de memoria están marcados con los tiempos
de acceso. Mientras las medidas de tiempo de acceso sean más bajos indicaran
velocidades más rápidas.
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En este ejemplo de la imagen anterior, el controlador de la memoria solicita datos de
la memoria y la memoria reacciona a la solicitud en 70ns. El CPU recibe los datos en
aproximadamente 125ns. Así, el tiempo total desde que el CPU hace la primera
solicitud de información hasta que la recibe puede ser de hasta 195ns cuando se
utiliza un módulo de memoria de 70ns. Esto es debido a que toma tiempo para que el
controlador de memoria administre el flujo de información y la información necesita
viajar del módulo de memoria al CPU en el bus.
Velocidad (Mhz)
Comenzando con el desarrollo de la tecnología SDRAM, la velocidad del módulo de
memoria se ha medido en megahertz (MHz). Las marcas de velocidad en los chips de
memoria normalmente se encuentran en nano segundos. Esto puede ser confuso,
especialmente debido a que las marcaciones de nano segundos ya no miden el tiempo
de acceso, si no que ahora miden el número de nano segundos entre los ciclos de
reloj. Para los chips SDRAM con velocidades de 66MHz, 100MHZ y 133MHz, por
ejemplo, la marca correspondiente en los chips es de -15, -10, y -7.5,
respectivamente.
Esta tabla muestra el método para determinar las equivalencias de la velocidad entre
las clasificaciones MHz y ns.
PASO 1
PASO 2
MHz = 1 millón Multiplique por 1
de ciclos de reloj millón para obtener el
total de ciclos de reloj
por segundo
por segundo.
PASO 3
Constante: 1 mil
millones de nano
segundos por
segundo.
PASO 4
Divida los nano segundos por
segundos (del paso 3) entre los
ciclos de reloj por segundo (del
paso 2) para obtener los nano
segundos por ciclo de reloj.
66
66,000,000
1,000,000,000
15
100
100,000,000
1,000,000,000
10
133
133,000,000
1,000,000,000
7.5
Nanosegundosporsegundo 1,000,000,000ns nanosegundos
=
=
Cicloderelojporsegundo
Ciclosdereloj
ciclosdereloj
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La velocidad del procesador y la velocidad del bus de la memoria no son iguales
normalmente. La velocidad de la memoria es limitada por la velocidad del bus,
por lo que el proceso de acoplamiento es más lento.
Bytes por segundo
La conversión de Mhz a bytes por segundo puede ser confusa al principio. Los dos
aspectos más importantes que se necesitan para entender la conversión son: la
velocidad (en Mhz) y la anchura de bus (en bits).
Anchura Del bus
Si tenemos un bus de 8-bits, entonces 1 byte de información a la vez pueden
viajar en el bus. Si tenemos un bus 64-bits, entonces 8 bytes de información
podrán viajar a la vez.
Velocidad Del bus
Si la velocidad del bus de la memoria es 100MHz, significa que su velocidad es de
100 millones de ciclos de reloj por segundo. Típicamente, un paquete de
información puede viajar en cada ciclo de reloj. Si el bus de 100MHz tiene 1 byte
de anchura, entonces los datos pueden viajar a 100 Mbytes por segundo. Los
datos viajan a 100MHz, a través de un bus de 64-bits en 800 megabytes por
segundo.
Los módulos de Rambus se miden a veces en Mhz y otras veces en Mbytes por
segundo. Un tipo de módulo de Rambus funciona con un bus de 400MHz, debido a
que pueden enviar dos trozos de información por ciclo de reloj en vez de uno, el
módulo es clasificado como de 800MHz. Por ello se le hace referencia a veces
como PC-800. Debido a que la anchura del bus de Rambus es de 16-bits, o 2
bytes, los datos viajan a 1600MB por segundo, o 1.6GB por segundo. Usando la
misma lógica, el PC-600 Rambus transfiere datos a 1.2 gigabytes por segundo.
El sistema de reloj
Un reloj de sistema informático reside en la placa base. Este envía una señal al
resto de los componentes de la computadora de manera armónica, como un
metrónomo. Este ritmo se dibuja típicamente como una onda cuadrada, como
esto:
En realidad, la señal real del reloj, cuando es vista con un osciloscopio, se ve más
como esto:
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Cada onda en esta señal mide un ciclo de reloj. Si un reloj del sistema funciona a
100MHz, significa que son 100 millones de ciclos de reloj en un segundo. Cada
acción en la computadora es medido por estos ciclos de reloj, y cada acción toma
cierto número de los ciclos de reloj para realizarse. Al procesar una petición de
la memoria, por ejemplo, el controlador de la memoria puede reportar al
procesador que los datos solicitados llegarán en seis ciclos de reloj.
Es posible que el procesador y los otros dispositivos funcionen más rápido o más
lento que el reloj del sistema. Los componentes de diversas velocidades
requieren simplemente un factor de multiplicación o de división para
sincronizarse. Por ejemplo, cuando un reloj del sistema 100MHz interactúa con
un CPU de 400MHz, cada dispositivo entiende que cada ciclo de reloj del sistema
es igual a cuatro ciclos de reloj en la CPU; y utilizan un factor de cuatro para
sincronizar sus acciones.
Mucha gente asume que la velocidad del procesador es la velocidad de la
computadora, pero es verdad a medias, ya que en la mayoría de las veces, el bus
del sistema y de otros componentes funcionan en diversas velocidades.
Índices de Restauración (Refresh)
Refresh es un término del lenguaje inglés y significa refrescar, sin embargo,
muchas veces este término es utilizado de manera coloquial como muchos otros
en el medio informático, indistintamente de esto, con el término refresh nos
referimos al proceso de recargar, restaurar, o de reenergizar internamente las
"celdas de memoria" de un chip.
La organización entera de filas y de columnas se llama arreglo de DRAMs. Ahora
sabemos que la DRAM se llama RAM "dinámica" porque debe ser reenergizada
millones de veces cada segundo para conservar los datos recopilados íntegros ya
que es en estos minúsculos condensadores donde se almacenan las cargas
eléctricas que dan forma a la información.
Estos condensadores funcionan como baterías muy minúsculas que pierden
paulatinamente sus cargas almacenadas si no se reenergizan. Las celdas se
restauran una fila a la vez. El termino rango de refresh no se refiere al tiempo
que toma para restaurar la memoria, sino al número total de las filas que toma
para restaurar la matriz de DRAMs entera. Por ejemplo, un índice de restauración
de 2K indica que toma 2.048 filas para restaurar la matriz; de la misma manera,
un rango de 4K indica 4.096 filas.
Normalmente, el controlador de la memoria de sistema es el que inicia la
operación de la restauración. Pero algunos chips son "autorefresh”. Esto significa
que el chip de la DRAM hace que ellos mismos refresquen el circuito y no
requieren de la intervención de la CPU o del controlador externo de la memoria.
Los módulos “autorefresh” reducen dramáticamente el consumo de energía y se
utilizan a menudo en computadoras portátiles.
CAS Latencia
El término CAS latencia se refiere al número de los ciclos de reloj que se deberá
esperar antes de que una columna pueda ser direccionada al chip DRAM. La
latencia es una medida de retrazo, así que un factor de latencia "CL2" indica un
retardo de dos ciclos de reloj, y un factor de latencia "CL3" indica un retrazo de
reloj de tres ciclos.
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Esparcidores y disipadores de calor del calor
Mientras los componentes de memoria son más rápidos, los chips llegan a ser más
densos y cada vez más circuitos son soldados a tabletas más pequeñas, con ello,
la disipación en el exceso del calor se convierte cada vez más de una necesidad.
Por varios años los procesadores han incorporado los ventiladores. Actualmente
algunos nuevos diseño de módulos de memoria utilizan los disipadores o
esparcidores de calor para mantener temperaturas de funcionamiento seguras.
S P D & PP D
Cuando un sistema informático se inicializa, entre otras cosas, debe "detectar" la
configuración de los módulos de la memoria para funcionar correctamente. El
Detector de Presencia Paralela (PPD, Parallel Presence Detect) es el método
tradicional de retransmitir la información requerida usando un número de
resistores. El método PPD es de cierto uso en SIMMs y algunos DIMMs para
identificarse. El detector de presencia serial (SPD, Serial Presence Detect) utiliza
un EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) para
almacenar la información a cerca del módulo.
Número de líneas de reloj (2-clock vs 4-clock)
La memoria de SDRAM requiere que las líneas de reloj funcionen desde el reloj
del sistema al módulo de memoria. "2-clock" significa que son dos líneas del reloj
que funcionan hacia el módulo, y "4-clock" significa que son cuatro líneas del
reloj que funcionan hacia el módulo. Los primeros diseños de Intel eran “2-clock”
porque había solamente ocho chips en el módulo. Más adelante, los diseños “4clock” fueron desarrollados, permitiendo pocos chips por línea del reloj,
permitiendo de tal modo disminuir la carga en cada línea y permitiendo
interconectar datos más rápidos.
Voltajes
Los voltajes tienden a disminuir como consecuencia de que los módulos de
memoria deben emitir menos calor, menos consumo de energía, entre otras
cosas. La mayoría de los sistemas informáticos funcionaban en un estándar de 5
voltios. Las computadoras portátiles fueron las primeras en utilizar los chips de
3.3 volts. Esto era no solamente por razones de emisión de calor sino también
debido a que los chips de una tensión más baja utilizan menos energía y al
utilizarlas hicieron más fácil prolongar vida de la batería. Ahora la mayoría de los
equipos de escritorio se han estandarizado en memorias 3.3 volts, pero
actualmente también estas están siendo substituidas rápidamente por chips de
2.5 volts.
Compuestos vs no-compuestos
Los términos compuesto y no-compuesto fueron utilizados por Apple para
explicar la diferencia entre los módulos de la misma capacidad de memoria pero
que utilizaban diversas cantidades de chips. Para ilustrarlo, veremos que se
pueden construir un módulo de la misma capacidad con 4 chips o con 8 chips.
Apple se refirió al módulo de menor numero de chips como “no-compuesto” y al
de mayor numero de chips como “compuesto”. Apple aconseja a menudo a sus
clientes utilizar módulos “no-compuestos”, ya que un modulo con mayor numero
de chips puede causar problemas de calor y de espacio.
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Curso de Entrenamiento.
Tecnologías
Para entender de la memoria sus tecnologías, sus evoluciones y las diferencias es
necesario tener conocimiento previo de lo que son las formas de acceso a la
memoria.
Modos de acceso Burst y Timing.
Parte del problema al realizar el acceso a la información almacenada en la
memoria no esta en la propia transferencia del dato en si, sino en decirle a la
memoria que y como hay que realizar la transferencia.
La solución adoptada es la de leer en cuatro bloques de forma consecutiva
evitando así la necesidad de suministrar las direcciones para el segundo, tercero
y cuarto accesos.
El timing de los sistemas que emplean el Modo Burts queda determinado de la
siguiente forma: “x-y-y-y”.
X(Leadoff) – Representa el numero de ciclos que se necesiten para
realizar la primera lectura (5-1-1-1).
Procedimiento de acceso a la Memoria.
1. La dirección para la localización de la memoria a ser leída se coloca en el bus
de direcciones.
2. El controlador decodifica la dirección y determina que chips deben ser
accedidos.
3. Se envía la dirección de la fila.
4. Después de permitir un tiempo para que se estabilice la señal de fila el
controlador pone a cero la señal row address strobe (RAS) quedando toda la
fila seleccionada.
5. Se envía la dirección de la columna.
6. Después de lograr estabilidad se pone a cero la señal Column address strobe
(CAS).
7. Se selecciona la columna y se puede tener el acceso al dato que es situado
en el buffer de salida donde es accesible para el procesador.
Al fin podemos observar gráficamente como la memoria está dividida en filas y
columnas, ahora bien, ¿cómo accedemos a una celda determinada?. Primero se
18
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carga en el buffer de fila el numero de fila requerido, cuando llega la señal RAS y
después de estabilizarse, se activa la fila, en ese momento cargamos en el buffer
de columna la columna que queremos para que cuando llegue la señal CAS se
active la columna y se active igualmente el buffer de salida, cuando la señal CAS
se estabiliza, la celda se copia en el buffer de salida, ahora podremos
comprender mejor sus tecnologías, sus evoluciones y las diferencias.
Page Mode
La memoria antigua tenia un modo de acceso PM que significa Page Mode, en
este modo se mantiene la señal RAS activa y solamente hay que seleccionar la
columna, siempre y cuando coincida el número de fila.
Fast Page Mode
Luego vino la FPM, Las siglas FPM se refieren a FAST PAGE MODE (Modo de
Paginación Rápida), que se diferencia de la anterior en que asume que la
siguiente petición de memoria que se va a realizar es la columna inmediatamente
siguiente manteniendo la fila anterior. Si el dato requerido está localizado en el
mismo renglón que el dato anterior, entonces el controlador de memoria no
tiene que repetir la localización del renglón, sólo se requiere la localización de la
columna. Esto hace que el proceso sea un poco más rápido. Timings 6-3-3-3 o 53-3-3, 120ns a 70ns, 33Mhz de bus, 5v, no sincronizada con la CPU y la
información está disponible después de 3 ciclos de reloj. Este tipo de DRAM
realiza un acceso más rápido a datos en el mismo “renglón” o página.
