SRAM - Jcee

Estado actual de las memorias en
SILICA
Enero 2007
Características de las Memorias
 Una Memoria es un dispositivo de Almacenamiento de Datos
binarios, del tipo código, datos o parámetros.
 La capacidad de información que puede almacenar se mide en
bits.
 Según el método de acceso puede ser de acceso Aleatório o
de acceso Serie.
 Según las características físicas puede ser Volátil o No Volátil,
es decir, que la volátil pierde la información al desconectar la
alimentación y la no volátil ls mantiene.
02
Tipos de memorias
Memorias
Volátiles
No Volátiles
DRAM
SRAM
RAM Dinámicas
RAM Estáticas
SDRAM
Tecnología
actual
Nuevas
Tecnologías
Asíncronas SRAM
Flash
PSRAM
Síncronas SRAM
Eeprom
LPSDRAM
Dual Port SRAM
MROM
FIFO SRAM
PROM
SRAM Serie
EPROM
DDRAM
DDR2 SRAM
MRAM
NVRAM
03
Principales funciones de las memorias
La siguiente tabla permite identificar cada memoria con su función en un sistema
Memorias
RAM
PSRAM
DRAM
SRAM
NVRAM
EEPROM
EPROM

Datos
Código +
Datos
Código

Código +
Parámetros

Parámetros
Memoria de
trabajo



Rotat
orio
No Volátil





H
D
D
NOR
NAND
FLASH
FLASH
FLASH
CARD













O
D
D
 


Aplicación típica

Uso posible
04
Memorias dentro de un Procesador
• Cada día más los procesadores (microcontroladores o DSPs) incluyen más periféricos y uno de
ellos son las memorias.
• Empezaron con las SRAM, Eprom, OTP, Eeprom, Flash…..
•Estas simplemente hay que fijarse en las características propias del procesador
correspondiente.
Peripherals
FLASH
Peripherals
SRAM
CPU
05
Memorias externas Serie
Las memorias externas pueden ser con interfaz serie y paralelo, las que usan una interfaz serie más utilizadas son
via SPI, I2C y Microwire.
• La ventaja es la reducción de pistas y tamaño del circuito impreso.
• La desventaja del uso de las memorias serie es la velocidad de acceso, con I2C hasta 400kHz, con SPI/Microwire
hasta 10MHz, con Flash hasta 50MHz.
Peripherals
FLASH
Peripherals
SRAM
CPU
I2C
SRAM/EEPROM
SPI o Microwire
EEPROM
Flash
06
Memoria Boot Flash Serie
SPI FLASH
(NOR)
Peripherals
SPI Bus 25 - 50 MHz
SDRAM Bus
CPU
4
/
Async bus for Peripherals
SRAM
SPI FLASH
(NOR)
Peripherals
4
/
Shared SDRAM/Async Bus
SPI Bus 25 - 50 MHz
CPU
SRAM
SDR SDRAM
32-bit
Peripheral
8-bit
07
Memorias externas a un Microprocesador
Peripherals
FLASH
FLASH
(NOR)
16-bit
Peripheral
8-bit
Peripherals
SRAM
SDRAM
16-bit
SDRAM
32-bit
CPU
SDRAM
SDRAM
16-bit
32-bit
Address
A[19:0]
Data
Byte Select
Component
Flash
Peripheral
A[19:0]
A[19:0]
A[19:0]
D[31:16]
D[31:0]
D[31:16]
D[31;24]
B[3:2]
B[3:0]
B[3:2]
B3
08
Memorias externas con Bus Unificado
Boot FLASH
(NOR)
8-bit or 16-bit
Peripherals
Bus Unificado
con SDRAM
y Boot Flash
CPU
SDR SDRAM
32-bit
SRAM
SDR SDRAM
Boot Flash
Boot Flash
32-bit
8-bit
16-bit
Address
A[19:0]
A[19:0]
A[19:0]
Data
D[31:0]
D[31:24]
D[31:16]
Byte Select
B[3:0]
B3
B[3:2]
Component
09
Memorias con Split Bus
Boot FLASH
(NOR)
8-bit or 16-bit
Peripherals
Control
CPU
Address
Data
Data
Split Bus
Control
SRAM
DDR1 SDRAM
16-bit
DDR1 SDRAM
Boot Flash
Boot Flash
16-bit
8-bit
16-bit
Address
A[15:0]
A[19:0]
A[19:1]
Data
D[31:16]
D[15:8]
D[15:0]
Byte Select
B[0:1]
B2
B[2:3]
Component
010
Memorias externas con Buses dedicados
Boot FLASH
(NOR)
8-bit
Peripherals
Peripheral
8-bit
FlexBus - 32-bit muxed Addr/Data, or non-muxed 24 Addrr / 8 Data
CPU
Dedicated SDRAM Bus
DDR1/SDR SDRAM
16-bit
SRAM
Component
Address
Data
Byte Select
DDR1/SDR SDRAM
16-bit
DDR1 SDRAM
Boot Flash
Peripheral
16-bit
8-bit
8-bit
SDADDR[12:0]
A[19:0]
A[19:0]
D[31:24]
D[31:24]
B3
B3
SDDATA[31:0]
SDDQS[3:0]
SDDM[3:0]
011
Memorias externas - Buses dedicados 2
Bus completamente no multiplexado
Boot FLASH
(NOR)
16-bit
Peripherals
SRAM
32-bit
FPGA
Non-multiplxed Bus, 32 Addr / 32 Data
CPU
Dedicated SDRAM Bus - 133MHz (CPU frequency/2)
DDR1/SDR SDRAM
16-bit
SRAM
Component
Address
Data
Byte Select
DDR1/SDR SDRAM
16-bit
DDR1 SDRAM
Boot Flash
16-bit
16-bit
SDADDR[12:0]
A[19:0]
A[19:0]
A[19:0]
D[31:16]
D[31:0]
D[31:0]
B3
B[3:0]
B[3:0]
SDDATA[31:0]
SDDQS[3:0]
SDDM[3:0]
FPGA
SRAM
32-bit
012
Memorias DRAM
DRAM
SDRAM
DDR SRAM
Micron
Micron
PSRAM
DDR2 SRAM
Micron - Cypress
Micron
RLDRAM
Micron
Módulos de
Memoria
Micron
DRAM (Dynamic Random Access Memory)
 Memoria Dinámica de Acceso Aleatorio
 Es un tipo de RAM que almacena cada bit de Datos en la capacidad
parásita de puerta de un transistor mosfet, que tiene que ser
recargado periódicamente, operación que se denomina “refresco”.
 Si se deja de aplicar alimentación se pierden los datos.
 La celda de memoria DRAM es mucho más sencilla, lo que permite
construir matrices de memoria muy grandes por chip, a un coste por
bit muy menor que la de las memorias SRAM. Por el contrario,
necesitan una circuitería de refresco. El tiempo de acceso a una
DRAM es algo menor que en una SRAM, pero consumen menos.
 Tipos:
 SDRAM (Memoria RAM Dinámica de Acceso Síncrono): Es capaz
de leer o escribir a un ciclo de reloj por acceso, es decir, sin estados
de espera intermedios. Trabaja a la velocidad del bus del sistema.
 DD SRAM (Double Data Rate SDRAM): Es una memoria síncrona,
envía los datos dos veces por cada ciclo de reloj. Trabaja al doble
de la velocidad del bus del sistema.
014
SDRAM
 La familia SDRAM de Micron consiste de 64Mb, 128Mb, 256Mb y




512Mb.
Interface síncrono a 3V3.
Encapsulados en TSOP o FBGA
Familia MT48LCxxx
SDRAM (hasta 200Mhz) y Mobile SDRAM (hasta 133MHz) que son
las más conocidas.
 Nomenclatura, ejemplos y encapsulados




MT48LC128M4 (128Mb x 4bits de ancho de bus)
MT48LC16M16 (16Mb x 16bits de ancho de bus)
P y T = TSOP
F y B = FBGA
 www.micron.com
 http://www.micron.com/support/designsupport/documents/guides
015
DDR SDRAM
 Micron ofrece memorias DDR SDRAM con una amplia variedad de capacidades,




velocidades y configuraciones.
Desde 128Mb hasta 1Gb
Ancho de bus x4, x8, x16
Alimentación 2,5V
Encapsulados TSOP y FBGA hasta 300MHz
 DDR Mobile de 128Mb hasta 256Mb x16 y x32, encapsulado en VFBGA hasta
166MHz
 Nomenclatura, ejemplos y encapsulados
 MT46Vxx, MT46V16M16 16Mb x 16 de ancho de bus
 Tipos B y F encapsulados FBGA
 Tipos P y T encapsulados en TSOP
 www.micron.com
 http://www.micron.com/support/designsupport/documents/guides
016
DDR2 SDRAM
 Micron ofrece memorias DDR2 SDRAM que duplica la velocidad de acceso de
las DDR, permitiendo cuatro transferencias de Datos por cada ciclo de reloj.




