UD.-9. Análisis y diseño de circuitos con memorias. UD.

UD.-9. Análisis y diseño de
circuitos con memorias.
José Gorjón
JOSE GORJON
1-1
UD-9 Análisis y diseño de circuitos con memorias.
Índice
Índice
Objetivos.
Introducción.
Clasificación de las memorias.
Características generales de una memoria.
Estructura y organización de un chip integrado de memoria.
Tiempos y cronogramas.
Memorias RAM comerciales.
Memorias ROM comerciales.
Expansión de memorias integradas.
Mapas de memoria.
JOSE GORJON
1-2
UD-9 Análisis y diseño de circuitos con memorias.
Introducción.
Introducción.
¿Qué es una memoria?
Es un dispositivo que es capaz de proporcionar un medio físico para
almacenar la información procesada por un sistema digital
En nuestro caso sólo nos interesan las memorias de semiconductores
¿Para qué se emplean?
Para almacenar programas ( ejecutables y residentes) y datos (tabla de datos
y vectores de interrupciones) en Sistemas Microprocesadores (90%)
Registros, pila de memoria (stack), memoría cache.
Para implementar circuitos combinacionales
¿Qué es una palabra?
Es un grupo de bits a los que se puede acceder de manera simultánea
¿Qué es una dirección?
Es la posición de identificación de una palabra en memoria
JOSE GORJON
1-3
UD-9 Análisis y diseño de circuitos con memorias.
Clasificación
Clasificación de
de las
las Memorias
Memorias
Memoria Caché (Tipo RAM)
Memoria Principal (Control directo)
Memorias de ferrita (obsoletas)
Memorias Integradas
Memorias RAM (Random Access Memory)
Memoiras ROM (Read Only Memory)
Memorias de Masa (a través de I/O)
Memoria en Disco Duro
Memorias en Disco óptico o disco CD-ROM
Memorias en Disquete y Cinta (obsoletas)
JOSE GORJON
1-4
UD-9 Análisis y diseño de circuitos con memorias.
Clasificación
Clasificación de
de las
las Memorias.
Memorias.
Por las Operaciones
RWM (RAM): Memorias de Lectura/Escritura; las operaciones de
lectura y de escritura son rápidas y habituales en el
funcionamiento del µP
ROM: Sólo Lectura; la información es leída de manera rápida
pero la escritura es más lenta y no es habitual en el
funcionamiento del sistema µP
Por el Interfaz Exterior
Síncronas: con señal de reloj CLK para la sincronización. Las
señales de direcciones, datos y control se almacenan en
registros internos en los flancos activos de la señal CLK
Asíncronas: no disponen de señal de reloj
JOSE GORJON
1-5
UD-9 Análisis y diseño de circuitos con memorias.
Asíncrona
Asíncrona
versus
versus
síncrona.
síncrona.
JOSE GORJON
1-6
UD-9 Análisis y diseño de circuitos con memorias.
Memoria
Memoria de
de núcleo
núcleo de
de ferrita
ferrita
JOSE GORJON
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UD-9 Análisis y diseño de circuitos con memorias.
Características
Características de
de las
las Memorias.Memorias.- Capacidad
Capacidad
Capacidad: Es la cantidad de información que
puede almacenar una memoria. Su unidad es
el bit.
Son múltiplos:
Byte: Es la palabra de información compuesta por 8 bits
Kilobyte (KB): Equivale a 210bytes, es decir 1024 bytes
Megabyte (MB): Equivale a 220bytes, es decir 1.048.576 bytes
Gigabyte (GB): Equivale a 230bytes, es decir 1.048.576 kB
Terabyte (TB): Equivale a 240bytes, es decir 1.048.576 MB
JOSE GORJON
1-8
UD-9 Análisis y diseño de circuitos con memorias.