Extended Data Output
Las siglas EDO se refieren a Extended Data Output (Salida de Datos Extendida), es
una mejora de la FPM, en este modo no se desactivan los buffers de salida, con
lo cual se ahorra el tiempo de activación, mejorando los tiempos de proceso
entre un 10 y un 15%. Un sistema de cómputo debe estar diseñado para soportar
memoria EDO, para poder utilizar esta función. Si se instala memoria EDO en un
sistema que no la requiere, el sistema la reconoce, pero no toma ventajas de su
función. Timings 5-2-2-2, 80ns a 45ns, 66Mhz de bus, 3.3v, no sincronizada.
Extended Data Output
BEDO, Burst Extended Data Out, este acceso a memoria maneja bloques de
datos. Timings 4-1-1-1, 60ns a45ns, 66mhz de bus, no sincronizado. Este modo no
se ha llegado a utilizar debido a la aparición de la SDRAM y que no soportaba las
nuevas frecuencias de 100Mhz.
Synchronous DRAM
Después de todo ello llegó la SDRAM, que es memoria síncrona. Los modos
anteriormente vistos son modos de operación asíncrona. La SDRAM
(Synchronous DRAM) o memoria síncrona es la primer tecnología de DRAM
diseñada para sincronizarse por sí sola con el reloj del CPU. La SDRAM se basan
en un núcleo de DRAM convencional y trabaja de igual manera, solo que incorpora
algunas funciones innovadoras:
Operación Sincronía
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A diferencia de los DRAM asíncronos, la SDRAM tiene una señal de entrada de
reloj, de manera que el reloj del sistema que controla la operación paso a paso,
también puede controlar la operación de la SDRAM. Esto significa que el
controlador de memoria conoce el ciclo de reloj exacto en el que la solicitud de
datos deberá estar lista. Asi, el procesador se libera de tener que esperar cierto
tiempo entre los accesos a la memoria.
Bancos de celdas
Las celdas de memoria dentro del chip SDRAM se divide en dos bancos
independientes, puesto que ambos bancos se pueden activar simultáneamente,
se puede producir un flujo constante de datos alternando los bancos. Este
método, se denomina ¨interleaving¨, acorta el ciclo total de memoria, que se
traduce en razones de transferencia más rápidas.
Modo Ráfaga
El modo ráfaga (bursting) es una técnica de transferencia de datos que genera
automáticamente un bloque de información (una serie de direcciones
consecutivas) cada vez que el procesador solicita una sola dirección. Esta hace
suponer que la siguiente dirección de datos que solicite el procesador, será
secuencial a la dirección previa, lo que en la mayoría de las veces es corto. El
bursting, se puede aplicar tanto a operaciones de lectura como a operaciones de
escritura.En pocas palabras, la memoria Síncrona (SDRAM) es mucho más rápida
que la memoria Asíncrona (DRAM).
Fabricantes.
Existen varios fabricantes de DRAM, los cuales, rotulan los chips. Dentro de los
datos que se encuentran en el DRAM tenemos:
•
•
•
•
Nombre del Fabricante.
Matrícula del chip.
Lote de fabricación.
Velocidad del DRAM.
Entre los principales fabricantes podemos destacar:
20
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Curso de Entrenamiento.
Es de notarse que para cualquier fabricante de los mostrados anteriormente los
datos que aparecen en cada chip DRAM tienen un significado bien definido. Si por
algún motivo se nos presenta un módulo que no tiene ninguna etiqueta que nos
indica su capacidad de almacenamiento, entonces para poderla determinar
debemos referirnos a la matrícula del chip.
Calculo de la capacidad de un modulo.
La memoria mantiene la información que el CPU necesita procesar. La capacidad
de los chips y los modulos de memoria se describe en megabits (millones de bits)
y megabytes (millones de Bytes). Cuando se trata de averiguar cuanta memoria
se tiene en un modulo hay dos cosas importantes que se deben recordar:
Un modelo consiste en un grupo de chips. Si se agregan las capacidades de todos
los chips en el modulo, puede obtener una capacidad total del modulo. Las
exepciones de esta regla son:
•
Si alguna parte de la capacidad se esta utilizando para otra función, tal
como una verificación de herrores.
•
Si alguna parte de la capacidad no se esta utilizando, por ejemplo, algunos
chips pueden tener filas extras que se utilizan como respaldos (esto no es
común).
Mientras la capacidad de los chips generalmente se expresa en megabits, la
capacidad del modulo se expresa en megabytes. Esto puede ser confuso,
especialmente debido a que mucha gente utiliza sin saber la palabra bit cuando
quieren decir byte y viceversa. Para ayudar a aclarar esto, adoptaremos las
siguientes normas en este manual:
Cuando hablemos de la cantidad de memoria de un modulo, utilizaremos el
termino “capacidad del modulo”; cuando nos estemos refiriendo a los chips,
utilizaremos el termino “densidad del chip”. La capacidad del modulo se medira
en megabytes (MB) con ambas letras de la abreviatura escritas en mayusculas y la
capacidad de los chips se medira en Megabits (Mbit) y escribiremos la palabra
“bit” en letras minusculas.
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Curso de Entrenamiento.
Densidad de los Chips.
Cada chip de memoria es una matriz de pequeñas celdas. Cada celda mantiene
un bit de información. Los chips de memoria se describen por la cantidad de
información que pueden mantener. A esto le llamamos densidad del chip.
Cada fabricante tiene sus códigos, lo único que permanece constante es el valor
de bits que se puede almacenar en cada chip. Un ejemplo de los valores que se
pueden tener son:
1M X 4
1M X 16
2M X 8
4M X 4
8M X 8
4M X 16
16M X 4
16M X 1
1M X 1
256K X 4
4M X 1
La notación anterior tiene el siguiente significado: El primer número indica la
profundidad del chip (en ubicaciones) y el segundo numero indica el ancho del
chip (en bits). Si se multiplica la profundidad por el ancho, se obtendra la densidad
del chip.
Capacidad del modulo
Es facil calcular la capacidad de un modulo de memoria si se saben las
capacidades de los chips que hay en este. Si hay 8 chips de 64Mbits, es un
modulo de 512Mbits. Sin embargo, debido a que la capacidad de un modulo se
describe en megabytes, y no en megabits, se deben convertir los bits en bytes.
Para hacer esto, se divide el numero de bits entre 8. En el caso del modulo de
512Mbit:
512 Mbits
= 64 MB
8bitsporByte
Tal vez haya escuchado que los modulos de memoria estandar en la industria se
describen como “4M x 32” (es decir, “4meg por 32”), o “16M x 64” (“16Meg por
64”). En estos casos, calcule la capacidad del modulo exactamente como si fuera
un chip.
Formatos de Memoria
La forma mas facil de categorizar la memoria es por el formato, el cual, describe
su tamaño y configuración de pines. Generalmente, dichos diseños son resultado
de los periodos de transición en la industria cuando no se tiene claro que
formatos tenderan a predominar en el mercado.
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Curso de Entrenamiento.
Básicamente tenemos los siguientes formatos de memoria:
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
12.
13.
SIMM (Single In-line Memory Module).
DIMM (Dual In-line Memory Module).
SODIMM (Small Outline Dual In-line Memory Module).
DDR
SODDR
RIMM
SORIMM
DDRII
SODDRII
DDR3
SODDR3
Tarjetas PCMCIA.
Módulos Propietarios.
SIMM (Single In-Line Memory Module)
Simm de 30 pines
Es un módulo de memoria formado por DRAMs, soldados en una PCB con 30
terminales (pines). En el SIMM, los pines no son independientes entre sus caras,
de ahí el nombre de Módulo de Memoria de una Sola Línea (Single In-line Memory
Module). Los SIMMs de 30 pines soportan transferencia de datos de 8 bits (1
byte).
Hagamos de cuenta que tenemos los siguientes módulos:
Como se ve cada módulo tiene 9 chips, supongamos que son de 8 chips para
comenzar. Si cada chip tiene una capacidad de 1MX1, para obtener la capacidad
total basta sumar la capacidad de cada chip, teniendo lo siguiente:
1MX1
1MX1
1MX1
1MX1
1MX1
1MX1
1MX1
1MX1
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Curso de Entrenamiento.
_________
1MX8
puesto que para representar un carácter se requiere 1 byte, es decir 8 bits, se
divide la cantidad de bits total del módulo entre 8 (8/8) lo que resulta en 1,
multiplicado por 1M, se tiene lo siguiente:
1MB, 30pin, 8chips, sin paridad.
Por el momento no pongamos mucha atención en el término paridad.
Ahora tomemos en cuenta el módulo da la figura con sus 9 chips, realizando la
misma operación tenemos como total 1Mx9, para este caso tenemos 1 bit más,
denominado bit de paridad, el cual se encarga de realizar una verificación que
detecta si la información en el módulo es correcta o no. Por lo tanto, cuando se
trata de módulos que tienen verificación de errores, se toma como base 9 bits,
en consecuencia 9/9 = 1 multiplicado por 1M se tiene:
1MB, 30 pin, 9 chips, paridad real.
De lo anterior deducimos que los números base para determinar la capacidad y el
tipo de módulo que se tenga son 8 (para módulos sin paridad) y 9 (para módulos
con paridad).
Consideremos ahora que los DRAM de los módulos anteriores no son de 1MX1, sino
de 4MX1, entonces tenemos:
4MX1
4MX1
4MX1
4MX1
4MX1
4MX1
4MX1
4MX1
_________
4MX8
Dividiendo 8/8 = 1 por 4M se tiene:
4MB, 30pin, 8chips, sin paridad.
Y para el caso de paridad más un chip de 4MX1, tenemos 4Mx9, dividiendo 9/9 =
1 por 4M se tiene:
4MB, 30pin, 9chips, paridad real.
Si ahora, para el módulo mostrado, consideramos que se tienen solamente 2
chips, descartando el chip de la derecha, tomando ahora chips de 1MX4 tenemos:
1MX4
1MX4
________
24
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Curso de Entrenamiento.
1MX8
Es decir:
1MB, 30pin, 8chips, sin paridad.
Como se ve el resultado es igual al del primer caso, la diferencia es el número de
chips, de aquí nos podemos apoyar para explicar el concepto de módulos
compuestos y no compuestos. Como ya sabemos, estos términos se refieren a la
cantidad de chips que tiene el módulo, recordemos que un módulo no compuesto
se refiere a un módulo que utiliza pocos DRAMs, lo que ocasiona que éstos DRAMs
sean de mayor densidad, mientras que un módulo compuesto tiene un mayor
número de chips, estos términos se emplean cuando se utilizan DRAMs de 16 bits.
Regresando al último ejemplo y sustituyendo los DRAMs de 1MX4 por DRAMs de
4MX4 se tendrá:
4MX4
4MX4
________
4MX8
o:
4MB, 30pin, 2chips sin paridad
Para los módulos con paridad se tiene:
Considerando chips de 1MX4, tendríamos 1 módulo de 1MB, 2 chips, sin paridad
más un chip de 1MX1 (para la paridad), dando como resultado:
1MX4
1MX4
1MX1
_________
1MX9
1MB, 30pin, 3chips con paridad real.
O en el caso de 4MB, se tendrán 2 chips de 4MX4 y 1 de 4MX1:
4MX4
4MX4
4MX1
________
4MX9
4MB, 30pin, 3chips con paridad real.
Comercialmente se encuentran módulos de 30 pin con capacidades de: 1MB y
4MB con velocidades de 60ns, 70ns y 80ns, aunque algunos sistemas pueden
llegar a requerir módulos de 2MB, 8MB y 16MB.
En resumen, un módulo de 30 pin con 2 u 8 chips es sin paridad, mientras que un
módulo con 3 o 9 chips es con paridad.
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Curso de Entrenamiento.
Simm de 72 pines
Es un módulo de memoria formado por DRAMs, soldados en una PCB con 72
terminales (pines). Un SIMM de 72 pines soporta transferencias de datos de 32
bits de datos, es decir, sustituye 4 SIMMs de 30 pin.
Consideremos ahora que en el módulo anterior se tienen DRAMs de 1MX4,
entonces la capacidad total será:
1MX4
1MX4
1MX4
1MX4
1MX4
1MX4
1MX4
1MX4
_________
1MX32
puesto que para representar un carácter se requiere 1 byte, es decir 8 bits, se
divide la cantidad de bits total del módulo entre 8 (32/8) lo que resulta en 4,
multiplicado por 1M, se tiene:
4MB, 72pin, 8chips, sin paridad.
Para formar un módulo con paridad debemos tomar en cuenta que por cada 8
bits necesito 1 bit más de paridad, por tanto me faltan 4 bits para lograrlo,
entonces:
1MX4
1MX4
1MX4
1MX4
1MX4
1MX4
1MX4
1MX4
_________
1MX32
mas
1MX1
1MX1
1MX1
1MX1
________
1MX36
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Curso de Entrenamiento.
El módulo será:
y su capacidad será: 36 entre 9 (por ser de paridad) igual a 4 por 1M será:
4MB, 72pin, 12chips, paridad real.
Como es de notarse los módulos sin paridad son de 32 bits, mientras que los de
paridad son de 36 bits.
Se pueden realizar sustituciones de DRAMs utilizando chips de mayor densidad,
para disminuir el número de chips (módulos compuestos y no compuestos).
De lo anterior, en la primera sustitución se están utilizando chips de 1MX16, por
tanto para alcanzar los 32 bits del módulo basta con poner 2 chips:
1MX16
1MX16
__________
1MX32
es decir,
4MB, 72pin, 2chips, sin paridad.