Capacidades desde 256Mb hasta 2Gb.
Ancho de bus x4, x8 y x16
Alimentación a 1,8V
Encapsulados en FBGA y VFBGA.
 DDR3 duplica la velocidad de la DDR2, disponibles hasta 1Gb.
 Nomenclatura, ejemplos
 MT47Hxxx, MT47H128M16 128Mbits x 16 de ancho de bus
 www.micron.com
 http://www.micron.com/support/designsupport/documents/guides
017
RLDRAM II
 RLDRAM II ™ (Reduncy Latency DRAM II) arquitectura de altas
prestaciones (hasta 4,6GB/s) para aplicaciones de networking,
caché de nivel 3 y graficos.
 Desde 256Mb hasta 576Mb
 Ancho de bus x9, x16, x18, x32 y x36
 Encapsulado T-FBGA.
 I/O Votage 1.5V/1.8V.
 Hasta 533MHz
 Nomenclatura:
 MT49Hxx, MT49H16M18BM33 FBGA 144, 16Mbits, ancho de bus
x18, 1V5,
 www.micron.com
 http://www.micron.com/support/designsupport/documents/guides
018
PSRAM (PSeudo SRAM)
 PSRAM (PowerSaving SRAM) que internamente es una DRAM
con interface de SRAM





Desde 8Mb hasta 256Mb
Ancho de bus x16 y x32
Encapsulado VFBGA.
I/O Voltage1.70V-3.30V.
Hasta 133MHz
 Nomenclatura:
 MT45Wx, MT45W1MW16BDG708WT 1Mbit x16 VFBGA 70ns
 www.micron.com
 http://www.micron.com/support/designsupport/documents/guides
019
PSRAM (PSeudo SRAM)
 Cypress ofrece las memorias que denomina Specialty DRAM, las
Pseudo SRAM que internamente es una DRAM con interface de
SRAM
No
 Capacidades: desde 1Mbits hasta 16Mbits
 Compatibles con SRAM pero mas baratas
 Están destinadas, principalmente, al mercado de teléfonos móviles.
PSRAM
CYK001M16SCCA
CYK001M16ZCCA
CYK128K16MCCB
CYK128K16SCCB
CYK256K16MCCB
CYK256K16SCCB
CYK512K16SCCA
CYU01M16SCG
CYU01M16SFE
Packages
Power
Access
SAP
Memory
Organization
Temp range
Vcc
16Mb
1Mb x 16
48 FBGA
Ultra Low Power
55ns, 70ns
Ind (-25 to 85 C )
3V
16Mb
1Mb x 16
48 FBGA
Ultra Low Power
70ns
Ind (-25 to 85 C )
3V
2Mb
128Kb x 16
48 VFBGA
Ultra Low Power
55ns, 70ns
Ind (-25 to 85 C )
3V
2Mb
128Kb x 16
48 VFBGA
Ultra Low Power
55ns, 70ns
Ind (-25 to 85 C )
3V
4Mb
256Kb x 16
48 VFBGA
Ultra Low Power
55ns, 70ns
Ind (-25 to 85 C )
3V
4Mb
256Kb x 16
48 VFBGA
Ultra Low Power
55ns, 70ns
Ind (-25 to 85 C )
3V
8Mb
512Kb x 16
48 FBGA
Ultra Low Power
55ns, 70ns
Ind (-25 to 85 C )
3V
16Mb
1 Mb X 16
FBGA
Ultra Low Power
70ns
Ind (-40C to 85C )
16Mb
1Mb x 16
48 VFBGA
Ultra Low Power
70ns
Ind (-40 to 85 C )
3V
1.8
V
020
Módulos de Memoria
 Micron ofrece módulos DIMM, MiniDIMM (244pins) y SODIMM (200pins) de
SDRAM, DDR y DDR2 con capacidades hasta 4GB y velocidades hasta
PC2-6200 en rango comercial e industrial.
 Tipos y Nomenclatura: FBDIMM (Fully Buffered DIMM), UDIMM (Unbuffered DIMM),
VLPDIMM (VeryLowProfile DIMM), VLPminiDIMM (VeryLowProfile miniDIMM),RLDIMM
(ReducedLatency DIMM), Mini DIMM, SODIMM (SmallOutline DIMM)
 UDIMM MT18HTF12872 128Mbits x72 DDR2
 UDIMM MT9HTF6472 64Mbits x72 DDR2
 SODIMM MT16HTF12864 128Mbits x64 DDR2
 MiniDIMM MT9HTF6472Y40 64Mbits x72
MiniDIMM
DIMM
SODIMM
021
Memorias SRAM
SRAM
RAM Estática
SRAM Serie
NXP
Síncronas
Asíncronas
Dual Port
FIFO
Cypress
Cypress
Cypress
Cypress
FAST SRAM
Cypress - Renesas
LowPower SRAM
Cypress - Renesas
SRAM (Static Random Access Memory)
 Memoria Estática de Acceso Aleatorio
 La palabra “estática” indica que la memoria retiene el contenido
mientras se le aplica alimentación.
 "Acceso aleatorio" significa que la localización de las posiciones en la
memoria no siguen ningún orden donde los datos serán leídos o
escritos.
 Las celdas de almacenamiento son registros o biestables (flip-flop).
 Tipos
 Asíncronas SRAM: Independientes de la frecuencia de reloj; los
Datos de entrada y los Datos de salida están controlados por la
transición de las Direcciones.
 Síncronas SRAM: Todas las sincronizaciones se inician por el tiempo
de subida y de bajada del reloj. Las Direcciones, Datos de entrada y
otras señales de control están asociadas con las señales del reloj.
023
SRAM Asíncronas
 Distinguimos 2 tipos:
 Fast: debajo de 25ns
 Micropower o Slow: 45ns y superior
 Cypress es el líder en SRAM y concretamente en las FAST SRAM, con un
ancho catálogo de dispositivos.
 Capacidades desde 4 Kb hasta 32 Mb, en varias opciones de voltage, ancho
de bus, y encapsulados, con un tiempo de acceso muy rápido.
 Fast Asynchronous SRAMs estan fabricadas usando tecnología CMOS de
Cypress, uno de los más antiguos fabricantes de Fast Asynchronous SRAM.
 Las aplicaciones de las Fast Asynchronous SRAMs es muy amplio, desde
switches y routers, teléfonos IP, IC-Testers, DSLAM Cards, Automoción o
cualquier aplicación que requiera estas características.
 Nomenclatura: Tabla siguiente página
024
Fast SRAM Asíncronas
Memory
Organization
Vcc
Memory
Organization
Vcc
CY7C1006D
1Mb
256Kbx4
5
CY7C1049CV33
4Mb
512Kb x8
3.3
CY7C1007B
1Mb
1Mb x1
5
CY7C1051DV33
8Mb
512Kb x16
3.3
CY7C1009B
1Mb
128Kb x8
5
CY7C1059DV33
8Mb
1Mb x8
3.3
CY7C1010CV33
2Mb
256Kb x8
3.3
CY7C1061AV33
16Mb
1Mb x16
3.3
CY7C1011CV33
2Mb
128Kb x16
3.3
CY7C1062AV25
16Mb
512Kb x32
2.5
CY7C1012AV33
12Mb
512Kb x24
3.3
CY7C1062AV33
16Mb
512Kb x32
3.3
CY7C1018CV33
1Mb
128Kb x8
3.3
CY7C1069AV33
16Mb
2Mb x8
3.3
CY7C1019B
1Mb
128Kb x8
5
CY7C106B
1Mb
256Kb x4
5
CY7C1019CV33
1Mb
128Kb x8
3.3
CY7C107B
1Mb
1Mb x1
5
CY7C1020B
512Kb
32Kb x16
5
CY7C109B
1Mb
128Kb x8
5
CY7C1020CV26
512Kb
32Kb x16
2.6
CY7C128A
16Kb
2Kb x8
5
CY7C1020CV33
512Kb
32Kb x16
3.3
CY7C1399B
256Kb
32Kb x8
3.3
CY7C1020DV33
512Kb
256Kb x16
3.3
CY7C148
4Kb
4Kb x4
5
CY7C1021B
1Mb
64Kb x16
5
CY7C164
64Kb
16Kb x4
5
CY7C1021CV26
1Mb
64Kbx16
2.6
CY7C166
64Kb
16Kb x4
5
CY7C1021CV33
1Mb
64Kb x16
3.3
CY7C167A
16Kb
16Kb x1
5
CY7C1024DV33
3Mb
128Kb x24
3.3
CY7C168A
16Kb
4Kb x4
5
CY7C1034DV33
6Mb
256Kbx24
3.3
CY7C185
64Kb
8Kb x8
5
CY7C1041B
4Mb
256Kb x16
5
CY7C187
64Kb
64Kb x1
5
CY7C1041CV33
4Mb
256Kb x16
3.3
CY7C192
256Kb
64Kb x4
5
CY7C1046B
4Mb
1Mb x4
5
CY7C194BN
256Kb
64Kb x4
5
CY7C1046CV33
4Mb
1Mb x4
3.3
CY7C197BN
256Kb
256Kb x1
5
CY7C1049B
4Mb
512Kb x8
CY7C199C
256Kb
32Kb x8
5
5
025
Fast SRAM
 QDR SRAM QDR™ (Quad Data Rate) SRAMs, son ideales para las aplicaciones de la
siguiente generación de comunicaciones. Las QDRs están organizadas x9, x18 y x36 en BGA
165, con una rango de frecuencias desde 167MHz hasta 333MHz, a 1,8V. Aplicaciones:
Network switches, routers y otras soluciones de comunicaciones basadas en diseños LA-1
(Look-Aside Interface). Estan especialmente diseñadas a los estándars de network como
OC-48, OC-192 y OC-768.
 Nomenclatura: HM66AQB9402BP-60 36Mbit 4Mbitx9 BGA 1,8V
 Network SRAM Es una compatible ZBT™ (Zero Bus Turnaround™ (ZBT®) *1), son de 18
Mbits.
 Nomenclatura: HM5M5V5A36GP-85 18Mbit 512kbitx36 TQFP100 3V
 Late Write Synchronous SRAM Se usan especialmente como “cache” y “buffer”, son de
16Mb, con ancho x36, BGA 119, 2,5 V (I/O a 1.5V.), 300MHz.
 Nomenclatura: HM64YGB36100BP-33 32Mbit 1Mbitx36 BGA 119 3V
 Asynchronous SRAM Se usan en aplicaciones industrial y comunicaciones, 4Mb SRAM
asíncronas, organizadas x4, x8, y x16
 Nomenclatura: R1RW0416DSB-2PR 4Mbit 256kbitx16 TSOP 3V
Ninguna
en SAP
 http://www.renesas.com/
026
LowPower SRAM
 MicroPower SRAM
 Cypress's MoBL(TM) SRAMs domina el mercado “low-power” con dispositivos desde 64 Kb
hasta 64 Mb con diferentes opciones de tensiones y ancho de bus, tiempos de acceso de 45
ns, con una disipación muy baja en “standby”, se ofrecen en opciones de encapsulado
estandard (RoHS) y en rangos de temperatura Industrial y de Automocion. Las MoBL SRAMs
en combinacion con baterias y controlador de memoria, como circuiteria de seguridad, forma
una “Super-Fast Non-Volatile-SRAM” para salvaguardar datos como una memoria no-volatil
con una vida entre 7 – 9 años.
 Ideales en aplicaciones de altas prestaciones y alimentadas con baterias como teléfonos
móviles, PDAs, terminales Punto de Venta (POS), maquinas de juego portables, Automoción,
Audio portables, Navegación y sistemas Telemáticos.
 Nomenclatura:
 CY62xxx, CY62128 128Kbits x8, CY62157EV30LL-45 256Kbits x16 3V 45ns TSOP