POTENCIAS
Factor
MULTIPLOS
Nombre
Símbolo
Factor
210
1024
exa
EB
260
*1024 PB
29
512
peta
PB
250
*1024 TB
28
256
tera
TB
240
*1024 GB
27
128
giga
GB
230
*1024 MB
26
64
mega
MB
220
*1024 KB
25
32
kilo
KB
210
*1024 B
24
16
Byte
B
23 bits
*8 b
23
8
22
4
21
2
20
1
JOSE GORJON
23 * 210 * 210 = 223
1-9
UD-9 Análisis y diseño de circuitos con memorias.
Características
Características de
de las
las Memorias:
Memorias: Tiempo
Tiempo de
de Acceso
Acceso
Tiempo de acceso: Es el tiempo transcurrido desde que
se pide o se envía una información a la memoria, hasta
que ésta se recibe o transmite.
JOSE GORJON
1-10
UD-9 Análisis y diseño de circuitos con memorias.
Características
Características de
de las
las Memorias:
Memorias: Volatilidad
Volatilidad
Volatilidad: Es la propiedad que tiene la memoria de
retener o no la información que posee cuando se le
desconecta la alimentación.
Memorias No volátiles: ejemplo las ROM
Memorias Volátiles: ejemplo las RAM
Estáticas: se mantiene la información permanentemente siempre que
exista alimentación
Dinámicas: además de la alimentación se necesitan operaciones
periódicas de refresco de información
Por la Tecnología de Semiconductores
Bipolares: con dispositivos bipolares (diodos o transistores)
MOS: con transistores MOSFET
JOSE GORJON
1-11
UD-9 Análisis y diseño de circuitos con memorias.
Características
Características de
de las
las Memorias:
Memorias: Modo
Modo de
de Acceso
Acceso
Modo de acceso: Es el método que la memoria
emplea para acceder a una información
almacenada en ella.
Los métodos más utilizados son:
Acceso aleatorio
Acceso secuencial
Acceso cíclico
Acceso por pila o acceso LIFO
Acceso por cola o acceso FIFO
Acceso por contenido
JOSE GORJON
1-12
UD-9 Análisis y diseño de circuitos con memorias.
Modo
Modo de
de acceso
acceso aleatorio.
aleatorio.
JOSE GORJON
1-13
UD-9 Análisis y diseño de circuitos con memorias.
Modo
Modo de
de acceso
acceso secuencial.
secuencial.
JOSE GORJON
1-14
UD-9 Análisis y diseño de circuitos con memorias.
Modo
Modo de
de Acceso
Acceso cíclico
cíclico
Acceso cíclico: Este modo
de acceso es una
combinación entre el acceso
secuencial y el acceso
aleatorio. Los dispositivos
de memoria que utilizan este
tipo de acceso son los discos
duros y los disquetes, en los
cuales la información viene
grabada en pistas
concéntricas.
JOSE GORJON
1-15
UD-9 Análisis y diseño de circuitos con memorias.
Modo
Modo de
de Acceso
Acceso por
por Pila
Pila oo LIFO
LIFO
Las siglas LIFO (Last in, first out) significan: último en
entrar, primero en salir.
JOSE GORJON
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UD-9 Análisis y diseño de circuitos con memorias.
Modo
Modo de
de Acceso
Acceso por
por Cola
Cola oo FIFO
FIFO
El significado de las siglas FIFO (First in, first out) es:
primero en entrar primero en salir. Utilizada para
adaptar la velocidad de trabajo entre dispositivos.
JOSE GORJON
1-17
UD-9 Análisis y diseño de circuitos con memorias.
Acceso
Acceso por
por Contenido
Contenido oo Asociativo
Asociativo (CAM)
(CAM)
Se suministra un dato y la
respuesta es si está o no
almacenado y la dirección
en la que se encuentra.
JOSE GORJON
http://thinkdifferent.typepad.com/edulog/computer_architecture/index.html
1-18
UD-9 Análisis y diseño de circuitos con memorias.