Para el módulo de paridad se tienen algunas opciones. Considerando que para
alcanzar los 36 bits que requiere el módulo y tomando como base el módulo sin
paridad, notamos que faltan 4 bits. La primera opción es considerando el módulo
de 8 chips sin paridad y agregando 1 chip de 1MX4, dando como resultado:
1MX32
1MX4
_________
1MX36
4MB, 72pin, 9chips, paridad real.
La segunda opción es tomando como base el módulo de 2 chips y considerar 1
chip de 1MX4, lo que nos daría:
4MB, 72pin, 3chips, paridad real.
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Gigacom de México S.A. de C.V.
Curso de Entrenamiento.
La tercera opción es tomar como base el módulo de 2 chips y considerar 4 chips
de 1MX1, lo que resultaría en:
4MB, 72pin, 6chips, paridad real.
De las configuraciones anteriores podemos decir que si cambiamos la densidad de
los chips o si utilizamos la segunda cara de la PCB, se pueden obtener módulos
de memoria de mayor capacidad, por ejemplo, para crear el módulo de 8MB,
basta considerar todas las opciones del SIMM de 4MB, pero utilizando ambas caras
del board:
1MX32 cara 1
1MX32 cara 2
_________________
2MX32
32 entre 8 = 4, por 2M = 8MB, 72pin, n chips, sin paridad.
Para el caso de paridad real:
1MX36 cara 1
1MX36 cara 2
_________________
2MX36
36 entre 9 = 4, por 2M = 8MB, 72pin, n chips, paridad real.
Para los módulos de 16MB se utilizan algunas configuraciones del módulo de
4MB, utilizando ahora DRAMs de 4MX4 o 2MX8. Para el primer caso, tenemos
Consideremos ahora que en el módulo anterior se tienen DRAMs de 4MX4,
entonces la capacidad total será:
4MX4
4MX4
4MX4
4MX4
4MX4
4MX4
4MX4
4MX4
_________
4MX32
de lo anterior: 32 entre 8 = 4, por 4M = 16MB, 72pin, 8chips, sin paridad.
Para el segundo caso, utilizando chips de 2MX8, tenemos:
28
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Curso de Entrenamiento.
2MX8
2MX8
2MX8
2MX8
2MX8
2MX8
2MX8
2MX8
_________
2MX64
de lo anterior: 64 entre 8 = 8, por 2M = 16MB, 72pin, 8chips, sin paridad.
Comercialmente se encuentran módulos de 72 pin con capacidades de: 1MB,
4MB, 8MB, 16MB, 32MB y 64MB con velocidades de 50ns, 60ns, 70ns y 80ns,
Existen varios tipos de SIMM con 72 pin, entre los cuales destacan:
•
•
•
•
•
•
SIMM con paridad FPM.
SIMM sin paridad FPM.
SIMM con paridad EDO.
SIMM sin paridad EDO.
SIMM ECC.
Etc
Las siglas ECC se refieren a Error Correction Code (Código de Corrección de
Error), que se emplea como técnica de validación de la información en la
memoria y se explica mas exhaustivamente en un apartado mas en seguida.
Paridad
Cuando se utilizan SIMMs con paridad se debe tomar en cuenta que éstos trabajan
con un bit más por cada 8 bits de datos, el noveno bit es el denominado bit de
paridad. Se tienen básicamente dos formas de paridad, paridad impar y paridad
par, ambas funcionan de manera similar, pero cuentan con una limitante
importante, el chip encargado de verificar la paridad puede detectar un error,
pero no lo puede corregir, esto se debe a que el chip no puede determinar cual
de los 8 bits de datos es el que está erróneo.
Paridad Lógica o Emulada
Algunos fabricantes de memoria utilizan un chip de paridad “artificial”, que
aparenta realizar la función de verificación, pero en realidad no la efectúa,
simplemente manda el bit de paridad que necesita el controlador para evaluar la
información como correcta, obviamente este chip es más barato, y en ocasiones
funciona correctamente en equipos que no requieren de la paridad.
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Curso de Entrenamiento.
DIMM (Dual In-Line Memory Module)
Dimm de 168 pines
Es un módulo de memoria formado por DRAMs, soldados en una PCB con 84
terminales (pines) por cara. A diferencia del SIMM, el DIMM (Dual In-line Memory
Module) tiene los contactos de una cara aislados de los contactos de la otra cara.
Un DIMM de 168 pin soporta transferencias de datos de 64 bits y puede sustituir a
2 SIMMs. Dado que los DIMM se usan para SDRAM (ver más adelante), como cada
DIMM contiene dos SIMMs, es posible instalarlos uno por uno.
Como se observa, el DIMM tiene 2 ranuras las cuales se encargan de proporcionar
las características del módulo. La ranura de la izquierda nos indica el tipo de
módulo:
DIMM Sin buffer.
DIMM Con buffer.
El término buffer se refiere a un circuito integrado cuya función es la de
controlar las señales de memoria en el mismo módulo, En aplicaciones sin buffer,
los buffers se incorporan en el diseño del controlador de memoria, normalmente
se localiza en la placa base. La ranura en el centro nos indica el voltaje que
utiliza el módulo:
5 Volts.
3 Volts
Para ensamblar un DIMM, se utilizan los mismos DRAM que en los SIMM. La única
diferencia notable es que un DIMM sin verificación de errores tiene una
transferencia de 64 bits (múltiplo de 8), mientras que un DIMM con verificación
de errores tiene una transferencia de 72 bits (múltiplo de 9). Por ejemplo,
considerando el módulo de la figura, si tomamos chips de 2MX8 tenemos:
2MX8
2MX8
2MX8
2MX8
2MX8
2MX8
2MX8
2MX8
__________
30
Gigacom de México S.A. de C.V.
Curso de Entrenamiento.
2MX64
De lo cual, 64 entre 8 = 8, por 2M = 16MB, 168PIN, 5V, CON BUFFER.
Si en el caso anterior quisiéramos que el DIMM tuviera verificación de errores,
debemos tomar en cuenta que por cada 8 bits, necesitamos 1 bit adicional para
tal efecto, por tanto faltan 8 bits, colocando un chip más de 2MX8 tenemos:
2MX8
2MX8
2MX8
2MX8
2MX8
2MX8
2MX8
2MX8
__________
2MX64
mas
2MX8
__________
2MX72
con una capacidad de: 72 entre 9 = 8 por 2M =
16MB, 168PIN, 5V, CON BUFFER, ECC.
Existen varios tipos de DIMM, entre los que destacan tenemos:
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
DIMM FPM, sin buffer, 5V.
DIMM FPM, con buffer, 5V.
DIMM EDO, sin buffer, 3V.
DIMM EDO, con buffer, 3V.
DIMM EDO, con buffer, 5V.
DIMM EDO, ECC, con buffer, 3V.
DIMM EDO, ECC, sin buffer, 3V.
DIMM Síncrono PC-66.
DIMM Síncrono ECC PC-66.
DIMM Síncrono PC-100.
DIMM Síncrono ECC PC-100.
DIMM Síncrono PC-133.
DIMM Síncrono ECC PC-133.
Etc.
De la lista anterior, se nota un detalle en cuanto al uso de la palabra buffer,
dentro de los DIMM EDO y FPM tenemos los términos sin buffer/con buffer,
mientras que para los SDRAM (DIMM Síncrono) se manejan los términos sin
buffer/registrado.
ECC (Error Correction Code)
El sistema de Código de Corrección de Errores, se utiliza principalmente en
servidores y PCs avanzadas. La diferencia principal entre la paridad y el ECC es
que el segundo es capaz de corregir errores, mientras que el primero los detecta,
pero no los corrige. Existe una tecnología relativamente nueva denominada EOS,
la cual tiene la misma función que ECC, pero fue desarrollada para equipos IBM.
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Gigacom de México S.A. de C.V.
Curso de Entrenamiento.
Para que funcione, la placa debe soportarlo y debe de estar activada la opción en
la BIOS. Con esta memoria tendremos un rendimiento algo inferior que con una
memoria sin ECC debido a las operaciones de control que hay que realizar, mas o
menos un 3% de penalización.
Si la memoria tiene ECC, el número de chips será impar, y el módulo del medio
será el del ECC, según las especificaciones de Intel.
La antigua memoria con paridad funciona del siguiente modo: por cada 8 bits de
información hay un bit adicional de paridad, este bit de paridad tiene el valor 0 o
1 dependiendo de la información contenida en los 8 bits y si es paridad par o
impar. Se cuenta el número de unos que hay en los 8 bits de datos, si el número
de unos es impar y la paridad es par, el bit de paridad valdrá 1, así el número de
unos en los 9 bits, (8 datos + 1 paridad), es un número par. Si la paridad fuese
impar el bit de paridad valdría 0, normalmente se utiliza la paridad par.
Una vez almacenado este bit de paridad cuando se lee la información de la
memoria, los 9 bits, se comprueba que el número de unos es par, en el caso de
paridad par, si no fuese así hay un error. Como podemos darnos cuenta, si hay 2
errores el sistema de paridad no se da cuenta. Y este sistema no corrige ningún
error.
La memoria ECC, detecta hasta 4 errores, cosa muy improbable que ocurra, y si
ha habido un sólo error es capaz de corregirlo, esta corrección la realiza
mediante un algoritmo matemático y es transparente (imperceptible) para el
usuario.
Buffer vs. Sin Buffer
Muchos de los requerimientos relacionados con el diseño de la memoria
dependen directamente del diseño de la tarjeta base del sistema. Este es
también el caso de los DIMMs con o sin Buffer. Un buffer solamente es un
controlador. Algunas placas base incluyen controladores para las señales de
control de Memoria, mientras que otras prefieren que el controlador de señales
de memoria los contenga el propio modulo. Un modulo con buffer contiene los
controladores en él, mientras que uno sin buffer no los trae consigo. Un sistema
que requiere módulos con buffer no funciona con módulos sin buffer y viceversa.
SO-DIMM (Single In-Line Memory Module)
So- Dimm de 72 pines
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Este tipo de SODIMM se utiliza en equipos portátiles (notebooks) con
transferencia de datos de 32 bits. Existen algunas clases:
•
•
•
•
•
SODIMM EDO, 5V.
SODIMM EDO, 3V.
SODIMM FPM, 5V.
SODIMM FPM, 3v.
Etc.
Para diferenciar entre los dos voltajes se hace referencia a la altura que existe
en la esquina inferior izquierda, viendo el SODIMM desde el frente:
So- Dimm de 144 pines
Este tipo de SODIMM también se utiliza en equipos portátiles (notebooks), la
diferencia es que su transferencia de datos es de 64 bits. Existen algunas clases:
•
•
•
•
•
•
SODIMM EDO, 5V.
SODIMM EDO, 3V.
SODIMM FPM, 5V.
SODIMM FPM, 3v.
SODIMM SDRAM.
Etc
Para diferenciar entre los dos voltajes se hace referencia a la abertura situada
casi en el centro:
5 Volts.
3 Volts
33
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Curso de Entrenamiento.
La constitución del los SODIMM se lleva a cabo utilizando los mismos
procedimientos empleados anteriormente.
DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM)
DDR de 184 pines
Es un módulo de memoria formado por DDR SDRAMs, soldados en una PCB con 184
terminales (pines). Al igual que el DIMM, el DDR tiene los contactos de una cara
aislados de los contactos de la otra cara. Los DDR de 184 pines soportan
transferencia de datos de 64 bits (8 bytes).
La tecnología de memoria DDR SDRAM se ha derivado de las tecnologías PC100 y
PC133. Esta nueva tecnología de memoria permite una nueva generación de alto
rendimiento en los sistemas de computo, así como en los nuevos productos de
comunicación tal como los ruteadores y los switches.
Como se observa, para que no exista confusión posible a la hora de instalarlos,
los DDR tienen una ranura en lugar de las dos que encontramos en los DIMM
clásicos.
Existen varios tipos de DDR, entre los que destacan tenemos:
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
DIMM DDR Síncrono PC-200.
DIMM DDR Síncrono PC-266.
DIMM DDR Síncrono ECC PC-266.
DIMM DDR Síncrono PC-333.
DIMM DDR Síncrono ECC PC-333.
DIMM DDR Síncrono ECC Registered PC-333.
DIMM DDR Síncrono PC-400.
DIMM DDR Síncrono ECC PC-400.
DIMM DDR Síncrono ECC Registered PC-400.
Etc.
SO-DDR de 200 pines
Este tipo de SO-DDR es un módulo de memoria formado por DDR SDRAMs,
soldados en una PCB con 200 terminales (pines), se utiliza en equipos portátiles
(notebooks), su transferencia de datos es de 64 bits (8 bytes). Existen algunas
clases:
•
•
•
SODDR DDR SDRAM , 2.5V PC266.
SODDR DDR SDRAM , 2.5V PC333.
SODDR DDR SDRAM , 2.5V PC400.
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•
Curso de Entrenamiento.
Etc
La constitución de los SODDR se lleva a cabo utilizando los mismos
procedimientos empleados anteriormente.
Funcionamiento de la DDR-SDRAM
Lo único que explicaremos por ahora es el concepto DDR, es decir, Doble Data
Rate. Resulta simple: consiste en enviar los datos 2 veces por cada señal de
reloj, o sea, una vez en cada extremo de la señal (el ascendente y el
descendente), en lugar de enviar datos sólo en la parte ascendente de la señal
como sucede en el DIMM. Por ello, las velocidades de reloj de los dispositivos DDR
se suelen dar en lo que podríamos llamar "MHz efectivos o equivalentes" (en
nuestro ejemplo, 200 MHz = 100 MHz x 2).
