CIRCUITOS INTEGRADOS
MONOLITICOS
Evolucion de los Circuitos Electronicos
Cableados
C
O
N
F
I
A
B
I
L
I
D
A
D
Impresos
Hibridos
P
O
T
E
N
C
I
A
V
O
L
U
M
E
N
Monoliticos
1
El primer Computador
The Babbage
Difference Engine
(1832)
25,000 parts
cost: £17,470
Microelectrónica
© Prentice Hall 1995
ENIAC – La primera computadora electrónica (1946)
Microelectrónica
© Prentice Hall 1995
2
Intel 4004 Micro-Processor
Microelectrónica
© Prentice Hall 1995
Intel Pentium (II) microprocessor
Microelectrónica
© Prentice Hall 1995
3
Vista de un Chip Intel?
Time Magazine, July 1998
EVOLUCION DE LOS CI.PDF
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5
6
7
Numero de transistores en un CHIP
8
9
VLSI:Very Large Scale Integration
• Integración: Circuitos Integrados
– multiples dispositivos en un substrato
• Cuán grande es Very Large?
• SSI (small scale integration)
– 7400 series, 10-100 transistores
• MSI (medium scale)
– 74000 series 100-1000
• LSI 1,000-10,000 transistores
• VLSI > 10,000 transistores (definición original)
• ULSI/SLSI (algunos desacuerdos, VLSI > 10M)
10
TECNOLOGIA de FABRICACION
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Fabricación de C.I.M.(Monoliticos.pdf pag 5)
Procesos para la Fabricacion de C.I.M.
•
•
•
•
•
•
•
Fabricacion del Sustrato
Crecimiento Epitaxial
Colocación de impurezas
Fotolitografia
Metalizacion
Pasivación
Encapsulado
16
VER
Fonstad_MicroelecDevCkt_2006EEd
Pagina 637 →
Procesos para la Fabricación de C.I.M.
Crecimiento
Xtalino.
Fabricación del
Sustrato
Crecimiento
Epitaxial
17
Crecimiento Xtalino.
Fabricación del sustrato
1.
2.
3.
4.
Silicio poli cristalino
Refinado del silicio poli cristalino (Silicio de grado electrónico)
Fabricación de barras de silicio mono cristalino (1 mt. de largo x 30 cm
de diámetro)
Obtención de las obleas (Corte de discos de silicio)
a) Espesor 400 μm a 600 μm
b) 10 defectos por cm2 en cualquier sección transversal
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19
20
Crecimiento Epitaxial
Oxidación
Aplicación de
Fotoresist
Fotolitografía
Enmascarado
Revelado
Etching
(Remoción del
oxido)
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FOTOLITOGRAFIA
23
Difusión
Colocación de
Impurezas
Implante Iónico
DIFUSION DE IMPUREZAS
24
DIFUSION DE IMPUREZAS
DIFUSION DE IMPUREZAS
25
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CONEXIONADO
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Corte transversal de un inversor CMOS
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31
VER
standards-revolutionary-22nm-transistortechnology-presentation
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