 Terminaciones: V 3V, V30 3V, V18 1,8V
027
LowPower SRAM





Renesas ofrece memorias Low Power SRAM
Desde 256Kb hasta 32Mb)
Alimentación a 5V, 3V, 1,8V
Ancho de bus x8, x16
Encapsulados en SOP/TSOP/STSOP/FBGA
 Nomenclatura:
 R1LV0408CSB-5SI 4Mbit 256Kbitsx8 TSOP 3V
 M5M51008DVP-70HI 1Mbit 128Kbitx8 TSOP 5V
 M5M51008DFP-70HI 1Mbit 128Kbitx8 SOP 5V
 http://www.renesas.com/
028
SRAMs Síncronas

Cypress ofrece SRAM síncronas de alta velocidad que incluyen “pipelined” síncrono estándard,
NoBusLatency™ (NoBL™), QuadDataRate™(QDR™), TagRAM, y Doble Data Rate (DDR) SRAMs, que se usan
típicamente en aplicaciones de redes. Adicionalmente, Cypress es líder en el mercado de memorias síncronas de
72-Mbits, dispositivos NoBL, QDR-II, y DDR-II SRAM.

Tipos:

Synchronous SRAM: SDR y DDR.
 Single Data Rate Synchronous SRAM (SDR SRAM)
 Pipelined Sincrona SRAM: memoria con registros en la entrada y en la salida. La escritura se realiza en un ciclo de



reloj y la lectura en dos ciclos.
Flowtrough: no tiene registros en la salida. La escritura se realiza en un ciclo de reloj y la lectura, también en uno.
Burst SRAM: característica que permite obtener datos de posiciones contiguas a partir de una dada. Los datos se
consiguen con cada ciclo de reloj.
Doble Data Rate Synchronous SRAM (DDR SRAM)
 QDR: Poseen dos puertos separados (para operaciones de lectura y escritura) que pueden correr independientemente

a doble velocidad (hasta 2 palabras pueden ser escritas y dos pueden ser leídas al mismo tiempo; el resultado son 4
datos por ciclo de reloj)
DDR: Como QDR pero un único puerto.
 Nomenclatura:





CY7C11xx No SAP
CY7C12xx
CY7C13xx
CY7C14xx
CY7C15xx
No usuales
 www.cypress.com/dualport
029
Dual Port SRAM
 Cypress ofrece más de 160 dispositivos de memoria Dual Port síncronas o
asíncronas, en densidades desde 8Kb hasta 36Mb y velocidades de hasta 250
MHz.
 Las memorias Dual-Port son ideales para interconectar procesadores, DSPs o
FPGAs para su comunicación o compartición de Datos.




Capacidades: 8 Kb hasta 36 Mb
Alimentación: 5V, 3.3V, 1.8V y 1.5V
Operación: Síncronas y asíncronas
Ancho de Bus: x8, x9, x16, x18, x36, y x72
 Nomenclaturas:
 Familias: CY7C0xx, CY7C1xx, CYD0xx, CYD18Sxx, CYD3x
 www.cypress.com/dualport
030
FIFO SRAM
 FIFO (First In, First Out): Primero en Entrar, Primero en Salir, es decir el primer Dato que
se escribe es el primero que se lee.
 Esta memoria se puede utilizar para comunicar dos sistemas con diferentes velocidades,
por ejemplo donde el sistema transmisor envía Datos a una velocidad superior a la que el
receptor la puede aceptar.
 Las memorias FIFO se usan comúnmente como “buffer” y en control de flujo, como en
Video, comunicaciones de Datos, Telecomunicaciones, Network switching/routing.
 Las memorias FIFO pueden ser:
 Síncronas: Una FIFO síncrona usa el mismo reloj tanto para leer como para escribir la



memoria.
Asíncronas: Una FIFO asíncrona usa diferentes relojes leer y para escribir la memoria.
Existen en una variedad de velocidades y ancho de bus, densidades y encapsulados.
También tener las siguientes configuraciones:
 Unidireccionales
 Bidireccionales
 Tri-bus
 Doble sincronismo.
 www.cypress.com/fifo
031
SRAM I2C
 NXP (antes Philips) ofrece una única memoria RAM serie I2C, el PCF8570, de muy
bajo consumo, organizada como 256 palabras de 8-bits.
 Las direcciones y los Datos son transferidos vía serie a un bus de dos líneas
bidireccional (I²C-bus). El registro de direcciones se incrementado
automáticamente después de cada byte escrito o leído. Los tres pins de
direcciones, A0, A1 y A2 se usan para definir las direcciones hardware, permitiendo
usar hasta 8 dispositivos iguales conectados al bus sin hardware adicional.