Se puede pensar que es más fácil incrementar los MHz en lugar de los extremos
de la señal del reloj para obtener un mejor rendimiento, bien, intelectualmente
es lo más sencillo, pero sucede que cuanto más rápido vaya un dispositivo (en
MHz "físicos"), más difícil es de fabricar. Precisamente éste es uno de los
problemas de la memoria Rambus: funciona a 266 MHz "físicos" o más, y resulta
muy difícil (y cara) de fabricar. Mas adelante explicaremos esto mejor.
DDR200 y DDR266
Los DIMMs DDR utilizarán inicialmente velocidades del bus de la memoria de 100
y 133MHz. Puesto que la tecnología DDR puede realizar dos operaciones de datos
por ciclo de reloj, el rendimiento de procesamiento de datos de un DIMM DDR es
el doble que el de un DIMM SDRAM. Por ejemplo, un DIMM DDR de 200MHz
utilizará el bus de memoria de 100MHz y un DIMM DDR de 266MHz utiliza hasta un
bus de memoria de 133MHz.
Los chips de memoria serán referenciadas por su velocidad nativa, es decir, los
chips de memoria DDR SDRAM de 200Mhz se denotaran chips DDR200, y los chips
de memoria DDR SDRAM de 266Mhz se denotaran DDR266. Los módulos de DDR
DIMM son referenciados por su anchura de banda máxima, que es la cantidad
máxima de datos que se puedan introducir por segundo. Así, los DIMM DDR de
200Mhz se llaman DIMM PC1600, los DIMM DDR de 266Mhz se llaman DIMM
PC2100. Si un DDR RDRAM se retarda 2 ciclos de reloj, hablaremos de CAS 2, si se
retarda 2.5, hablaremos de CAS 2.5. También podemos imaginar que la mezcla
de módulos con 'CAS' diferentes no siempre produce buenos resultados.
Ilustramos esto con un módulo DIMM DDR de 266Mhz: Cada módulo tiene 64 bits,
u 8 bytes (cada octeto = 8 bits). Para obtener la cantidad de transferencia,
multiplicaremos la anchura del módulo de DIMM (8 bytes) por la velocidad
clasificada del módulo de la memoria (en Mhz): (8 bytes) x (266 MHz/segundo) =
2.128 MB/segundo o cerca de 2.1 Gigabytes/segundo. Por lo tanto, el módulo de
la memoria se refiere a menudo al PC2100. Similarmente, un módulo DIMM
PC1600 utiliza los chips de memoria clasificadas en 200Mhz
DDR333 y DDR400
Actualmente, una nueva evolución esta por penetrar en el mercado: la DDR333 y
otra mas se ve al horizonte: la DDR400.
La introducción del chipset Springdale de Intel apoya la estrategia del DDR400,
que se diseñó desde Marzo del 2002 para optimizar la arquitectura del Bús
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Curso de Entrenamiento.
Frontal (FSB) de 800MHz. Manufacturado con tecnologia de 0.13-micrones, el
DDR400 ofrecera una operación de 200MHz con velocidades de transmisión de
datos de hasta 400Mbps.
El DDR333 es una evolución de las memorias actuales DDR200 y DDR266,
físicamente el DDR333 seguirá siendo compatible con los modelos precedentes ya
que se trata de módulos de 184 pines alimentados en 2.5 Volts y el principio de
funcionamiento es idéntico al del DDR-SDRAM actual.
Al parecer muchos de los módulos que están en el mercado, tienen un CAS 2.5 y
en teoría un módulo DDR266 con un CAS 2 tarda el mismo tiempo en poner los
datos a disposición del procesador, es decir; 15 nanosegundos. Pero en realidad,
hay otros factores que influyen en el rendimiento. Por el momento podemos
decir que en la práctica, la memoria DDR333 con un CAS 2.5 es un poco más
rápida que la DDR266 con CAS 2. Pero será con la DDR333 con un CAS 2 que
verdaderamente utilizaremos todas las posibilidades de este tipo de memoria.
Sabemos que la banda pasante del Pentium 4 es de 3 GHz. y el único tipo de
memoria que alcanza esta banda pasante es la RIMM RAMBUS. Sabemos también
que cada día se comercializan más placas base dotadas de nuevos chipsets
(i845D, entre otros) para que este procesador pueda ser utilizado con memoria
DDR266. En este caso la memoria DDR333 permitirá mejorar el rendimiento.
En el caso del Athlon, este nuevo tipo de memoria, por el momento, no tiene
mucho interés. Como todos sabemos el Bus EV6 de 64 bits de los Athlon actuales,
funciona a la frecuencia de 133 MHz. y ofrece una banda pasante, con memoria
DDR266, de 1.99 Gb por segundo.
RIMM (Rambus In-Line Memory Module)
Tecnología propietaria de Rambus Inc., es un módulo de memoria formado por
RDRAMs, soldados en una PCB con 184 terminales (pines) al igual que los DDR
pero la diferencia es que su transferencia de datos es de 16 bits.
La rápida transferencia de datos hace que se calienten mucho, por lo que usan
una lámina de aluminio para disipar el calor.
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Curso de Entrenamiento.
Existen varios tipos de RIMMs, entre los que destacan tenemos:
•
•
•
•
RIMM PC-800.
RIMM PC-800 con ECC.
RIMM PC-1066.
Etc.
SO-RIMM de 160 pines.
Al igual que el DIMM, el DDR tiene los contactos de una cara aislados de los
contactos de la otra cara. Los DDR de 184 pines soportan transferencia de datos
de 64 bits (8 bytes).
La tecnología de memoria DDR SDRAM se ha derivado de las tecnologías PC100 y
PC133. Esta nueva tecnología de memoria permite una nueva generación de alto
rendimiento en los sistemas de computo, así como en los nuevos productos de
comunicación tal como los ruteadores y los switches.
Existen varios tipos de SO-RIMMs, entre los que destacan tenemos:
•
•
•
SO-RIMM PC-800.
SO-RIMM PC-1066.
Etc.
Funcionamiento del RDRAM
El grafico siguiente muestra como se utilizan los chips de RDRAM para construir
un modulo RIMM.
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Curso de Entrenamiento.
Se notará que los bancos de RDRAM están conectados juntos, a diferencia de los
bancos en la SDRAM. Puesto que el bus de datos del RAMBUS es de solamente 16
bits, y que cada chip de RDRAM puede alimentar individualmente al bus de datos
de 16-bits por sí mismo, entonces los RDRAMs no tiene que ser interpolados de la
manera en que se hace con los SDRAMs. En su lugar, cada RDRAM se asocia a un
solo bus de datos compartido de 16-bits. El canal RAMBUS, el cual incluye el
control, la dirección y las líneas de datos, consiste de 30 líneas de impedancia,
cada línea se origina del chipset y sigue su camino en el sistema más allá de
cada RDRAM, por lo tanto, debe ser terminada en el extremo por un resistor.
Los RDRAMs se soldan a las PCB creándose así módulos llamados RIMMs, de igual
manera como los SDRAMs se soldan a los DIMMs, pero otra vez, cada RDRAM es
asignado a un canal en serie llamado CSP (Chip Scale Package), asi que todas las
señales de cada RDRAM son enlazadas al canal RAMBUS y las ranuras vacías de
RIMM se deben llenar con CRIMMs o también conocidos como RIMMs de
continuidad para mantener el canal y finalmente pueda alcanzar los resistores
finales. Un CRIMM no tiene ningún dispositivo RDRAM en él.
Todas las ranuras de memoria necesitan ser complementadas con RIMMs de
continuidad ya que actúan como un módulo de paso para el canal Rambus. Todos
los sistemas permitidos Rambus serán vendidos con todos los conectores
necesarios. Cuando es hora de aumentar la capacidad de memoria, los CRIMM
serán substituidos por un módulo de RIMM.
Teóricamente podríamos tener cualquier número de canales independientes
RAMBUS en un sistema, pero las ediciones en el diseño de las placas base
imponen límites prácticos.
A pesar de que el bus de datos RAMBUS interpola muchos trozos pequeños de un
mismo ancho de banda, es no obstante una de las características más polémicas
del RAMBUS. Funciona hasta 400MHz, es muy rápido, y puesto que las señales son
un numero mínimo para la placa base, esto es más simple que en la interpolación
de SDRAMs en el bus de datos. Sin embargo, todavía hay algunas desventajas. Un
problema es la longitud de bus rápido y su efecto sobre los costos. Algunos de los
ahorros en el costo conseguidos por RAMBUS al utilizar pocas señales, son
superados por los costos generados para que el canal de RAMBUS sea una serie de
alambres largos que tengan que ejecutarse a 400MHz. Los requerimientos para
obtener el bus eleva los costos ya que las tarjetas tienen que ser fabricados a un
mayor nivel de calidad para reducir ruido, perdida de capacitancia, variaciones
en la línea impedancia, y otros problemas asociados al incremento en las
velocidades del bus.
Es importante observar, sin embargo, que a pesar de los problemas que podemos
citar a cerca del los costos de la memoria RAMBUS, esto no se aplica siempre.
Hay situaciones donde el canal de RAMBUS puede reducir costos. Tomemos por
ejemplo el Playstation2 de Sony, el cual, contiene dos chips de RDRAM que se
soldan directamente a su placa base. Debido a esto, el canal de RAMBUS del PS2's
no es muy largo, por lo cual, no utiliza ningún conector de RIMM y funciona con
un número mínimo señales y con ello de costo.
La siguiente desventaja en el canal de RAMBUS será evidente después de analizar
nuevamente el diagrama anterior. Cada SDRAM en un sistema de SDRAM lo
separan unas cuantas pulgadas a lo largo de un camino recto rumbo al chipset, de
tal forma, que los comandos y los datos no tienen que viajar muy lejos para
alcanzar su destino. El canal de RAMBUS, por otra parte, se alarga mientras más
RDRAMs se agreguen a él, lo que significa que la cantidad de tiempo que se dilate
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la petición y los datos deban viajar para alcanzar el dispositivo exterior puede
prolongarse.
Cuando la CPU pide datos de una serie de localizaciones, contempla que lleguen
esos datos en el orden que hizo las peticiones, sin importar de donde vienen esos
datos, o cuánto tiempo toma conseguir esos datos de tal o cual lugar, lo
contrario, si no llegan en orden, se generan problemas.
A diferencia de la DRAM, un sistema RDRAM tiene la necesidad de tener la
capacidad de retrazar la salida de una serie de peticiones de lectura de modo
que cada petición pueda llegar con los datos al chipset juntos y en orden. Así
pues, mientras que los chips individuales de RDRAM pudieron haber tenido un
tiempo de acceso de 20ns, con una sola petición que se haya localizado mas lejos
del chipset aumentara el tiempo de respuesta global del sistema, desperdiciando
con ello la ventaja proporcionada por la velocidad de los RDRAM individuales.
Finalmente, puesto que el megabus es demasiado largo y pasa a través de
muchos dispositivos, y además agregamos las capacitancias generadas por las
cargas durante todo el tiempo de propagación de las señales, obtendremos que
cuanto más dispositivos se añadan al canal RAMBUS será peor el tiempo de
espera. Sin embargo, la placa de disipación de calor, la alta calidad de
empaquetamiento, y las especificaciones finales para producir RIMMs se
concentran en la reducción de estos tipos de efectos eléctricos indeseados.
Intel Corporation ha elegido a la tecnología de memoria diseñada y licenciada por
Rambus Inc. para agregarla como la plataforma de la memoria principal en
sistemas de alto rendimiento de PC utilizando procesadores Pentium-III y futuros.
Hay tres generaciones de tecnología de Rambus. Las primera y segunda
generación, son llamadas base y simultánea respectivamente, funcionan con una
tasa de transferencia de datos de 600MHz y 700Mhz, se utilizan actualmente en
la industria del entretenimiento, estaciones de trabajo gráficos y los gráficos de
video.
La tercera generación se llama Direct Rambus. Un módulo de memoria Direct
Rambus se llama un RIMM. El módulo directo de Rambus RIMM es un subsistema
de alto rendimiento de fines generales de la memoria conveniente para el uso en
un amplio rango de aplicaciones incluyendo memoria de computadora en
ordenadores personales, sitios de trabajo y otras aplicaciones donde se requieren
la alta anchura de banda y el tiempo de espera bajo
Direct Rambus™ DRAM
Direct Rambus DRAM es un tipo de memoria RAM desarrollada por Rambus, Inc.
que proporciona un gran ancho de banda de hasta 1.6GB/s. Para poder alcanzar
estas prestaciones se crea un subsistema de gestión de memoria, compuesto por:
•
Controlador de Direct Rambus.
•
Canal de Direct Rambus.
•
Conectores de Direct Rambus.
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Controlador de Direct Rambus
Está ubicado en un chip, como si fuese el chipset, y dentro del mismo chip se
pueden integrar varios controladores. Es el encargado del canal y por tanto de
controlar el flujo de datos, el refresco de las memorias, de la señal de reloj, etc.
Canal de Direct Rambus
Es una conexión eléctrica entre el controlador de Direct Rambus y las memorias
RDRAM, con una tasa de transferencia de 800Mb utilizando ambos flancos de
reloj. Este canal utiliza bajo voltaje de señalización y alta calidad en las líneas
de transmisión.
