EJERCICIO 1 En el circuito de la figura siguiente calcular IB, IC, IE, y

EJERCICIO 1
En el circuito de la figura siguiente calcular IB, IC, IE, y VCB, suponiendo
VBE = 0'7 Volt. y β = 100. Determinar la zona de funcionamiento del transistor.
IC
IE
IB
VCC
VEE
EJERCICIO 2
En el circuito de la figura siguiente calcular RB y RC.
Datos: Ics0 ≅ 0 y β = 100.
IB
IC = 10 mA
VCE = 5 V
5V
VBE = 0,7 V
10V
IE
EJERCICIO 3
En el circuito de la figura siguiente calcular RB y RC. Datos: Ics0 ≅ 0 y β = 100.
IC = 10 mA
IB
VBE = 0,7 V
VCE = 5 V
EJERCICIO 4
En el circuito de la figura siguiente calcular la tensión colector base si α = 0,98
y consideramos despreciables VEB y ICs0.
IE
IC
VCB
EJERCICIO 5
En el circuito de la figura siguiente calcular la tensión de salida VS suponiendo
despreciable ICs0 y siendo VEB = 0,7V y α = 0,98.
IC
IE
VEB
VCB
VS
IB
EJERCICIO 6
En el circuito de la fig. siguiente calcular el valor de R1 si ICs0 = 0, VEB = - 0,7V,
α = 0,98 e IE = 3 mA.
C
IR1
IC
B
IB
VBE
IR2
IE = 3mA
M
EJERCICIO 7
El transistor de la fig. siguiente es de silicio. Calcular corrientes, tensiones y
potencias. α = 0,99, ICS0 = 10-6 mA.
IC
IB
VCE
VBE
IE
EJERCICIO 8
El transistor de circuito de la fig. siguiente es de silicio y tiene una β = 100.
Calcular: IB, IC, IE, VCE y VCB. Determinar la zona de trabajo del transistor.
IE
VEB
IC
IE
VCB
EJERCICIO 9
Determinar el valor de las resistencias R1, R2 y R3 en el circuito de la fig.
Datos:
I1
IB
VCC = 20 Volt.,
I1 = 13,75 mA
VZ = 12 Volt.,
rz = 22 Ω
VEC = 4 Volt.,
IE = 2,5 mA
VEB = 0,7 Volt.,
β = 99
ICS0 = 0,
VCE(Sat) = 0
IE
IZ
IC
EJERCICIO 10
En el circuito de la fig. siguiente, hallar la zona de funcionamiento del transistor.
DATOS:
VBE = 0,7 Volt β = 100
I
EJERCICIO 11
El transistor de la fig. siguiente funciona en conmutación, es decir, pasa de corte
(interruptor S cerrado) a saturación (interruptor S abierto). Calcular las
corrientes y tensiones del transistor en los dos estados (corte y saturación).
IB
S
VBE
IC
Datos:
RB = 2 K
RC = 100Ω
VCE (Sat) = 0,2 V (con S abierto)
VBE = 0,7 V
hFE (min) = 50
EJERCICIO 12
Comprobar si el transistor T1 del circuito de la fig. siguiente está saturado y
calcular las tensiones y corrientes del transistor T2. Suponer hFE(min) = 40,
VBE = 0,7 y VCE(Sat) = 0,2 V.
EJERCICIO 13
Diseñar el circuito de la fig. siguiente para que el transistor funcione entre corte
y saturación cuando se aplique una señal cuadrada cuyos valores extremos sean
de 0 Volt. y – 5 Volt.
Datos:
VBE (Sat.) = - 0,7 V
VCE (Sat.) = 0 V
IC (Sat.) = 20 mA
hFE = β = 90
0V
-5 V
EJERCICIO 14
Calcular el valor de la tensión en V0 en las dos posiciones del circuito de la fig.
siguiente.
B
A
Datos: hFE = 100, VBE = 0,7
VCE (Sat.) = 0,2 V
T1 = T2
EJERCICIO 15
En el circuito de la fig. determinar la zona de trabajo del transistor en los
siguientes casos:
a) E = 0,4 Volt.
b) E = 10 Volt.
Datos:
IC
IB
IE
VCE Sat. = - 0,2 Volt.
VBE = - 0,7 Volt.
β = 50
EJERCICIO 16
Analizar los dos circuitos siguientes, e indicar si se encuentran trabajando en la
zona activa o en saturación.
Datos: hFE = 100, VCE(Sat) = 0,2 Volt., VBE(Sat)= 0,8 Volt., Rb = Amarillo-NegroNaranja
Rc = Rojo - Rojo – Rojo Re = Verde – Negro - Rojo
Circuito (A)
Circuito (B)
EJERCICIO 17
Para el circuito de la fig. siguiente, calcular el mínimo valor de RC para que el transistor
permanezca en saturación
12 V
Datos.Transistor de silicio
VBE Sat. = 0,8 Volt.
VCE Sat. = 0,2 Volt.
β = 90
VBB = 7 Volt.
RB = Rojo - Violeta - Amarillo
RC
RB
VBB
EJERCICIO 18
En el circuito de la fig. siguiente, el transistor es de silicio, siendo su βcc = 80. Calcular la
corriente por el zener así como la potencia disipada por el transistor.
Zx10
EJERCICIO 19
En el circuito de la fig. siguiente, calcular los valores de RB y R1 de manera que el transistor
I
esté saturado con una relación C = 20, si la corriente por el LED es de 20 mA.
IB
Datos:
Rele (12 V, 200 Ω)
LED (VLED = 2 V)
Diodo (Vγ = 0,6 V)
Transistor (VBE = 0,6 V, β = 120)
EJERCICIO 20
En el circuito de la fig. siguiente, calcular el valor de RC que situa al transistor en la frontera
entre la zona activa y saturación.
Datos:
VB = 6 V
RE = 200 Ω
Transistor (VBE = 0,6 V, β = 89)