Alimentación: 2.5 a 6.0 V
Muy bajo Voltaje para retención de Datos; mínimo 1.0 V
Muy baja corriente en standby; máximo 15 µA
Modo power-saving; 50 nA
I²C-bus
3 pins de direcciones hardware
Incremento automático de dirección
Encapsulados en DIP8 y SO8.
 www.nxp.com/I2C
032
Memorias No Volátiles RAM
NVRAM
BBSRAM
STM
NVSRAM
Cypress
Texas Instruments
MRAM
Freescale
NVRAM (Ram No Volátil)
 STM BBSRAM (Battery-Backed Static RAM):
Consiste en una SRAM, una batería y una circuitería de control.
 SRAM
 Tiempo de acceso: 70/100 ns
 Retención de datos: 10 años
 Desde 16kbits hasta 16 Mbits
 Opciones con RTC (Real Time Clock)
 Circuito de control de fallo de alimentación
 Batería para no perder la información
 BUS PARALELO….
 Dos tipos:
 ZEROPOWER®: dispositivos NVRAM desde 16Kbits hasta 32Mbits,
 TIMEKEEPER®: dispositivos que incluyen RTCs (Real-Time Clocks) y un
rango desde 1Kbit hasta 4Mbits.
 http://www.st.com/stonline/products/families/memories/nvram/nvram.htm
034
NVRAM (Timekeeper)
Part Number
Package
Memory
M440T1MV
PBGA 44.5X44.5 168 MODULE 1.27
32Mb (1M x 32)
M48T02
PDIP 24 .7 ZERO POWER
M48T08
Min V
Max V
Programmable Alarm
WDT
3
3.6
-
Yes
16Kb (2K x 8)
4.75
5.5
No
No
PDIP 28 .7 ZERO POWER
64Kb (8K x 8)
4.75
5.5
No
No
M48T08Y
SO 28 BATTERY
64Kb (8K x 8)
4.5
5.5
No
No
M48T12
PDIP 24 .7 ZERO POWER
16Kb (2K x 8)
4.5
5.5
No
No
M48T128Y
HYBRID MODULE 32L
1Mb (128K x 8)
4.75
5.5
No
No
M48T129V
HYBRID MODULE 32L
1Mb (128K x 8)
3
3.6
Yes
No
M48T129Y
HYBRID MODULE 32L
1Mb (128K x 8)
4.5
5.5
Yes
No
M48T18
PDIP 28 .7 ZERO POWER
64Kb (8K x 8)
4.5
5.5
No
No
M48T248Y
HYBRID MODULE 32L
1Mb (128K x 8)
4.5
5.5
No
No
M48T251Y
HYBRID MODULE 32L
4Mb (512K x 8)
4.5
5.5
No
No
M48T35
PDIP 28 .7 ZERO POWER
256Kb (32K x 8)
4.75
5.5
No
No
M48T35AV
PDIP 28 .7 ZERO POWER; SO 28 BATTERY
256Kb (32K x 8)
3
3.6
No
No
M48T35Y
PDIP 28 .7 ZERO POWER; SO 28 BATTERY
256Kb (32K x 8)
4.5
5.5
No
No
M48T37V
SO44.350 BATT C u w/socket
256Kb (32K x 8)
3
3.6
Yes
Yes
M48T37Y
SO44.350 BATT C u w/socket
256Kb (32K x 8)
4.5
5.5
Yes
Yes
M48T512Y
HYBRID MODULE 32L
4Mb (512K x 8)
4.5
5.5
No
Yes
M48T58
PDIP 28 .7 ZERO POWER
64Kb (8K x 8)
4.75
5.5
No
No
M48T58Y
PDIP 28 .7 ZERO POWER; SO 28 BATTERY
64Kb (8K x 8)
4.5
5.5
No
No
M48T59Y
PDIP 28 .7 ZERO POWER; SO 28 BATTERY
64Kb (8K x 8)
4.5
5.5
Yes
Yes
M48T86
PDIP 24 .7 ZERO POWER; SO 28 BATTERY
1Kb (128 x 8)
4.5
5.5
Yes
No
035
NVRAM (Zero Power)
Part Number
Package
Memory
Min V
Max V
M48Z02
PDIP 24 .7 ZERO POWER
16Kb (2K x 8)
4.75
5.5
M48Z08
PDIP 28 .7 ZERO POWER
64Kb (8K x 8)
4.75
5.5
M48Z12
PDIP 24 .7 ZERO POWER
16Kb (2K x 8)
4.5
5.5
M48Z128
HYBRID MODULE 32L
1Mb (128K x 8)
4.75
5.5
M48Z128Y
HYBRID MODULE 32L
1Mb (128K x 8)
4.5
5.5
M48Z129V
HYBRID MODULE 32L
1Mb (128K x 8)
3
3.6
PDIP 28 .7 ZERO POWER
64Kb (8K x 8)
4.5
5.5
M48Z2M1V
HYBRID MODULE 36L .6 ZEROPOWER
16Mb (2Mb x 8)
3
3.6
M48Z2M1Y
HYBRID MODULE 36L .6 ZEROPOWER
16Mb (2Mb x 8)
4.5
5.5
SO 44 .350 BAT Cu wo/socket
256Kb (32K x 8)
3
3.6
PDIP 28 .7 ZERO POWER
256Kb (32K x 8)
4.75
5.5
M48Z35AV
PDIP 28 .7 ZERO POWER; SO 28 BATTERY
256Kb (32K x 8)
3
3.6
M48Z35Y
PDIP 28 .7 ZERO POWER; SO 28 BATTERY
256Kb (32K x 8)
4.5
5.5
M48Z512A
HYBRID MODULE 32L
4Mb (512K x 8)
4.75
5.5
M48Z512AY
HYBRID MODULE 32L
4Mb (512K x 8)
4.5
5.5
PDIP 28 .7 ZERO POWER
64Kb (8K x 8)
4.75
5.5
PDIP 28 .7 ZERO POWER; SO 28 BATTERY
64Kb (8K x 8)
4.5
M48Z18
M48Z32V
M48Z35
M48Z58
M48Z58Y
5.5
036
NVRAM (RAM No Volátil)
 Texas Instruments NVSRAM
 Consta de una SRAM, una célula de
Litio y una circuitería de control.
 Vida: 10 años de retención de Datos
 Desde 64kbytes hasta 2048kbytes.
 Zócalo compatible con SRAM y
Eeprom.
 Opción dos chips, el controlador y la
SRAM
 BQ2201: Controlador externo para
SRAM y batería.
037
NVSRAM
Part
Number Memor
y
(Kb) Controlle
r Mod
.
Yes
BQ2201
Supply
Voltag
e
(V) 5
Pin/Package Price
1KU
(US$) 1.85
SRAM Nonvolatile Controller IC
for 1 SRAM Bank
2.30
SRAM Nonvolatile Controller IC
for 4 SRAM Banks
6.50
8Kx8 Nonvolatile SRAM, 5%
Voltage Tolerance
6.50
8Kx8 Nonvolatile SRAM, 10%
Voltage Tolerance
7.50
32Kx8 Nonvolatile SRAM, 5%
Voltage Tolerance
7.50
32Kx8 Nonvolatile SRAM, 10%
Voltage Tolerance
9.50
128Kx8 Nonvolatile SRAM, 5%
Voltage Tolerance
9.50
128Kx8
Nonvolatile
SRAM,
10% Voltage Tolerance
20.00
256Kx8 Nonvolatile SRAM, 5%
Voltage Tolerance
20.00
256Kx8 Nonvolatile SRAM,
10% Voltage Tolerance
8PDIP 8SOIC
5
BQ2204A
16PDIP 16SOIC
BQ4010
64
Yes
5
28DIP MODULE
BQ4010Y
64
Yes
5
28DIP MODULE
BQ4011
256
Yes
5
28DIP MODULE
BQ4011Y
256
Yes
5
28DIP MODULE
BQ4013
1024
Yes
5
32DIP MODULE
BQ4013Y
1024
Yes
5
32DIP MODULE
BQ4014
2048
Yes
5
32DIP MODULE
BQ4014Y
2048
Yes
5
32DIP MODULE
Description 038
NVSRAM (Ram No Volátil)
 Cypress NVSRAM (No Volatil Static RAM):
Consiste en una SRAM, una Eeprom y una circuitería de control.
 SRAM + Eeprom
 16k, 1Mbit
 Interface: SRAM
 Alimentación: 3V y 5V
 Tiempo de acceso: 15/25/35/45 ns
 Retención de datos: 20 años a 85ºC
 Opciones con RTC (Real Time Clock)
 Condensador para no perder la información
cuando se pasa la información de la SRAM a la Eeprom
NVSRAM
Memory
Vcc
RTC
Package - access
RTC
SSOP, 25ns/45ns
CY14B101K
128Kb x8
3
CY14B101L
128Kb x8
3
SOIC, 35ns
CY14B101L
128Kb x8
3
SSOP, 25ns
CY14B256K
32Kb x8
3
CY14B256L
32Kb x8
3
SSOP, SOIC, 25ns/35ns
CY14E064L
8Kb x8
5
SOIC, 25ns/35ns
CY14E256L
32Kb x8
5
SOIC, 25ns/35ns
CY22E016L
2Kb x8
5
RTC
SSOP, 25ns/45ns
SOIC, 25ns/35ns
039
MRAM (Magnetoresistive Random Access Memories)
 Freescale (MRAM)
 Usa materiales ferromagnéticos (Ni, Fe, Co) para producir dos capas magnéticas







que contienen un estado “1” o “0”. Las capas están separadas por un fino
dieléctrico de óxido de aluminio.
Una capa es magnéticamente fija, mientras que la otra puede conmutar en
orientación polar.
La capa libre tiene la habilidad de orientar los momentos magnéticos en el
material en la misma dirección (paralela) que la orientación de la placa fija o con la
orientación opuesta (antiparalela).
Ambos estados son estables, pero se diferencian en la resistencia. La
información se almacena como polarización magnética y detectada como un
cambio en la resistencia.
Vida muy alta, de rápida programación. Programable byte a byte
Se necesita baja energía en la programación comparado con la Flash y la Eeprom.
El tamaño del bit de la celda competitiva con la eDRAM.
Competitiva en velocidad con la SRAM (excepto con las más rápidas).
N
S
S
N
Alta Resistencia = “1”
Capa Libre
Capa fija
S
S
N
N
Baja Resistencia = “0”
040
Freescale MRAM
Memoria MRAM MR216ATS35C
 4Mbits organizado (256Kx16bits)
 Alimentación: 3.3V
 Tiempo de acceso: 25ns r/w.
 Pinout como una Fast SRAM (alimentación y
masa en el centro).
 Rango de Temperatura Comercial (0-70°C)
 Encapsulado TSOP tipo-II.
 Bus de Datos flexible (acceso 8/16-bits)
 LVI previene perdidas de escrituras
 I/O compatible TTL
 Operación completamente estática.
 10 años en retención de Datos.
 Vida: >1016
A16
A17
A10
A11
A12
E
DQL0
DQL1
DQL2
DQL3
V DD
VS S
DQL4
DQL5
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
A15
A14
A13
G
UB
LB
DQU15
DQU14
DQU13
DQU12
VSS
VDD
DQU11
DQU10
DQL6
DQL7
W
A0
A1
A2
A3
A4
15
16
17
18
19
20
21
22
30
29
28
27
26
25
24
23
DQUS9
DQU8
NC
A9
A8
A7
A6
A5
041
EEPROM
EEPROM
Serie
I2C™
SPI™
Microwire®
STM - NXP
Microchip
STM
Microchip
STM
Microchip
Eeprom
 Eeprom o E2Prom (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)
 Es una memoria programable y borrable eléctricamente.
 Se pueden conectar a un bus paralelo o serie (I2C, SPI, Microwire ™)
 Se puede escribir byte a byte
 STM, Microchip y Philips (NXP) ofrecen EEPROMs con un ancho rango de tamaños
de memoria y de comunicaciones serie.