El canal está formado por tres buses independientes, uno de datos de 16bits, uno
de acceso a la fila de 3bits y otro de 5bits para acceso a las columnas. El bus de
datos es bidireccional permitiendo así operaciones de lectura/escritura, los otros
dos buses son de único sentido, desde el controlador hacia las memorias.
El canal tiene un terminador, que consiste en unas resistencias conectadas a 1.8v
para igualar la impedancia del canal y evitar reflejos de señal.
Se utilizan dos señales de reloj una llamada CTM (Clock to Master) y otra CFM
(Clock From Master) también se usan sus negadas, CTMN y CFMN. La señal de
reloj viaja desde el generador de reloj, pasando por el terminador de canal hasta
el controlador de canal, esta señal es la CTM y la CTMN, luego va desde el
controlador de canal hasta el terminador donde finalizan, señales CFM y CFMN.
Conectores
Son de 168 contactos divididos en dos grupos de 84, similares a los de los DIMM.
Los RIMM son una continuación de canal, el canal entra por un extremo del RIMM
y sale por el otro, ver esquema anterior, por ello no podemos dejar vacío un
Conector, si lo hacemos el canal queda abierto y no funciona. Para solucionar
este problema, ya que quizá no necesitemos ocupar todos los conectores, como
ya sdabemos, hay unos módulos sin memoria llamados módulos de continuidad,
que lo único que hacen es cerrar el canal.
Los RIMM tienen el mismo tamaño que los DIMM y han sido diseñados para
soportar SPD (Serial Presence Detect).
También hay RIMM de doble cara o de una cara, y pueden tener cualquier número
de chips hasta el máximo de 32 soportados por canal. Hay módulos de 64Mb,
128Mb y 256Mb, la máxima cantidad total de memoria va desde los 64Mb hasta
1Gb por canal.
Podemos instalar dos repetidores para aumentar el número de conectores, y así
aumentar el numero de RIMMs, con un repetidor aumentamos a 6 conectores y
con dos repetidores aumentamos a 12 conectores.
Direct RDRAM
Es el lugar donde almacenamos los datos. Están divididos en dos partes, una el
interfase lógico y otra la matriz de celdas junto con los decodificadores,
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Curso de Entrenamiento.
controladores de fila/columna, etc. El enlace lógico se encarga de convertir los
paquetes de datos que vienen/van del/al canal en un formato compatible con el
de la matriz de celdas, este enlace lógico lo proporciona Rambus Inc. a todos los
fabricantes, que paguen las correspondientes licencias claro está, con ello se
asegura una compatibilidad entre todos los fabricantes.
DDR2 SDRAM (Double Data Rate SDRAM)
Las memorias DDR y DDR2 no son compatibles entre sí. Existen diferencias en el
voltaje, la cantidad de pines y las señales entre DDR(1) y DDR(2). Los zócalos
DDR2 no aceptan DIMM DDR y viceversa.
Note que el orificio de "llave" en DDR2 que ayuda en la inserción correcta de la
memoria está ligeramente a un lado de la misma llave en DDR, tal como se
muestra en la figura siguiente.
TARJETAS PCMCIA.
La Asociación Internacional de Tarjetas de Memoria para Computadoras
Personales (Personal Computer Memory Card International Association) es un
consorcio de fabricantes de computadoras que revisa los estándares para los
adaptadores de tipo tarjeta de crédito utilizados en muchas computadoras
notebooks.
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Curso de Entrenamiento.
Tipos de tarjetas PCMCIA:
Tipo I: tarjetas de 3.3mm que se utilizan generalmente como RAM y ROM.
Tipo II: tarjetas de hasta 5.5mm que se utilizan como modems.
Tipo III: tarjetas de hasta 10.5mm que normalmente se utilizan como discos
duros.
SRAM (Static RAM)
La RAM estática, también utiliza células de memoria para almacenar datos, con
las diferencias de que es más rápida, más costosa y más grande que la DRAM. La
SRAM es volátil, pero no necesita refrescarse constantemente para mantener sus
datos.
Debido a su bajo costo y menor tamaño, la DRAM se utiliza con mayor frecuencia
como memoria principal, mientras que la SRAM, gracias a su velocidad, se utiliza
principalmente como memoria caché.
Memoria cache.
El caché es un bloque pequeño de memoria de alta velocidad (normalmente
SRAM), al ser estática, no hay que refrescarla periódicamente para que mantenga
la información, con lo cual la CPU no pierde ciclos refrescándola, se localiza
entre el CPU y la memoria principal y se utiliza para almacenar datos e
instrucciones solicitados frecuentemente. De tal manera, que cuando el
procesador necesita cierta información, primero verifica si lo que requiere está
en el caché y posteriormente en la memoria principal.
Niveles de caché
En general, existen dos niveles de memoria caché:
• Caché interna, que normalmente se encuentra dentro del procesador. Algunas
veces la caché interna recibe el nombre de caché de nivel 1
(L1)
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Curso de Entrenamiento.
• Caché externa, que se localiza en la placa base del sistema. Algunas veces la
caché externa recibe el nombre de caché de nivel 2 (L2).
En la mayoría de las computadoras personales la capacidad de memoria caché L1
va desde 1KB hasta 32KB, mientras que la caché L2 puede ir desde 64KB hasta
2MB.
La forma física de una memoria caché depende del sistema que la va a utilizar,
por ejemplo, en equipos con procesador 386 o 486, pueden utilizarse circuitos
integrados tipo DIP, mientras que en sistemas actuales pueden utilizarse módulos
similares a los SIMMs.
En el nuevo AMD K6-III hay caché de tercer nivel, L3. Esta memoria sirve de
buffer de datos o instrucciones al procesador. Esta memoria es SRAM, Static
RAM, es muy rápida. Así mismo es muy cara y por ello sólo se usa en los
procesadores y en pequeñas cantidades, 16Kb a 64Kb en L1, y de 128Kb a 512Kb
en procesadores normales y hasta 2Mb en servidores.
La caché L2, trabaja a una frecuencia diferente en cada tipo de procesador, así
tenemos como en el Pentium la caché va en placa base y trabaja a 66Mhz. En el
Pentium II la caché está integrada en la placa del procesador, y está conectada a
el con un bus posterior y esto le permite trabajar a la mitad de la frecuencia del
micro, y tiene un tamaño de 512Kb. En los Celeron la caché L2 trabaja a la
misma frecuencia que el micro y su tamaño es de 128Kb. Cuando hacemos
overcloking y aumentamos la velocidad del micro, también estamos aumentando
la velocidad de trabajo de la caché, si aumentamos la velocidad le micro más
allá de la frecuencia de trabajo de la caché, el micro no arrancará.
Memorias del mañana
Pues el mañana ya está ahí, en este año está anunciado el chipset Camino de
Intel que entre otras cosas traerá el soporte de AGPx4 y la frecuencia de bus de
133Mhz, con la que trabajarán los nuevos PentiumIII. AMD también lanzará el K7
y funcionará con un bus de 200Mhz. Como podéis comprobar el mañana es
'mañana'. Con todo ello las memorias también han de cambiar para ofrecer
mayores anchos de banda y menores latencias, así como soportar las nuevas
frecuencias de bus.
En este momento no hay un estándar claro, aunque se perfila que Intel se saldrá
con la suya. Las opciones que hay son:
RDRAM
SLDRAM
ESDRAM
Direct RDRAM con módulos RIMM.
RDRAM es una memoria que se utiliza en tarjetas gráficas y también en la nueva
Nintendo64, soporta un bus de 500Mhz,2ns y es de 3.3v. Hay una nueva versión
llamada Concurrent RDRAM con algunas mejoras respecto a la RDRAM.
SLDRAM
Al igual que la Rambus DRAM, está basada en un protocolo donde todas las
señales dirigidas a la RAM están en una misma línea.
Dado que el tiempo de acceso no depende de la sincronización de múltiples
líneas, puede obtener velocidades hasta de 800 MHz y duplicar las operaciones
por cada ciclo de reloj.
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Curso de Entrenamiento.
ESDRAM, Enhanced SDRAM, esta memoria es una memoria SDRAM normal pero
además se le añade un módulo de SRAM, como la memoria de la cache, este
módulo viene a funcionar como la caché del procesador, con ello se consigue un
mejor tiempo de respuesta. Ha sido desarrollada por Ramton, es de 7.5ns, 3.3v y
timings 2-1-1-1. Soporta 133Mhz de bus. Este tipo de memoria se ve encarecido
debido a ese módulo adicional de SRAM.
Direct RDRAM, Direct Rambus DRAM, este tipo de memoria ya no está basado en
la SDRAM, sino que es un nuevo tipo de arquitectura propietaria de Rambus, con
lo cual todos aquellos fabricantes que quieran fabricar este tipo de memorias
tendrán que pagar derechos, por ello el precio de la memoria se incrementará
aun más. Las especificaciones hablan de 800Mhz de bus y ancho de banda de
1.6Gbs. También viene en un formato distinto, ya no viene en DIMM's ahora son
RIMMS, Rambus Inline Memory Module. Pronto habrá un ESPECIAL RAMBUS en
donde analizaremos en mayor profundidad este tipo de memorias.
SLDRAM, Synk Link SDRAM, desarrollada por el consorcio SynkLink, es también
una nueva arquitectura pero no es propietaria, y nace como competencia de un
grupo de fabricantes a la RDRAM, propietaria de Rambus Inc. Funciona como la
DDR SDRAM, se activa dos veces por ciclo de reloj. Esta memoria tiene una menor
latencia y mayor ancho de bus que la RDRAM, soportará hasta 400Mhz de bus y su
voltaje será de 2.5v.
•
Resumiendo hay dos alternativas serias para el futuro, la RDRAM y la
SLDRAM. La primera promovida por Intel y por tanto con bastante empuje en
el mercado, aunque con unas prestaciones un poco discutidas.
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Curso de Entrenamiento.
Problemas comunes de la memoria
Cuando tenga un problema con la memoria, la causa generalmente es una de las
siguientes:
Configuración inadecuada: Tiene el número de parte erróneo para la
computadora o no siguió las reglas de configuración.
Instalación inadecuada: La memoria podría no estar asentada correctamente, el
socket está mal o el socket necesita limpieza.
Hardware defectuoso: El módulo de memoria mismo está defectuoso.
El hecho de que muchos problemas de la computadora se manifiesten como
problemas de memoria, hace difícil la resolución de las fallas. Por ejemplo, un
problema con la tarjeta madre o el software puede producir un mensaje de error
de memoria.
Este capítulo está diseñado para ayudarle a averiguar si tiene un problema de
memoria y en caso afirmativo, ayuda a identificar el problema y rápidamente
obtener la solución.
Resolución de fallas básicas
Los siguientes pasos básicos se aplican a casi todas las situaciones.
Asegúrese de que tiene el número de parte correcto de memoria para la
computadora.
Usted puede averiguar el número de parte en el sitio Web del fabricante. Muchos
fabricantes de memoria tienen configuraciones, que indican las compatibilidades
del modelo. Si no, llame al fabricante de la memoria que tiene, consulte su
manual de la computadora o llame por teléfono al fabricante de la computadora.
Confirme que configuró la memoria correctamente.
Muchas computadoras requieren la instalación del módulo en bancos de módulos
de igual capacidad. Algunas computadoras requieren que el módulo con
capacidad más alta se coloque en el banco más bajo. Otras computadoras
requieren que se llenen todos los sockets; incluso otros requieren memoria de un
solo banco. Sólo hay pocos ejemplos de requerimientos especiales de
configuración. Si tiene una computadora de marca utilice nuestro manual de
configuración para averiguar las reglas específicas de configuración de la
computadora. También puede ponerse en contacto con el soporte técnico para su
memoria con el fabricante de la computadora.
Reinstale el módulo.
Empuje el módulo firmemente hacia el socket. En muchos casos oirá un clic
cuando en módulo esté en posición. Asegúrese de que el módulo quedó
exactamente en su lugar, comparando la altura del módulo con la altura de otros
módulos en los sockets circundantes.
Cambie los módulos
Quite la nueva memoria y vea si desaparece el problema. Quite la memoria
anterior, reinstale la nueva y vea si el problema persiste. Intente poner la
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memoria en distintos sockets. El intercambio muestra si el problema está en un
módulo o en un socket de memoria en especial o si los dos tipos de memoria no
son compatibles.
Limpie el socket y los pines en el módulo de la memoria
Utilice una frazada para secar los pines en el módulo. Utilice aire comprimido ó
una aspiradora para PCs para limpiar el socket. No utilice solvente ya que puede
corroer el metal o evitar que las guías hagan contacto completo. Flux- Off® es un
limpiador que se utiliza específicamente para contactos. Puede comprarlo en
tiendas de equipos de computadoras o electrónico.
Actualice el BIOS.
Los fabricantes de computadora actualizan la información del BIOS con
frecuencia y hacen revisiones posteriores de los sitios Web. Asegúrese de tener el
BIOS más reciente para su computadora. Esto aplica especialmente cuando
instaló recientemente software nuevo o si está actualizando la memoria en forma
importante.
Cuando ocurre el problema
Cuando ocurre un problema es una pista para encontrar la causa. Por ejemplo, la
respuesta al mensaje de error de memoria depende de:
Si acaba de comprar una nueva computadora.
Si acaba de instalar nueva memoria.
Si acaba de instalar nuevo software o un nuevo sistema operativo.