Patillaje
Patillaje
Patillas de alimentación
Patillas del bus de direcciones
Patillas del bus de datos (D0Dn)
Patilla de selección de
Lectura/Escritura (R/W)
Patilla de selección de pastilla
(CS= Chip Select o CE = Chip
Enable)
JOSE GORJON
1-19
UD-9 Análisis y diseño de circuitos con memorias.
Organización
Organización interna
interna de
de la
la memorias
memorias (1)
(1)
JOSE GORJON
1-20
UD-9 Análisis y diseño de circuitos con memorias.
Organización
Organización interna
interna de
de la
la memorias
memorias (2)
(2)
JOSE GORJON
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UD-9 Análisis y diseño de circuitos con memorias.
Organización
Organización interna
interna de
de la
la memorias
memorias (3)
(3)
JOSE GORJON
1-22
UD-9 Análisis y diseño de circuitos con memorias.
SIMBOLOGÍA(1)
SIMBOLOGÍA(1)
Información y cambio de información en un bus:
Cuando una información está compuesta por varias
señales, como en el caso de los buses de direcciones y de
datos, se utiliza la representación simplificada.
El cruce de las líneas superior e inferior indica que se ha
producido un cambio en una o varias de las líneas que
forman el conjunto. Cuando las líneas permanecen
paralelas, se está representando que la totalidad de la
señal permanece sin variación.
JOSE GORJON
1-23
UD-9 Análisis y diseño de circuitos con memorias.
SIMBOLOGÍA(2)
SIMBOLOGÍA(2)
Estado de alta impedancia en un bus: Se indica con
una tercera línea intermedia, tal y como aparece en la
Figura.
JOSE GORJON
1-24
UD-9 Análisis y diseño de circuitos con memorias.
SIMBOLOGÍA(3)
SIMBOLOGÍA(3)
Información no útil o irrelevante en un bus:
Cuando la información presente en un conjunto de líneas
es irrelevante, es decir, no tiene interés para el
fenómeno que se describe, se utiliza el símbolo
indicado en la Figura
JOSE GORJON
1-25
UD-9 Análisis y diseño de circuitos con memorias.
SIMBOLOGÍA(4
SIMBOLOGÍA(4))
Cambio de estado en una línea: Puesto que el tiempo
de cualquier cambio de estado no es nulo, las subidas
y bajadas de las señales, que en la realidad serían
cercanas a una función exponencial, se representan
mediante los trazos incluidos que aparecen en la
Figura.
JOSE GORJON
1-26
UD-9 Análisis y diseño de circuitos con memorias.
SIMBOLOGÍA(5)
SIMBOLOGÍA(5)
Cambio de estado en una línea en momento indeterminado:
Si el instante de paso de cero (0) a uno (1) o de uno (1) a cero
(0) no está determinado o es irrelevante, se señala el margen
de tolerancia mediante un rayado, tal y como aparece en la
Figura.
JOSE GORJON
1-27
UD-9 Análisis y diseño de circuitos con memorias.
Proceso
Proceso de
de lectura
lectura de
de una
una memoria
memoria RAM
RAM
JOSE GORJON
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UD-9 Análisis y diseño de circuitos con memorias.
Proceso
Proceso de
de Escritura
Escritura
JOSE GORJON
1-29
UD-9 Análisis y diseño de circuitos con memorias.
Memoria
Memoria RAM
RAM 2112
2112 (1)
(1)
Bus de direcciones A0-A7; el
número de direcciones será:
28= 256 direcciones
Bus de datos I/O0-I/O3;luego
la longitud de la palabra es 4
Nº de bit capaz de almacenar
256x4=1.024
2 patillas típicas de
alimentación Vcc - GND
/CE :patilla de selección de
chip
R/W :patilla de lectura
escritura que indica que es una
memoria RAM
JOSE GORJON
1-30
UD-9 Análisis y diseño de circuitos con memorias.