Desde 1kb hasta 512kb.
3 tipos de buses: I2C, SPI, Microwire
Varios rangos de alimentación (5.5V, 2.5V, 1.8V)
Encapsulados muy pequeños en 8-pins.
www.st.com/eeprom/
www.microchip.com/eeprom
www.nxp.com/i2c
043
EEPROM I2C™
Part Number
Memory
Min V
Max V
Write Cycle
Time (ms)
Erase/write
(Kcycles)
M24128-BR
128Kb x8
1.8
5.5
10
1000
M24128-BW
128Kb x8
2.5
5.5
5
M24256-BR
256Kb x8
1.8
5.5
M24256-BW
256Kb x8
2.5
M24512-R
512Kb x8
M24512-W
Data
Retention
(years)
Page Size
(byte)
Standby
(uA)
40
64
1
1000
40
64
2
10
1000
40
64
5
5.5
5
1000
40
64
2
1.8
5.5
10
100
40
128
2
512Kb x8
2.5
5.5
5
100
40
128
2
M24C01-R
1Kb x8
1.8
5.5
10
1000
40
16
0.3
M24C01-W
1Kb x8
2.5
5.5
5
1000
40
16
0.5
M24C02-R
2Kb x8
1.8
5.5
10
1000
40
16
0.3
M24C02-W
2Kb x8
2.5
5.5
5
1000
40
16
0.5-2.0
M24C04-R
4Kb x8
1.8
5.5
10
1000
40
16
0.3
M24C04-W
4Kb x8
2.5
5.5
5
1000
40
16
0.5-2.0
M24C08-R
8Kb x8
1.8
5.5
10
1000
40
16
0.3
M24C08-W
8Kb x8
2.5
5.5
5
1000
40
16
0.5-2.0
M24C16-R
16Kb x8
1.8
5.5
10
1000
40
16
0.3
M24C16-W
16Kb x8
2.5
5.5
5
1000
40
16
0.5
M24C32-R
32Kb x8
1.8
5.5
10
1000
40
32
0.2
M24C32-W
32Kb x8
2.5
5.5
5
1000
40
32
2
M24C64-R
64Kb x8
1.8
5.5
10
1000
40
32
0.2
M24C64-W
64Kb x8
2.5
5.5
5
1000
40
32
2
M34D64-W
64Kb x8
2.5
5.5
5
1000
40
32
10
044
EEPROM I2C™
 Microchip ofrece una familia de Eeprom serie I2C compatible con
un rango de capacidad desde 128 bits hasta 1Mbit. 1.000.000
ciclos, >200 años retención.
 Familia 24xx
 Nomenclatura:
 24AAxx 1,5V a 5V (1,8V 100kHz, 5V 400kHz)
 24LCxx 2,5V a 5V
 24Cxx 5V
 Xx = 00 128bit, 01 1kbit, 02 2Kbit, 04 4kbit, 08 8kbit,… 16, 32, 64, 128,
256, 512,…. 1025 1Mbit.
045
EEPROM I2C™
 NXP (antes Philips) ofrece Eeprom I2C y con tecnología CMOS
con muy bajo consumo.
 Se pueden reprogramar como mínimo 1millon de veces (a 25ºC).
 Escritura byte a byte o páginas de 8 bytes.
 Lectura secuencial o aleatória.
046
EEPROM Microwire®
Part Num ber
Package
M em ory
M in V
M ax V
Write Cycle
Tim e (m s)
Eras e/w rite
Kcycles
Data Retention
(ye ars)
Standby
(uA)
PDIP8; SO8
1Kb x8. 1Kb x16
4.5
5.5
5
1000
40
15
PDIP8; SO8; TSSOP8
1Kb x8; 1Kb x16
2.5
5.5
5
1000
40
5
M 93C56
SO8
2Kb x8. 2Kb x16
4.5
5.5
5
1000
40
15
M 93C56-R
SO8
2Kb x8; 1Kb x16;
2Kb x8; 2Kb x16
1.8
5.5
10
1000
40
2
M 93C56-W
SO8; TSSOP8
2Kb x8; 2Kb x16
2.5
5.5
5
1000
40
5
SO8
4Kb x8. 4Kb x16
4.5
5.5
5
1000
40
15
M 93C66-R
UFDFPN 2x3x0.6 8L 0.5MM pitch
4Kb x8; 4Kb x16
1.8
5.5
10
1000
40
2
M 93C66-W
SO8; TSSOP8
4Kb x8; 4Kb x16
2.5
5.5
5
1000
40
5
SO8
8Kb x8. 8Kb x16
4.5
5.5
5
1000
40
15
SO8; TSSOP8
8Kb x8; 8Kb x16
2.5
5.5
5
1000
40
5
SO8
16Kb x8. 16Kb x16
4.5
5.5
5
1000
40
15
PDIP8; SO8; TSSOP8
16Kb x8; 16Kb x16
2.5
5.5
5
1000
40
5
M 93S46
SO8
1Kb x16
4.5
5.5
5
1000
40
15
M 93S46-W
SO8
1Kb x16
2.5
5.5
5
1000
40
5
M 93S56
SO8
2Kb x16
4.5
5.5
5
1000
40
15
M 93S56-W
SO8
2Kb x16
2.5
5.5
5
1000
40
5
M 93S66
SO8
4Kb x16
4.5
5.5
5
1000
40
15
M 93S66-W
SO8
4Kb x16
2.5
5.5
5
1000
40
5
M 93C46
M 93C46-W
M 93C66
M 93C76
M 93C76-W
M 93C86
M 93C86-W
047
EEPROM Microwire®
 Microchip ofrece una familia de Eeprom serie Microwire
compatible con un rango de capacidad desde 1Kbit hasta 16Kbit.
1.000.000 ciclos, >200 años retención.
 Familia 93xx
 Nomenclatura:
 93AAxx 1,5V a 5V
 93LCxx 2,5V a 5V
 93Cxx 5V
 xx 46 1kbit, 56 2Kbit, 66 4kbit, 76 8kbit, 86 16Kbit.
 Letra final A 8bit, B 16bit, C 8/16bit de tamaño de “word”
048
EEPROM SPI™
Part
Number
Package
Memory
Min
V
Ma
x
V
Write Cycle
Time (ms)
Erase/write
Kcycles
Data Ret.
(years)
Standby
(mA)
M95010
SO8; TSSOP8
1Kb x8
1.8
5.5
5
1000
40
1
M95010-W
SO8; TSSOP8
1Kb x8
2.5
5.5
5
1000
40
1
TSSOP8
2Kb x8
2.5
5.5
5
1000
40
1
SO8
2Kb x8
2.5
5.5
5
1000
40
1
M95040
SO8; TSSOP8
4Kb x8
1.8
5.5
5
1000
40
0.5-5.0
M95040-W
SO8; TSSOP8
4Kb x8
2.5
5.5
5
1000
40
1.0-2.0
M95080
SO8; TSSOP8; UFDFPN 2x3x0.6 8L 0.5MM pitch
8Kb x8
1.8
5.5
5
1000
40
0.5-2.0
M95080-W
SO8; TSSOP8; UFDFPN 2x3x0.6 8L 0.5MM pitch
8Kb x8
2.5
5.5
5
1000
40
1.0-2.0
M95128-R
SO8; TSSOP8
128Kb x8
1.8
5.5
5
1000
40
0.5
M95128-W
SO8
128Kb x8
2.5
5.5
5
1000
40
1
SO8; TSSOP8; UFDFPN 2x3x0.6 8L 0.5MM pitch
16Kb x8
1.8
5.5
5
1000
40
0.5-5.0
M95160-W
SO8; TSSOP8
16Kb x8
2.5
5.5
5
1000
40
1.0-2.0
M95256
SO8; TSSOP8
-
-
-
-
-
-
-
SO 08 WIDE .208 (EIAJ); SO8; TSSOP8
256Kb x8
2.5
5.5
5
1000
40
1
SO8
32Kb x8
4.5
5.5
5
1000
40
2
M95320-R
SO8; TSSOP8; UFDFPN 2x3x0.6 8L 0.5MM pitch
32Kb x8
1.8
5.5
5
1000
40
1
M95320-W
SO8; TSSOP8
32Kb x8
2.5
5.5
5
1000
40
1.0-2.0
M95512-R
SO8; TSSOP8
512Kb x8
1.8
5.5
5
100
40
3
M95512-W
SO8; TSSOP8
512Kb x8
2.5
5.5
5
100
40
2
SO8
64Kb x8
2.5
5.5
5
1000
40
2
M95640-R
SO8; TSSOP8; UFDFPN 2x3x0.6 8L 0.5MM pitch
64Kb x8
1.8
5.5
5
1000
40
1
M95640-W
SO8; TSSOP8
64Kb x8
2.5
5.5
5
1000
40
1.0-2.0
M95020
M95020-W
M95160
M95256-W
M95320
M95640
049
EEPROM SPI™
 Microchip ofrece una familia de Eeprom serie SPI con un rango de
capacidad desde 1Kbit hasta 256Kbit. 1.000.000 ciclos, >200
años retención. 10MHz.
 Familia 25xx
 Nomenclatura:
 25AAxxxA 1,5V a 5V
 25LCxxxA 2,5V a 5V
 xxx 010 1kbit, 020 2Kbit, 040 4kbit, 080 8kbit, 160 16Kbit, 320
32Kbit, 640 64Kbit, 256 256Kbit.
050
Memorias FLASH
Flash
NOR FLASH
NAND FLASH
STM – Spansion
INTEL
STM
INTEL
Kripto FLASH
STM
FLASH SPI
FLASH CARD
STM
Spansion
Intel
Memorias Flash NAND y NOR
 NAND Flash es una memoria no volátil que tiene la capacidad de mantener y almacenar
Datos incluso sin alimentación. Funcionalmente una NAND Flash puede ser vista como una
pequeña unidad de disco duro en versión silicio.
 NAND Flash almacena Datos en una larga serie de transistores. Cada transistor puede
almacenar un bit de Datos (nota: la celda multi-nivel (MLC) NAND puede almacenar dos bits
de Datos en cada celda). NAND Flash ha ganado la gran popularidad de las tradicionales
memorias NOR Flash, porque pueden tener muchas más celdas en la misma área de silicio.
Esto da a las NAND Flash ventajas en densidad y coste sobre otras memorias no volátiles.
NAND Flash permite estas ventajas compartiendo algunas áreas comunes del transistor de
almacenaje, que crea cadenas de transistores conectados en serie (en NOR Flash, cada
transistor está solo). Esta arquitectura de celdas sucesivas dan el nombre a este tipo de
dispositivos: NAND (Not AND) es la referencia de lógica de Boole a como la información es
leída de estas celdas.
 NAND vs. NOR
 NOR - Está diseñada para ser un dispositivo de acceso aleatorio, la celda utilizada para