Si acaba de instalar hardware.
Si la computadora había estado corriendo bien y no había hecho ningún cambio
reciente.
Aquí están las reglas para comenzar:
Acaba de comprar una nueva computadora
Si acaba de comprar una nueva computadora y esta generando errores de
memoria, el problema podría relacionarse con cualquier cosa, incluyendo una
mala tarjeta de computadora. En este caso, necesita corregir las fallas de la
computadora completa, incluyendo la memoria. Debido a que la persona que le
vendió la computadora configuró la memoria y realizó pruebas antes de entregar
la computadora, esto puede ayudar más.
Acaba de instalar una nueva memoria
Si acaba de instalar una nueva memoria, la primera posibilidad es que haya
instalado las piezas incorrectas. Vuelva a verificar los números de partes,
confirme que configuró e instaló la memoria correctamente.
Acaba de instalar un nuevo software o sistema operativo
Un nuevo software o sistema operativo tiende a presionar más a la memoria con
los sistemas operativos anteriores. Algunas veces la memoria que trabaja bien
antes de la instalación del software comienza a generar errores una vez que
ejecute software que requiere un uso intensivo de la memoria. El nuevo software
tiene fallas y es común que las versiones Beta produzcan errores de memoria. En
estos casos, el primer paso sería asegurarse de que tiene la última versión de
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BIOS y los parches de servicio para el software. De lo contrario, póngase en
contacto con el distribuidor de la memoria. Un representante de soporte técnico
puede tener la experiencia con otros incidentes de software y puede ayudarle
para corregir las fallas en una forma más detallada.
Acaba de instalar o quitar hardware
Si acaba de instalar o quitar hardware y repentinamente recibe mensajes de
error de la memoria, el primer lugar para buscar es en la computadora misma.
Una conexión se pudo haber aflojado durante la instalación o el nuevo software
puede estar defectuoso; en cualquier caso, los errores se manifiestan como
problemas de memoria. Asegúrese de que tiene los últimos controladores y el
firmware. La mayoría de los fabricantes de hardware colocarán las
actualizaciones en los sitios Web.
Problemas inesperados
Si el sistema se ha estado ejecutando bien y repentinamente empieza a generar
errores de memoria, se cae y se congela con frecuencia, la posibilidad de una
falla de hardware es la más probable, debido a que los problemas de
configuración de instalación se muestran cuando se enciende la computadora.
Algunas veces se pueden tener problemas de memoria si la computadora se
sobrecalienta o si se tiene un problema con el suministro de energía o si se ha
desarrollado corrosión entre el módulo de memoria y el socket, lo que debilita la
conexión.
Manejo de problemas específicos
A continuación se da una lista de las formas más comunes en las que la
computadora le informa sobre un problema de memoria.
1.
2.
3.
4.
La computadora no iniciará, sólo hará ruido.
La computadora iniciará, pero no reconocerá toda la memoria instalada.
La computadora iniciará, pero la pantalla estará en blanco.
La computadora informa de un error de memoria.
a. Error de discordancia de memoria.
b. Paridad de memoria interrumpida en xxxxx.
c. Error de dirección de memoria en xxxx.
d. Falla de memoria en xxxxx, lee xxxxx, se espera xxxxxx.
e. Error de verificación de memoria en xxxxx.
5. La computadora tiene otros problemas causados por la memoria.
a. La computadora informa errores en forma intermitente, se apaga
con frecuencia o se reinicia espontáneamente.
b. Errores de registro.
c. Fallas generales de protección, fallas de localización y errores de
excepción.
6. El administrador del sistema del servidor informa un error de memoria.
Las siguientes traducciones le ayudaran a entender lo que quiere decir la
computadora cuando le da una de estas señales.
1.
La computadora no inicia, sólo hace ruido.
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Cada vez que la computadora inicia, hace un inventario del hardware. El
inventario consiste en el reconocimiento que hace el BIOS de la computadora y
algunos casos la asignación de direcciones a los componentes en la computadora.
Si la computadora no inicia, el CPU no puede comunicarse con el hardware. La
causa puede ser una instancia inadecuada o la incapacidad del BIOS para
reconocer el hardware.
Siga las técnicas de corrección de fallas básicas, poniendo especial atención en el
hecho de si el módulo de memoria está instalado por completo y si tiene la
última versión del BIOS.
2.
La computadora inicia, pero no reconoce toda la memoria instalada.
Cuando la computadora inicia, una parte del proceso es contar la memoria. En
algunas máquinas el conteo aparece en pantalla y en otras se encuentra
cubierto. Si el conteo está cubierto, desde el menú de configuración de la
computadora vea cuánta memoria marca la computadora. Si la computadora
cuenta o enlista un número menor de la memoria que instaló, la computadora no
ha reconocido toda la memoria.
Algunas veces, la computadora reconocerá una parte del módulo. Esto casi
siempre se debe al uso de la clase incorrecta de memoria. Por ejemplo, si la
computadora sólo acepta memoria de un solo banco y se le instaló memoria de
banco doble, la computadora solo dará la mitad de la memoria en el módulo.
Algunas veces la memoria aceptará solamente módulos que contienen chips de
memoria con organizaciones específicas. Por ejemplo, el conjunto de chips VX no
funciona bien con chips a 64 Mbits.
En muchas computadoras, la cantidad máxima de memoria que la computadora
pueda reconocer es menor a la cantidad máxima que se puede instalar
físicamente. Por ejemplo, la computadora puede tener 3 sockets, cada uno capaz
de mantener un módulo de 128MB. Si se llenó cada socket 128MB se tendrían
384MB de memoria. Sin embargo, la computadora solo puede reconocer un
máximo de 256MB. En muchos casos se puede evitar este problema consultando
el manual de la computadora o el sitio web de configuración de la memoria antes
de comprarla.
3.
La computadora inicia pero la pantalla está en blanco.
La razón más común para tener la pantalla en blanco es una tarjeta mal colocada
o que la memoria no se ha asentado completamente o que la memoria no sea del
tipo que soporta la computadora. Confirme que la memoria está instalada
adecuadamente y que los otros componentes en la computadora no se
desconectaron o que se salieron de su lugar accidentalmente mientras se
instalaba la memoria.
Vuelva a verificar que tiene el número de parte correcto para la computadora. Si
tiene una memoria sin paridad en la computadora que requiere memoria de
verificación de errores o memoria de SDRAM en una computadora que solo
soporta EDO, la pantalla puede quedarse en blanco en el inicio.
4.
La computadora informa un error de memoria.
Error de falta de correspondencia de memoria:
Esto no es realmente un error. Algunas computadoras requieren que les digan
que está bien tener una nueva cantidad de memoria. Utilice el menú de inicio
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para "decírselo" a la computadora. Utilice las indicaciones, ingrese la cantidad,
seleccione Guardar y después salga.
Errores de dirección o de memoria en la computadora:
Todos los siguientes errores y aquellos similares a estos indican que la
computadora tiene un problema con la memoria:
• Interrupción de paridad de la memoria en xxxxx.
• Error de dirección en la memoria en xxxxx.
• Falla de memoria en xxxxx, lee xxxxx, se espera xxxxx
• Error de verificación de la memoria en xxxxx.
Normalmente, la computadora realizará una prueba simple de memoria cuando
inicia. La computadora escribirá la información en la memoria y leerá otra vez. Si
la computadora no obtiene lo que esperaba, entonces informará sobre un error y
algunas veces dará la dirección donde ocurrió ese error.
Dichos errores normalmente indican un problema con el módulo de memoria,
pero otras veces pueden indicar una tarjeta madre defectuosa o una
incompatibilidad entre la memoria anterior y la nueva. Para verificar que la
memoria nueva está causando el problema, quite la memoria nueva y vea si el
problema desaparece. Después, quite la memoria anterior y sólo instale la nueva.
Si el error persiste, llame al fabricante de la memoria y pídale que se la
reemplace.
5.
La computadora tiene otros problemas causados por la memoria.
La computadora reporta errores en forma intermitente, se cae con frecuencia
o se reinicia espontáneamente:
Debido al gran número de causas, estos problemas son difíciles de diagnosticar.
Las causas posibles son ESD (Descarga electrostática), sobrecalentamiento,
corrosión o un suministro de energía con fallas. Si sospecha que hay un daño por
una ESD, póngase en contacto con el fabricante de la memoria y pida un
reemplazo. Antes de instalar la nueva memoria, vea la página 87 para mayor
información sobre la forma de evitar el ESD. Si sospecha de corrosión, limpie los
contactos de la memoria y los sockets de la memoria tal como se explica en la
página 98. Si sospecha del suministro de energía, tendrá que hacer una
corrección de fallas general de la computadora enfocándose en el suministro de
energía.
Errores de registro:
Windows coloca una porción grande del registro en RAM. Algunas veces una
memoria defectuosa causará errores de registro. Windows informa un error de
registro y le indica reiniciar. Si los avisos se repiten, quite la memoria que acaba
de instalar y reiníciela. Si el error desaparece, pida al fabricante de la memoria
que reemplace los módulos de memoria.
Fallas generales de protección, fallas de localización y los errores de
excepción:
La causa más común es el software. Por ejemplo, una aplicación pudo haber
liberado la memoria después de salir u ocupa las mismas direcciones de memoria
que otra. En estos casos el reinicio debe resolver el problema. Si la computadora
repentinamente despliega fallas de protección en general, errores de excepción
o fallas de localización después de haber instalado la nueva memoria, quite la
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nueva memoria y vea si se detiene los errores. Si sólo ocurren cuando la nueva
memoria está instalada, póngase en contacto con el fabricante de la memoria
para obtener ayuda.
6.
El administrador del sistema del servidor informa un error de memoria:
La mayoría de los servidores se envían con administradores de sistema que
monitorean la utilización de los componentes y prueban las anormalidades.
Algunos de esos administradores de sistemas cuentan errores del software en la
memoria. Los errores de software se corrigen mediante la memoria ECC. Sin
embargo, si la cantidad de errores de memoria es más alta que las
especificaciones, el administrador del sistema envía una advertencia previa a la
falla. Esta advertencia permite al administrador de red reemplazar la memoria y
evitar un retrazo del sistema.
Si el administrador del sistema o el servidor envia una advertencia previa de falla
u otro error de memoria, pida al fabricante de la memoria un reemplazo si el
administrador del sistema continúa generando errores después del reemplazo de
memoria, asegúrese de tener la última versión de BIOS, los parches de servicio
del software y firmware. La posibilidad de recibir los módulos de memoria en
malas condiciones más de una vez es baja. Póngase en contacto con el fabricante
de memoria para ver la resolución de problemas de compatibilidad. Algunas
veces el servidor no funciona bien con ciertos tipos de chips de memoria o ciertos
diseños de memoria.
El Glosario de memoria RAM
La memoria RAM es un espacio de almacenamiento primario en un sistema de computo. Esta
trabaja en conjunto con la Unidad Central de Procesamiento (CPU por sus siglas en Ingles), o
microprocesador, para almacenar datos, programas, e informacion procesada que puede estar
dispuesta y accesible inmediatamente para el CPU o cualquier otro dispositivo. La memoria es
vital en las operaciones de las computadoras debido a las conexiones criticas entre los
programas y la CPU. La memoria del computador tambien determina el tamaño y numero de
programas que pueden ser ejecutados simultaneamente, y ayuda a optimizar las capacidades
incrementando la potencia de los microprocesadores.
Existen diferentes tipos de memoria, cada una tiene sus propias caracteristicas y beneficios.
Desafortunadamente, asi como existen diferentes tipos de memoria, estas pueden
confundirnos facilmente. Utilice este glosario para ayudarse a disminuir las confusiones, o
como una referencia rapida para refrescar su memoria de vez en vez.
Actualizar
La actualización mantiene los datos almacenados en DRAM. El proceso de
actualización de celdas eléctricas de un componente DRAM es similar a recargar
las baterías. Distintos componentes DRAM requieren distintos métodos de
actualización.
Almacenamiento
Un dispositivo que mantiene datos, tal como el disco duro o el CD-ROM.
Ancho de banda
La cantidad de datos que se mueven en líneas electrónicas, tales como un bus,
por segundo. Generalmente, el ancho de banda se mide en bits por segundo,
bytes por segundo o ciclos por segundo (Hertzios).
ANSI
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(Instituto Norteamericano de Normas Nacionales) La organización estadounidense
responsable de establecer las normas de tecnología de la información.
ASCII
(Código de normas norteamericanas para el intercambio de información) Un método
de codificar texto en forma de valores binarios. El sistema del código ASCII contiene
256 combinaciones de números binarios de 7 y 8 bits para representar cualquier tecla
que se oprima.
ATA Flash card
(o tarjeta ATA Flash) Una tarjeta PC dedicada a almacenar datos en dispositivos
portátiles. ATA Flash Cards son similares a las unidades de discos duros.
Auto-actualización
Una tecnología de memoria que permite que DRAM se actualice a sí misma y que sea
independiente del CPU o de un conjunto externo de circuitos de actualización. La
tecnología de auto-actualización se construye en el chip DRAM mismo y reduce
dramáticamente el consumo de energía. Las computadoras portátiles utilizan esta
tecnología.
Banco
Véase banco de memoria.
Banco de memoria
Una unidad lógica de memoria en una computadora, cuyo tamaño determina el CPU.