Memoria
Memoria RAM
RAM 2112
2112 (2)
(2)
Tipo RAM estática
Organización 256x4
Tecnología NMOS
Alimentación 5V
Encapsulado:DIL 16 pines
Compatible con tecnología
TTL
Disipación típica de
potencia:
2112A = 225 mW
2112a-L = 150 mW
Tiempo de acceso máximo:
2112A = 350 ns
JOSE GORJON
1-31
UD-9 Análisis y diseño de circuitos con memorias.
Tipos
Tipos de
de RAM
RAM
RAM estáticas
(SRAM)
RAM dinámicas
(DRAM)
Elemento de
almacenamiento.
Flip-flop
Condensador
Dimensión de la celúla
Pequeña
Muy Pequeña
Grado de integración
(Celdas por chip)
Alto
Muy alto
Necesidad de refresco
No
Sí
Velocidad de respuesta
Muy Alta
Media
Precio
JOSE GORJON
Más bajo
1-33
UD-9 Análisis y diseño de circuitos con memorias.
SRAM
SRAM bipolar
bipolar
Las células de
memoria están
constituidas por
transistores
multiemisor
Tiene un alto
consumo
Alta velocidad
JOSE GORJON
1-34
UD-9 Análisis y diseño de circuitos con memorias.
SRAM
SRAM MOS
MOS
Ventajas
Bajo consumo debido a los
transistores MOS
Alta densidad de integración
Inconvenientes
Velocidad de trabajo lenta
Sensibilidad a la electricidad
estática
JOSE GORJON
1-35
UD-9 Análisis y diseño de circuitos con memorias.
Tipos
Tipos de
de Memorias
Memorias SRAM
SRAM
SRAM Burst (ráfaga)
Permite trabajar a muy alta
velocidad sobre bloques de
direcciones.
Posee un circuitería interna
que direcciona la siguiente
posición de memoria sin que
la solicite el µP. Esto es válido
solo para un bloque de
posiciones de memoria
consecutivas
JOSE GORJON
SRAM Pipeline (tubería)
Mejora el modelo
anterior. Posee un buffer
especial que permite que
la memoria reciba una
nueva dirección antes de
terminar el acceso
anterior.
1-36
UD-9 Análisis y diseño de circuitos con memorias.
Memoria
Memoria RAM
RAM MCM514256A
MCM514256A (1)
(1)
Pines de alimentación Vcc y
Vss
Patilla de /W, de donde
podemos deducir que es RAM
/CAS y /RAS se utilizan para el
refresco, de donde deducimos
que es una DRAM
Bus de direcciones A0-A8, pero
como las memorias DRAM
tienen multiplexado el bus de
direcciones , las 9 líneas
equivalen A0-A17 ,es decir
218=262.144 direcciones
Bus de datos D0-D3 es decir 4
bits 262.144x4 = 1.048.576
bits
JOSE GORJON
1-37
UD-9 Análisis y diseño de circuitos con memorias.
Memoria
Memoria RAM
RAM MCM514256A
MCM514256A (2)
(2)
Datos del Catálogo
RAM dinámica
Organización 256Kx4
Tecnología CMOS
Alimentación +5V
Encapsulado DIL 20 pines
Compatible con tecnología TTL
Consumo típico 80 mA
Direccionamiento multiplexado
Tiempo de acceso máximo 80 ns
Período de refresco máximo 8 ms
JOSE GORJON
1-38
UD-9 Análisis y diseño de circuitos con memorias.
Memoria
Memoria RAM
RAM MCM514256A
MCM514256A (3)
(3)
Célula:
• Si T1 se activa, la capacidad
parásita de C se podrá cargar
o no a través de la entrada,
dependiendo que esta sea “1”
o “0”. Si se carga T2 conduce
• Para leer se activa T3, de
manera que la tensión de C
permitirá que T2 conduzca o
no y por lo tanto sabemos si
hay almacenado un “0” o un
“1”.