almacenar un bit es mayor que en la NAND, el tiempo de lectura es mas rápido y es la
mejor manera para almacenar y ejecutar código en la memoria. Las aplicaciones de
almacenar código incluyen Set-Top Boxes, PCs, y teléfonos celulares....
NAND - Es un dispositivo de acceso secuencial (serie), tiempo de lectura lento, célula de
almacenado mas pequeña que en NOR por lo que suelen ser mas baratas y es la mejor
manera de manejar el almacenaje de Datos como fotos, música o ficheros de Datos. Es
la memoria utilizada en las MultimediaCard, SDcard.
 Los sistemas de archivos para estas memorias están en pleno desarrollo aunque ya en
funcionamiento como por ejemplo JFFS originalmente para NOR, evolucionado a JFFS2
para soportar además NAND o YAFFS, ya en su segunda versión, para NAND. Sin embargo,
052
Comparación NOR Flash / NAND Flash
PARAMETRO
NOR Flash
NAND Flash
Capacidad
1 a 16 Mbytes
8 a 128 Mbytes
Ejecución de código
XIP (Ejecution In
Place)
Si
No
Borrado
Muy lenta (5s)
Rápida (3ms)
Escritura
Lenta
Rápida
Lectura
Rápido
Rápida
Durabilidad
Direccionable cada byte
10% más que la mayor vida esperada
Rango de ciclos de
borrado
10,000 a 100,000
100,000 a1,000,000
Interface
Como la SRAM, mapa de
memoria
Teniendo accesos de 512 bytes; mapa de I/O
Metodo de Acceso
Aleatorio
Secuencial
Precio
Alto
Muy bajo
053
Memorias NOR Flash
 Spansion ofrece memorias Flash tipo NOR en dos tecnologías:
 Floating gate – Tecnología tradicional. Almacena un único bit por célula. Tiempo
de acceso mas rápido. Altas prestaciones. Desde 1Mb hasta 128Mb.
 MirrorBit® – Innovadora tecnología de Spansion capaz de almacenar dos bits
independientes en una única célula. Mas bajo coste. Alimentación 3 V. Desde
16Mb a 1Gb.
 Todas las Flash de Spansion soportan XIP (execution in place) y todas las
MirrorBit® soportan lecturas en modo pagina.
 Tecnología MirrorBit®:
 La célula MirrorBit® de doble la densidad intrínseca,
almacenando dos bits físicos distintos en los lados
opuestos de la célula de la memoria.
 Cada bit dentro de una célula sirve como una unidad
binaria de Datos (por ejemplo, 0 o 1) que está
directamente en el mapa de memoria.
 La lectura o la programación de un lado de la célula de
memoria ocurre independientemente de que cualquier
Dato sea almacenado en el lado opuesto de la célula.
054
NOR Flash
1 Mb
2 Mb
4 Mb
8 Mb
16 Mb
32 Mb
64 Mb
128 Mb 256 Mb 512 Mb
GL
1 Gb
GL
AL
LV
FL
JL
PL
2005
CD
BL
F
2006
FL
(small sectors)
GL
AL
2007
GL
LV
AL
FL
=
=
=
=
3V MirrorBit, page-mode
3V floating gate, standard
3V floating gate, standard
3V MirrorBit, serial peripheral interface
90 nm
110 nm
JL
PL
CD
BL
=
=
=
=
3V floating gate, simul R/W
3V floating gate, page mode + simul R/W
3V floating gate, burst mode + simul R/W
3V floating gate, burst mode
F
= 5V floating gate, standard
130 nm
200 nm
230+ nm
055
NOR FLASH
4 Mb
48 FBGA
(0.8 mm
pitch)
S29AL004D
8 Mb
S29AL008D
64 Mb
16 Mb
32 Mb
S29AL016D
S29AL032D
S29GL016A S29GL032A
S29PL032J
128 Mb
256 Mb
512 Mb
1 Gb
S29GL064A
S29PL064J
64-Ball Fortified
BGA (1 mm pitch)
To
4Gb
S29GL016A S29GL032A
S29GL064A S29GL128N S29GL256N S29GL512N S29GL01GP
S29GL032A
S29GL064A S29GL128N S29GL256N S29GL512N S29GL01GP
To
4Gb
56 TSOP
48 TSOP
S29AL004D S29AL008D S29AL016D S29AL032D
S29GL016A S29GL032A
S29GL064A
S29JL032H
S29JL064H
Los encapsulados de Spansion permite la máxima libertad
entre densidad, familia de producto y proceso de tecnología
056
Codificación de las NOR FLASH
1. Codificación Base
S 2 9 GL 5 1 2 N
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Designación
de Tecnología
Tecnología
D
200 nm Floating Gate
+
G
170 nm Floating Gate
H
130 nm Floating Gate
1 1 T A I 0 2 0
J
110 nm Floating Gate
M
230 nm MirrorBit™
A
200 nm MirrorBit™
N
110 nm MirrorBit™
Prefijo
Serie
Familia
Densidad
Tecno
logía
2. Opciones
10
11
Velocidad de
Acceso
12
13
Encapsulado/
libre Pb
14
15
16
Rango
Número de
Temp
Modelo
17
Tipo
Encap
sulad
o
057
ORNAND FLASH
 Nueva tecnología de Spansion que aprovecha lo mejor de las NOR
y de las NAND. Optimizada para aplicaciones que requieran gran
capacidad de almacenar datos.






Alta capacidad (1Gb, 1.8v - 2Gb, 3.0v) en 90nm
Tecnología MirrorBit®
Rápida escritura y lectura.
Ambos software y hardware interface (NOR y NAND)
Bajo coste.
Capaces de ejecutar código.
Product
Description
Sample Availability
Production Release
S30ML512P
512Mb 3V ORNAND, 90nm MirrorBit ®
Now
Dec'06
S30ML256P
256Mb 3V ORNAND, 90nm MirrorBit ®
Feb'07
Q1'07
S30ML128P
128Mb 3V ORNAND, 90nm MirrorBit ®
Feb'07
Q1'07
058
NOR FLASH StrataFlash™
 StrataFlash™: Es una memoria Flash con tecnología de célula multinivel (MLC Multil
Level Cell), de Intel que almacena 2 o 3 bits por célula, en lugar de un bit. El voltaje a
través de cada célula está dividido en cuatro niveles, permitiendo cualquiera de las
combinaciones posibles de dos bits: 00, 01, 10 o 11. Tres bits por célula se logran con
ocho niveles de voltaje.
 Serie P30 64Mbit hasta 512Mbit, 1,8V (I/O 3V) Boot Block, x16
 Nomenclatura: JS28F128P30B85 (56 TSOP) o PC28F128P30B85 (64BGA)

 Serie P33 64Mbit hasta 512Mbit, 3,3V Boot Block, x16
 Nomenclatura: JS28F128P33B85 (56 TSOP) o PC28F128P33B85 (64 BGA)
 Serie J3 32Mbit hasta 128Mbit, 3V, x8 o x16. Son de sectores iguales (no son
Boot Block).
 Nomenclatura: JS28F256J3
o PC28F256J3
 Letra B es “bottom” JS28F128P30B85, Letra T es “top” JS28F128P30T85
 http://www.intel.com/design/flash/nor/index.htm
059
NOR FLASH Boot Block
 Este tipo de memoria tiene un área reservada para el arranque o “boot”,
normalmente de menor tamaño que el resto de sectores. Dependiendo de
si esta área está al principio o al final del mapa de memoria, será Top o
Bottom.
 Boot Block: Es un área de la Flash para la carga y ejecución del sistema
operativo necesario para arrancar la aplicación. Este sector es más
pequeño
 Son las más normales. No son Strataflash con tecnología MLC




Desde 16Mbits hasta 32Mbit,
Alimentación 3V,
x16
56 TSOP y 64 BGA
 Serie C3
 http://www.intel.com/design/flash/nor/index.htm
060
NOR FLASH
 STM ofrece varias familias de NOR FLASH estándar en la industria.
 Nomenclaturas NOR FLASH de 5V
 29Fxxx (1, 2, 4, 8, 16, 32Mbit), x8, x16, 45ns, PLCC, TSOP, SOIC
 Nomenclaturas NOR FLASH de 3V
 M29Wxxx (1, 2, 4, 8, 16, 32, 64, 128Mbit)
 M29DWxxx (32, 64, 128Mbit) TSOP48 y TFBGA63 hasta 64Mbit,
TSOP56 y TBGA64 para 128Mbit, 70/90ns
 M58BWxxx (16, 32Mbit), x32
 M28Wxxx (16, 32, 64Mbit), x16, TBGA, Boot Block
 www.st.com/flash
061
NOR Flash Secure o Kripto™ Flash
 Es una NOR Flash que incluye seguridad, procurando una autentificación
entre la Flash y la CPU, con prevención de cualquier operación ilegal por un
procesador no autorizado o memoria Flash conectada en paralelo.
 El sistema de seguridad incluye también un mecanismo de protección de
lectura con la reactivación automática. Esto decir, contra la prevención de la
lectura no autorizada de la memoria o la duplicación de sus datos en
dispositivos piratas, tanto para salvaguardar la Propiedad intelectual (IP) y el
código de programa almacenado.
 Solo las hacen en BGA
 La diferencia en la nomenclatura con las NOR Flash de STM normales es
que incluyen las letras FS y en la última letra si el block es: T(Top), B
(Bottom) o U(Uniform).
 M28W320FSB 32Mbits, 2Mbx16, B(Bottom)
 M28W640FST 64Mbits, 4Mbx16, T(Top)
 http://www.st.com/stonline/products/families/memories/fl_nor_emb/fl_secure.htm
062
NAND FLASH
 STM ofrece memorias NAND Flash
 Nomenclaturas Flash NAND SLC Small Page
 Tamaño de pàgina: 528 bytes
 NANDxxx (128, 256, 512Mbit), x8, 1,8 y 3V. Ejemplo: NAND128W3A
 TSOP48, USOP48, VFBGA63
 Nomenclaturas Flash NAND SLC Large Page
 Tamaño de pàgina: 2112 bytes
 NANDxx (1, 2, 4, 8Gbit), x8, 1,8 y 3V. Ejemplo: NAND01GW3B
 TSOP48, USOP48, VFBGA63
 Flash NAND MLC Large Page
 Tamaño de pàgina: 2112 bytes
 NANDxx (4, 8Mbit), x8, 3V. Ejemplo: NAND04GW3C2A
 TSOP48
 www.st.com/nand
063
NAND FLASH