Por ejemplo, un CPU a 32 bits requiere bancos de memoria que proporcionen 32 bits
de memoria a la vez. Un banco puede consistir en uno o más módulos de memoria.
Banco doble
Módulo de memoria que tiene dos bancos.
Banco sencillo
Un módulo que sólo tiene un banco o fila.
BGA
(Estructura de rejilla de bola) Un empaque de chips que tiene esferas soldadas en la
parte inferior para el montaje. BGA permite realizar una reducción en el tamaño de
empaque del colorante, la mejor disipación de calor y mayores densidades del
módulo.
Binario
BIOS
Un sistema de numeración que utiliza combinaciones de 0 y 1 para representar datos.
También se conoce como Base 2.
(Sistema básico de entrada/salida) Rutina de inicio que prepara la computadora para
la operación.
Bit
La unidad más pequeña de información que procesa la computadora. Un
bit es 1 ó 0.
Búfer
Un área de espera para datos compartidos por los dispositivos que operan a distintas
velocidades o tienen distintas prioridades. Un búfer permite que un dispositivo opere
sin retrasos que impongan otros dispositivos.
Bus
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Una ruta de datos en la computadora, la cual consiste de diversos cables en paralelo a
los que están conectados el CPU, la memoria y todos los dispositivos de
entrada/salida.
Bus de memoria
El bus que va del CPU a las ranuras de expansión de memoria. Bus frontal (FSB) La
ruta de datos que va del CPU a la memoria principal (RAM).
Bus frontal
(FSB) La ruta de datos que va del CPU a la memoria principal (RAM).
Bus independiente doble
(DIB) Una arquitectura de bus desarrollada por Intel que ofrece un ancho de banda
más grande con acceso a dos buses distintos (frontal y posterior) al procesador. Las
computadoras Pentium II tiene DIB.
Bus local
VESA (VL - Bus) Un bus local a 32bits que va del CPU a los dispositivos periféricos a
una velocidad de 40MHz.
Bus posterior
(BSB) La ruta de datos que va del CPU a la memoria caché L2.
Byte
Ocho bits de información. El byte es la unidad fundamental del procesamiento de la
computadora; casi todas las especificaciones y medidas del desempeño de la
computadora se dan en bytes o múltiplos. Véase kilobytes y megabytes.
Caché de expulsión entubado
Memoria caché que reduce en estados en espera y acelera el acceso a la memoria
utilizando funciones de tubería y explosión.
Caché de nivel I
(L1) También conocido como caché primario, Caché L1 es una pequeña cantidad de
memoria de alta velocidad que reside sobre o muy cerca del procesador. Caché L1
suministra al procesador los datos e instrucciones solicitados con más frecuencia.
Caché de nivel 2
(L2) También conocida como caché secundaria, Caché L2 es una pequeña cantidad de
memoria de alta velocidad que se encuentra cerca del CPU y generalmente en la
tarjeta madre. La Caché L2 suministra al procesador los datos e instrucciones
solicitados con más frecuencia. Dependiendo de la tarjeta madre, la caché de Nivel 2
se puede actualizar.
Canal Rambus
La ruta de datos de los sistemas Rambus. Debido a que la anchura de los datos es
estrecha (dos bytes), los módulos Rambus transfieren datos a una velocidad de hasta
800MHz.
CAS
(Estroboscopio de dirección de columnas) Una señal de chips de memoria que asegura
la dirección de la columna a una ubicación en particular en la matriz fila - columna.
ccNUMA
(Acceso de memoria coherente de caché, no uniforme) Una arquitectura flexible que
utiliza componentes de bajo costo modulares y ofrece potencial de escalabilidad
multidimencional a servidores de extremo alto.
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Chip Kill
una falla individual del chip de memoria, así como de errores de múltiples bits en
cualquier parte del chip de memoria.
Ciclo de bus
Una transacción sencilla entre la memoria principal y el CPU.
CompactFlash
Un factor de forma pequeño y ligero para tarjetas de almacenamiento desmontables.
Las tarjetas
CompactFlash son durables, operan a bajos voltajes y retienen datos cuando está
apagada la energía. Sus usos incluyen cámaras digitales, teléfonos celulares,
impresoras, computadoras portátiles, localizadores y grabadoras de audio.
Compuesto o entubado
Un término de Apple Computer, Inc. para el módulo de memoria que utilizaban en la
tecnología anterior y que contenía más chips, pero que eran de baja densidad.
Conector RIMM
Un soque de memoria Direct Rambus.
Conjunto de chips
Microchips que dan soporte al CPU. Generalmente, el conjunto de chips contiene
varios controladores que gobiernan la forma en que viaja la información entre el
procesador y otros componentes.
CPU
(Unidad de procesamiento central) El chip de computadora que tiene la
responsabilidad primaria de interpretar comandos y ejecutar programas. El CPU
también se conoce como el procesador o microprocesador.
DDR SDRAM
(Memoria de acceso directo dinámico sincrónico de velocidad de doble datos) La
última generación de tecnología SDRAM. Los datos se leen tanto en el extremo
ascendente como en el descendente del reloj de la computadora, generando así un
ancho de banda doble del SDRAM estándar. Con SDRAM DDR, la velocidad de la
memoria se duplica sin aumentar la frecuencia del reloj.
Depósito de calor
Un componente, generalmente de una aleación de zinc, que disipa el calor. Los CPU
requieren depósitos de calor. Detección de Un chip EEPROM que contiene información
sobre el tamaño y la velocidad, así como presencia serial otras especificaciones e
información del fabricante de un módulo de memoria.
Detección de presencia serial
Un chip EEPROM que contiene información sobre el tamaño y la velocidad, asÃ
como otras especificaciones e información del fabricante de un módulo de
memoria.
DIMM
(Módulo de memoria en línea dual) El conjunto de tarjetas de circuitos impresos con
contactos de oro y dispositivos de memoria. Un DIMM es similar a un SIMM, pero con
una diferencia principal: a diferencia de las guías de metal a cada lado de un SIMM,
que se "unen" eléctricamente, las guías a cada lado del DIMM son independientes
eléctricamente.
DIP
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(Empaque en línea dual) Un empaque de componente de DRAM. Los DIP se pueden
instalar en sockets o soldar en forma permanente en orificios en el conjunto de
tarjetas de circuitos impresos. El empaque de bits fue extremadamente popular
cuando se instalaba la memoria directamente en la tarjeta madre.
Dispersor de calor
Una cubierta, generalmente de aluminio, que tapa un dispositivo electrónico y disipa
calor.
DRAM
(Memoria dinámica de acceso aleatoria) La forma más común de RAM. DRAM puede
mantener datos sólo durante un corto tiempo. Para retener datos, DRAM debe
actualizarse periódicamente. Si las celdas no se actualizan, los datos desaparecen.
ECC
(Código de corrección de errores) Un método para verificar la integridad de los datos
en DRAM. ECC proporciona una detección de errores más elaborada que la paridad;
ECC puede detectar errores de bits múltiples y puede localizar y corregir errores de
bits sencillos.
EDO
(Datos ampliados hacia fuera) Una tecnología de DRAM que hace más corto el ciclo de
lectura entre la memoria y el CPU. Las computadoras que lo soportan, la memoria
EDO permiten que un CPU tenga acceso a la memoria en 10 ó 20% más rápido en
comparación con la memoria en modo de localización rápida.
EDRAM
(DRAM mejorada) La memoria de DRAM Enhanced Memory Sistems, Inc. que contiene
una pequeña cantidad de SDRAM.
EEPROM
EEPROM
(Memoria de sólo lectura programable y borrable en forma eléctrica) Un chip de
memoria que retiene el contenido de datos después de haber quitado la energía.
se puede borrar y volver a programar dentro de la computadora o en forma externa.
EISA
(ISA ampliado) Una arquitectura de bus que amplió el Bus ISA de 16bits a 32bits. EISA
opera a 8MHz y tiene una velocidad de transferencia de datos pico de 33MB por
segundo. EISA se introdujo en 1988 como una alternativa abierta al bus de Canal
micro propiedad de IBM.
Entubado
Una técnica en la que la memoria carga los contenidos en la memoria solicitados en
una pequeña memoria caché compuesta de SRAM e inmediatamente comienza a
buscar el siguiente contenido de memoria. Esto crea una tubería en dos etapas, en la
que los datos se leen o se escriben en SRAM en una etapa y los datos se leen o se
escriben en la memoria en otra etapa.
EOS
EPROM
(ECC o SIMM) Una tecnología de verificación de integridad de datos de IBM que
describe la verificación de integridad de datos de ECC en un SIMM.
(Memoria de sólo lectura programable y borrable) Un chip programable y que se
puede volver a usar que detiene su contenido hasta que se borra bajo luz ultravioleta.
Un equipo especial borra y reprograma los EPROM.
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ESDRAM
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(DRAM sincrónicamente mejorada) Un tipo de SDRAM desarrollada por SDRAM
Enhanced Memory Systems, Inc. reemplaza la SDRAM incrustada en sistemas
integrados y ofrece una velocidad comparable, pero con menos consumo de energía y
menor costo.
Esquema de bancos
Un método de diagrama de configuraciones de memoria. El esquema de bancos
consiste en filas y/o columnas que representan sockets de memoria en una tarjeta de
computadora. Las filas indican sockets independientes; las columnas indican bancos.
Estado en espera
Un periodo inactivo para el procesador. Los estados en espera son el resultado de
distintas velocidades de reloj del procesador y la memoria, en los cuales la memoria
generalmente es más lenta.
Factor de forma
El tamaño, configuración y otras especificaciones utilizadas para describir el
hardware. Ejemplos de factores de memoria son: SIMM, DIMM, RIMM, 30 pines, 70
pines y 168 pines.
Gigabyte
Aproximadamente 1,000 millones de bytes o exactamente 1byte x 1,0243 (1,073, 741,
824) bytes.
Gigabit
Aproximadamente 1,000 millones de bits o exactamente 1bit x 1,0243 (1,073, 741,
824) bits.
Hub del controlador de memoria
(MCH) La interfaz entre el procesador, el puerto de gráfico acelerado y RDRAM en la
tarjeta madre que utilizan conjuntos de chips de 820 u 840 de Intel.
Hub traductor de memoria
(MTH) la interfaz que permite que se soporte la memoria SDRAM en un Canal Direct
Rambus para las tarjetas madre que utilizan conjuntos de chip de 820 de Intel.
IC
(Circuito integrado) Un circuito electrónico en un chip semiconductor. El circuito
incluye componentes y conectores. Generalmente, un chip semiconductor se moldea
en una caja de plástico cerámica y tiene pines de conector externas.
Intercambio
Utilizando parte de la unidad de disco duro, como memoria cuando RAM está llena.
Véase Memoria Virtual.
Inter-estratificación
Técnicas para incrementar la velocidad de la memoria. Por ejemplo, con bancos de
memoria por separado para direcciones pares y nones, el siguiente byte de memoria
se puede acceder mientras se actualiza el byte actual.
JEDEC
Kilo bit
(Joint Electron Device Engineering Council) Un organismo de la Alianza de Industrias
Electrónicas (CIA) que establece las normas de ingeniería de semiconductores.
Aproximadamente mil bits o exactamente 1 bit x 210 (1,024) bits.
Kilo byte
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Aproximadamente mil bytes o exactamente 1 byte x 210 (1,024) bytes.
Latencia CAS
La proporción entre el tiempo de acceso de las columnas y el tiempo de ciclo de
reloj. La Latencia 2 (CL2) ofrece un ligero aumento de rendimiento sobre la Latencia
CAS (CL3).
Linear Flash Card
Una tarjeta PC dedicada a almacenar códigos en ruteadores, computadoras portátiles,
PDAs, cámaras digitales y otros dispositivos digitales.
Medio byte
La mitad de un byte de 8bits, ó 4bits
Megabit
Aproximadamente un millón de bits o exactamente 1bit x 1,0242 (1,048,576) bits.
Megabyte
Aproximadamente un millón de bytes o exactamente 1bit x 1,0242 (1,048,576) bytes.
Memoria caché
Una pequeña cantidad (normalmente menos de 1MB) de memoria de alta velocidad
que reside dentro o cerca del CPU. La memoria caché proporciona al procesador los
datos e instrucciones solicitados con más frecuencia. La memoria caché de Nivel 1
(caché primario) es la más cercana al procesador. La caché de Nivel 2 (caché
secundaria) es la segunda caché más cercana al procesador y generalmente se
encuentra en la tarjeta madre.
Memoria
La memoria de acceso aleatorio de una computadora. La memoria mantiene
temporalmente datos e instrucciones para el CPU. Véase RAM.
Memoria con búfer
Un módulo de memoria que contiene búfers. Los búfers vuelven a impulsar las señales
a través de los chips de memoria y permiten que el módulo incluya más chips de
memoria. No se pueden mezclar la memoria con búfer y sin búfer. El diseño del
controlador de memoria de la computadora establece si la memoria debe contener
búfer o no.
Memoria de Acceso aleatoro de ventana
(WRAM) Memoria de dos puertos de Samsung Eletronics (dos puertos de datos por
separado) que normalmente está en una tarjeta de video o de gráficos. WRAM tiene
un ancho de banda 25% más grande que VRAM, pero cuesta menos.
Memoria de canal virtual
(VCM) VCM es una arquitectura de memoria desarrollada por NEC. VCM permite que
diferentes bloques de memoria, cada uno con su propio búfer, hagan interfaz en
forma separada con el controlador. De esta forma, las tareas del sistema pueden
tener asignado en sus propios canales virtuales. La información relacionada con una
función no comparte el espacio de búfer con otras tareas que se ejecutan en forma
simultánea, haciendo de esta forma que la operación sea mucho más eficiente en
general.