JOSE GORJON
1-39
UD-9 Análisis y diseño de circuitos con memorias.
Tipos
Tipos de
de memorias
memorias DRAM
DRAM (1)
(1)
FPM RAM (Fast Page Mode RAM)
Esta memoria DRAM esta
diseñada para trabajar en modo
paginado, es decir para accesos a
bloques de memoria consecutivos. Su
estructura solo difiere de las memorias
DRAM convencional en que el
decodificador de filas, mantiene
validada la última dirección sobre la
que se trabajo, de esta forma el acceso
a direcciones de memoria consecutivas
es muy rápido ya que solo hay que
esperar la respuesta del multiplexor de
columnas
JOSE GORJON
Memorias EDO RAM
(Extended Data Out RAM)
Son una variante de las
memorias FPM RAM, que
mediante la utilización de un buffer
especial en su salida, las permite,
por ejemplo, estar finalizando la
lectura de un dato de la matriz y
simultáneamente estar
decodificando la dirección del
siguiente dato a leer.
1-40
UD-9 Análisis y diseño de circuitos con memorias.
Tipos
Tipos de
de memorias
memorias DRAM
DRAM (2)
(2)
Memorias BEDO (Burst EDO
RAM):
Es una variante de las memorias
EDO RAM que mejora su
velocidad mediante la inclusión,
en el propio chip, de un contador
de direcciones. Como en todos
los tipos de DRAM estudiados
solo mejoran su respuesta en
accesos a direcciones de
memoria consecutivas.
JOSE GORJON
Memorias SDRAM
(Synchonous DRAM):
Es el tipo de memoria DRAM
mas moderno de los empleados
hoy.
Su estructura consta de dos o
mas matrices, cuyo
funcionamiento se organiza de
forma que, mientras se esta
realizando el acceso a una
matriz, otra está preparando el
siguiente acceso. Incorporan en
su estructura todas las mejoras
de las memorias DRAM
estudiadas y son las más rápidas
de las memorias DRAM.
1-41
UD-9 Análisis y diseño de circuitos con memorias.
Asíncrona
Asíncrona
versus
versus
síncrona.
síncrona.
JOSE GORJON
1-42
UD-9 Análisis y diseño de circuitos con memorias.
Memoria
Memoria ROM
ROM 6830
6830 (1)
(1)
Dos pines de alimentación
VDD y VSS.
Cuatro pines de selección
CS0, CS1, CS2 y CS3.
No posee pin de R/W
10 líneas de bus de
direcciones A0-A9 210 = 1.024
direcciones
8 líneas de bus de datos D0D7 1.024x8 = 8.192 bits
JOSE GORJON
1-45
UD-9 Análisis y diseño de circuitos con memorias.
Memoria
Memoria ROM
ROM 6830
6830 (2)
(2)
Información del catálogo
Tipo : ROM
Organización 1.024x8
Tecnología NMOS
Alimentación +5V
Compatible con lógica TTL
Consumo máximo 130 mA
Tiempo de acceso máx:
68B30A = 250 ns
JOSE GORJON
1-46
UD-9 Análisis y diseño de circuitos con memorias.
Tipos
Tipos de
de memoria
memoria ROM
ROM
JOSE GORJON
1-47
UD-9 Análisis y diseño de circuitos con memorias.
JOSE GORJON
1-48
UD-9 Análisis y diseño de circuitos con memorias.
JOSE GORJON
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UD-9 Análisis y diseño de circuitos con memorias.
JOSE GORJON
1-50
UD-9 Análisis y diseño de circuitos con memorias.
JOSE GORJON
1-51
UD-9 Análisis y diseño de circuitos con memorias.
JOSE GORJON
1-52
UD-9 Análisis y diseño de circuitos con memorias.
JOSE GORJON
1-53
UD-9 Análisis y diseño de circuitos con memorias.
JOSE GORJON
1-54
UD-9 Análisis y diseño de circuitos con memorias.
