230100 - OPTO - Dispositius Optoelectrònics - etsetb

Última modificació: 29-04-2014
230100 - OPTO - Dispositius Optoelectrònics
Unitat responsable:
230 - ETSETB - Escola Tècnica Superior d'Enginyeria de Telecomunicació de Barcelona
Unitat que imparteix:
710 - EEL - Departament d'Enginyeria Electrònica
Curs:
2014
Titulació:
GRAU EN ENGINYERIA DE SISTEMES ELECTRÒNICS (Pla 2009). (Unitat docent Optativa)
Crèdits ECTS:
6
Idiomes docència:
Castellà
Professorat
Responsable:
Lluis Prat Viñas
Altres:
Lluis Prat Viñas
Capacitats prèvies
Fundamentos de electrónica
Objectius d'aprenentatge de l'assignatura
Introducir al estudiante en el conocimiento de los dispositivos optoelectrónicos y a sus aplicaciones a partir del
conocimiento de los fenómenos físicos básicos que los sustentan. El curso se plantea como una experiencia piloto de
enseñanza presencial en la UPC y simultaneamente enseñanza por videoconferencia en la UNTECS de Lima.
Hores totals de dedicació de l'estudiantat
Dedicació total: 150h
Hores grup gran:
52h
34.67%
Hores aprenentatge autònom:
98h
65.33%
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Continguts
0.- Optoelectrónica y las TIC: una panorámica histórica
Competències de la titulació a les que contribueix el contingut:
1.- La luz: 1.1 Naturaleza de la luz: de Huygens a Einstein. 1.2. El
espectroelectromagnético. 1.3. Propiedades ondulatorias de la luz. 1.4 Propiedades
corpusculares de la luz. 1.5 Dualidad onda corpusculo en la luz. El fotón
Competències de la titulació a les que contribueix el contingut:
2.- Fundamentos de mecánica cuántica. 2.1. El modelo atómico de Bohr. 2.2. La
dualidad onda corpusculo. 2.3. Principio de incertidumbre de Heisenberg 2.4. La
ecuación de Schrödinger. 2.5. El efecto tunel y el pozo cuántico
Competències de la titulació a les que contribueix el contingut:
3.- Semiconductores. 3.1. Historia del desarrollo de los semiconductores. 3.2
Estructura cristalina y bandas de energía. 3.3. Portadores y corrientes en
semiconductores. 3.4. Campos y cargas en un semiconductor. 3.5. Análisis de la
unión PN. 3.6 Capacidades parásitas en la unión PN. 3.7 Semiconductores de gap
directo e indirecto. 3.8. Absorción de radiación por el semiconductor 3.9. La unión PN
bajo iluminación
Competències de la titulació a les que contribueix el contingut:
4.- Células solares. 4.1. La radiación solar. 4.2. Estructura y características eléctricas
de la célula solar. 4.3. Tecnologías fotovoltaicas 4.4. Paneles solares. 4.5. Sistemas
fotovoltaicos 4.6. Potencialidad de las energías renovables
Competències de la titulació a les que contribueix el contingut:
5.- Dispositivos sensores de radiación. 5.1.- Fotorresistencias. 5.2. Fotodiodos PIN y
de avalancha. 5.3 Fototransistores. 5.4. Optoacopladores. 5.5 Sensor de imagen CCD
5.6. Sensor de imagen CMOS
Competències de la titulació a les que contribueix el contingut:
6.- Dispositivos emisores de luz. 6.1. Luz, color y visión. 6.2. Diodos emisores de luz
(LED). 6.3. Parámetros característicos de los LED 6.4. Aplicaciones de los LED 6.5. El
laser. Emisión estimulada. Tipos de laser 6.6. El diodo laser. Laser de heterounión y
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laser de pozos cuánticos 6.7. Parámetros característicos de los diodos laser 6.8
Aplicaciones del laser 6.9 La fibra óptica
Competències de la titulació a les que contribueix el contingut:
7.-Pantallas electrónicas. 7.1. Del disco de Nipkow a la televisión electrónica. 7.2.
Tubos de rayos catódicos. 7.3. Pantallas de plasma. 7.4. Pantallas de cristal líquido.
7.5 Pantallas OLED. 7.6. Otras aplicaciones de los OLED. 7.7. Proyectores de video
Competències de la titulació a les que contribueix el contingut:
8.- Otros dispositivos electrónicos. 8.1. Papel electrónico. 8.2. Sistemas de visión
nocturna. 8.3. Televivión 3D. 8.4. Escáneres 3D
Competències de la titulació a les que contribueix el contingut:
Sistema de qualificació
Evaluación continuada y examen final
Para tener derecho a nota de evaluación continuada el estudiante deberá asistir por lo menos al 70% de las clases.
La nota de evaluación continuada se obtendrá de la siguiente forma:
Test semanal de repaso de las clases: 25%
Control primera parte: 25%
Control segunda parte: 25%
Trabajo final curso: 15%
Asistencia a clase: 10%
El examen final se realizará para los que no aprueben la evaluación continuada o para mejorar nota.
Bibliografia
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