Memoria de marca
Personalización de memoria diseñada para una computadora en específico.
Memoria de tarjeta de crédito
Un tipo de memoria que normalmente es para computadoras portátiles. La memoria
de tarjeta de crédito es del tamaño de una tarjeta de crédito.
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Memoria flash
Una memoria en estado sólido, no volátil y reescribible que funciona como una
combinación de RAM y disco duro. La memoria flash es durable, opera a bajos voltajes
y retiene datos cuando está apagada la energía. Las tarjetas de memoria flash se
utilizan en cámaras digitales, teléfonos celulares, impresoras, computadoras
portátiles, localizadores y grabadores de audio.
Memoria registrada
La memoria SDRAM que contiene registros directamente en el módulo. Los registros
vuelven a impulsar las señales a través de los chips de memoria y permiten que el
módulo se construya con más chips de memoria. La memoria registrada y sin búfer no
se pueden mezclar. El diseño del controlador de la memoria de la computadora
establece el tipo de memoria que requiere la computadora.
Memoria virtual
Memoria simulada. Cuando RAM está lleno, la computadora intercambia datos con el
disco duro en ambos sentidos cuando es necesario. Véase Intercambio.
Memorias sin búfer
Memoria que no contiene búfers o registros localizados en el módulo. En lugar de
esto, estos dispositivos se localizan en la tarjeta madre.
Micro BGA
(BGA) La técnica de empaque de chips BGA Tessera, Inc. permiten la reducción en el
tamaño de empaque, disipación de calor mejorada y mayores densidades del módulo.
Miniature card (Tarjeta Miniatura)
Una tarjeta de memoria Linear Flash pequeña, de bajo costo, diseñado para aumentar
la memoria, almacenar datos de voz/imagen, almacenar y recuperar voz/Email. La
Miniature Card es usada en palmtops, cámaras digitales, MP3 players, teléfonos
inteligentes y otros dispositivos digitales.
Modo de explosión
Transmisión a alta velocidad de un bloque de datos (una serie de direcciones
consecutivas) cuando el procesador solicita una dirección sencilla.
Modo de localización rápido
Una forma temprana de DRAM. La ventaja de modo de localización rápido sobre
tecnologías anteriores de memoria del modo de localización fue el acceso más rápido
a los datos en la misma fila.
MMC (multimedia card)
Una tarjeta de memoria flash en tamaño miniatura capaz de almacenar gran cantidad
de datos multimedia (ej. música, imágenes, dialecto, video, texto, etc.). Tarjetas
MMC con frecuencia son usadas en MP3 players, PDAs y otros dispositivos electrónicos
portátiles.
Nano segundo
(ns) Una mil millonésima parte de un segundo (1/1,000,000,000). Los tiempos de
acceso de los datos de memoria se encuentra en nona segundos. Por ejemplo, los
tiempos de acceso de memoria para los módulos SIMM típicos de 32 y 72 pines varían
de 60 a 100 nano segundos.
No compuesto o "non-composite"
Un término de Apple Computer, Inc. para un módulo de memoria que utilizaba una
nueva tecnología y contenía menos chips, pero de más alta densidad. Los módulos no
compuestos eran más confiables y más caros que los módulos compuestos.
Paquete a escala de chips
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(CSP) Empaque delgado de chips mediante en el cual las conexiones eléctricas
normalmente se hacen a través de una estructura de rejilla de esfera. El empaque de
escala de chips se utiliza en la memoria RDRAM y memoria flash.
Paridad
Verificación de integridad de datos que agrega un bit sencillo en cada byte de datos.
El bit de paridad se utiliza para detectar errores en los datos de 8bits.
Paridad impar
Verificación de integridad de datos en la que el bit de paridad verifica un número
impar de 1s.
Paridad par
Un tipo de verificación de integridad de datos mediante la cual el bit de paridad
verifica que haya un número par de 1.
PCB
PCI
(Conjunto de tarjetas de circuitos impresos) Tarjetas generalmente planas y de capas
múltiples hechas de fibra de vidrio con rastros eléctricos. La superficie y las subcapas
utilizan rastros de cobre para proporcionar conexiones eléctricas para chip y otros
componentes. Los ejemplos de PCB incluyen: tarjetas madre, SIMM y memorias para
tarjetas de crédito.
(Interconexión de componentes periféricos) Un bus periférico que puede enviar 32 ó
64bits de datos en forma simultánea. PCI ofrece capacidad de plug-and-play.
Puerto acelerado de gráficos
(AGP) Una interfaz desarrollada por Intel que permite hacer gráficos a alta velocidad.
Los datos de gráficos se mueven entre el controlador de gráficos de la PC y la
memoria de la computadora en forma directa, en lugar de quedarse en la memoria de
video caché.
RAM
(Memoria de acceso aleatorio) Una configuración de celdas de memoria que mantiene
datos para el procesamiento en una unidad central de procesamiento (CPU). Aleatorio
significa que el CPU puede recuperar datos de cualquier dirección dentro de RAM.
También véase Memoria.
Ram de ciclo rápido
(FCRAM) FCRAM es una tecnología de memoria que está desarrollando actualmente
Toshiba y Fujitsu. FCRAM no tiene el objetivo de utilizarse como memoria principal
para PC sino que se utilizará en aplicaciones de especialidad, como servidores de
extremo alto, impresoras y sistemas de conmutación de telecomunicaciones.
RAM EDO de explosión
(BEDO) La memoria EDO que puede procesar cuatro direcciones de memoria en una
explosión. El rango develocidades de bus es de 50MHz a 66MHz (en comparación con
los 33MHz para EDO y 25MHz para modo de localización rápida).
Ram estática
(SRAM) Un chip de memoria que requiere que la energía retenga el contenido. SRAM
es más rápida que DRAM, pero es más cara y ocupa más espacio. Un uso típico para
SRAM es la memoria caché.
Rambus
(1) Rambus, Inc. desarrolla y da licencias de tecnología de diseño de circuitos y lógica
de memoria y alto desempeño y proporciona diseño de productos, disposición e
información de prueba a los dueños de licencias. (2) Direct Rambus es una
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terminología de memoria de alta velocidad que utiliza un bus estrecho a 16bits (canal
de Rambus) para transmitir datos a velocidades de hasta 800MHz. Véase Canal
Rambus.
Rambus concurrente
La segunda generación de la tecnología Rambus. Rambus concurrente se ha utilizado
en computadoras con base de gráficos televisores digitales y aplicaciones de video
juegos (tal como Nintendo 64, a partir de 1997).
Rambus de base
La primera generación de la tecnología Rambus se distribuyó por primera vez en 1995.
Rambus directo
La tercera generación de tecnología Rambus, que ofrece una arquitectura de DRAM
para PC de alto desempeño. Las transferencias de datos a velocidades de hasta
800MHz en un canal estrecho de 16bits, comparado con el SDRAM actual, que opera a
100MHz en un bus de 64bits de ancho.
RAS
Una señal de chip de memoria que asegura la dirección de la fila de una ubicación en
particular en una matriz de fila-columna.
RIMM de continuidad
(C-RIMM) Un módulo de memoria Rambus directo (Direct Rambus) que no contiene
chips de memoria. C-RIMM proporciona un canal continuo para la señal. En un sistema
Direct Rambus, los conectores externos se deben llenar con C-RIMMs.
RIMM®
El nombre de marca para el módulo de la memoria Direct Rambus. Un RIMM se adapta
al factor de forma del DIMM y transfiere 16bits de datos en el momento.
SDRAM
(DRAM sincrónica) Una tecnología DRAM que utiliza un reloj para sincronizar la
entrada y la salida de señal en un chip de memoria. El reloj se coordina con el reloj
del CPU para que la temporización de los chips de memoria la temporización del CPU
estén en sincronía. La DRAM sincrónica ahorra tiempo al ejecutar comandos y
transmitir datos, incrementando así el desempeño general de la computadora. SDRAM
permite que el CPU tenga acceso a la memoria aproximadamente un 25% más rápido
que la memoria EDO.
SD (Secure Digital) Card
Una tarjeta de memoria flash de alta seguridad en tamaño miniatura con alta
capacidad, creado por Matsushita Electric (Panasonic), SanDisk y Toshiba. Provee
almacenamiento de datos y acceso I/O en una variedad de dispositivos electrónicos.
SGRAM
(Memoria de acceso aleatorio de gráficos sincrónicos) Memoria de video que incluye
características de lectura/escritura específica de gráficos. SGRAM permite que los
datos se recuperen y modifiquen en bloques en lugar de hacerlo individualmente. El
hacerlo en bloques reduce el número de lecturas y escrituras que debe realizar una
memoria e incrementa el desempeño del controlador de gráficos.
SIMM
(Módulo de memoria de línea única) Una tarjeta de circuitos impresos que tiene
dispositivos de memoria y contactos de oro o estaño/plomo. Un SIMM se conecta a un
socket de expansión de memoria y de la computadora. Los SIMM ofrecen dos ventajas
principales: Son fáciles de instalar y tienen un consumo mínimo de superficie de la
tarjeta. Un SIMM montado verticalmente sólo requiere una fracción del espacio que
requiere un DRAM montado horizontalmente. Un SIMM puede tener desde 30 y hasta
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200 pines. En un SIMM, las guías de metal a cada lado de la tarjeta están unidas
eléctricamente.
SLDRAM
(Synclink) Un caso obsoleto hoy en día, SLDRAM tenía una tecnología de memoria
principal desarrollada por un grupo de doce fabricantes de DRAM como una
alternativa a la tecnología Direct Rambus.
Smart card o tarjeta inteligente
Un dispositivo electrónico similar a una tarjeta de crédito que se puede almacenar y
programar mejorando al mismo tiempo la seguridad. Las aplicaciones incluyen
identificación, tránsito masivo y bancos.
SmartMedia
(SSFDC) Una tarjeta de memoria flash muy delgada utilizada para almacenar datos en
cámaras digitales, PDAs, grabadoras de audio digital y otros dispositivos portátiles.
SO DIMM
(Módulo de memoria en línea dual de diseño pequeño) Una versión mejorada de un
DIMM estándar. Un DIMM de diseño pequeño de 72 pines tiene aproximadamente la
mitad de la longitud de un SIMM de 72 pines.
SO RIMM
El nombre con marca registrada para un módulo de memoria Direct Rambus en
computadoras portátiles. SO RIMM proporciona un ancho de banda de memoria
comparable a las configuraciones de memoria de las computadoras de escritorio.
Socket de SIMM
Un componente de tarjeta madre que mantiene un solo SIMM.
SOJ
(Guía J de diseño pequeño) Una forma común de empaque DRAM montado en
superficie. Un SOJ es un empaque rectangular con guías en forma de J en dos lados
largos. SSFDC Véase SmartMedia
sTSOP (Shrink Thin Small Outline Package)
Una clase de empaque de chip similar a TSOP, pero la mitad del tamaño. Su diseño
compacto permite a diseñadores de módulos añadir más chips de memoria en el
mismo espacio.
Tarjeta del sistema
Véase tarjeta madre.
Tarjeta lógica
Véase tarjeta madre.
Tarjeta madre
También conocida como la tarjeta lógica, tarjeta principal o tarjeta de la
computadora, la tarjeta madre es la tarjeta principal de la computadora y en la
mayoría de los casos mantiene a todo el CPU, la memoria y/o las funciones de E/S o
tiene ranuras de expansión para ellas.
Tarjeta para PC
(PCMCIA Asociación Internacional de Tarjetas de Memoria de Computadoras
Personales) Una norma que permite la intercambiabilidad de distintos componentes
de computadora en el mismo conector. La norma PCMCIA soporta dispositivos de
entrada-salida, incluyendo la memoria, el fax/módem, el puerto SCSI y los productos
para redes.
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Tecnología de línea de transmisión
Una tecnología que soporta el bus inverso en los sistemas Direct Rambus. La
información se pone en tubos rápidamente en paquetes simultáneos. El controlador
de memoria vuelve a ensamblar los paquetes para la transferencia del bus frontal y la
comunicación con el procesador.
Tiempo de acceso
El tiempo promedio (en nano segundos) para que RAM complete un acceso. El tiempo
de acceso se compone del tiempo y la latencia del inicio de la dirección (el tiempo
que toma en iniciar una solicitud de datos y preparar el acceso).
TSOP
(Empaque de diseño pequeño delgado) Un empaque DRAM que utiliza guías en forma
de alas de pelícano a ambos lados. TSOP DRAM se monta directamente en la
superficie de un conjunto de tarjetas de circuitos impresos. El paquete TSOP tiene un
tercio de espesor del SOJ. Generalmente, los componentes TSOP se encuentran en un
DIMM de diseño pequeño y memorias en tarjeta de crédito.
Velocidad de actualización
El número de filas de componentes de DRAM que se debe actualizar. Las tres
velocidades comunes de actualización son de 2K, 4K y 8K.
VRAM
(Memoria de acceso aleatorio de video) Memoria de dos puertos (dos puertos de datos
por separado) que se encuentra normalmente en una tarjeta de video o de gráficos.
Un puerto se dedica al CRT y actualiza la imagen. El segundo puerto es para el CPU o
el controlador de gráficos y cambia los datos de imagen en memoria.
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