JOSE GORJON
1-55
UD-9 Análisis y diseño de circuitos con memorias.
JOSE GORJON
1-56
UD-9 Análisis y diseño de circuitos con memorias.
Memoria
Memoria EPROM
EPROM 27C64A
27C64A (1)
(1)
Dos pines de alimentación VCC y
GND.
Cuatro pines especiales: Vpp,
/PCG, /OE y /CE.
Al no poseer patilla de R/W
podemos asegurar que es un
tipo de memoria ROM
La patilla PGM delata que es una
memoria EPROM o PROM.
Bus de direcciones A0-A12 213 =
8.192 direcciones
Bus de datos 8 bits, D0-D7
8.192x8 = 65.536 bits
JOSE GORJON
1-58
UD-9 Análisis y diseño de circuitos con memorias.
Memoria
Memoria EPROM
EPROM 27C64A
27C64A (2)
(2)
Información del catálogo
Tipo EEPROM
Organización 8.192 x 8
Tecnología NMOS
Alimentación 5V
Encapsulado DIL 28 pines
Compatible con tecnología TTL
Consuma máximo 20 mA
JOSE GORJON
1-59
UD-9 Análisis y diseño de circuitos con memorias.
Memorias
Memorias “habituales”
“habituales” en
en los
los Sistemas
Sistemas Microprocesadores
Microprocesadores
JOSE GORJON
1-60
UD-9 Análisis y diseño de circuitos con memorias.
Expansión
Expansión de
de la
la longitud
longitud de
de palabra
palabra almacenada
almacenada ::
Memoria
Memoria de
de 1K
1K xx 8
8 bits
bits con
con pastillas
pastillas de
de 1Kx4
1Kx4 bits
bits
JOSE GORJON
1-62
UD-9 Análisis y diseño de circuitos con memorias.
Expansión
Expansión del
del número
número de
de posiciones:
posiciones:
Memoria
Memoria de
de 4K
4K x4
x4 bits
bits con
con pastillas
pastillas de
de 1Kx4
1Kx4 bits
bits
JOSE GORJON
1-63
UD-9 Análisis y diseño de circuitos con memorias.
Expansión
Expansión del
del número
número de
de posiciones
posiciones yy del
del tamaño
tamaño de
de palabra:
palabra:
Memoria
Memoria de
de 2K
2K x8bits
x8bits con
con pastillas
pastillas de
de 1Kx4
1Kx4 bits
bits
JOSE GORJON
1-64
UD-9 Análisis y diseño de circuitos con memorias.
Mapa
Mapa de
de memoria
memoria de
de un
un sistema
sistema microprogramado
microprogramado
JOSE GORJON
1-65
Actividad
Implementación con decodificadores el mapa
de memoria anterior.
JOSE GORJON
1-66
UD-9 Análisis y diseño de circuitos con memorias.
Decodificador
Decodificador de
de 3
3 aa 8
8 líneas
líneas yy las
las posiciones
posiciones de
de memoria
memoria que
que
direcciona
direcciona
JOSE GORJON
1-67
UD-9 Análisis y diseño de circuitos con memorias.
Doble
Doble decodificador
decodificador de
de 2
2 aa 4
4 líneas
líneas yy las
las posiciones
posiciones de
de memoria
memoria
que
que direcciona
direcciona
JOSE GORJON
1-68
UD-9 Análisis y diseño de circuitos con memorias.
Implementación
Implementación con
con decodificadores
decodificadores del
del mapa
mapa de
de memoria
memoria
JOSE GORJON
1-69
UD-9 Análisis y diseño de circuitos con memorias.
JOSE GORJON
1-70
UD-9 Análisis y diseño de circuitos con memorias.
JOSE GORJON
1-71
UD-9 Análisis y diseño de circuitos con memorias.
JOSE GORJON
1-72
UD-9 Análisis y diseño de circuitos con memorias.
JOSE GORJON
1-73
UD-9 Análisis y diseño de circuitos con memorias.