Intel ofrece memorias NAND FLASH. Single Level Cell (SLC).
Desde 2 Gbits hasta 16 Gbits
Alimentación 3V3
Ancho de bus: x8
Encapsulado 48 TSOP
 Nomenclatura JS29Fxx, ejemplo JS29F04G08
 www.intel.com/design/flash/nand/
064
NAND FLASH
Part Number
Density
Bus
Voltage
Plane
Package
RoHS
Temp
Status
48L
Yes
0C to
+70C
Production
Yes
0C to
+70C
Production
Yes
0C to
+70C
Production
Yes
0C to
+70C
Production
Yes
0C to
+70C
Production
Yes
0C to
+70C
Production
Yes
0C to
+70C
Production
Yes
0C to
+70C
Production
Yes
0C to
+70C
Production
Intel® SS92 NAND Flash Memory - SLC
JS29F02G08AANA
2
2 Gb
x8
3.3V
Singl
JS29F04G08BANA
2
4 Gb
x8
3.3V
Singl
JS29F08G08FANA2
8 Gb
x8
3.3V
Singl
e
e
e
48L
48L
TSO
P
TSO
P
TSO
P
Intel® SS72 NAND Flash Memory - SLC
JS29F02G08AANB
3
2 Gb
x8
3.3V
Singl
JS29F04G08BANB
3
4 Gb
x8
3.3V
Singl
JS29F08G08FANB3
8 Gb
x8
3.3V
Singl
e
e
e
48L
48L
48L
TSO
P
TSO
P
TSO
P
Intel® SD74 NAND Flash Memory - SLC
JS29F04G08AANB
1
4 Gb
x8
3.3V
Singl
JS29F08G08CANB
1
8 Gb
x8
3.3V
Singl
JS29F16G08FANB1
16 Gb
x8
3.3V
Singl
e
e
e
48L
48L
48L
TSO
P
TSO
P
TSO
P
065
NAND FLASH
 Micron ofrece únicamente memorias NAND FLASH.
 NAND Flash desde 1Gb hasta 8Gb...x8 y x16 en encapsulados
TSOP y VFBGA. a 1.8V y 3.3V
Part
Density
Depth
Width
Voltage
Package
Pin
Count
I/O
Op. Temp.
MT29F16G08FAAWP
16Gb
2Gb
x8
3.3V
TSOP
48-pin
Common
0C to +70C
MT29F2G08AACWP
2Gb
256Mb
x8
3.3V
TSOP
48-pin
Common
0C to +70C
MT29F4G08AAAWP
4Gb
512Mb
x8
3.3V
TSOP
48-pin
Common
0C to +70C
MT29F8G08DAAWP
8Gb
1Gb
x8
3.3V
TSOP
48-pin
Common
0C to +70C
066
Flash Serie (SPI)
 Las Flash Serie de ST están diseñadas para almacenar código, datos y parámetros,
permitiendo una reducción de tamaño de circuito impreso y simplificando el trazado
de pistas, siendo de alta velocidad y bajo consumo, encapsulados en 8 pins SO8,
TSSOP8, MLP8, Interface SPI, 3V
 La serie M25 es pin compatible con las Eeprom serie SPI, la serie M45 no.
 La serie P es para código, la serie PE es perfecta para guardar datos y parámetros.
 Nomenclaturas
 M25Pxxx (512Kbit, 1, 2, 4, 8, 16, 32, 64, 128Mbit), 50MHz, Sector erase.
 M25PExxx (1, 2, 4, 8, 16Mbit), 33-50MHz, Page erase, H/W Prot
 M45PExxx (1, 2, 4, 8, 16Mbit), 33-50MHz, Page erase
067
Flash Serie (SPI)
 Spansion también ofrece memorias FLASH con
interface serie SPI. Encapsulados muy pequeños
(SOIC8 / 16, WSON..). Desde 4Mb hasta 64MB. 50Mhz.
Product Number Interface
Voltage
Density
Bus
Width
Sector Type
MCP
Technology
S25FL008A
Serial
3 Volts
8Mb
x1
Uniform
No
MirrorBit™
S25FL016A
Serial
3 Volts
16Mb
x1
Uniform
No
MirrorBit™
S25FL032A
Serial
3 Volts
32Mb
x1
Uniform
No
MirrorBit™
S25FL040A
Serial
3 Volts
4Mb
x1
Uniform
Boot Sector
No
MirrorBit™
S25FL064A
Serial
3 Volts
64Mb
x1
Uniform
No
MirrorBit™
S30MS-P
Serial
512Mb
1Gb
x8/x1
6
No
Mirror
Bit™
1.8 Volt
s
068
Flash Serie (SPI)
 Intel ofrece memorias Flash serie de 16Mb, 32Mb y 64Mb. 3V.
 Incluyen seguridad, con un espacio OTP: Identificador único de 64
bits de factoría, 64 bits OTP programable por el usuario, 3920 bits
OTP adicionales programable por el usuario.
 Nomenclatura: Familia S33
 QH25F320S33B8
016 = 16 Mbit, SOIC-8
160 = 16 Mbit, SOIC-16
320 = 32 Mbit
640 = 64 Mbit
Letra B “bottom”, letra T “top”.
 http://www.intel.com/design/flash/index.htm
069
Memorias PROM
PROM
OTP
EPROM
STM
MROM
EPROM
EPROM(Erasable Programmable Read Only Memory), memoria que
puede ser programada y se puede borrar para volver a usar.
 Para borrarla se necesita poner luz ultravioleta que se aplica en la
ventana de cuarzo que hay en la parte superior de la Eprom.
 Nomenclaturas EPROM 5V
 M27Cxxx (64, 256, 512kbits, 1, 2, 4, 8Mbit), x8, 5V
 M27Cxxx (4Mbit), x16, 5V
 M27Cxxx (16, 32Mbit), x8 x16 5V
 Nomenclaturas EPROM Low Voltage
 M27Wxxx (256, 512kbit, 1, 2, 4, 8Mbit), x8, 3V
 M27Wxxx (4Mbit), x16, 3V3
 M27Vxxx (16, 32Mbit), x8 x16, 3V3
071
Convenciones
Conventions
 0x: Hexadecimal prefix
 0b: Binary prefix
 K: 1,000
 M: 1,000,000
 Nibble: 4 bits
 Byte: 8 bits
 Word: 16 bits
 Kword: 1,024 words
 Kb: 1,024 bits
 KB: 1,024 bytes
 Mb: 1,048,576 bits
 MB: 1,048,576 bytes
 Brackets:
 Square brackets ([]) will be used to designate group membership or to define a group of
 signals with similar function (i.e. A[21:1], SR[4,1] and D[15:0]).
 00FFh: Denotes 16-bit hexadecimal numbers
 00FF 00FFh: Denotes 32-bit hexadecimal numbers
072
Otros tipos de memorias
PBSRAM
 PB SRAM
 Siglas de Pipeline Burst SRAM. Se llama 'pipeline' a una
categoría de técnicas que proporcionan un proceso
simultáneo, o en paralelo dentro de la computadora, y se
refiere a las operaciones de solapamiento moviendo
datos o instrucciones en una 'tuberia' conceptual con
todas las fases del 'pipe' procesando simultáneamente.
Por ejemplo, mientras una instrucción se está ejecutándo,
la computadora está decodificando la siguiente
instrucción. En procesadores vectoriales, pueden
procesarse simultáneamente varios pasos de
operaciones de coma flotante
 La PB SRAM trabaja de esta forma y se mueve en
velocidades de entre 4 y 8 nanosegundos.
074
VRAM
 VRAM :
 Siglas de Vídeo RAM, una memoria de propósito especial
usada por los adaptadores de vídeo. A diferencia de la
convencional memoria RAM, la VRAM puede ser accedida
por dos diferentes dispositivos de forma simultánea. Esto
permite que un monitor pueda acceder a la VRAM para las
actualizaciones de la pantalla al mismo tiempo que un
procesador gráfico suministra nuevos datos. VRAM
permite mejores rendimientos gráficos aunque es más
cara que la una RAM normal.
075
Memoria Caché
Memoria Caché ó RAM Caché :
 Un caché es un sistema especial de almacenamiento de alta velocidad. Puede ser tanto un
área reservada de la memoria principal como un dispositivo de almacenamiento de alta
velocidad independiente. Hay dos tipos de caché frecuentemente usados en las
computadoras personales: memoria caché y caché de disco. Una memoria caché, llamada
tambien a veces almacenamiento caché ó RAM caché, es una parte de memoria RAM
estática de alta velocidad (SRAM) más que la lenta y barata RAM dinámica (DRAM) usada
como memoria principal. La memoria caché es efectiva dado que los programas acceden
una y otra vez a los mismos datos o instrucciones. Guardando esta información en SRAM,
la computadora evita acceder a la lenta DRAM.
 Cuando un dato es encontrado en el caché, se dice que se ha producido un impacto (hit),
siendo un caché juzgado por su tasa de impactos (hit rate). Los sistemas de memoria
caché usan una tecnología conocida por caché inteligente en el cual el sistema puede
reconocer cierto tipo de datos usados frecuentemente. Las estrategias para determinar
qué información debe de ser puesta en el caché constituyen uno de los problemas más
interesantes en la ciencia de las computadoras. Algunas memorias caché están
construidas en la arquitectura de los microprocesadores. Por ejemplo, el procesador
Pentium II tiene una caché L2 de 512 Kbytes.
 El caché de disco trabaja sobre los mismos principios que la memoria caché, pero en
lugar de usar SRAM de alta velocidad, usa la convencional memoria principal. Los datos
más recientes del disco duro a los que se ha accedido (así como los sectores adyacentes)
se almacenan en un buffer de memoria. Cuando el programa necesita acceder a datos del
disco, lo primero que comprueba es la caché del disco para ver si los datos ya estan ahí.
La caché de disco puede mejorar drásticamente el rendimiento de las aplicaciones, dado
que acceder a un byte de datos en RAM puede ser miles de veces más rápido que acceder
a un byte del disco duro.
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SIMM – DIMM - DIP
SIMM :
 Siglas de Single In line Memory Module, un tipo de encapsulado consistente en una
pequeña placa de circuito impreso que almacena chips de memoria, y que se inserta en
un zócalo SIMM en la placa madre o en la placa de memoria. Los SIMMs son más fáciles
de instalar que los antiguos chips de memoria individuales, y a diferencia de ellos son
medidos en bytes en lugar de bits.
 El primer formato que se hizo popular en los computadores personales tenía 3.5" de
largo y usaba un conector de 32 pins. Un formato más largo de 4.25", que usa 72
contactos y puede almacenar hasta 64 megabytes de RAM es actualmente el más
frecuente.
 Un PC usa tanto memoria de nueve bits (ocho bits y un bit de paridad, en 9 chips de
memoria RAM dinámica) como memoria de ocho bits sin paridad. En el primer caso los
ocho primeros son para datos y el noveno es para el chequeo de paridad.
DIMM :
 Siglas de Dual In line Memory Module, un tipo de encapsulado, consistente en una
pequeña placa de circuito impreso que almacena chips de memoria, que se inserta en un
zócalo DIMM en la placa madre y usa generalmente un conector de 168 contactos.
DIP :
 Siglas de Dual In line Package, un tipo de encapsulado consistente en almacenar un chip
de memoria en una caja rectangular con dos filas de pines de conexión en cada lado.
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FPM - EDO