Supongamos una PDA que puede direccionar hasta 8GB, y que
disponemos de los siguientes tipos de bloques de E/S
(Entrada/salida o I/O) y/o memorias:
64kB en dispositivos de E/S, situado en las primeras posiciones,
256MB de memoria principal SDRAM,
hasta 4GB memoria externa a través de tarjeta SD,
y 512MB de memoria FLASH donde se instala el SO que estará
situado en las ultimas direcciones de memoria.
JOSE GORJON
1-74
UD-9 Análisis y diseño de circuitos con memorias.
Recursos:
Recursos:
Si se utilizan los siguientes chips de memoria y circuitos
combinacionales:
Chip SDRAM de 128MB.
Chip FLASH de 128MB.
JOSE GORJON
1-75
UD-9 Análisis y diseño de circuitos con memorias.
Se
Se pide:
pide:
Dibuja el mapa de memoria detallado (2ptos).
Calcula y refleja en el mapa donde empiezan y acaban cada bloque y
cada una de las memorias. (4ptos)
Diseña el circuito de selección (4 ptos) utilizando los siguientes
dispositivos lógicos y puertas lógicas discretas.
JOSE GORJON
1-76
Mapa de Memoria
8GB
Direcciones (Hex)
A32 A31 A30
Contenido
Direcciones Componentes (Hex)
1GB
0 0000 0000h
000
E/S (64KB)
0 0000 0000h
0 0000 FFFFh
0 3FFF FFFFh
1GB
0 4000 0000h
A29 A28
Libre
001
0 7FFF FFFFh
RAM1 (128MB)
0 4000 0000h
0 47FF FFFFh
00
RAM2 (128MB)
0 4800 0000h
0 4FFF FFFFh
01
Libre
1GB
0 8000 0000h
0 BFFF FFFFh
010
1GB
0 C000 0000h
0 FFFF FFFFh
011
1GB
1 0000 0000h
1 3FFF FFFFh
100
1GB
1 4000 0000h
1 7FFF FFFFh
101
1GB
1 8000 0000h
1 BFFF FFFFh
110
Libre
1 8000 0000h
1 BFFF FFFFh
1GB
1 C000 0000h
111
Libre
1 C000 0000h
ROM1 (128MB)
1 E000 0000h
1 E7FF FFFFh
00
ROM1 (128MB)
1 E800 0000h
1 EFFF FFFFh
01
ROM1 (128MB)
1 F000 0000h
1 F7FF FFFFh
10
ROM1 (128MB)
1 F800 0000h
1 FFFF FFFFh
11
SD (Hasta 4GB)
0 8000 0000h
1 7FFF FFFFh
1 FFFF FFFFh
U4
E/S
CE
D[7-0]
A[16-0]
E/S
U3
CE
OE
WE
2
3
1
U1
A32
A31
A30
1
2
3
6
4
5
A
B
C
G1
G2A
G2B
Y0
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
15
14
13
12
11
10
9
7
A
B
G
D[7-0]
A[27-0]
SDRAM
U5
U2A
A29
A28
SDRAM
Y0
Y1
Y2
Y3
4
5
6
7
74LS139
U11
2
3
1
4
5
CE
OE
WE
SDRAM
D[7-0]
A[27-0]
SDRAM
U6
CE
OE
WE
SD
D[7-0]
A[32-0]
AND4
SD
U7
74LS138
1
CE
OE
FLASH
U12
NAND2
D[7-0]
A[27-0]
3
2
FLASH
U8
CE
OE
FLASH
D[7-0]
A[27-0]
#WR
FLASH
U9
#RD
CE
OE
FLASH
D[7-0]
A[27-0]
U2B
A29
A28
14
13
15
A
B
G
Y0
Y1
Y2
Y3
12
11
10
9
FLASH
U10
CE
OE
FLASH
74LS139
FLASH
D[7-0]
A[27-0]