FPM
 Siglas de Fast Page Mode, memoria en modo paginado, el diseño más comun de chips de
RAM dinámica. El acceso a los bits de memoria se realiza por medio de coordenadas, fila
y columna. Antes del modo paginado, era leido pulsando la fila y la columna de las líneas
seleccionadas. Con el modo pagina, la fila se selecciona solo una vez para todas las
columnas (bits) dentro de la fila, dando como resultado un rápido acceso. La memoria en
modo paginado tambien es llamada memoria de modo Fast Page o memoria FPM, FPM
RAM, FPM DRAM. El término "fast" fué añadido cuando los más nuevos chips empezaron
a correr a 100 nanoseconds e incluso más.
EDO
 Siglas de Extended Data Output, un tipo de chip de RAM dinámica que mejora el
rendimiento del modo de memoria Fast Page alrededor de un 10%. Al ser un subconjunto
de Fast Page, puede ser substituida por chips de modo Fast Page.
 Sin embargo, si el controlador de memoria no está diseñado para los más rápidos chips
EDO, el rendimiento será el mismo que en el modo Fast Page.
 EDO elimina los estados de espera manteniendo activo el buffer de salida hasta que
comienza el próximo ciclo.
 BEDO (Burst EDO) es un tipo más rápido de EDO que mejora la velocidad usando un
contador de dirección para las siguientes direcciones y un estado 'pipeline' que solapa
las operaciones.
078
Flash CARD
FLASH
CARD
Compact Flash
PCMCIA
SD
SMART MEDIA
Especiales
MULTIMEDIA
CARD
MiniSD
XD Picture Card
Mini SD
Memory Stick
Compact Flash
 CompactFlash (CF) fue originalmente un tipo de dispositivo de
almacenamiento
portátiles.
de
datos,
usado
en
dispositivos
electrónicos
 Principalmente hay dos tipos de tarjetas CF, el Tipo I y el Tipo II,
ligeramente más grueso. Hay dos velocidades de tarjetas (CF
original y CF de Alta Velocidad (usando CF+/CF2.0), pero pronto
pasarán a ser tres cuando se incluya el estándar CF3.0 más rápido
incluso que los anteriores, que está previsto ser adoptado en 2005.
La ranura CF de Tipo II es usada por Microdrives y algunos otros
dispositivos.
 El conector mide de ancho unos 43 mm y la carcasa tiene 36 mm de
profundidad y está disponible en dos grosores diferentes, CF (3,3
mm) y CF II (5 mm). Sin embargo, ambos tipos son idénticos. Las
tarjetas CF I pueden ser usadas en las ranuras para CF II, pero las
tarjetas CF II son demasiado gruesas para poder encajar en las
ranuras para CF I. Las tarjetas de memoria son habitualmente del
080
PCMCIA
 Una tarjeta PCMCIA es un dispositivo normalmente utilizado en
computadoras portátiles para expandir las capacidades de este.
 Estas tarjetas reciben su nombre del estándar PCMCIA (Personal
Computer Memory Card International Association), asociación de
la industria de fabricantes de hardware para ordenadores o
computadores portátiles encargada de la elaboración de
estándares. Se usan para ampliar capacidades en cuanto a
memoria, disco duro, tarjeta de red, capturadora de radio y TV,
puerto paralelo, puerto serie, puerto USB, etc.
 Las tarjetas PCMCIA de 16 bits pueden recibir el nombre de PC
Card y las de 32 bits el de Card BUS.
 Hoy día existe una evolución de dichas tarjetas, son las llamadas
Express Card, son más finas pero mantienen las mismas
funciones.
 http://www.pcmcia.org/
http://www.expresscard.org/
081
MMC (Multi Media Card)
 Multimedia Card (MMC) es un tipo de tarjeta de memoria,
presentes en muchos dispositivos electrónicos, como cámaras
digitales. Su forma es prácticamente igual a la SD, la diferencia
más palpable es que carecen de una pestaña para evitar
sobrescribir la información en ella contenida. Su forma está
inspirada en el aspecto que presentan los antiguos discos de 3'
1/2.
 Ancho de Bus x1, x4, x8 bits
 Trabajando a 52 MHz en modo x8 bit de ancho de bus, los Datos
se pueden transferir hasta 52MB/s, (o 416 Mbits/s)
 http://www.mmca.org/
082
Secure Digital SD
 Segure Digital (SD) es un formato de tarjeta de memoria Flash. Se utiliza en
dispositivos portátiles como cámaras fotográficas digitales y ordenadores PDA.
Las tarjetas SD se basan en el formato precedente MultiMediaCard (MMC),
pero físicamente son un poco más gruesas, su tasa de transferencia de datos
es más alta, disponen de un interruptor en un lateral para evitar sobrescrituras
accidentales y tienen funciones de DRM (poco usadas).
 Las tarjetas SD miden 32 mm x 24 mm x 2,1 mm. Existen dos tipos: unos que
funcionan a velocidades normales, y las tarjetas de alta velocidad que tienen
tasas de transferencia de datos más altas.
 Los dispositivos con ranuras SD pueden utilizar tarjetas MMC, que son más
finas, pero las tarjetas SD no caben en las ranuras MMC. Las tarjetas SD se
pueden utilizar directamente en las ranuras de CF o de PC Card con un
adaptador. Las tarjetas MiniSD y MicroSD se pueden utilizar directamente en
ranuras SD con un adaptador. Hay algunas tarjetas SD que tienen un conector
USB integrado con un doble propósito, y hay lectores que permiten que las
tarjetas SD sean accesibles por medio de muchos puertos de conectividad
como USB, FireWire y a un común puerto paralelo.
083
MiniSD
 MiniSD es un formato de tarjeta de memoria flash. Presentada por primera
vez por SanDsik en CeBIT 2003, el miniSD se unió a la Memory Stick Duo
y xD-Picture en cuanto a dispositivos pequeños.
 La tarjeta miniSD fue adoptada en 2003 por la Asociación SD como una
extensión de tamaño ultra-pequeño para el estándar de tarjeta SD.
 Dado que las nuevas tarjetas se diseñaron especialmente para ser usadas
en teléfonos móviles, están envueltas por un adaptador miniSD que
permite la compatibilidad con todos los dispositivos equipados con una
ranura de tarjeta SD.
 También tiene interface SPI.
 http://www.sandisk.com/
084
MicroSD
 microSD (Micro Secure Digital / Transflash)
 Transflash; Formato de tarjeta de memoria flash más
pequeña que la MiniSD, desarrollada por SanDisk; adoptada
por la Asociación de Tarjetas SD (SD Card Association) bajo
el nombre de microSD en Julio de 2005. Tarjeta que mide 15
milímetros por 11 por 1, lo cual le da un área de 165
milímetros cuadrados. Esto es tres y media veces más
pequeña que la miniSD, que era hasta ahora el formato más
pequeño de tarjetas SD, y es alrededor de un décimo del
volumen de una SD card.
 También tienen interface SPI
 www.transflash.org
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Comparativa de memorias SD
Tarjeta miniSD
Tarjeta SD
Tarjeta
MicroSD
Ancho
20mm
24mm
15mm
Largo
21,5mm
32mm
11mm
Grosor
1,4mm
2,1mm
1mm
Volumen de la tarjeta
589 mm³
1,596 mm³
165mm³
Peso
1g aprox.
2g aprox.
< 1g aprox.
Voltaje de funcionamiento
2,7 - 3,6V
2,7 - 3,6V
2,7 - 3,6V
Interruptor de protección contra
escritura
No
Sí
No
Protectores de terminal
No
Sí
No
Número de pines
11 pines
9 pines
8 pines
086
SmartMedia Card
 Tarjeta de memoria. Uno de los estándares de almacenamiento de
imágenes más difundido junto con las tarjetas "Compact Flash".
Por el diferente voltaje al que trabajan se pueden diferenciar dos
tipos de tarjeta: 3.3V y 5V. Actualmente la más utilizada es la de
3.3V, con una capacidad máxima de 128 MB.
 Interface 8 bits (16 bits en algunos casos). 2MB/s
 Este formato de tarjetas fue desarrollado por Toshiba y destaca
por su poco espesor, son muy usadas en reproductores MP3 y
PDA. Las medidas son 45mm x 37mm x 0,76mm
 http://ssfdc.or.jp/english/
087
Memory Stick
 Memory Stick es un formato de tarjeta de memoria extraíble (memoria flash),
comercializado por Sony en 1998. El término también se utiliza para definir a la
familia entera de estos dispositivos de memoria (Memory Stick). Dentro de
dicha familia se incluye la Memory Stick Pro, una versión posterior que
permite una mayor capacidad de almacenamiento y velocidades de
transferencia de archivos más altas, y la Memory Stick Duo, una versión de
menor tamaño que el Memory Stick.
 Normalmente, la Memory Stick es utilizada como medio de almacenamiento de
información para un dispositivo portátil, de forma que puede ser fácilmente
extraído para tener acceso a un ordenador. Por ejemplo, las cámaras digitales
de Sony utilizan la tarjeta Memory Stick para guardar imágenes y videos. Con
un lector de Memory Stick (normalmente una pequeña caja conectada vía USB
o alguna otra conexión de serie) una persona puede transferir las imágenes
tomadas con la cámara digital Sony a su ordenador.
 http://www.memorystick.com/
088
XD Picture Card
 Tipo de tarjetas propietaria de Olympus que utilizan para sus cámaras de
fotos digitales. Actualmente se las puede encontrar en 8 diferentes
modelos: 16MB, 32MB, 64MB, 128MB, 256MB, 512MB, 1GB y 2GB.
 Al ser una tarjeta propietaria solamente funciona con cámaras Olympus y
Fujifilm, pero puede ser utilizada por otros dispositivos utilizando
adaptadores provistos por el fabricante, los cuales posibilitan su uso como
disco USB o que pueda ser conectado a una computadora portátil
mediante un adaptador de tarjeta PCMCIA.
 http://www.olympusamerica.com/cpg_section/cpg_xd.asp
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